JPH02237168A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH02237168A JPH02237168A JP1058328A JP5832889A JPH02237168A JP H02237168 A JPH02237168 A JP H02237168A JP 1058328 A JP1058328 A JP 1058328A JP 5832889 A JP5832889 A JP 5832889A JP H02237168 A JPH02237168 A JP H02237168A
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- Japan
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- heat treatment
- cds
- thin film
- cdse
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどの（−）
八機器の画像人力部に用いられる光センサの！！侍方法
に関するもの叉ｉある。
八機器の画像人力部に用いられる光センサの！！侍方法
に関するもの叉ｉある。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像人力部の
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが閏発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになってきた。
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが閏発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになってきた。
さて、ＣｄＳ，ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳ
．ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特
長で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易である。
．ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特
長で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易である。
この光センサはガラスなどの絶縁性基板上にＣｄＳ，Ｃ
ｄＳｅあるいはＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導
体薄膜を蒸着形成し、これを高温でＣｄＣｌの蒸気に暴
露、熱処理し光電的ζこ活性化して後対向電極を設け、
さらに保護膜を形成する方法によって得られる。
ｄＳｅあるいはＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導
体薄膜を蒸着形成し、これを高温でＣｄＣｌの蒸気に暴
露、熱処理し光電的ζこ活性化して後対向電極を設け、
さらに保護膜を形成する方法によって得られる。
発明が解決しようとする課題
この様に、センサの活性化熱処理なＣｄＣｉ２蒸気中で
行うため、実際には基板上に形成した（：ｄＳ系薄膜を
アルミナの半密閉容器の中で上向きζこセ・ントシ，容
器の底部にＣｄＣｌｙの蒸発源であるＣｄＳ：ＣｄＣｌ
２（約５重量部）粉末を置いて加熱する方法を採っ゛Ｃ
いる。この加熱もトンネル炉を容器がゆっくりと通過す
る方式なので完全に均一な加熱冷却が難しくなる。その
ため、基板中央部のセンサと周辺部のセンサで特性に違
いが生じ易いという欠点がある。
行うため、実際には基板上に形成した（：ｄＳ系薄膜を
アルミナの半密閉容器の中で上向きζこセ・ントシ，容
器の底部にＣｄＣｌｙの蒸発源であるＣｄＳ：ＣｄＣｌ
２（約５重量部）粉末を置いて加熱する方法を採っ゛Ｃ
いる。この加熱もトンネル炉を容器がゆっくりと通過す
る方式なので完全に均一な加熱冷却が難しくなる。その
ため、基板中央部のセンサと周辺部のセンサで特性に違
いが生じ易いという欠点がある。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑み、複雑なる
活性化熱処理プロセスを簡単にして、特性の均一性、再
現性に優れた光センサの製造方法を提供することを目的
とする。
活性化熱処理プロセスを簡単にして、特性の均一性、再
現性に優れた光センサの製造方法を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
本発明は、絶縁性基板上にＣｄＳ，’ ＣｄＳｅあるい
は固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体としこれに少量のＣｕ
あるいはＡｇを含有して成る半導体薄膜を形成し、前記
半導体薄膜をＣｄＣｌ２を溶かした溶液に浸漬して後、
３５０〜５５０℃で１５ｍｉｎ以上活性化熱処理した後
、対向電極を設け、ざらに侃護膜を形成することを特徴
とする光センサの製造方法である。
は固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体としこれに少量のＣｕ
あるいはＡｇを含有して成る半導体薄膜を形成し、前記
半導体薄膜をＣｄＣｌ２を溶かした溶液に浸漬して後、
３５０〜５５０℃で１５ｍｉｎ以上活性化熱処理した後
、対向電極を設け、ざらに侃護膜を形成することを特徴
とする光センサの製造方法である。
作用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ系光導電型センサの光電
流値が大きいという特長を損なわずして、複雑なる活性
化熱処理プロセスを簡単にして、しかもその特性の均一
性に優れたものにすることができる。
流値が大きいという特長を損なわずして、複雑なる活性
化熱処理プロセスを簡単にして、しかもその特性の均一
性に優れたものにすることができる。
実施例
以下に、本発明の実施例を説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上にＣｄＳ，ＣｄＳｅあるいは
ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体としこれに少垂のＣｕあるいは
Ａｇを含有して成る半導体薄膜を真空蒸着法などの方法
によって形成する。この薄膜なＣｄＣｌを溶かした溶液
（水、アルコールなど）に浸漬して後乾燥し、中性また
は少量の酸素を含む雰囲気中３５０〜５５０℃にて１５
ｍｉｎ以−Ｅ活性化熱処理を施す。
ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体としこれに少垂のＣｕあるいは
Ａｇを含有して成る半導体薄膜を真空蒸着法などの方法
によって形成する。この薄膜なＣｄＣｌを溶かした溶液
（水、アルコールなど）に浸漬して後乾燥し、中性また
は少量の酸素を含む雰囲気中３５０〜５５０℃にて１５
ｍｉｎ以−Ｅ活性化熱処理を施す。
しかる後、ＮｉＣｒ／Ａｕの蒸着形成膜などで対向電極
を形成し、さらにシリコン樹脂やポリイミドなどの保護
膜を形成し光センサを完成する。
を形成し、さらにシリコン樹脂やポリイミドなどの保護
膜を形成し光センサを完成する。
活性化熱処理前の半導体薄膜中には少量の増感不純物Ｃ
ｕやＡｇを添加するが、このときのＣｕやＡｇの分量は
母体の半導体に対して０．００５〜０．１モル％である
ことを要する。
ｕやＡｇを添加するが、このときのＣｕやＡｇの分量は
母体の半導体に対して０．００５〜０．１モル％である
ことを要する。
次ぎに更に、具体例を説明する。
ガラス基板（コーニング社，＃ ７ ０ ５ ９ 、２
３０Ｘ ２５Ｘ１．２ｍｎ＋３）上に厚さ４０００ Ａ
のＣｄＳｅ．ｅＳｅｅ４：Ｃｕ（あるいはＡｇ）の蒸着
膜を形成し、フォトエッチングにより主走査方向に島状
（ ９０Ｘ ３５０μ，２）に８ビッ｝／ｍｍの割合で
１７２８ビット配置する。この島状のＣ ｄＳ ＠．ｅ
Ｓ ｅｓ． ａ膜をＣｄＣｌを水に０．０３〜１モル
／ｌの濃度に溶かした溶液中に１ ｍｉｎ浸漬して後乾
燥し、窒素ガス中３５０〜５５０℃で３０ｍｉｎ加熱処
理して光電的に活性化して光導電体膜にするｅ Ｃ ｕ
あるいはＡｇの分量は母体であるＣｄＳｉ！．ｅＳｅＩ
Ｉ．ａ膜に対して、０．００５＝０．１モル％とするが
、この分量が、０．００５モル％より少ないと効果が小
さく、０．１モル％以上だと立上がり特性が悪くなる。
３０Ｘ ２５Ｘ１．２ｍｎ＋３）上に厚さ４０００ Ａ
のＣｄＳｅ．ｅＳｅｅ４：Ｃｕ（あるいはＡｇ）の蒸着
膜を形成し、フォトエッチングにより主走査方向に島状
（ ９０Ｘ ３５０μ，２）に８ビッ｝／ｍｍの割合で
１７２８ビット配置する。この島状のＣ ｄＳ ＠．ｅ
Ｓ ｅｓ． ａ膜をＣｄＣｌを水に０．０３〜１モル
／ｌの濃度に溶かした溶液中に１ ｍｉｎ浸漬して後乾
燥し、窒素ガス中３５０〜５５０℃で３０ｍｉｎ加熱処
理して光電的に活性化して光導電体膜にするｅ Ｃ ｕ
あるいはＡｇの分量は母体であるＣｄＳｉ！．ｅＳｅＩ
Ｉ．ａ膜に対して、０．００５＝０．１モル％とするが
、この分量が、０．００５モル％より少ないと効果が小
さく、０．１モル％以上だと立上がり特性が悪くなる。
その後、その島一状の膜の各々に対向電極（ＮｉＣｒ／
Ａｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。
Ａｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。
対向電極のギャップは６０μｍである。その後シリコン
樹脂やポリイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを
完成する。これらラインセンサのうちＣｕ濃度が０．Ｏ
ｌモル％でポリイミド保護膜の場合の結果（１ビットの
特性）を第１表にまとめる。
樹脂やポリイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを
完成する。これらラインセンサのうちＣｕ濃度が０．Ｏ
ｌモル％でポリイミド保護膜の場合の結果（１ビットの
特性）を第１表にまとめる。
比較のため、Ｃ ｄＳ ｌ！．６ Ｓ ｅｓ．ａ ：
Ｃ ｕ （０．０１モル％）蒸着膜を通常のＣ ｄＣ
１２蒸気中５５０℃でＩＨ活性化熱処理後電極形成した
センサについても調べてある。なお特性は印加電圧ＤＣ
ＩＯＶ、光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ，１００１
ｕｘ）をＩ Ｈｚ （０．５ｓｅｃずつ）で点滅して測
定した。応答時間は光電流．Ｊ ｐが、０から飽和値の
５０％に上がるまでの時間を立上がり時間τ，、Ｊｐが
飽和値からその５０％に下がるまでの時閏を立下がり時
間τｄとした。
Ｃ ｕ （０．０１モル％）蒸着膜を通常のＣ ｄＣ
１２蒸気中５５０℃でＩＨ活性化熱処理後電極形成した
センサについても調べてある。なお特性は印加電圧ＤＣ
ＩＯＶ、光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ，１００１
ｕｘ）をＩ Ｈｚ （０．５ｓｅｃずつ）で点滅して測
定した。応答時間は光電流．Ｊ ｐが、０から飽和値の
５０％に上がるまでの時間を立上がり時間τ，、Ｊｐが
飽和値からその５０％に下がるまでの時閏を立下がり時
間τｄとした。
（以下余白）
表１
この様にＣｄＳｓ．ａＳｅｓ．ａ： Ｃｕ（あるいはＡ
ｇ）蒸着膜をＣｄＣｌを溶かした溶液に浸漬後活性化熱
処理することにより従来のＣｄＣｌ＋２蒸気中で活性化
熱処理したものと同等の特性が得られる。
ｇ）蒸着膜をＣｄＣｌを溶かした溶液に浸漬後活性化熱
処理することにより従来のＣｄＣｌ＋２蒸気中で活性化
熱処理したものと同等の特性が得られる。
本実施例ではＣｄＳθ．６Ｓｅａ．ｓを例にとったがＣ
ｄＳ，ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅ
でも同様の効果が得られる。また本発明のセンサは従来
のセンサに較へて均一性においても優れている．すなわ
ち、例えば従来のセンサ（第１表、一番下）と本発明の
センサ（第１表、下から３ｘ目）の特性を比較した場合
、その光電流Ｊｐは平均値が３６および４６μＡである
が従来型センサではそのバラツキが±ｌＯ％以内であっ
たが、本発明センサでは±５％以内であった。
ｄＳ，ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅ
でも同様の効果が得られる。また本発明のセンサは従来
のセンサに較へて均一性においても優れている．すなわ
ち、例えば従来のセンサ（第１表、一番下）と本発明の
センサ（第１表、下から３ｘ目）の特性を比較した場合
、その光電流Ｊｐは平均値が３６および４６μＡである
が従来型センサではそのバラツキが±ｌＯ％以内であっ
たが、本発明センサでは±５％以内であった。
発明の効果
本発明によれば、光電流値が大きいという特性を損なわ
ずして、そのバラツキを小さくし、かつ製造プロセスを
簡単にすることが出来る。
ずして、そのバラツキを小さくし、かつ製造プロセスを
簡単にすることが出来る。
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅ或は固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅを主体としこれに少量のＣｕあるいはＡｇ
を含有して成る半導体薄膜を形成し、前記半導体薄膜を
ＣｄＣｌ＿を溶かした溶液に浸漬して後、３５０〜５５
０℃で１５ｍｉｎ以上活性化熱処理した後、対向電極を
設け、さらに保護膜を形成することを特徴とする光セン
サの製造方法。 - （２）ＣｕあるいはＡｇの分量が母体の半導体に対して
、０．００５〜０．１モル％であることを特徴とする請
求項１記載の光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058328A JPH02237168A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058328A JPH02237168A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237168A true JPH02237168A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13081232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058328A Pending JPH02237168A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02237168A (ja) |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058328A patent/JPH02237168A/ja active Pending
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