JPH02285807A - 可変減衰器 - Google Patents
可変減衰器Info
- Publication number
- JPH02285807A JPH02285807A JP10802989A JP10802989A JPH02285807A JP H02285807 A JPH02285807 A JP H02285807A JP 10802989 A JP10802989 A JP 10802989A JP 10802989 A JP10802989 A JP 10802989A JP H02285807 A JPH02285807 A JP H02285807A
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Links
- 238000012886 linear function Methods 0.000 claims 2
- 208000009689 optic atrophy 4 Diseases 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、可変減衰器に関し、特に良好な定インピーダ
ンス特性を有する可変減衰器に関するものである。
ンス特性を有する可変減衰器に関するものである。
（従莱の技術）
従来の定インピーダンス型可変減衰器としては、第４図
に示すような回路が使用されている０図において、ＬＩ
ＯとＬｌｌは高周波遮断用コイル、ＣＩＯ〜Ｃ１３は直
流電流遮断用コンデンサを示す、入力端子ＩＮからの電
流はＰＩＮダイオードＤＩＯ，Ｄｌｌ、ＤＩ２に供給さ
れる。制御電圧端子１００に加える電圧を変化させるこ
とにより、ＰＩＮダ４１ｒ−ＦＤＩＯ，Ｄｌｌ、ＤＩ２
４．：流れる電流が変化し、抵抗ＲＩＯとコンデンサＣ
Ｉ２を介して出力端子ＯＵＴから得られる出力は減衰さ
れたものとなる。
に示すような回路が使用されている０図において、ＬＩ
ＯとＬｌｌは高周波遮断用コイル、ＣＩＯ〜Ｃ１３は直
流電流遮断用コンデンサを示す、入力端子ＩＮからの電
流はＰＩＮダイオードＤＩＯ，Ｄｌｌ、ＤＩ２に供給さ
れる。制御電圧端子１００に加える電圧を変化させるこ
とにより、ＰＩＮダ４１ｒ−ＦＤＩＯ，Ｄｌｌ、ＤＩ２
４．：流れる電流が変化し、抵抗ＲＩＯとコンデンサＣ
Ｉ２を介して出力端子ＯＵＴから得られる出力は減衰さ
れたものとなる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した従来の減衰回路は、定インピー
ダンス特性が良好でないという欠点がある。
ダンス特性が良好でないという欠点がある。
第４図に示す回路において、特性インピーダンスを一定
に保つには、次の（１）式の関係を満足する必要がある
。
に保つには、次の（１）式の関係を満足する必要がある
。
Ｒ８＝２ＸＺＯ’ ＸＲｘ＋／ （Ｒｘ＋’ Ｚｏ
’ ）・・・（１） ただし、Ｒｘ＋は、ダイオードＤｌｌとＤ１２の高周波
抵抗、Ｒｘ２はダイオードＤＩＯの高周波抵抗、Ｚｏは
回路の特性インピーダンスである。
’ ）・・・（１） ただし、Ｒｘ＋は、ダイオードＤｌｌとＤ１２の高周波
抵抗、Ｒｘ２はダイオードＤＩＯの高周波抵抗、Ｚｏは
回路の特性インピーダンスである。
また、（１）式を満足したときの減衰量は次の（２）式
で与えられる。
で与えられる。
２０ＸＩＯｇ＋ｏ（＜Ｒｘ＋十Ｚｏ ）、／ （ＲＸＩ
−Ｚｏ）） ・・・（２） 上記従来の回路では、温度特性等に起因して（１）式の
関係を満足させるのは困難であり、高精度な減衰量の制
御を行えないという問題がある。
−Ｚｏ）） ・・・（２） 上記従来の回路では、温度特性等に起因して（１）式の
関係を満足させるのは困難であり、高精度な減衰量の制
御を行えないという問題がある。
（課題を解決するための手段）
本発明による可変減衰器は、ＰＩＮダイオードと、前記
ＰＩＮダイオードへのバイアス信号を供給するバイアス
回路を備えて成る可変減衰器において、折線関数近似回
路と、この折線関数近似回路の出力を受ける定電流回路
とを有し、この定電流回路の出力を前記ＰＩＮダイオー
ドに供給するバイアス信号とする。
ＰＩＮダイオードへのバイアス信号を供給するバイアス
回路を備えて成る可変減衰器において、折線関数近似回
路と、この折線関数近似回路の出力を受ける定電流回路
とを有し、この定電流回路の出力を前記ＰＩＮダイオー
ドに供給するバイアス信号とする。
（実施例）
どに、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による可変減衰器の一実施例を示す回路
図である。
図である。
本実施例においてはπ型構成の３個のＰＩＮダイオード
ＤＩ、Ｄ２．Ｄ３が用いられている。第４図の回路と同
様に、Ｌ１〜Ｌ４は高周波遮断用コイル、０１〜Ｃ５は
直流電流遮断用コンデンサを示す、ＰＩＮダイオードＤ
１〜Ｄ３から成るπ型減哀器の入出力インピーダンスが
同一の場合、並列に設けられたＰＩＮダイオードに流す
電流は同じであるからＰＩＮダイオードに電流を流すバ
イアス回路は共通とすることが可能である。第１図の例
においては、ダイオードＤ２〜Ｄ３を共通の１個のバイ
アス回路で駆動され、各ダイオードを個々に駆動した場
合と同じ結果が得られる。
ＤＩ、Ｄ２．Ｄ３が用いられている。第４図の回路と同
様に、Ｌ１〜Ｌ４は高周波遮断用コイル、０１〜Ｃ５は
直流電流遮断用コンデンサを示す、ＰＩＮダイオードＤ
１〜Ｄ３から成るπ型減哀器の入出力インピーダンスが
同一の場合、並列に設けられたＰＩＮダイオードに流す
電流は同じであるからＰＩＮダイオードに電流を流すバ
イアス回路は共通とすることが可能である。第１図の例
においては、ダイオードＤ２〜Ｄ３を共通の１個のバイ
アス回路で駆動され、各ダイオードを個々に駆動した場
合と同じ結果が得られる。
定を流口路１と２は、ダイオードＤ１〜Ｄ３の高周波抵
抗が温度に対して安定になるように機能する。定電流図
Ｉｌｌ、２は第２図に示すように２つの演算増幅器０Ｐ
ＡＬと０ＰＡ２を備えて成る。
抗が温度に対して安定になるように機能する。定電流図
Ｉｌｌ、２は第２図に示すように２つの演算増幅器０Ｐ
ＡＬと０ＰＡ２を備えて成る。
関数近似図＃１３と４は第３図に示すように構成され、
それぞれが入力側に＋Ｖ〜−■の範囲の可変電圧が入力
される演算増幅器０ＰＡ３を備えるＮ個の単位回路ＵＣ
Ｉ〜ＵＣＮが入力に並列接続され、各単位回路の出力は
抵抗を介して出力演算増幅器０ＰＡ４に接続されている
。
それぞれが入力側に＋Ｖ〜−■の範囲の可変電圧が入力
される演算増幅器０ＰＡ３を備えるＮ個の単位回路ＵＣ
Ｉ〜ＵＣＮが入力に並列接続され、各単位回路の出力は
抵抗を介して出力演算増幅器０ＰＡ４に接続されている
。
一般にＰＩＮダイオードの高周波抵抗はＲ＝ Ｉ
Ｑ （＾１．．ｆ−１１、、、（３）となる、ただし
、ＡとＢはダイオード固有の定数であり、■はダイオー
ドに流れる電流を示す。
Ｑ （＾１．．ｆ−１１、、、（３）となる、ただし
、ＡとＢはダイオード固有の定数であり、■はダイオー
ドに流れる電流を示す。
いま、（３）式においてＲＸ＝Ｕ（Ｉ）、（１）式にお
いてＲＸ２＝ Ｖ （Ｒｘ＋ ）、（２）式においてＡ
Ｔ＝ω（Ｒｘ１）とそれぞれおくと、関数近似回路４が
１（スルー）で、関数近似回路３がＲｘ２＝Ｖ （Ｒｘ
＋） ＝Ｖ （ｕ （１） ）であるとき、ＶＳＷＲｌ
、０で減衰量ＡＴ＝ω（Ｒｘ１）＝ω（Ｕ （４））の
可変減衰器が得られる。
いてＲＸ２＝ Ｖ （Ｒｘ＋ ）、（２）式においてＡ
Ｔ＝ω（Ｒｘ１）とそれぞれおくと、関数近似回路４が
１（スルー）で、関数近似回路３がＲｘ２＝Ｖ （Ｒｘ
＋） ＝Ｖ （ｕ （１） ）であるとき、ＶＳＷＲｌ
、０で減衰量ＡＴ＝ω（Ｒｘ１）＝ω（Ｕ （４））の
可変減衰器が得られる。
また、関数近似回路４がＩ／ω〜（Ｕ（Ｉ））で、関数
近似回路３が（Ｉ／ω（Ｕ（Ｉ）））・Ｖ（Ｕ（Ｉ））
であるとき、減衰量可変端子１００に加える電流または
電圧に対して減衰量が直線的に変化し、かつＶＳＷＲｌ
、０の可変減衰器が得られる。第３図に示す関数近似回
路の近似の精度は単位回路の個数Ｎに依存し、Ｎが大き
くなるほどＶＳＷＲｌ、０に近付いていく。
近似回路３が（Ｉ／ω（Ｕ（Ｉ）））・Ｖ（Ｕ（Ｉ））
であるとき、減衰量可変端子１００に加える電流または
電圧に対して減衰量が直線的に変化し、かつＶＳＷＲｌ
、０の可変減衰器が得られる。第３図に示す関数近似回
路の近似の精度は単位回路の個数Ｎに依存し、Ｎが大き
くなるほどＶＳＷＲｌ、０に近付いていく。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、減衰量可変端子からの制
ｍｉｄ号を関数近似回路および定電流回路を介して供給
しているので、定インピーダンス特性を原理的に一定に
保つことが可能となる。また、減衰量が可変端子６ご加
えられる電圧または電流に対して直線的に制御できるだ
けでなくＰＩＮダイオードを定電流で駆動するため温度
変動が小さいという利点がある。
ｍｉｄ号を関数近似回路および定電流回路を介して供給
しているので、定インピーダンス特性を原理的に一定に
保つことが可能となる。また、減衰量が可変端子６ご加
えられる電圧または電流に対して直線的に制御できるだ
けでなくＰＩＮダイオードを定電流で駆動するため温度
変動が小さいという利点がある。
第１図は本発明による可変減衰器の一実施例を示す回路
図、第２図は第１図における定電流回路の一例を示す図
、第３図は第１図における折れ線近似回路の一例を示す
図、第４図は従来の可変減衰器の回路図である。 １．２・・・定電流回路、３．４・・・関数近似回路、
１００・・・減衰量可変端子、ＩＮ・・・入力端子、Ｏ
ＵＴ・・・出力端子、Ｄ１〜Ｄ３．ＤＩＯ〜Ｄ１２・・
・ＰＩＮダイオード、Ｌ１〜Ｌ４．ＬＩＯ，Ｌｌｌ・・
・高周波遮断用コイル、０１〜Ｃ５，ＣＩ １〜Ｃ１３
・・・直流電流遮断用コンデンサ、０ＰＡＬ〜０ＰＡ４
・・・演算増幅器。
図、第２図は第１図における定電流回路の一例を示す図
、第３図は第１図における折れ線近似回路の一例を示す
図、第４図は従来の可変減衰器の回路図である。 １．２・・・定電流回路、３．４・・・関数近似回路、
１００・・・減衰量可変端子、ＩＮ・・・入力端子、Ｏ
ＵＴ・・・出力端子、Ｄ１〜Ｄ３．ＤＩＯ〜Ｄ１２・・
・ＰＩＮダイオード、Ｌ１〜Ｌ４．ＬＩＯ，Ｌｌｌ・・
・高周波遮断用コイル、０１〜Ｃ５，ＣＩ １〜Ｃ１３
・・・直流電流遮断用コンデンサ、０ＰＡＬ〜０ＰＡ４
・・・演算増幅器。
Claims (1)
- ＰＩＮダイオードと、前記ＰＩＮダイオードへのバイ
アス信号を供給するバイアス回路を備えて成る可変減衰
器において、折線関数近似回路と、この折線関数近似回
路の出力を受ける定電流回路とを有し、この定電流回路
の出力を前記ＰＩＮダイオードに供給するバイアス信号
とすることを特徴とする可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10802989A JPH02285807A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10802989A JPH02285807A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 可変減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02285807A true JPH02285807A (ja) | 1990-11-26 |
Family
ID=14474155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10802989A Pending JPH02285807A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02285807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7184731B2 (en) * | 2002-11-12 | 2007-02-27 | Gi Mun Kim | Variable attenuator system and method |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10802989A patent/JPH02285807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7184731B2 (en) * | 2002-11-12 | 2007-02-27 | Gi Mun Kim | Variable attenuator system and method |
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