JPH0228974A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents

光半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0228974A
JPH0228974A JP63179582A JP17958288A JPH0228974A JP H0228974 A JPH0228974 A JP H0228974A JP 63179582 A JP63179582 A JP 63179582A JP 17958288 A JP17958288 A JP 17958288A JP H0228974 A JPH0228974 A JP H0228974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor element
section
recessed section
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63179582A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2618003B2 (ja
Inventor
Nobuyuki Iwamoto
伸行 岩元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP63179582A priority Critical patent/JP2618003B2/ja
Publication of JPH0228974A publication Critical patent/JPH0228974A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2618003B2 publication Critical patent/JP2618003B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光電変換素子を樹脂封止成型した光半導体装置
において、光路側の樹脂部の表面に一定の角度を有する
陥没部を設けた光半導体装置に関するものである。
従来の技術 従来の光半導体装置の平面図、断面図を”第２図（ａ）
、　（ｂ）に示す。封止用樹脂１の表面はフラットでリ
ード部２ならびに素子載置部７が平板に形成され、半導
体素子３を搭載し使用されている。
発明が解決しようとする課題 従来の光半導体において、素子載置部７及びリード部２
は同一平板に形成され、これに対し封止用樹脂１の表面
が平行になっている。このため、半導体レーザなどの光
源からの光を入射させると、樹脂内面の光反射成分が素
子部に再入射し、ノイズが多（なるという問題があった
。特に、素子部として、光電変換部を多分割とした微小
寸法タイプの場合に隣接のエレメントに不要な光が入射
するという欠点があった。
本発明はこのような問題を解決しようとするもので、簡
便な構造の半導体素子において、封止樹脂の構造を変え
ることにより容易にノイズを低減することを目的とする
。
課題を解決するための手段 上記問題を解決するために、本発明は半導体素子の封止
樹脂表面に一定の角度をもった陥没部を形成したもので
ある。
作用 本発明によると、半導体素子の封止樹脂表面に陥没部を
設けかつ半導体素子載置部に対し、１〜１０°の角度を
設けたことにより封止用樹脂の内面反射によるノイズを
大幅に低減できる。
実施例 第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の半導体樹脂パッケー
ジの平面図、断面図を示した一実施例である。半導体装
置部７．リードフレーム２．封止用樹脂１゜半導体素子
３．樹脂表面陥没部４で構成されている。樹脂表面陥没
部４は、たとえば、インジェクタービンによって、半導
体素子表面に対して４゜の角度をもたしである。経験に
よると、この角度は１°〜１０”が適当であった。半導
体素子３として、４分割のフォトダイオードを用いてお
り、受光部サイズは８０μｍ口のエレメントが４個、田
の字状に形成されており、それぞれ分離幅が１５μｍと
なっている。封止用の樹脂にはエポキシ系の透光性樹脂
を用いている。
レーザ光５が入射すると、陥没の面４が半導体素子３の
表面に対して角度をもっているために、屈折しフォトダ
イオードのそれぞれのエレメントに入射する。入射光の
一部は受光部３゛で反射し、反射光６は樹脂の内面で再
入射をするが、受光部には戻ってこない。
このように本実施例によると、光路となる樹脂表面に陥
没部の面を半導体素子表面に対して１゜〜１０”の角度
をもたすことにより、樹脂内面反射光によるノイズを容
易に低減できる。本実施例では４°の角度を設けたこと
により、１／３以下のノイズ低減を実現できた。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、樹脂封止表面に陥没部
および所定の角度を設けたことで、容易に内面反射光に
よるノイズを大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例による光半導体装置の平面
図、断面図、第２図は従来例の平面図、断面図である。 １・・・・・・半導体素子封止用樹脂、２・・・・・・
リード部、３・・・・・・半導体素子、３′・・・・・
・受光部、４・・・・・・インジェクタービンによる陥
没部、５・・・・・・レーザ光、６・・・・・・樹脂内
面の反射光、７・・・・・・半導体装置部。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名第１図 （α） 傅ン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームの素子載置部に光半導体素子を載置し、
    透光性樹脂で封止し、光路側の前記樹脂封止部表面に陥
    没部を設けかつ陥没部の面として前記素子載置部に対し
    １〜１０゜の角度を設けたことを特徴とする光半導体装
    置。
JP63179582A 1988-07-19 1988-07-19 光半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP2618003B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63179582A JP2618003B2 (ja) 1988-07-19 1988-07-19 光半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63179582A JP2618003B2 (ja) 1988-07-19 1988-07-19 光半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0228974A true JPH0228974A (ja) 1990-01-31
JP2618003B2 JP2618003B2 (ja) 1997-06-11

Family

ID=16068247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63179582A Expired - Fee Related JP2618003B2 (ja) 1988-07-19 1988-07-19 光半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2618003B2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6287459U (ja) * 1985-11-19 1987-06-04

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6287459U (ja) * 1985-11-19 1987-06-04

Also Published As

Publication number Publication date
JP2618003B2 (ja) 1997-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6195581A (ja) 光結合素子
US4933729A (en) Photointerrupter
JPH0228974A (ja) 光半導体装置の製造方法
JP2556821Y2 (ja) 発光装置
JPS5669882A (en) Semiconductor luminous device
JPS6338272A (ja) 光半導体装置
JPS6027196B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH06838Y2 (ja) 光結合素子
JPH01191481A (ja) 受光素子
CN221447149U (zh) 一种封装结构及传感器封装模组
JPH0338884A (ja) 半導体装置の遮光構造
JPH0525254Y2 (ja)
JPS59195882A (ja) インタラプタ
JPS6320875A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH10209490A (ja) 反射型光結合装置
JPH06839Y2 (ja) 光結合素子
JPH0355855Y2 (ja)
JPH08139344A (ja) 光半導体装置
JPH0399448U (ja)
JPH05226691A (ja) 光半導体装置
JPH0421114Y2 (ja)
JPS6041735Y2 (ja) 半導体光センサ
JPS6024077A (ja) 半導体装置
JP2001210858A (ja) フォトカプラ
JPS5932905B2 (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees