JPH02290026A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02290026A JPH02290026A JP1098028A JP9802889A JPH02290026A JP H02290026 A JPH02290026 A JP H02290026A JP 1098028 A JP1098028 A JP 1098028A JP 9802889 A JP9802889 A JP 9802889A JP H02290026 A JPH02290026 A JP H02290026A
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- JP
- Japan
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- frequency circuit
- circuit block
- high frequency
- low
- low frequency
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に高周波回路ブロックと
低周波回路ブロックを含む半導体装置をに関する。
低周波回路ブロックを含む半導体装置をに関する。
従来、数MHz以上の高周波回路と数kHz以下の低周
波回路とを含む半導体装置は、よく画像処理用として使
われているが、第3図に示すように、高周波回路ブロッ
ク10と低周波回路ブロック20との境界を備えておら
ず、単に回路ブロックごとに分けて隣接しており、回路
ブロック間の配線もメタル配線30で接続されていた。
波回路とを含む半導体装置は、よく画像処理用として使
われているが、第3図に示すように、高周波回路ブロッ
ク10と低周波回路ブロック20との境界を備えておら
ず、単に回路ブロックごとに分けて隣接しており、回路
ブロック間の配線もメタル配線30で接続されていた。
上述した従来の半導体装置は、高周波回路ブロックと低
周波回路ブロックが隣接しているので、低周波回路に高
周波がのってしまい、クロストークが発生してしまうと
いう欠点がある。
周波回路ブロックが隣接しているので、低周波回路に高
周波がのってしまい、クロストークが発生してしまうと
いう欠点がある。
本発明の目的は、高周波ブロックと低周波回路ブロック
とを、半導体チップ内における最低電位により区画し、
回路ブロックどうしを隣接させず、クロストークの生じ
ない半導体装置を提供することにある。
とを、半導体チップ内における最低電位により区画し、
回路ブロックどうしを隣接させず、クロストークの生じ
ない半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、それぞれ独立の接続端子を有す
る高周波空路ブロックと低周波回路ブロックを含み、前
記高周波回路ブロックと前記低周波回路ブロックとの境
界部に外部接続端子を有するメタル配線を備え、さらに
、前記高周波回路ブロックと前記低周波回路ブロック間
の接続がボンディングワイヤと端子を介して接続されて
いる。
る高周波空路ブロックと低周波回路ブロックを含み、前
記高周波回路ブロックと前記低周波回路ブロックとの境
界部に外部接続端子を有するメタル配線を備え、さらに
、前記高周波回路ブロックと前記低周波回路ブロック間
の接続がボンディングワイヤと端子を介して接続されて
いる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の一実施例を示す平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
この実施例は、半導体チップ5に高周波回路ブロック1
0と低周波回路ブロック20を有し、最低電位メタル配
線1で区画され、さらに、前記高周波回路配線と前記低
周波回路配線を接続する為のパッド4a,4b、金線3
a,3b及び端子2を有している。
0と低周波回路ブロック20を有し、最低電位メタル配
線1で区画され、さらに、前記高周波回路配線と前記低
周波回路配線を接続する為のパッド4a,4b、金線3
a,3b及び端子2を有している。
従来例のように、高周波回路ブロックと低周波回路ブロ
ックとが隣接しておらず、低インピーダンスの最低電位
メタル配線で区画されているので、クロストークの発生
をなくすことか出来る。
ックとが隣接しておらず、低インピーダンスの最低電位
メタル配線で区画されているので、クロストークの発生
をなくすことか出来る。
以上説明したように本発明は、低インピータンスの最低
電位メタル配線で高周波回路フロックと低周波回路ブロ
ックを区画することにより、クロストーク対策に十分な
効果がある。
電位メタル配線で高周波回路フロックと低周波回路ブロ
ックを区画することにより、クロストーク対策に十分な
効果がある。
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の一実施例を示す平
面図及び断面図、第3図は従来の半導体装置の一例の平
面図である。 1・・・最低電位メタル配線、2.8・・端子、3a3
b,7−・・金線、4a,4b,9=パッド、5・半導
体チップ、6・・・ブロック境界線、10・・高周波回
路ブロック、20・・低周波回路ブロック、30・・・
メタル配線。
面図及び断面図、第3図は従来の半導体装置の一例の平
面図である。 1・・・最低電位メタル配線、2.8・・端子、3a3
b,7−・・金線、4a,4b,9=パッド、5・半導
体チップ、6・・・ブロック境界線、10・・高周波回
路ブロック、20・・低周波回路ブロック、30・・・
メタル配線。
Claims (1)
- それぞれ独立の接続端子を有する高周波空路ブロックと
低周波回路ブロックを含み、前記高周波回路ブロックと
前記低周波回路ブロックとの境界部に外部接続端子を有
するメタル配線を備え、さらに、前記高周波回路ブロッ
クと前記低周波回路ブロック間の接続をボンディングワ
イヤと端子を介して接続することを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098028A JPH02290026A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098028A JPH02290026A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290026A true JPH02290026A (ja) | 1990-11-29 |
Family
ID=14208513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098028A Pending JPH02290026A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290026A (ja) |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1098028A patent/JPH02290026A/ja active Pending
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