JPH11145403A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPH11145403A
JPH11145403A JP9317607A JP31760797A JPH11145403A JP H11145403 A JPH11145403 A JP H11145403A JP 9317607 A JP9317607 A JP 9317607A JP 31760797 A JP31760797 A JP 31760797A JP H11145403 A JPH11145403 A JP H11145403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
block
integrated circuit
function
semiconductor integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9317607A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamotsu Kobayashi
保 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
Priority to JP9317607A priority Critical patent/JPH11145403A/ja
Publication of JPH11145403A publication Critical patent/JPH11145403A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/722Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between stacked chips

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】1チップ構成の場合に比べて生産歩留りを著し
く向上できる上、鏡面対称の機能ブロック単体チップを
格別に用意する必要がなく、しかも煩雑な操作を行なう
ことなく良品化をはかることのできる半導体集積回路を
提供する。 【解決手段】チップ内の回路が複数に分割されてブロッ
ク化され、半導体ウエハ−上において隣合ったブロック
(X,Y…)どうしの信号端子(2ー7,2ー8…)ど
うしが電気的に接続され、かつ各ブロック間が切り離し
可能な状態に配置されており、任意の箇所で1チップを
構成する事を可能ならしめた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理装置など
に使用される大規模半導体集積回路として好適な集積回
路であって、さらに詳しくは改良された生産歩留まり向
上手段を備えた半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の半導体集積回路を開示し
ている文献として、特開平5−136331号公報があ
る。この公報に示されている半導体集積回路は、図2お
よび図3に示す如く構成されている。
【0003】図2は半導体チップの一部を取り出して示
す部分断面図であり、図3の(a)(b)は図2に示す
構造の半導体チップの概略的な平面図である。図2およ
び図3において、3および8はチップ、4,9,17は
パッド、5および10は絶縁保護膜、6は超音波接着箇
所、11はメタル線切断部分、12はバンプ接続箇所で
ある。また13〜16は機能ブロック、18及び19は
メタル線である。
【0004】図2および図3に示すように、この半導体
集積回路は、複数の機能ブロック13〜16を主体とし
て構成されており、半導体チップの周辺部には、各機能
ブロックの全ての入出力信号をチップ外と送受信させ得
る如く、チップ外部と電気的な接続をはかるためのパッ
ド17が設けられている。
【0005】この半導体集積回路は、半導体チップの試
験段階で、ある機能ブロックに不良が発見された場合、
次の如く処置される。すなわち、その不良機能ブロック
と鏡面対称となっている図3の(b)に示すような機能
ブロックの単体チップ8(良品)を用意する。そして不
良機能ブロックについてはパッド群の内側で電気的に切
断すると共に、当該機能ブロックの鏡面対称性を利用し
て、機能ブロック単体チップ8のパッド面と不良機能ブ
ロックのパッド面とを重ね合わせて電気的に接続する。
【0006】かくしてこの半導体集積回路においては、
不良機能ブロックが、新たに接続した良品機能ブロック
単体チップによって補完されるため、生産歩留まりが向
上する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体集積
回路には、次のような欠点がある。 (a)鏡面対称の機能ブロック単体チップが必要であ
る。 (b)半導体チップ内の不良機能ブロックを、電気的に
切断する工程が必要である。 (c)良品の鏡面対称の機能ブロック単体チップを電気
的に接続する工程が必要である。
【0008】本発明の目的は、1チップ構成の場合に比
べて生産歩留りを著しく向上できる上、鏡面対称の機能
ブロック単体チップを格別に用意する必要がなく、しか
も煩雑な操作を行なうことなく良品化をはかることので
きる半導体集積回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前述課題を解決するため
に本発明は下記のような特徴的構成を採用している。 (1)本発明の半導体集積回路は、チップ内の回路が複
数に分割されてブロック化され、半導体ウエハ−上にお
いて隣合ったブロックどうしの信号端子どうしが電気的
に接続され、かつ各ブロック間が切り離し可能な状態に
配置されており、任意の箇所で1チップを構成する事を
可能ならしめている。
【0010】(2)上記(1)に記載した回路であっ
て、任意の箇所で1チップを構成する場合において、使
用されるパッドは全て上記1チップを構成する前のもの
と同じである。
【0011】(3)上記(1)に記載した回路であっ
て、半導体ウエハ−上において、複数に分割されたブロ
ックの中に不良ブロックが存在する場合、上記不良ブロ
ック分だけシフトすることにより、新たな1チップを構
成する手段を備えている。
【0012】(4)上記(1)に記載した回路であっ
て、半導体ウエハ−上において、チップ内の回路は左右
に二分割されてブロック化されている。
【0013】(5)上記(1)に記載した回路であっ
て、半導体ウエハ−上において、チップ内の回路は上下
左右に四分割されてブロック化されている。
【0014】
【発明の実施の形態】(第1実施形態)図1は本発明の
第1実施形態に係る半導体集積回路の要部構成を示す平
面図である。図1において、1ー1ないし1ー6及び1
ー1′ないし1ー6′はパッドであり、2ー1ないし2
ー6は信号端子である。
【0015】図1に示すように、本実施形態の半導体チ
ップは、1チップ内の回路が機能Aのブロックと機能B
のブロックとに二分割されている。そして例えばチップ
Xにおける機能Aのブロックおよび機能Bのブロックに
着目してみると、信号端子2−1ないし2−6はパッド
1−1ないし1−6にそれぞれ接続されている。上記パ
ッド1−1ないし1−6は、パッド1−1′ないし1−
6′にそれぞれ接続されている。また機能Aのブロック
における端子2−7と、機能Bのブロックにおける端子
2−8とは内部で接続されている。
【0016】チップXにおいて機能Aのブロックが不良
である場合、チップXの機能Bのブロックとその右隣に
位置している別のチップの機能Aのブロックとを使用
し、新たなチップYとする。このチップYとチップXと
の機能ブロックの内容及び使用するパッドの配置は全て
同じであるため、良品としての1チップが取れる。
【0017】かくして本実施形態においては、例えば検
査工程等において、一つの機能ブロックに不良が存在す
ることが検知されても、隣合った機能ブロックが良品で
あれば、チップとして良品と認めることができ、通常の
1チップ構成の場合よりも遥かに歩留まりが向上する。
【0018】(変形例)実施形態に示された半導体集積
回路は、下記の変形例を含んでいる。例えば、1チップ
内の回路を三つ以上に分割し前記実施形態と同様な回路
構成とすることができ、また、半導体ウエハ−上におい
て、複数に分割されたブロックの中に不良ブロックが存
在する場合、上記不良ブロック分だけシフトすることに
より、新たな1チップを構成する手段を備えたものとす
ることができる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、一つの機能ブロックに
不良が存在しても、隣合った機能ブロックが良品であれ
ば、良品のチップとして取り扱えるので、1チップ構成
の場合に比べて生産歩留りを著しく向上できる上、鏡面
対称の機能ブロック単体チップを格別に用意する必要が
なく、しかも半導体チップ内の不良機能ブロックの電気
的な切り離し及び良品機能ブロック単体チップの電気的
な接続処理等を格別に行なうことなく良品化をはかるこ
とのできる半導体集積回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路の
要部構成を示す図。
【図2】従来例に係る半導体集積回路の構成を示す図
で、半導体チップの一部を取り出して示す部分断面図。
【図3】従来例に係る半導体集積回路の構成を示す図
で、図2に示す構造の半導体チップの概略的な平面図。
【符号の説明】
1ー1〜1ー6,1ー1′〜1ー6′ パッド 2ー1〜2ー6 信号端子 3.8 チップ 4,9,17 パッド 5,10 絶縁保護膜 6 超音波接着箇所 11 メタル線切断部分 12 バンプ接続箇所 13〜16 機能ブロック 18,19 メタル線

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップ内の回路が複数に分割されて
    ブロック化され、半導体ウエハ−上において隣合ったブ
    ロックどうしの信号端子どうしが電気的に接続され、か
    つ各ブロック間が切り離し可能な状態に配置されてお
    り、任意の箇所で1チップを構成する事を可能ならしめ
    たことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】任意の箇所で1チップを構成する場合にお
    いて、使用されるパッドは全て上記1チップを構成する
    前のものと同じであることを特徴とする請求項1に記載
    の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】半導体ウエハ−上において、複数に分割さ
    れたブロックの中に不良ブロックが存在する場合、上記
    不良ブロック分だけシフトすることにより、新たな1チ
    ップを構成する手段を備えたことを特徴とする請求項1
    に記載の半導体集積回路。
  4. 【請求項4】半導体ウエハ−上において、チップ内の回
    路は左右に二分割されてブロック化されることを特徴と
    する請求項1に記載の半導体集積回路。
  5. 【請求項5】半導体ウエハ−上において、チップ内の回
    路は上下左右に四分割されてブロック化されることを特
    徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
JP9317607A 1997-11-04 1997-11-04 半導体集積回路 Pending JPH11145403A (ja)

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JP9317607A JPH11145403A (ja) 1997-11-04 1997-11-04 半導体集積回路

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JP9317607A JPH11145403A (ja) 1997-11-04 1997-11-04 半導体集積回路

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JPH11145403A true JPH11145403A (ja) 1999-05-28

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ID=18090093

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9317607A Pending JPH11145403A (ja) 1997-11-04 1997-11-04 半導体集積回路

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JP (1) JPH11145403A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6972487B2 (en) 2001-03-30 2005-12-06 Fujitsu Limited Multi chip package structure having a plurality of semiconductor chips mounted in the same package

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6972487B2 (en) 2001-03-30 2005-12-06 Fujitsu Limited Multi chip package structure having a plurality of semiconductor chips mounted in the same package

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