JPH02303820A - スタンパの複製方法 - Google Patents
スタンパの複製方法Info
- Publication number
- JPH02303820A JPH02303820A JP12538189A JP12538189A JPH02303820A JP H02303820 A JPH02303820 A JP H02303820A JP 12538189 A JP12538189 A JP 12538189A JP 12538189 A JP12538189 A JP 12538189A JP H02303820 A JPH02303820 A JP H02303820A
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- JP
- Japan
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- stamper
- thin film
- film
- metal thin
- mother
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- Pending
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ディスク等の光情報記録媒体の作成に繰返
し使用することが可能なスタンパの複製方法に関する。
し使用することが可能なスタンパの複製方法に関する。
従来め技術
従来におけるスタンパの複製方法には、その第一の従来
例として、特開昭６９−２ｏ４ａｊ号公報に開示ｉれて
いるものかある。これを、第２図（ａ ）（ｂ’）（ｃ
）（ｄ ）に基づいて説明子る−１ず、スタンパ原盤
としてのマザースタンパ１の表面に金属薄膜を蒸着し、
これを酸化処理して剥離促進層２として形成する。この
剥離促進層２の表面に電らに、ニッケルストライ多メッ
キ層４を形成した後、電鋳法によりメッキ処理を行いメ
ッキ層としての電−ニッケル層５を形成する。そあ後、
剥離促進層値の部分から剥離を行うことにより、第２図
（ａ＞ｓｌ、示すようなユタアバ’８＝＝製讐るユとが
できる。
例として、特開昭６９−２ｏ４ａｊ号公報に開示ｉれて
いるものかある。これを、第２図（ａ ）（ｂ’）（ｃ
）（ｄ ）に基づいて説明子る−１ず、スタンパ原盤
としてのマザースタンパ１の表面に金属薄膜を蒸着し、
これを酸化処理して剥離促進層２として形成する。この
剥離促進層２の表面に電らに、ニッケルストライ多メッ
キ層４を形成した後、電鋳法によりメッキ処理を行いメ
ッキ層としての電−ニッケル層５を形成する。そあ後、
剥離促進層値の部分から剥離を行うことにより、第２図
（ａ＞ｓｌ、示すようなユタアバ’８＝＝製讐るユとが
できる。
また、第二の従来例として、特開昭６１−８５６４９号
公報に開示されているものがある。これは、図示しない
、スタンバ原盤としてのレジスト原盤の表面にレジスト
を保護するための金属薄膜（保護膜）を形成し、この金
属薄膜の酸化処理を行った後、電極膜を形成し、ｉ！電
鋳法よりメッキ処理を行いメッキ層を形成することによ
りスタンバを複製するようにしたものである。
公報に開示されているものがある。これは、図示しない
、スタンバ原盤としてのレジスト原盤の表面にレジスト
を保護するための金属薄膜（保護膜）を形成し、この金
属薄膜の酸化処理を行った後、電極膜を形成し、ｉ！電
鋳法よりメッキ処理を行いメッキ層を形成することによ
りスタンバを複製するようにしたものである。
発明が解決しようとする課題
まず、第一の従来例では、凹凸を有するマザースタンパ
１と剥離促進層２を介して複製されたスタンバ６との間
の境界部分において、以下に述べるような問題が生じる
。すなわち、第３図において、スタンバ６をマザースタ
ンバ１から剥離する際に、マザースタンバ１のビット部
ａが数百人単位のオーダでスタンバ６側にもっていかれ
てしまうという現象がミクロ的に発生する。また、その
ような境界部における凹部の底面すにおいてはスタンバ
６からマザースタンバ１への移行も同時に発生していた
。
１と剥離促進層２を介して複製されたスタンバ６との間
の境界部分において、以下に述べるような問題が生じる
。すなわち、第３図において、スタンバ６をマザースタ
ンバ１から剥離する際に、マザースタンバ１のビット部
ａが数百人単位のオーダでスタンバ６側にもっていかれ
てしまうという現象がミクロ的に発生する。また、その
ような境界部における凹部の底面すにおいてはスタンバ
６からマザースタンバ１への移行も同時に発生していた
。
このような現象が発生する原因としては、マザースタン
バ１の表面が微小な凹凸状をなしているため、このよう
な表面で酸化処理を行った際にその凹部の底面すでミク
ロ的に剥離促進層２が形成されない箇所が発生したり、
また、電鋳法によりメッキ処理を行う際にビット部ａの
ような凸部をなしたところにおいて電流密度の集中が起
り、結晶粒の異常成長による脆い部分が発生するためと
考えられる。
バ１の表面が微小な凹凸状をなしているため、このよう
な表面で酸化処理を行った際にその凹部の底面すでミク
ロ的に剥離促進層２が形成されない箇所が発生したり、
また、電鋳法によりメッキ処理を行う際にビット部ａの
ような凸部をなしたところにおいて電流密度の集中が起
り、結晶粒の異常成長による脆い部分が発生するためと
考えられる。
このような現象をなくす一つの手段として、マザースタ
ンバ１の凹凸形状をなす表面に金属薄膜をスパッタ法若
しくは蒸着法により形成する際に、均質で、しかも、非
常に微細な組織を作成するようにすればよいが、しかし
、従来の複製方法においてはそのような工夫はなされて
いない。しかも、その第一の従来例の場合、スタンバ６
の最表面には硬質膜（クロム膜３）が形成され、これに
よりスタンバ６の耐久性が図られてはいるが、しかし、
複製時における転写性の向上はなされていない。
ンバ１の凹凸形状をなす表面に金属薄膜をスパッタ法若
しくは蒸着法により形成する際に、均質で、しかも、非
常に微細な組織を作成するようにすればよいが、しかし
、従来の複製方法においてはそのような工夫はなされて
いない。しかも、その第一の従来例の場合、スタンバ６
の最表面には硬質膜（クロム膜３）が形成され、これに
よりスタンバ６の耐久性が図られてはいるが、しかし、
複製時における転写性の向上はなされていない。
また、第二の従来例の場合、レジスト原盤の表面に形成
されたレジストを保護するための保護膜（金属薄膜）は
形成されているが、上述した第一の実施例のような硬質
膜の形成による耐久性の向上や、複製時における転写性
の向上を考慮したものではない。
されたレジストを保護するための保護膜（金属薄膜）は
形成されているが、上述した第一の実施例のような硬質
膜の形成による耐久性の向上や、複製時における転写性
の向上を考慮したものではない。
課題を解決するための手段
そこで、このような問題点を解決するために、スタンバ
原盤の表面に均質で微細な組織を作成する薄膜作成手段
により第一金属薄膜を形成し、この第一金属薄膜を重ク
ロム酸カリウムや高濃度オゾンの雰囲気中に曝らした状
態で酸化処理を行い離型促進皮膜を作成し、この離型促
進皮膜の表面に前記薄膜作成手段により第二金属薄膜を
形成し、この第二金属薄膜の表面に電鋳法によりメッキ
処理を行いメッキ層を形成し、その後、前記離型促進皮
膜を介して前記スタンパ原盤を剥離することによりスタ
ンバを作成するようにした。
原盤の表面に均質で微細な組織を作成する薄膜作成手段
により第一金属薄膜を形成し、この第一金属薄膜を重ク
ロム酸カリウムや高濃度オゾンの雰囲気中に曝らした状
態で酸化処理を行い離型促進皮膜を作成し、この離型促
進皮膜の表面に前記薄膜作成手段により第二金属薄膜を
形成し、この第二金属薄膜の表面に電鋳法によりメッキ
処理を行いメッキ層を形成し、その後、前記離型促進皮
膜を介して前記スタンパ原盤を剥離することによりスタ
ンバを作成するようにした。
作用
゛ これにより、スタンバ原盤の凹凸を有する表面に第
一金属薄膜を形成する時及びスタンバ側に第二金属薄膜
を形成する時に、薄膜作成手段により均質で微細な組織
の膜を作成することができ、また、重クロム酸カリウム
や高濃度オゾンの雰囲気中において酸化を行うことにｊ
り酸化膜である離型促進皮膜の膜厚を一層厚く作成する
ことができ、これによりスタンバ原盤とスタンバとの分
離を容易に行うことができる。
一金属薄膜を形成する時及びスタンバ側に第二金属薄膜
を形成する時に、薄膜作成手段により均質で微細な組織
の膜を作成することができ、また、重クロム酸カリウム
や高濃度オゾンの雰囲気中において酸化を行うことにｊ
り酸化膜である離型促進皮膜の膜厚を一層厚く作成する
ことができ、これによりスタンバ原盤とスタンバとの分
離を容易に行うことができる。
実施例
本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｆ）に基づいて説
明する。以下、スタンバの複製方法を工程ごとに順次述
べていく。
明する。以下、スタンバの複製方法を工程ごとに順次述
べていく。
工程ａでは、スタンバ原盤としてのマザースタンパ７を
図示しないマスタースタンパから複製する。このマザー
スタンパ７は、電鋳法によりＮｉメッキを施すことによ
り作成したものである。この場合、マザースタンパ７の
表面の組織は析出初期電流により結晶粒径が決まり、ま
た、メッキ浴中の不純物の介在により粒界には欠陥が発
生しやすいので十分注意を要する。
図示しないマスタースタンパから複製する。このマザー
スタンパ７は、電鋳法によりＮｉメッキを施すことによ
り作成したものである。この場合、マザースタンパ７の
表面の組織は析出初期電流により結晶粒径が決まり、ま
た、メッキ浴中の不純物の介在により粒界には欠陥が発
生しやすいので十分注意を要する。
工程すでは、・マザースタンパ７の凹凸をなす表面に、
薄膜作成手段により、第一金属薄膜８を形成する。この
場合、第一金属薄膜８としてはＮｉ膜を使用する。また
、薄膜作成手段としては、スパッタ法や蒸着法があり、
これらの方法により凹凸表面に均質で微細な組織のＮｉ
を５００Å以上の厚みをもって形成する。
薄膜作成手段により、第一金属薄膜８を形成する。この
場合、第一金属薄膜８としてはＮｉ膜を使用する。また
、薄膜作成手段としては、スパッタ法や蒸着法があり、
これらの方法により凹凸表面に均質で微細な組織のＮｉ
を５００Å以上の厚みをもって形成する。
工程Ｃでは、その薄膜作成手段により形成されたＮｉ膜
８の表面の酸化処理を行い離型促進皮膜９を作成する。
８の表面の酸化処理を行い離型促進皮膜９を作成する。
この場合、Ｎｉ膜８を、重クロム酸カリウム雰囲気（こ
の他に、高濃度オゾン雰囲気、酸素プラズマ雰囲気等が
考えられる）中に曝らすことによって、ＮｉＯｘ型の離
型促進皮膜９を１０〜３０人の深さまで形成することが
できる。
の他に、高濃度オゾン雰囲気、酸素プラズマ雰囲気等が
考えられる）中に曝らすことによって、ＮｉＯｘ型の離
型促進皮膜９を１０〜３０人の深さまで形成することが
できる。
工程ｄでは、離型促進皮膜９の表面に、第二金属薄膜ｌ
Ｏを前述した薄膜作成手段と同様な手段により形成する
。この場合、その第二金属薄膜１０としては、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｃｒ、Ｉｎ等を用いることができる。Ａｕやｐｔは
、最終的な光ディスクの成形過程での耐食性の向上を図
ることができ、また、ＣｒやＩｎは、硬度をより高くで
きしかも剥離性の向上を図ることができる。なお、これ
ら各種金属は単体でも合金でも使用することができる。
Ｏを前述した薄膜作成手段と同様な手段により形成する
。この場合、その第二金属薄膜１０としては、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｃｒ、Ｉｎ等を用いることができる。Ａｕやｐｔは
、最終的な光ディスクの成形過程での耐食性の向上を図
ることができ、また、ＣｒやＩｎは、硬度をより高くで
きしかも剥離性の向上を図ることができる。なお、これ
ら各種金属は単体でも合金でも使用することができる。
工程ｅでは、第二金属薄膜１０を陰極側としてこの表面
に、電鋳法によりメッキ処理を行いメッキ層としての電
鋳Ｎｉ層１１を形成する。
に、電鋳法によりメッキ処理を行いメッキ層としての電
鋳Ｎｉ層１１を形成する。
工程ｆでは、離型促進皮膜９を境にして、マザースタン
パ７を剥離することによってスタンパ１２を複製するこ
とができる。
パ７を剥離することによってスタンパ１２を複製するこ
とができる。
上述したような工程ａｗｆの処理を行うことにより、マ
ザースタンパ７及びスタンパ１２の両方の凹凸部分に、
従来例（第３図参照）で述べたようなビット欠落部や脆
性部が発生するようなことはなくなり、これによりマザ
ースタンパ１の耐久性を向上させることができるため、
スタンパ１２の品質のバラツキを最小限に抑えることが
できる。
ザースタンパ７及びスタンパ１２の両方の凹凸部分に、
従来例（第３図参照）で述べたようなビット欠落部や脆
性部が発生するようなことはなくなり、これによりマザ
ースタンパ１の耐久性を向上させることができるため、
スタンパ１２の品質のバラツキを最小限に抑えることが
できる。
次に、これまで述べたスタンパ１２の複製方法を我々が
実際に行った際の各工程での諸条件を列挙しておく。
実際に行った際の各工程での諸条件を列挙しておく。
１、マザースタンパ（工程ａ）及び電鋳Ｎｉ層（工程ｅ
）を作成する時の条件二〇ないし６０Ａｍｐまでスロー
プｕｐを２０分間行う。メッキ浴スルファミン酸Ｎｉ濃
度４５０ｇ／Ｑ、ホウ酸３５ｇ／Ｑ、ｐＨ＝４．０ 、
界面活性剤スラブモメータで１２０滴下する。
）を作成する時の条件二〇ないし６０Ａｍｐまでスロー
プｕｐを２０分間行う。メッキ浴スルファミン酸Ｎｉ濃
度４５０ｇ／Ｑ、ホウ酸３５ｇ／Ｑ、ｐＨ＝４．０ 、
界面活性剤スラブモメータで１２０滴下する。
２、第一金属薄膜（工程ｂ）及び第二金属薄膜（工程ｄ
）をＮｉとした時の条件ニスバッタリング、アルゴン圧
２Ｘ １０−”ｔ ｏ ｒ ｒ、 ＤＣ電力１．５ＫＷ
、スキャンスピード３４ｃｍ／ｍｉｎ。
）をＮｉとした時の条件ニスバッタリング、アルゴン圧
２Ｘ １０−”ｔ ｏ ｒ ｒ、 ＤＣ電力１．５ＫＷ
、スキャンスピード３４ｃｍ／ｍｉｎ。
３、離型皮膜処理（工程ｃ）ニオシン濃度１４０ｐｐｍ
の雰囲気中に１５分間暴露、エリプソメータでＮｉＯｘ
層３０層表０人。
の雰囲気中に１５分間暴露、エリプソメータでＮｉＯｘ
層３０層表０人。
このような諸条件のもとに、実際にスタンパ１２を複製
し、従来の複製されたスタンパとの比較を行った。その
評価方法としては、異常ビット部発生までのスタンパの
枚数を比較したところ、従来法によるスタンパでは３枚
目で異常が発生したが１４本発明法によるスタンパ１２
では１０枚目でも異常は発生しなかった。なお、その異
常ビット部発生の検出方法としては、ビット部のＲＦ信
号値の乱れとその信号値のレベルｄｏｗｎにより検出し
、また、そのビット部の状況を走査型電子顕微＠ （Ｓ
ｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ’
ｏｐｅ）で実際に観察した。
し、従来の複製されたスタンパとの比較を行った。その
評価方法としては、異常ビット部発生までのスタンパの
枚数を比較したところ、従来法によるスタンパでは３枚
目で異常が発生したが１４本発明法によるスタンパ１２
では１０枚目でも異常は発生しなかった。なお、その異
常ビット部発生の検出方法としては、ビット部のＲＦ信
号値の乱れとその信号値のレベルｄｏｗｎにより検出し
、また、そのビット部の状況を走査型電子顕微＠ （Ｓ
ｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ’
ｏｐｅ）で実際に観察した。
このような実験結果から、本発明による複製方法では、
マザースタンバ７の耐久性の向上のみならず、複製時に
おけるスタンパ１２の転写性の向上も確認することがで
きた。
マザースタンバ７の耐久性の向上のみならず、複製時に
おけるスタンパ１２の転写性の向上も確認することがで
きた。
発明の効果
本発明は、スタンパ原盤の凹凸を有する表面に第一金属
薄膜を形成する際及びスタンパ側に第二金属薄膜を形成
する際に、薄膜作成手段により均質で微細な組織の膜を
作成し、また、重クロム酸カリウムや高濃度オゾンの雰
囲気中において酸化を行い離型促進皮膜の膜厚を一層厚
く作成することによって、スタンバ原盤とスタンパとの
分離の際に、従来のようなピット欠落部や脆性部が発生
するようなことがなくなるため、スタンバ原盤の耐久性
を向上させることができると共に、複製時におけるスタ
ンパの転写性も向上させることが可能となり、これによ
りスタンパの品質のバラツキを最小限に抑えることがで
きるものである。また、二のように良品のスタンパを常
に安定して製造することができることから、生産コスト
を一段と下げることができるものである。
薄膜を形成する際及びスタンパ側に第二金属薄膜を形成
する際に、薄膜作成手段により均質で微細な組織の膜を
作成し、また、重クロム酸カリウムや高濃度オゾンの雰
囲気中において酸化を行い離型促進皮膜の膜厚を一層厚
く作成することによって、スタンバ原盤とスタンパとの
分離の際に、従来のようなピット欠落部や脆性部が発生
するようなことがなくなるため、スタンバ原盤の耐久性
を向上させることができると共に、複製時におけるスタ
ンパの転写性も向上させることが可能となり、これによ
りスタンパの品質のバラツキを最小限に抑えることがで
きるものである。また、二のように良品のスタンパを常
に安定して製造することができることから、生産コスト
を一段と下げることができるものである。
第１図（ａＨｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は本発明の
一実施例を示す工程図、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ
）は従来例を示す工程図、第３図は従来における複製時
に発生する欠陥部の様子を示す側面図である。 ７・・・スタンバ原盤、８・・・第一金属薄膜、９・・
・離型促進皮膜、１０・・・第二金属薄膜、１１・・・
メッキ層、１２・・・スタンパ
一実施例を示す工程図、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ
）は従来例を示す工程図、第３図は従来における複製時
に発生する欠陥部の様子を示す側面図である。 ７・・・スタンバ原盤、８・・・第一金属薄膜、９・・
・離型促進皮膜、１０・・・第二金属薄膜、１１・・・
メッキ層、１２・・・スタンパ
Claims (1)
- スタンパ原盤の表面に均質で微細な組織を作成する薄
膜作成手段により第一金属薄膜を形成し、この第一金属
薄膜を重クロム酸カリウムや高濃度オゾンの雰囲気中に
曝らした状態で酸化処理を行って離型促進皮膜を作成し
、この離型促進皮膜の表面に前記薄膜作成手段により第
二金属薄膜を形成し、この第二金属薄膜の表面に電鋳法
によりメッキ処理を行つてメッキ層を形成し、その後、
前記離型促進皮膜を介して前記スタンパ原盤を剥離する
ことによりスタンパを作成するようにしたことを特徴と
するスタンパの複製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12538189A JPH02303820A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | スタンパの複製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12538189A JPH02303820A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | スタンパの複製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303820A true JPH02303820A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14908729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12538189A Pending JPH02303820A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | スタンパの複製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100072069A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Takuya Shimada | Method for manufacturing a stamper |
| EP2242341A4 (en) * | 2008-02-08 | 2011-12-28 | Univ Tokyo Sci Educ Found | Process for producing structure with metal film, mother die for use in the process, and structure produced by the process |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12538189A patent/JPH02303820A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2242341A4 (en) * | 2008-02-08 | 2011-12-28 | Univ Tokyo Sci Educ Found | Process for producing structure with metal film, mother die for use in the process, and structure produced by the process |
| JP2014144639A (ja) * | 2008-02-08 | 2014-08-14 | Tokyo Univ Of Science | 金属膜を有する構造体の製造方法、それに用いる母型及びそれにより製造される構造体 |
| US9332651B2 (en) | 2008-02-08 | 2016-05-03 | Tokyo University Of Science Foundation | Process for producing structure with metal film, mother die for use in the process, and structure produced by the process |
| US20100072069A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Takuya Shimada | Method for manufacturing a stamper |
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