JPH0246053Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0246053Y2 JPH0246053Y2 JP18375683U JP18375683U JPH0246053Y2 JP H0246053 Y2 JPH0246053 Y2 JP H0246053Y2 JP 18375683 U JP18375683 U JP 18375683U JP 18375683 U JP18375683 U JP 18375683U JP H0246053 Y2 JPH0246053 Y2 JP H0246053Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding plate
- semiconductor substrate
- substrate
- fixing jig
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は、半導体の液相エピタキシヤル成長装
置、より詳しくは、化合物半導体の閉管チツピン
グ（tipping）エピタキシヤル成長装置の基板保
持具に関するものである。
置、より詳しくは、化合物半導体の閉管チツピン
グ（tipping）エピタキシヤル成長装置の基板保
持具に関するものである。
(b) 従来技術と問題点
蒸気圧の高い成分を含んだ化合物半導体（例え
ば、HgCdTeなど）の液相エピタキシヤル成長
は、蒸発によつて特定成分（例えば、Hg）が減
つていくのを防止するために、密封容器内で溶液
を基板に接触させて行なう。このような液相エピ
タキシヤル成長を行なう装置として、本発明者ら
は閉管チツピング式液相エピタキシヤル成長装置
を特願昭57−199423号にて提案した。この装置
は、半導体基板を保持する板、この保持板が嵌め
込まれる溝を有する２個の固定治具および石英ア
ンプル管からなり、石英アンプル管の一方を閉じ
ものの中へ保持板を挾んでかつ成長溶液となる固
体の半導体片をその間に入れて２個の固定治具を
入れ、そして石英アンプル管の開放口を融着させ
て閉じる。このようにして用意した石英アンプル
管を加熱炉内にて加熱して半導体片を溶解させて
溶液とし、石英アンプル管をその中の固定治具と
共に回転させて保持板および基板を溶液中に浸漬
し、さらに回転させて溶液から出す。この浸漬中
にエピタキシヤル層が半導体基板上に成長するわ
けである。
ば、HgCdTeなど）の液相エピタキシヤル成長
は、蒸発によつて特定成分（例えば、Hg）が減
つていくのを防止するために、密封容器内で溶液
を基板に接触させて行なう。このような液相エピ
タキシヤル成長を行なう装置として、本発明者ら
は閉管チツピング式液相エピタキシヤル成長装置
を特願昭57−199423号にて提案した。この装置
は、半導体基板を保持する板、この保持板が嵌め
込まれる溝を有する２個の固定治具および石英ア
ンプル管からなり、石英アンプル管の一方を閉じ
ものの中へ保持板を挾んでかつ成長溶液となる固
体の半導体片をその間に入れて２個の固定治具を
入れ、そして石英アンプル管の開放口を融着させ
て閉じる。このようにして用意した石英アンプル
管を加熱炉内にて加熱して半導体片を溶解させて
溶液とし、石英アンプル管をその中の固定治具と
共に回転させて保持板および基板を溶液中に浸漬
し、さらに回転させて溶液から出す。この浸漬中
にエピタキシヤル層が半導体基板上に成長するわ
けである。
従来の保持板は、平坦な下板と、半導体基板の
入る穴のあいた上板とからなり、穴の四隅には半
導体基板をおさえるポツチ（突起体）が設けられ
ている。まず、平坦な下板上に所定の半導体基板
を載せ、上述の穴内に半導体基板が収まるように
上板をかぶせて半導体基板を保持する。そして、
上板および下板を一組として固定治具の溝内に差
し込み、２個の固定治具によつて挾んで固定す
る。しかしながら、このような保持板であると、
半導体基板の上方から上板を載せるのに細心の注
意を要し、場合によつてはずわが生じて半導体基
板表面に傷をつけることになつてしまう。
入る穴のあいた上板とからなり、穴の四隅には半
導体基板をおさえるポツチ（突起体）が設けられ
ている。まず、平坦な下板上に所定の半導体基板
を載せ、上述の穴内に半導体基板が収まるように
上板をかぶせて半導体基板を保持する。そして、
上板および下板を一組として固定治具の溝内に差
し込み、２個の固定治具によつて挾んで固定す
る。しかしながら、このような保持板であると、
半導体基板の上方から上板を載せるのに細心の注
意を要し、場合によつてはずわが生じて半導体基
板表面に傷をつけることになつてしまう。
(c) 考案の目的
本考案の目的は、半導体基板の保持板への装着
時にこの基板に傷をつけることなくかつ容易に装
着できる保持板およびこの保持板のための固定治
具を提供することである。
時にこの基板に傷をつけることなくかつ容易に装
着できる保持板およびこの保持板のための固定治
具を提供することである。
(d) 考案の構成
上述の目的が、基板収容凹所を有する一枚の保
持板と、この保持板の差込み溝を有する２個の固
定治具とを備え、この差込み溝の深さが、保持板
の固定治具への装着時に、固定治具の端面が基板
収容凹所の一部を覆うようになる深さであること
を特徴とする閉管チツピング式の液相エピタキシ
ヤル成長装置によつて構成される。
持板と、この保持板の差込み溝を有する２個の固
定治具とを備え、この差込み溝の深さが、保持板
の固定治具への装着時に、固定治具の端面が基板
収容凹所の一部を覆うようになる深さであること
を特徴とする閉管チツピング式の液相エピタキシ
ヤル成長装置によつて構成される。
(e) 考案の実施例
以下、添付図面を参照して本考案の実施態様例
によつて本考案をより詳しく説明する。
によつて本考案をより詳しく説明する。
第１図に示した本考案に係る閉管チツピング式
液相エピタキシヤル成長装置の基板保持板１は１
枚の石英ガラス板であり、その中央部に半導体基
板３（第２図）を収容する凹所２が形成されてい
る。この凹所２の大きさは半導体基板３よりもわ
ずかに大きく、例えば超音波加工でもつて形成す
ることができる。
液相エピタキシヤル成長装置の基板保持板１は１
枚の石英ガラス板であり、その中央部に半導体基
板３（第２図）を収容する凹所２が形成されてい
る。この凹所２の大きさは半導体基板３よりもわ
ずかに大きく、例えば超音波加工でもつて形成す
ることができる。
半導体基板３を基板保持板１の凹所２内に入れ
てから、第２図に示すように２個の固定治具４お
よび５の溝６および７内に差込んで組立て、所定
の半導体片と共に図示しない石英アンプル管内に
入れる。そして、従来通りに石英アンプル管を融
着して密封し、加熱炉内で加熱して成長溶液を形
成し、石英アンプル管をその中の固定治具ととも
に回転させて半導体基板を溶液に浸漬し、半導体
基板上にエピタキシヤル層を成長させる。さらに
回転させて溶液から半導体基板を出して液相エピ
タキシヤル成長を終え、冷却後に石英アンプル管
を外周に沿つて切断して開口出口を作り固定治具
と共に基板保持板を取り出す。基板保持板を固定
治具の溝から外し、そして、基板保持板の凹所か
らエピタキシヤル成長層を有する半導体基板を取
り出す。
てから、第２図に示すように２個の固定治具４お
よび５の溝６および７内に差込んで組立て、所定
の半導体片と共に図示しない石英アンプル管内に
入れる。そして、従来通りに石英アンプル管を融
着して密封し、加熱炉内で加熱して成長溶液を形
成し、石英アンプル管をその中の固定治具ととも
に回転させて半導体基板を溶液に浸漬し、半導体
基板上にエピタキシヤル層を成長させる。さらに
回転させて溶液から半導体基板を出して液相エピ
タキシヤル成長を終え、冷却後に石英アンプル管
を外周に沿つて切断して開口出口を作り固定治具
と共に基板保持板を取り出す。基板保持板を固定
治具の溝から外し、そして、基板保持板の凹所か
らエピタキシヤル成長層を有する半導体基板を取
り出す。
本考案では石英アンプル管と共に基板保持板を
回転させたときに、基板保持板の凹所内の半導体
基板が下になつて落下するのを防止するために、
第３図に示すように固定治具４の端面８が半導体
基板３の端部上に来てこの半導体基板３を押える
ようになつている。このように半導体基板を押え
るためには、固定治具４および５に形成する溝６
および７の深さを、基板保持板１を溝６，７内に
差込んだときに、凹所２（すなわち半導体基板
３）の端が固定治具の端面８の内側に距離ｘのと
ころにあるように決める。この距離ｘは0.5mm以
下であるのが好ましい。
回転させたときに、基板保持板の凹所内の半導体
基板が下になつて落下するのを防止するために、
第３図に示すように固定治具４の端面８が半導体
基板３の端部上に来てこの半導体基板３を押える
ようになつている。このように半導体基板を押え
るためには、固定治具４および５に形成する溝６
および７の深さを、基板保持板１を溝６，７内に
差込んだときに、凹所２（すなわち半導体基板
３）の端が固定治具の端面８の内側に距離ｘのと
ころにあるように決める。この距離ｘは0.5mm以
下であるのが好ましい。
(e) 考案の効果
本考案によれば、基板保持板および固定治具は
単純な形状で製作が容易であり、半導体基板の装
着が容易で従来のように傷がつく恐れはない。ま
た、基板周囲が保持板で覆われ、メルトと接触し
ないので半導体基板周辺からの異常成長が少なく
なる。
単純な形状で製作が容易であり、半導体基板の装
着が容易で従来のように傷がつく恐れはない。ま
た、基板周囲が保持板で覆われ、メルトと接触し
ないので半導体基板周辺からの異常成長が少なく
なる。
第１図は、本考案に係る液相エピタキシヤル成
長装置の半導体基板保持板の斜視図であり、第２
図は、基板保持板および固定治具を組立てたとき
の概略断面図であり、第３図は、第２図中のＡ部
分の拡大断面図である。 １……基板保持板、２……凹所、３……半導体
基板、４，５……固定治具、６，７……溝、８…
…端面。
長装置の半導体基板保持板の斜視図であり、第２
図は、基板保持板および固定治具を組立てたとき
の概略断面図であり、第３図は、第２図中のＡ部
分の拡大断面図である。 １……基板保持板、２……凹所、３……半導体
基板、４，５……固定治具、６，７……溝、８…
…端面。
Claims (1)
- 基板収容凹所を有する一枚の保持板と、該保持
板の差込み溝を有する２個の固定治具とを備え、
前記差込み溝の深さが、前記保持板の前記固定治
具への装着時に、前記固定治具の端面が前記基板
収容凹所の一部を覆うようになる深さであること
を特徴とする閉管チツピング式の液相エピタキシ
ヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375683U JPS6092823U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375683U JPS6092823U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092823U JPS6092823U (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0246053Y2 true JPH0246053Y2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=30397615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18375683U Granted JPS6092823U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092823U (ja) |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP18375683U patent/JPS6092823U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6092823U (ja) | 1985-06-25 |
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