JPH0246768A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0246768A JPH0246768A JP19766788A JP19766788A JPH0246768A JP H0246768 A JPH0246768 A JP H0246768A JP 19766788 A JP19766788 A JP 19766788A JP 19766788 A JP19766788 A JP 19766788A JP H0246768 A JPH0246768 A JP H0246768A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置と製造方法に関する。特に、高速
ＬＳＩの高信頼性化において有効である。
ＬＳＩの高信頼性化において有効である。
［従来の技術］
従来、ＳＯＩ構造を持つ半導体装置においてＳｉ基板Ｉ
または熱酸化膜を形成したＳｉ基板■′と熱酸化膜を形
成したＳｉ基板ＩＩの表面を接触し、熱処理により接着
後、該Ｓｉ基板ＩＩの裏面から研磨することにより、０
．１〜１０μｍの単結晶Ｓｉ薄膜を形成する製造方法に
より、Ｓｉ基板上には５ｉＯ＝膜が形成され、該ＳｉＯ
□膜上には、薄）ＩｕＳｉが形成されたＳＯＩ構造を持
つ半導体装置が使用されていた。
または熱酸化膜を形成したＳｉ基板■′と熱酸化膜を形
成したＳｉ基板ＩＩの表面を接触し、熱処理により接着
後、該Ｓｉ基板ＩＩの裏面から研磨することにより、０
．１〜１０μｍの単結晶Ｓｉ薄膜を形成する製造方法に
より、Ｓｉ基板上には５ｉＯ＝膜が形成され、該ＳｉＯ
□膜上には、薄）ＩｕＳｉが形成されたＳＯＩ構造を持
つ半導体装置が使用されていた。
〔発明が解決しようとする課題）
しかしながら従来の半導体装置は、２枚のＳ】基板の接
着界面Ｓ ｉ ／ Ｓ ｌ ０２界面またはＳｉＯ、／
Ｓ ｉ Ｏ□界面の密着強度が悪く、Ｓｉの研磨時や
該Ｓ１薄膜上にデバイスを形成する工程中に該Ｓｌ薄膜
がはがれるという不具合を多発した。本発明は、かかる
従来の欠点を回避し、該Ｓｉ薄膜と該Ｓｉ基板間の密着
性に優れ、高信頼性な半導体装置とその製造方法を提供
することを目的とする。
着界面Ｓ ｉ ／ Ｓ ｌ ０２界面またはＳｉＯ、／
Ｓ ｉ Ｏ□界面の密着強度が悪く、Ｓｉの研磨時や
該Ｓ１薄膜上にデバイスを形成する工程中に該Ｓｌ薄膜
がはがれるという不具合を多発した。本発明は、かかる
従来の欠点を回避し、該Ｓｉ薄膜と該Ｓｉ基板間の密着
性に優れ、高信頼性な半導体装置とその製造方法を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段１
本発明の半導体装置の断面構造は、Ｓｉ基板上には、Ｉ
ＶＡまたはＶＡ金金属シリサイド層、該金属酸化膜、Ｓ
ｉ ０２絶縁膜及び単結晶Ｓｉ薄膜が形成されること
を特徴としている。本発明によれば該金属シリサイドと
該５１基板とは、該金属とＳｉとの結合が強く密着性に
優れる、また該シリサイドと該金属酸化膜との界面、該
金属酸化膜とＳｉＯ□の界面も化学結合が強く密着性に
優れる。このため、上層のデバイスを形成するＳｔｍ膜
は該Ｓｉ基板からはがれることなく、高信頼性な半導体
装置を得ることができる。
ＶＡまたはＶＡ金金属シリサイド層、該金属酸化膜、Ｓ
ｉ ０２絶縁膜及び単結晶Ｓｉ薄膜が形成されること
を特徴としている。本発明によれば該金属シリサイドと
該５１基板とは、該金属とＳｉとの結合が強く密着性に
優れる、また該シリサイドと該金属酸化膜との界面、該
金属酸化膜とＳｉＯ□の界面も化学結合が強く密着性に
優れる。このため、上層のデバイスを形成するＳｔｍ膜
は該Ｓｉ基板からはがれることなく、高信頼性な半導体
装置を得ることができる。
ｒ実施例１
以下実施例を用いて説明する。第１〜３図は本発明によ
る半導体装置およびその製造工程断面図を示す。第１図
では、Ｓｉ基板Ｉの基板３上には熱酸化膜４を形成し、
一方、Ｓｉ基板ＩＩの基板１上には、Ｔｉ （Ｚｒ、
Ｈｆ、ＴａなとのＩＶＡまたハＶ Ａ金ｒ：Ａ２）を形
成し、該Ｔｉ２と該５ｉＯａ４との表面どうしを接触さ
せ、熱処理を行なう。
る半導体装置およびその製造工程断面図を示す。第１図
では、Ｓｉ基板Ｉの基板３上には熱酸化膜４を形成し、
一方、Ｓｉ基板ＩＩの基板１上には、Ｔｉ （Ｚｒ、
Ｈｆ、ＴａなとのＩＶＡまたハＶ Ａ金ｒ：Ａ２）を形
成し、該Ｔｉ２と該５ｉＯａ４との表面どうしを接触さ
せ、熱処理を行なう。
第２図において、例えば１０００℃の熱処理を行なうと
該Ｔｉ２は、該Ｓｉ基板ｌと反応しＴｉ５１２５を形成
すると同時に、Ｓ ｉ Ｏ２４とＴｉ２が反応しＴｉＯ
□６を形成する。これは、ＩＶ Ａ 。
該Ｔｉ２は、該Ｓｉ基板ｌと反応しＴｉ５１２５を形成
すると同時に、Ｓ ｉ Ｏ２４とＴｉ２が反応しＴｉＯ
□６を形成する。これは、ＩＶ Ａ 。
ＶＡ金金属、酸化物を形成したほうが安定なのでＳ ｉ
Ｏ２の還元が進行するためである。Ｓｉ基基板上Ｔｉ
シリサイド層５の界面、ＴｉＳｉ２層５とＴｉＯ□層６
の界面、Ｔ ｉ Ｏを層６と５ｉＯ２層４の界面、及び
ＳｉＯ２層とＳｉ基板３との界面の、いずれの界面も熱
による化学反応で得られた界面で、密着性は非常に良い
、第３図においては、Ｓｉ基板３を研磨することにより
単結晶Ｓ１薄膜３′を形成している。以上の製造方法に
より、第３図に示す、Ｓｉ基板１上には、ＴｉＳｉｘ層
５、Ｔ ｉ Ｏａ層６．５ｉＯ−層４及びＳｉｌ膜３゛
が形成されてなるＳＯＩ構造を持つ半導体装置を得る。
Ｏ２の還元が進行するためである。Ｓｉ基基板上Ｔｉ
シリサイド層５の界面、ＴｉＳｉ２層５とＴｉＯ□層６
の界面、Ｔ ｉ Ｏを層６と５ｉＯ２層４の界面、及び
ＳｉＯ２層とＳｉ基板３との界面の、いずれの界面も熱
による化学反応で得られた界面で、密着性は非常に良い
、第３図においては、Ｓｉ基板３を研磨することにより
単結晶Ｓ１薄膜３′を形成している。以上の製造方法に
より、第３図に示す、Ｓｉ基板１上には、ＴｉＳｉｘ層
５、Ｔ ｉ Ｏａ層６．５ｉＯ−層４及びＳｉｌ膜３゛
が形成されてなるＳＯＩ構造を持つ半導体装置を得る。
［発明の効果］
該Ｓｉ薄膜３′にデバイスを形成することにより、Ｓ１
薄膜とＳｉ基板の密着性に優れた高信頼性な半導体装置
の提供が可能になる。
薄膜とＳｉ基板の密着性に優れた高信頼性な半導体装置
の提供が可能になる。
゛ Ｔ Ｉ Ｓ ｓ ｚ
６ ・ ・ ・ ＴｉＯ２
３′・・Ｓｉｉ’ｉｌ膜
５ ・
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（Ｉｔ！！１名）
第１．２．３図は、本発明による半導体装置及びその製
造工程断面図。 １基板 １基板 １０□
造工程断面図。 １基板 １基板 １０□
Claims (2)
- （１）Ｓｉ基板上にＳｉＯ＿２絶縁膜が形成され、該絶
膜上には、０．１〜１０μｍの薄膜単結晶Ｓｉ形成され
、該薄膜Ｓｉには、デバイスが作成される、いわゆるＳ
ＯＩ構造を持つ半導体装置において、Ｓｉ基板上には、
IVＡまたはＶＡ金属シリサイド層が形成され、該シリサ
イド上には、IVＡまたはＶＡ金属酸化膜が形成され、該
金属酸化膜上にはＳｉＯ＿２絶縁膜が形成され、該Ｓｉ
Ｏ＿２膜上には、０．１〜１０μｍの薄膜単結晶Ｓｉが
形成されてなることを特徴とする半導体装置。 - （２）２枚のＳｉ基板のひとつの基板 I 表面には、Ｓ
ｉＯ＿２絶縁膜を形成し、他の基板II表面には、IVＡま
たはＶＡ金属層を形成後、２枚のＳｉ基板の、該ＳｉＯ
＿２膜表面と該金属表面を接触させ、熱処理により接着
後、Ｓｉ基板 I を裏面から研磨することにより、０．
１〜１０μｍ膜厚の単結晶Ｓｉ薄膜を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19766788A JPH0246768A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19766788A JPH0246768A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246768A true JPH0246768A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16378328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19766788A Pending JPH0246768A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107065045A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-08-18 | 五邑大学 | 高增益和宽频带混合型等离子激元光学漏波阵列天线 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP19766788A patent/JPH0246768A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107065045A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-08-18 | 五邑大学 | 高增益和宽频带混合型等离子激元光学漏波阵列天线 |
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