JPH01151247A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01151247A JPH01151247A JP62310052A JP31005287A JPH01151247A JP H01151247 A JPH01151247 A JP H01151247A JP 62310052 A JP62310052 A JP 62310052A JP 31005287 A JP31005287 A JP 31005287A JP H01151247 A JPH01151247 A JP H01151247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pad
- insulating film
- metal silicide
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は二層以上のＡＬ配線構造を用いた半導体集積回
路装置に関し、二層以上のＡｌｌを重ねた構造のパッド
電極に関する。
路装置に関し、二層以上のＡｌｌを重ねた構造のパッド
電極に関する。
本発明は二層以上のＡＬ層を重ねた構造のパッド電極の
下心のＡｌｌ３と上層のＡＬ層の層間に金属珪化物層を
もうけ、ワイヤー及びフィンガーのボンディング特性を
強化した事を特徴としている。
下心のＡｌｌ３と上層のＡＬ層の層間に金属珪化物層を
もうけ、ワイヤー及びフィンガーのボンディング特性を
強化した事を特徴としている。
半導体集積回路装置はいよいよりブミクロン時代へと進
展し、２５８にダイナミックＲＡＭからｌ Ｍダイナミ
ックＲＡＭへと世代交替しつつあり研究開発レベルでは
、すでに０．７μｍルールで１６Ｎ１ダイナミツクＲＡ
λ１が試作されている。
展し、２５８にダイナミックＲＡＭからｌ Ｍダイナミ
ックＲＡＭへと世代交替しつつあり研究開発レベルでは
、すでに０．７μｍルールで１６Ｎ１ダイナミツクＲＡ
λ１が試作されている。
このようなダイナミックＲＡＭの革新に見られるように
半導体集積回路装置のプロセス、デバイス及び回路面の
進展にはめざましいものがある。
半導体集積回路装置のプロセス、デバイス及び回路面の
進展にはめざましいものがある。
しかし、半導体集積回路装置の外部取り出し電極である
パッドの構造及び形状、大きさはほとんど変化がなくす
ぎてきている。わずかに変化したと言えば、過去、パッ
ドはＡＬの一月で形成されていたが、ＡＬ配線が二層化
され、パッド電極も二層のＡＬで形成されるにいたって
いる。ＡＬの多層プロセスはＡＳＩＣ−ＩＣで使用され
はじめ、メモリー関係にも使用されはじめていて、今後
のメインプロセスになると予想される。
パッドの構造及び形状、大きさはほとんど変化がなくす
ぎてきている。わずかに変化したと言えば、過去、パッ
ドはＡＬの一月で形成されていたが、ＡＬ配線が二層化
され、パッド電極も二層のＡＬで形成されるにいたって
いる。ＡＬの多層プロセスはＡＳＩＣ−ＩＣで使用され
はじめ、メモリー関係にも使用されはじめていて、今後
のメインプロセスになると予想される。
上記の二層以上のＡＬ層を重ねた構造のパッドには、ワ
イヤー及びフィンガーのボンディング特性に問題がある
。
イヤー及びフィンガーのボンディング特性に問題がある
。
第２図に従来の方法によるパッド部分の構造を示し、以
下に従来の方法についての問題点について説明する。
下に従来の方法についての問題点について説明する。
第２図に示すように、単結晶シリコン基板１１上に絶縁
膜１２が形成され、その上に、第一層目のＡＬ配腺１３
が膜厚約５０００人で形成され、居間絶縁膜１４が形成
された後、パッド部に開口部を形成して、その上に第二
層目のＡＬ配線層１５を約４０００人程度形成し、その
上にパンベージマン絶縁膜１６を形成した後、パッド部
の開口をおこなう。
膜１２が形成され、その上に、第一層目のＡＬ配腺１３
が膜厚約５０００人で形成され、居間絶縁膜１４が形成
された後、パッド部に開口部を形成して、その上に第二
層目のＡＬ配線層１５を約４０００人程度形成し、その
上にパンベージマン絶縁膜１６を形成した後、パッド部
の開口をおこなう。
以上より明らかなごとく、ボンディングがおこなわれる
パッド部のＡＬの厚みは第−層のＡ Ｉ、 ５０００人
と第２層のＡＬ１００ＯＯ人で１５０００人の厚みとな
る。ボンディングの強度からいってＡＬの厚みは１００
００人前後が最も良好で１５０００人では厚すぎて、ボ
ンディング強度が弱くなる。それはＡＬがやわらかいの
でボンディングワイヤーを押しつけたときやわらかすぎ
てすべってしまい強固に接着できない。又、他の問題と
して下のＡＬ層と上のＡＬＥが間にできるナチュラルＡ
Ｌ、ｏｓ膜によって密着性が悪くおなしように、ボンデ
ィングの時すべる事により強固な接着が得られない。
パッド部のＡＬの厚みは第−層のＡ Ｉ、 ５０００人
と第２層のＡＬ１００ＯＯ人で１５０００人の厚みとな
る。ボンディングの強度からいってＡＬの厚みは１００
００人前後が最も良好で１５０００人では厚すぎて、ボ
ンディング強度が弱くなる。それはＡＬがやわらかいの
でボンディングワイヤーを押しつけたときやわらかすぎ
てすべってしまい強固に接着できない。又、他の問題と
して下のＡＬ層と上のＡＬＥが間にできるナチュラルＡ
Ｌ、ｏｓ膜によって密着性が悪くおなしように、ボンデ
ィングの時すべる事により強固な接着が得られない。
、〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は下層のＡＬｆｆｌと上層のＡＬＩｆｆｌの間に
強固な金属珪化物層をもうけ、ＡＬ層間の密着強度をま
す事と、ポンディングパッドの下層部分を強固にしボン
ディング時にやわらかすぎてすべらないようにし、ボン
ディング強度を高める事を目的としている。
強固な金属珪化物層をもうけ、ＡＬ層間の密着強度をま
す事と、ポンディングパッドの下層部分を強固にしボン
ディング時にやわらかすぎてすべらないようにし、ボン
ディング強度を高める事を目的としている。
本発明は二層以上のＡＬ配腺を用い、二層以上のＡＬ層
を重ねた構造のパッド電極を存する半導体集積回路装置
において、該パッド電極部の下層のＡＬ層と上層のＡＬ
ＥＱ層間に金属珪化物層をもうけた事を特徴とする。
を重ねた構造のパッド電極を存する半導体集積回路装置
において、該パッド電極部の下層のＡＬ層と上層のＡＬ
ＥＱ層間に金属珪化物層をもうけた事を特徴とする。
第１図に本発明の方法によるパッド部の断面構造の略図
を示し、以下に本発明の方法について説明する。
を示し、以下に本発明の方法について説明する。
第１図に示すように、単結晶シリコン基板ｉ上に絶縁膜
２を形成した後、第１層目のＡＬ配線層３を約４０００
人、又その上に金属珪化物層７を約５００λ〜８０００
人形成し、層間絶縁膜４を形成した後、パッド部に開口
部を形成して、その上に：ｉｌ！１目のＡＬ配装１１ｆ
ｆｉ５Ｇ約１００００Ａ１度形成する。その上εバシベ
ーシｇ／絶縁膜６を。
２を形成した後、第１層目のＡＬ配線層３を約４０００
人、又その上に金属珪化物層７を約５００λ〜８０００
人形成し、層間絶縁膜４を形成した後、パッド部に開口
部を形成して、その上に：ｉｌ！１目のＡＬ配装１１ｆ
ｆｉ５Ｇ約１００００Ａ１度形成する。その上εバシベ
ーシｇ／絶縁膜６を。
形成した後、パッド部の開口をおこなう。
上記の本発明の方法によれば下層のＡ Ｌ層と上層のＡ
Ｌ層の間に強固な金属珪化物層をもうけるために、ＡＬ
層とＡＬｉ！ｌの密着強度が増加する事とポンディング
パッドの下層部分を強固にする。
Ｌ層の間に強固な金属珪化物層をもうけるために、ＡＬ
層とＡＬｉ！ｌの密着強度が増加する事とポンディング
パッドの下層部分を強固にする。
そのためポンディング事にやわらかすぎてすべる事もな
くボンディング強度が強（なる。
くボンディング強度が強（なる。
又、本発明の例では金属珪化物層の厚みを５００λ〜３
０００人としたが、この範囲以外でも作動な事はもちろ
んである。
０００人としたが、この範囲以外でも作動な事はもちろ
んである。
第１図は本発明の例としてのポンディングパッド部の断
面略図である。 第２図は従来の方法の例としてのポンディングパッド部
の断面略図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名１ 、゛、。
面略図である。 第２図は従来の方法の例としてのポンディングパッド部
の断面略図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名１ 、゛、。
Claims (1)
- 二層以上のＡＬ配線を用い、二層以上のＡＬ層を重ね
た構造のパッド電極を有する半導体集積回路装置におい
て、該パッド電極部の下層のＡＬ層と上層のＡＬ層の層
間に金属珪化物層をもうけた事を特徴とする半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310052A JPH01151247A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310052A JPH01151247A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151247A true JPH01151247A (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=18000585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62310052A Pending JPH01151247A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01151247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03152946A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6818992B1 (en) | 1999-04-23 | 2004-11-16 | International Business Machines Corporation | Self-aligned copper silicide formation for improved adhesion/electromigration |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62310052A patent/JPH01151247A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03152946A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6818992B1 (en) | 1999-04-23 | 2004-11-16 | International Business Machines Corporation | Self-aligned copper silicide formation for improved adhesion/electromigration |
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