JPH0246769A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0246769A JPH0246769A JP19766888A JP19766888A JPH0246769A JP H0246769 A JPH0246769 A JP H0246769A JP 19766888 A JP19766888 A JP 19766888A JP 19766888 A JP19766888 A JP 19766888A JP H0246769 A JPH0246769 A JP H0246769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- metal
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置と製造方法に関する。特に、高速
ＬＳＩの高信頼性化において有効である。
ＬＳＩの高信頼性化において有効である。
従来、ＳＯＩ構造を持つ半導体装置において、Ｓｉ基板
！または熱酸化膜を形成したＳｉ基板Ｉ′と熱酸化膜を
形成した３１基板Ｉｆの表面を接触し、熱処理により接
着後、該Ｓｉ基板ＴＩの裏面から研磨することにより、
０．１〜ｌＯμｍの単結晶Ｓｉ薄膜を形成する製造方法
により、Ｓｉ基板上には５ｉＯ＝膜が形成され、該Ｓ１
０．膜上には、薄膜Ｓｉが形成されたＳＯＩ構造を持つ
半導体装置が使用されていた。
！または熱酸化膜を形成したＳｉ基板Ｉ′と熱酸化膜を
形成した３１基板Ｉｆの表面を接触し、熱処理により接
着後、該Ｓｉ基板ＴＩの裏面から研磨することにより、
０．１〜ｌＯμｍの単結晶Ｓｉ薄膜を形成する製造方法
により、Ｓｉ基板上には５ｉＯ＝膜が形成され、該Ｓ１
０．膜上には、薄膜Ｓｉが形成されたＳＯＩ構造を持つ
半導体装置が使用されていた。
［発明が解決しようとする課題）
しかしながら従来の半導体装置は、２枚のＳｉ基板の接
着界面Ｓｔ／５ｉＯｚ界面または５１ｏ２／５ｉｏ２界
面の密着強度が悪く、該Ｓｉ薄膜上にデバイスを形成す
る工程中に該Ｓｉ薄膜がはがれるという不具合を多発し
た０本発明は、かかる従来の欠点を回避し、該Ｓｉ薄膜
と該Ｓｉ基板間の密着性に優れ、高信頼性な半導体装置
とその製造方法を提供することを目的とする。
着界面Ｓｔ／５ｉＯｚ界面または５１ｏ２／５ｉｏ２界
面の密着強度が悪く、該Ｓｉ薄膜上にデバイスを形成す
る工程中に該Ｓｉ薄膜がはがれるという不具合を多発し
た０本発明は、かかる従来の欠点を回避し、該Ｓｉ薄膜
と該Ｓｉ基板間の密着性に優れ、高信頼性な半導体装置
とその製造方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の断面構造は、Ｓｉ基板上には、Ｉ
ＶＡまたはＶＡ金金属シリサイド層、該金属酸化膜及び
単結晶Ｓｉ薄膜が形成されることを特徴としている６本
発明によれば該金属シリサイドと該Ｓｉ基板とは、該金
属とＳｉとの結合が強く密着性に優れる。また該シリサ
イドと該金属酸化膜との界面、該金属酸化膜とＳｉの界
面も化学結合が強く密着性に優れるにのため、上層のデ
バイスを形成するＳｉ薄膜は該Ｓｉ基板からはがれるこ
となく、高信頼性な半導体装置を得ることができる。
ＶＡまたはＶＡ金金属シリサイド層、該金属酸化膜及び
単結晶Ｓｉ薄膜が形成されることを特徴としている６本
発明によれば該金属シリサイドと該Ｓｉ基板とは、該金
属とＳｉとの結合が強く密着性に優れる。また該シリサ
イドと該金属酸化膜との界面、該金属酸化膜とＳｉの界
面も化学結合が強く密着性に優れるにのため、上層のデ
バイスを形成するＳｉ薄膜は該Ｓｉ基板からはがれるこ
となく、高信頼性な半導体装置を得ることができる。
〔実 施 例１
以下実施例を用いて説明する。第１〜３図は本発明によ
る半導体装置およびその製造工程断面図を示す、第１図
では、Ｓｉ基板Ｉの基板３上には熱酸化膜４を形成し、
一方、Ｓｉ基板ＩＩの基板ｌ上には、Ｔｉ （Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、ＶなどのＩＶＡまたはＶＡ金属２）を
形成し、該Ｔｉ２と該Ｓ ｉ Ｏｚ ４との表面どうし
を接触させ、熱処理を行なう、第２図において、例えば
１０００℃の長時間熱処理を行なうと該Ｔｉ２は、該Ｓ
ｉ基板ｌと反応しＴｉ５ｉｚ ５を形成すると同時に。
る半導体装置およびその製造工程断面図を示す、第１図
では、Ｓｉ基板Ｉの基板３上には熱酸化膜４を形成し、
一方、Ｓｉ基板ＩＩの基板ｌ上には、Ｔｉ （Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、ＶなどのＩＶＡまたはＶＡ金属２）を
形成し、該Ｔｉ２と該Ｓ ｉ Ｏｚ ４との表面どうし
を接触させ、熱処理を行なう、第２図において、例えば
１０００℃の長時間熱処理を行なうと該Ｔｉ２は、該Ｓ
ｉ基板ｌと反応しＴｉ５ｉｚ ５を形成すると同時に。
Ｓ ｉ Ｏ２４とＴｉ２が反応しＴｉ０２６を形成する
にれは、ＩＶＡ、ＶＡ金金属、酸化物を形成したほうが
安定なのでＳ ｉ Ｏ２の還元が進行するためである。
にれは、ＩＶＡ、ＶＡ金金属、酸化物を形成したほうが
安定なのでＳ ｉ Ｏ２の還元が進行するためである。
Ｓｉ基板１とＴｉシリサイド層５の界面、Ｔｉ５１ｗ層
５とＴｉＯ□層６の界面、及びＴｉＯ□層６とＳｉ基板
３との界面の、いずれの界面も熱による化学反応で得ら
れた界面で、密着性は非常に良い。第３図においては、
Ｓｉ基板３を研磨することにより単結晶Ｓｉ薄膜３゛を
形成している。以上の製造方法により、第３図に示す、
Ｓｉ基板ｌ上には、Ｔ ｉ Ｓ ｉ ２層５、ＴｉＯ２
層６及びＳｔ薄膜３゛″が形成されてなるＳＯ工槽構造
持つ半導体装置を得る。
５とＴｉＯ□層６の界面、及びＴｉＯ□層６とＳｉ基板
３との界面の、いずれの界面も熱による化学反応で得ら
れた界面で、密着性は非常に良い。第３図においては、
Ｓｉ基板３を研磨することにより単結晶Ｓｉ薄膜３゛を
形成している。以上の製造方法により、第３図に示す、
Ｓｉ基板ｌ上には、Ｔ ｉ Ｓ ｉ ２層５、ＴｉＯ２
層６及びＳｔ薄膜３゛″が形成されてなるＳＯ工槽構造
持つ半導体装置を得る。
〔発明の効果１
該Ｓｉ薄膜３′にデバイスを形成することにより、Ｓｉ
薄膜とＳｉ基板の密着性に優れた高信頼性な半導体装置
の提供が可能になる。
薄膜とＳｉ基板の密着性に優れた高信頼性な半導体装置
の提供が可能になる。
１を己
第１．２．３図は、本発明による半導体装置及びその製
造工程断面図。 Ｓｉ基板 Ｔｉ Ｓｉ基板 Ｔｉ０ｇ Ｔ ｉ Ｓ ｉ ２ Ｔ ｉ ０２ Ｓｉ薄膜 ７２品 ￥３凪
造工程断面図。 Ｓｉ基板 Ｔｉ Ｓｉ基板 Ｔｉ０ｇ Ｔ ｉ Ｓ ｉ ２ Ｔ ｉ ０２ Ｓｉ薄膜 ７２品 ￥３凪
Claims (2)
- （１）Ｓｉ基板上に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上には
、０．１〜１０μｍの薄膜単結晶Ｓｉが形成され、該薄
膜Ｓｉには、デバイスが作成される、いわゆるＳＯＩ構
造を持つ半導体装置において、Ｓｉ基板上には、IVＡま
たはＶＡ金属シリサイド層が形成され、該シリサイド上
には、IVＡまたはＶＡ金属酸化膜が形成され、該金属酸
化膜上には、０．１〜１０μｍの薄膜単結晶Ｓｉが形成
されてなることを特徴とする半導体装置。 - （２）２枚のＳｉ基板のひとつの基板 I 表面には、Ｓ
ｉＯ＿２絶縁膜を形成し、他の基板II表面には、IVＡま
たはＶＡ金属層を形成後、２枚のＳｉ基板の、該ＳｉＯ
＿２膜表面と該金属表面を接触させ、熱処理により該Ｓ
ｉＯ＿２を還元した後、Ｓｉ基板 I を裏面から研磨す
ることにより、０．１〜１０μｍ膜厚の単結晶Ｓｉ薄膜
を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19766888A JPH0246769A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19766888A JPH0246769A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246769A true JPH0246769A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16378343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19766888A Pending JPH0246769A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246769A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110096A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Japan Fine Ceramics Center | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP19766888A patent/JPH0246769A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110096A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Japan Fine Ceramics Center | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2559700B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2856030B2 (ja) | 結合ウエーハの製造方法 | |
| JPH03105910A (ja) | ２個の物体を一体に連結する方法 | |
| JPH0246769A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH10501101A (ja) | エレクトロニクスもしくはオプトエレクトロニクス半導体構成部材のための半製品 | |
| JPS59126639A (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| JPH03109731A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS62122148A (ja) | 半導体基板 | |
| JP2573359B2 (ja) | ２つの物体の結合方法 | |
| JPH0246768A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0389519A (ja) | 半導体基板の製法 | |
| JP2850502B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP2584639B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH01226166A (ja) | 半導体装置基板の製造方法 | |
| JPH0254962A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6393135A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0254963A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11163307A5 (ja) | ||
| JPH04148525A (ja) | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 | |
| JPS61232661A (ja) | シリコン結晶体の接合方法 | |
| JPH071791B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH01226168A (ja) | 半導体装置基板の製造方法 | |
| JPS6327876A (ja) | ガラス基板相互の接合方法 | |
| JPS62287648A (ja) | Ｓｉ接合方法 | |
| JPS62264651A (ja) | 半導体デバイス用基板の接着方法 |