JPH0247426B2 - - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 41
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 3
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- TWRSDLOICOIGRH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Hf] Chemical compound [Si].[Si].[Hf] TWRSDLOICOIGRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methylphenyl) thiocyanate Chemical compound CC1=CC(SC#N)=CC=C1O WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018999 CoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019918 CrB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003178 Mo2C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005108 Ni3Si2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Hf] Chemical compound [B].[B].[Hf] LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N [N].N Chemical compound [N].N CVTZKFWZDBJAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPEMFLOMQVFMCZ-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[Pm+3].[Pm+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Pm+3].[Pm+3] UPEMFLOMQVFMCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHXGWONBPAADHP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Cr] Chemical compound [Si].[Si].[Cr] CHXGWONBPAADHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MANYRMJQFFSZKJ-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)tantalum Chemical compound [Si]=[Ta]=[Si] MANYRMJQFFSZKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUWOVYQXZRKECH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)vanadium Chemical compound [Si]=[V]=[Si] LUWOVYQXZRKECH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N boranylidyneniobium Chemical compound [Nb]#B VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDMRQDKMCNPQQH-UHFFFAOYSA-N boranylidynetitanium Chemical compound [B].[Ti] QDMRQDKMCNPQQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAROCDZIZGIQGR-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound B#[V]#B LAROCDZIZGIQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYLLWONICXJARP-UHFFFAOYSA-N manganese silicon Chemical compound [Si].[Mn] PYLLWONICXJARP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- JAGQSESDQXCFCH-UHFFFAOYSA-N methane;molybdenum Chemical compound C.[Mo].[Mo] JAGQSESDQXCFCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021355 zirconium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021354 zirconium(IV) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
発明の技術分野
本発明は、セラミツクス焼結体の製造方法に関
し、更に詳しくは、高密度で、高温時における機
械的強度(以下、高温強度と称す)の低下度合が
少ないセラミツクス焼結体の製造方法に関する。 発明の技術的背景とその問題点 窒化ケイ素を主成分として成るセラミツクス焼
結体は、1900℃程度の高温にまで耐えるという優
れた耐熱性を有すると共に、熱膨脹係数が低いこ
とから優れた耐熱衝撃性をも有している。かかる
性質を利用して、この種の窒化ケイ素を主成分と
して成るセラミツクス焼結体は、ガスタービン
翼、ノズル等の高温時に高強度が要求される構造
部品等に応用が試みられている。このようなセラ
ミツクス焼結体は、現在、例えば、窒化ケイ素−
酸化イツトリウム−酸化アルミニウムから成る混
合物を原料として、所謂ホツトプレス法や普通焼
結法等によつて製造されている。 本発明者らは先に、例えばホツトプレス法にお
いて、結晶粒界の物質を、ガラス質(非晶質)の
ものからSi3N4・Y2O3結晶化合物に変えることに
より、優れた特性を有する窒化ケイ素系焼結体が
得られることを明らかにした。又、本発明者ら
は、特開昭54−47709号公報や特開昭55−27843号
公報において開示したように、焼結体中のガラス
質物の存在量が少ないセラミツクス粉末材料の製
造方法、或いはセラミツクス粉末材料として
Si3N4とY2O3から生成せしめた窒化ケイ素質粉末
を使用することにより、高温強度が向上した焼結
体が得られることをも明らかにした。 しかしながら、上記した焼結法において、普通
焼結法を使用した場合には緻密な焼結体を得るこ
とが困難であり、機械的強度及び耐熱衝撃性が優
れた焼結体が得られないという欠点を有してい
る。又、ホツトプレス焼結法を使用した場合に
は、機械的強度及び耐熱衝撃性が優れた焼結体は
得られるが、焼結体の形状が制約され、且つ量産
には適していないという欠点を有している。 これらの欠点を解消するために、本発明者ら
は、更に、特開昭55−113674号公報において、焼
結体原料としてSi3N4−Y2O3−Al2O3−AlN−
TiO2、ZrO2、MgO系の材料を使用することによ
り、ホツトプレス法により製造した焼結体に匹敵
する、優れた機械的強度及び耐熱性を有する高密
度焼結体を製造することができる普通焼結法を提
案した。しかし、この方法で得られた焼結体は、
1300℃付近における機械的強度が必ずしも満足の
いくものではなかつた。 発明の目的 本発明の目的は、上記した欠点を解消し、高密
度で高温時における機械的強度の低下度合が少な
いセラミツクス焼結体の製造方法を提供するにあ
る。 発明の概要 本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、焼結体
の高温強度を低下せしめる原因が、原料粉末中に
存在する酸素又は酸化ケイ素(SiO2)と焼結用
添加物の反応生成物であるガラス質(非晶質)の
低融点粒界相にあることを見出した。そして、予
め熱処理を施したセラミツクス原料を使用するこ
とにより、上記目的が達成できることを見出し、
本発明を完成するに到つた。 即ち、本発明のセラミツクス焼結体の製造方法
は、非酸化性雰囲気中において熱処理を施した窒
化ケイ素粉末75重量%以上:少なくとも1種以上
の稀土類元素の酸化物粉末0.1〜10重量%:酸化
アルミニウム粉末0.1〜10重量%:窒化アルミニ
ウム粉末0.1〜10重量%:並びにチタン、ジルコ
ニウム、クロム、ハフニウム、タンタル、ニオ
ブ、モリブデン、バナジウム及びタングステンの
それぞれの酸化物、炭化物、珪化物及び硼化物;
マグネシウム、ニツケル、コバルト、マンガン及
びベリリウムのそれぞれの酸化物及び珪化物;及
び炭化硼素から成る群より選ばれた1種もしくは
2種以上の粉末0.05〜5重量%から成る混合粉末
を成形し、該成形体を非酸化性雰囲気中において
焼結することを特徴とするものである。 以下において、本発明を更に詳しく説明する。 本発明における窒化ケイ素(Si3N4)粉末の熱
処理は、非酸化性雰囲気中において、例えば、α
型窒化ケイ素粉末を、1400〜1800℃の温度範囲
で、好ましくは1600〜1700℃で、30分〜2時間程
度行なうものである。非酸化性雰囲気としては、
例えば、窒素、アルゴン、一酸化炭素、窒素−ア
ンモニアガス等が挙げられる。かかる熱処理を施
すことにより、窒化ケイ素粉末に付着もしくは吸
着している酸素或いは酸化ケイ素が脱離して、そ
の濃度が著しく低下した窒化ケイ素粉末が得られ
る。従つて、このような処理を施した窒化ケイ素
粉末を使用した焼結体は、添加物(焼結助剤)と
酸素或いは酸化ケイ素が反応して生ずるガラス質
(非晶質)物の量が除去もしくは極めて低減され
たものであるために、その1300℃付近における機
械的強度が改善されたものとなる。 上記窒化ケイ素粉末は、75重量%以上配合され
るものであり、好ましくは80重量%以上である。
かかる窒化ケイ素粉末の量が、75重量%未満であ
ると、得られるセラミツクス焼結体の高温強度の
改善はみられない。 本発明において使用される稀土類元素の酸化物
としては、例えば、酸化イツトリウム(Y2O3)、
酸化ランタン(La2O3)、酸化セリウム(CeO2)、
酸化プラセオジウム(Pr2O3)、酸化ネオジウム
(Nb2O3)、酸化プロメチウム(Pm2O3)、酸化サ
マリウム(Sm2O3)、酸化ユーロピウム
(En2O3)、酸化ガドリウム(Gd2O3)、酸化テル
ビウム(Tb2O3)、酸化ジスプロシウム
(Dy2O3)、酸化ホルミウム(Ho2O3)、酸化エル
ビウム(Er2O3)、酸化ツリウム(Tm2O3)及び
酸化イツテルビウム(Yb2O3)等が挙げられ、こ
れから成る群より選ばれた1種もしくは2種以上
のものが使用される。これらの中でも、とりわ
け、酸化イツトリウムを使用することが好まし
い。 上記稀土類元素の酸化物及び酸化アルミニウム
(Al2O3)は、いずれも焼結促進剤として機能す
るものである。これらの成分は、その配合比が、
それぞれ10重量%を超えると、得られる焼結体の
高温強度が低下する。これらのものは、総量で3
〜15重量%配合することが好ましい。 窒化アルミニウム(AlN)は、焼結体の主成
分であるSi3N4の焼結過程における蒸発や粒成長
を抑制する機能を有するほか、他の成分と反応し
て焼結体全体の焼結促進に寄与するものである。
AlNの配合比が10重量%を超えると、得られる
焼結体の高温強度が低下する。 本発明において、第5成分として添加される
種々の元素のそれぞれの酸化物、炭化物、珪化物
又は硼化物としては、例えば、酸化チタン
(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化クロム
(Cr2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化タンタ
ル(Ta2O5)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化モリブ
デン(MoO3)、酸化バナジウム(V2O5)、酸化
タングステン(WO3)、酸化マグネシウム
(MgO)、酸化ニツケル(NiO)、酸化コバルト
(CoO)、酸化マンガン(MnO2)、酸化ベリリウ
ム(BeO)等の酸化物;炭化チタン(TiC)、炭
化ジルコニウム(ZrC)、炭化クロム(Cr3C2)、
炭化ハフニウム(HfC)、炭化タンタル(TaC)、
炭化ニオブ(NbC)、炭化モリブデン(Mo2C)、
炭化バナジウム(VC)、炭化タングステン
(WC)、炭化硼素(B4C)等の炭化物;珪化チタ
ン(TiSi2)、珪化ジルコニウム(ZrSi2)、珪化ク
ロム(CrSi2)、珪化ハフニウム(HfSi)、珪化タ
ンタル(TaSi2)、珪化ニオブ(NbSi2)、珪化モ
リブデン(MoSi2)、珪化バナジウム(VSi2)、
珪化タングステン(WSi2)、珪化マグネシウム
(Mg2Si)、珪化ニツケル(Ni3Si2)、珪化コバル
ト(CoSi2)、珪化マンガン(MnSi)、珪化ベリ
リウム(BeSi2)等の珪化物;及び硼化チタン
(TiB2)、硼化ジルコニウム(ZrB)、硼化クロム
(CrB2)、硼化ハフニウム(HfB2)、硼化タンタ
ル(TaB2)、硼化ニオブ(NbB2)、硼化モリブ
デン(MoB2)、硼化バナジウム(VB2)、硼化タ
ングステン(WB)等の硼化物等が挙げられ、こ
れらから成る群より選ばれた1種もしくは2種以
上のものが使用される。これらの化合物は、いず
れも焼結体の焼結を促進する機能を有するもので
あり、主成分であるSi3N4の濡れ性を改善して焼
結体の緻密化、焼結時間の短縮及び焼結温度の低
下等をもたらすものである。 これらの物質は、総量で0.05〜5重量%使用す
るものであり、好ましくは0.1〜3重量%である。
これらの物質の添加量が、0.05重量%未満である
と、その添加効果が充分ではなく、一方、5重量
%を超えると、得られる焼結体の高温強度が損な
われる。 上記した配合量から成る粉末の混合は、通常、
混合操作に使用されている方法でよく、例えば、
ボールミル等の粉砕混合機を用いて、必要に応じ
てn−ブチルアルコール等の溶剤を添加して行な
うことができる。 このようにして調製された混合粉末に対し、次
いで、好ましくはパラフイン等の粘結剤を添加し
て、適宜な圧力を印加して所定形状の成形体とす
る。尚、粘結剤を添加した場合には、600〜800℃
で加熱処理を施して、粘結剤を揮散除去した後に
焼結することが好ましい。 更に、この成形体を、非酸化性雰囲気中におい
て焼結することにより、焼結体を得る。焼結は、
例えば、1500〜1900℃、好ましくは1600〜1800℃
に加熱して行なうことができる。非酸化性雰囲気
としては、例えば、窒素、アルゴン等が挙げられ
る。酸化性雰囲気では、Si3N4が酸化されてSiO2
になるため不可である。 尚、この焼結時に、50〜500Kg/cm2の圧力を印
加したホツトプレス状態、又は、非酸化性ガス雰
囲気を加圧状態にして焼結を行なつてもよい。或
いは、普通焼結法による焼結を行なつた後に、更
に、加圧雰囲気中において焼結を行なつたもので
あつても、本発明に係る焼結体の特性は何ら損な
われるものではない。 以下において、実施例及び参考例を掲げて、本
発明を更に詳しく説明する。 実施例 1〜12 α相型窒化ケイ素85%を含有する、平均粒度
1.2μの窒化ケイ素粉末を、窒素雰囲気中におい
て、1650℃で1時間加熱処理を施すことにより、
酸素及び酸化ケイ素濃度を低下せしめた窒化ケイ
素粉末を得た。 かかる窒化ケイ素粉末、平均粒度1μのY2O3粉
末、平均粒度0.5μのAl2O3粉末、平均粒度1.5μの
AlN粉末並びに平均粒度1μのTiO2、ZrO2、
Cr2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、MoO3、V2O5、
WO3、NiO、CoO、MnO2、BeO、TiC、TiSi2、
TiBのそれぞれの粉末を使用して、表に示すよう
な配合量(重量%)で12種類の混合粉末を調製し
た。かかる混合粉末に対し、それぞれ、n−ブチ
ルアルコールを溶媒として使用し、ゴムライニン
グボールミルを用いて、24時間粉砕混合を行なつ
た。 このようにして調製した原料粉末に、粘結剤と
してパラフインを重量比で7%、それぞれ添加配
合して700Kg/cm2の成形圧を印加して、長さ60mm、
幅40mm、厚さ10mmを有する板状成形体を作成し
た。 かかる成形体を、先ず700℃で加熱処理を施し
て、粘結剤を揮散除去した後、窒素ガス雰囲気下
において、1750℃でそれぞれ焼結を行ない、窒化
ケイ素系セラミツクス焼結体を得た。 参考例 1〜10 熱処理を施していない窒化ケイ素粉末を使用す
るか、或いは、Si3N4粉末、Y2O3粉末、Al2O3粉
末、AlN粉末並びに第5成分として添加される
粉末の配合量を変えて使用した他は、実施例とす
べて同様の操作にて、表に同時に示した組成から
成る焼結体を10種類調製した。 上記操作により得られたそれぞれの焼結体につ
いて相対密度及び抗折強度(機械的強度)を測定
し、その結果も表に併記した。 尚、表中の相対密度は、理論密度を基礎とする
相対値(%)である。又、抗折強度値は、3点曲
げ強度試験によるものであり、試料サイズは3×
3×30(mm)、試験条件はクロスヘツドスピード
0.5mm/min、スパン20mm、温度は常温と1300℃
であり、各温度での測定はすべて4回行ない、そ
の平均値を記載した。
し、更に詳しくは、高密度で、高温時における機
械的強度(以下、高温強度と称す)の低下度合が
少ないセラミツクス焼結体の製造方法に関する。 発明の技術的背景とその問題点 窒化ケイ素を主成分として成るセラミツクス焼
結体は、1900℃程度の高温にまで耐えるという優
れた耐熱性を有すると共に、熱膨脹係数が低いこ
とから優れた耐熱衝撃性をも有している。かかる
性質を利用して、この種の窒化ケイ素を主成分と
して成るセラミツクス焼結体は、ガスタービン
翼、ノズル等の高温時に高強度が要求される構造
部品等に応用が試みられている。このようなセラ
ミツクス焼結体は、現在、例えば、窒化ケイ素−
酸化イツトリウム−酸化アルミニウムから成る混
合物を原料として、所謂ホツトプレス法や普通焼
結法等によつて製造されている。 本発明者らは先に、例えばホツトプレス法にお
いて、結晶粒界の物質を、ガラス質(非晶質)の
ものからSi3N4・Y2O3結晶化合物に変えることに
より、優れた特性を有する窒化ケイ素系焼結体が
得られることを明らかにした。又、本発明者ら
は、特開昭54−47709号公報や特開昭55−27843号
公報において開示したように、焼結体中のガラス
質物の存在量が少ないセラミツクス粉末材料の製
造方法、或いはセラミツクス粉末材料として
Si3N4とY2O3から生成せしめた窒化ケイ素質粉末
を使用することにより、高温強度が向上した焼結
体が得られることをも明らかにした。 しかしながら、上記した焼結法において、普通
焼結法を使用した場合には緻密な焼結体を得るこ
とが困難であり、機械的強度及び耐熱衝撃性が優
れた焼結体が得られないという欠点を有してい
る。又、ホツトプレス焼結法を使用した場合に
は、機械的強度及び耐熱衝撃性が優れた焼結体は
得られるが、焼結体の形状が制約され、且つ量産
には適していないという欠点を有している。 これらの欠点を解消するために、本発明者ら
は、更に、特開昭55−113674号公報において、焼
結体原料としてSi3N4−Y2O3−Al2O3−AlN−
TiO2、ZrO2、MgO系の材料を使用することによ
り、ホツトプレス法により製造した焼結体に匹敵
する、優れた機械的強度及び耐熱性を有する高密
度焼結体を製造することができる普通焼結法を提
案した。しかし、この方法で得られた焼結体は、
1300℃付近における機械的強度が必ずしも満足の
いくものではなかつた。 発明の目的 本発明の目的は、上記した欠点を解消し、高密
度で高温時における機械的強度の低下度合が少な
いセラミツクス焼結体の製造方法を提供するにあ
る。 発明の概要 本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、焼結体
の高温強度を低下せしめる原因が、原料粉末中に
存在する酸素又は酸化ケイ素(SiO2)と焼結用
添加物の反応生成物であるガラス質(非晶質)の
低融点粒界相にあることを見出した。そして、予
め熱処理を施したセラミツクス原料を使用するこ
とにより、上記目的が達成できることを見出し、
本発明を完成するに到つた。 即ち、本発明のセラミツクス焼結体の製造方法
は、非酸化性雰囲気中において熱処理を施した窒
化ケイ素粉末75重量%以上:少なくとも1種以上
の稀土類元素の酸化物粉末0.1〜10重量%:酸化
アルミニウム粉末0.1〜10重量%:窒化アルミニ
ウム粉末0.1〜10重量%:並びにチタン、ジルコ
ニウム、クロム、ハフニウム、タンタル、ニオ
ブ、モリブデン、バナジウム及びタングステンの
それぞれの酸化物、炭化物、珪化物及び硼化物;
マグネシウム、ニツケル、コバルト、マンガン及
びベリリウムのそれぞれの酸化物及び珪化物;及
び炭化硼素から成る群より選ばれた1種もしくは
2種以上の粉末0.05〜5重量%から成る混合粉末
を成形し、該成形体を非酸化性雰囲気中において
焼結することを特徴とするものである。 以下において、本発明を更に詳しく説明する。 本発明における窒化ケイ素(Si3N4)粉末の熱
処理は、非酸化性雰囲気中において、例えば、α
型窒化ケイ素粉末を、1400〜1800℃の温度範囲
で、好ましくは1600〜1700℃で、30分〜2時間程
度行なうものである。非酸化性雰囲気としては、
例えば、窒素、アルゴン、一酸化炭素、窒素−ア
ンモニアガス等が挙げられる。かかる熱処理を施
すことにより、窒化ケイ素粉末に付着もしくは吸
着している酸素或いは酸化ケイ素が脱離して、そ
の濃度が著しく低下した窒化ケイ素粉末が得られ
る。従つて、このような処理を施した窒化ケイ素
粉末を使用した焼結体は、添加物(焼結助剤)と
酸素或いは酸化ケイ素が反応して生ずるガラス質
(非晶質)物の量が除去もしくは極めて低減され
たものであるために、その1300℃付近における機
械的強度が改善されたものとなる。 上記窒化ケイ素粉末は、75重量%以上配合され
るものであり、好ましくは80重量%以上である。
かかる窒化ケイ素粉末の量が、75重量%未満であ
ると、得られるセラミツクス焼結体の高温強度の
改善はみられない。 本発明において使用される稀土類元素の酸化物
としては、例えば、酸化イツトリウム(Y2O3)、
酸化ランタン(La2O3)、酸化セリウム(CeO2)、
酸化プラセオジウム(Pr2O3)、酸化ネオジウム
(Nb2O3)、酸化プロメチウム(Pm2O3)、酸化サ
マリウム(Sm2O3)、酸化ユーロピウム
(En2O3)、酸化ガドリウム(Gd2O3)、酸化テル
ビウム(Tb2O3)、酸化ジスプロシウム
(Dy2O3)、酸化ホルミウム(Ho2O3)、酸化エル
ビウム(Er2O3)、酸化ツリウム(Tm2O3)及び
酸化イツテルビウム(Yb2O3)等が挙げられ、こ
れから成る群より選ばれた1種もしくは2種以上
のものが使用される。これらの中でも、とりわ
け、酸化イツトリウムを使用することが好まし
い。 上記稀土類元素の酸化物及び酸化アルミニウム
(Al2O3)は、いずれも焼結促進剤として機能す
るものである。これらの成分は、その配合比が、
それぞれ10重量%を超えると、得られる焼結体の
高温強度が低下する。これらのものは、総量で3
〜15重量%配合することが好ましい。 窒化アルミニウム(AlN)は、焼結体の主成
分であるSi3N4の焼結過程における蒸発や粒成長
を抑制する機能を有するほか、他の成分と反応し
て焼結体全体の焼結促進に寄与するものである。
AlNの配合比が10重量%を超えると、得られる
焼結体の高温強度が低下する。 本発明において、第5成分として添加される
種々の元素のそれぞれの酸化物、炭化物、珪化物
又は硼化物としては、例えば、酸化チタン
(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化クロム
(Cr2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化タンタ
ル(Ta2O5)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化モリブ
デン(MoO3)、酸化バナジウム(V2O5)、酸化
タングステン(WO3)、酸化マグネシウム
(MgO)、酸化ニツケル(NiO)、酸化コバルト
(CoO)、酸化マンガン(MnO2)、酸化ベリリウ
ム(BeO)等の酸化物;炭化チタン(TiC)、炭
化ジルコニウム(ZrC)、炭化クロム(Cr3C2)、
炭化ハフニウム(HfC)、炭化タンタル(TaC)、
炭化ニオブ(NbC)、炭化モリブデン(Mo2C)、
炭化バナジウム(VC)、炭化タングステン
(WC)、炭化硼素(B4C)等の炭化物;珪化チタ
ン(TiSi2)、珪化ジルコニウム(ZrSi2)、珪化ク
ロム(CrSi2)、珪化ハフニウム(HfSi)、珪化タ
ンタル(TaSi2)、珪化ニオブ(NbSi2)、珪化モ
リブデン(MoSi2)、珪化バナジウム(VSi2)、
珪化タングステン(WSi2)、珪化マグネシウム
(Mg2Si)、珪化ニツケル(Ni3Si2)、珪化コバル
ト(CoSi2)、珪化マンガン(MnSi)、珪化ベリ
リウム(BeSi2)等の珪化物;及び硼化チタン
(TiB2)、硼化ジルコニウム(ZrB)、硼化クロム
(CrB2)、硼化ハフニウム(HfB2)、硼化タンタ
ル(TaB2)、硼化ニオブ(NbB2)、硼化モリブ
デン(MoB2)、硼化バナジウム(VB2)、硼化タ
ングステン(WB)等の硼化物等が挙げられ、こ
れらから成る群より選ばれた1種もしくは2種以
上のものが使用される。これらの化合物は、いず
れも焼結体の焼結を促進する機能を有するもので
あり、主成分であるSi3N4の濡れ性を改善して焼
結体の緻密化、焼結時間の短縮及び焼結温度の低
下等をもたらすものである。 これらの物質は、総量で0.05〜5重量%使用す
るものであり、好ましくは0.1〜3重量%である。
これらの物質の添加量が、0.05重量%未満である
と、その添加効果が充分ではなく、一方、5重量
%を超えると、得られる焼結体の高温強度が損な
われる。 上記した配合量から成る粉末の混合は、通常、
混合操作に使用されている方法でよく、例えば、
ボールミル等の粉砕混合機を用いて、必要に応じ
てn−ブチルアルコール等の溶剤を添加して行な
うことができる。 このようにして調製された混合粉末に対し、次
いで、好ましくはパラフイン等の粘結剤を添加し
て、適宜な圧力を印加して所定形状の成形体とす
る。尚、粘結剤を添加した場合には、600〜800℃
で加熱処理を施して、粘結剤を揮散除去した後に
焼結することが好ましい。 更に、この成形体を、非酸化性雰囲気中におい
て焼結することにより、焼結体を得る。焼結は、
例えば、1500〜1900℃、好ましくは1600〜1800℃
に加熱して行なうことができる。非酸化性雰囲気
としては、例えば、窒素、アルゴン等が挙げられ
る。酸化性雰囲気では、Si3N4が酸化されてSiO2
になるため不可である。 尚、この焼結時に、50〜500Kg/cm2の圧力を印
加したホツトプレス状態、又は、非酸化性ガス雰
囲気を加圧状態にして焼結を行なつてもよい。或
いは、普通焼結法による焼結を行なつた後に、更
に、加圧雰囲気中において焼結を行なつたもので
あつても、本発明に係る焼結体の特性は何ら損な
われるものではない。 以下において、実施例及び参考例を掲げて、本
発明を更に詳しく説明する。 実施例 1〜12 α相型窒化ケイ素85%を含有する、平均粒度
1.2μの窒化ケイ素粉末を、窒素雰囲気中におい
て、1650℃で1時間加熱処理を施すことにより、
酸素及び酸化ケイ素濃度を低下せしめた窒化ケイ
素粉末を得た。 かかる窒化ケイ素粉末、平均粒度1μのY2O3粉
末、平均粒度0.5μのAl2O3粉末、平均粒度1.5μの
AlN粉末並びに平均粒度1μのTiO2、ZrO2、
Cr2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、MoO3、V2O5、
WO3、NiO、CoO、MnO2、BeO、TiC、TiSi2、
TiBのそれぞれの粉末を使用して、表に示すよう
な配合量(重量%)で12種類の混合粉末を調製し
た。かかる混合粉末に対し、それぞれ、n−ブチ
ルアルコールを溶媒として使用し、ゴムライニン
グボールミルを用いて、24時間粉砕混合を行なつ
た。 このようにして調製した原料粉末に、粘結剤と
してパラフインを重量比で7%、それぞれ添加配
合して700Kg/cm2の成形圧を印加して、長さ60mm、
幅40mm、厚さ10mmを有する板状成形体を作成し
た。 かかる成形体を、先ず700℃で加熱処理を施し
て、粘結剤を揮散除去した後、窒素ガス雰囲気下
において、1750℃でそれぞれ焼結を行ない、窒化
ケイ素系セラミツクス焼結体を得た。 参考例 1〜10 熱処理を施していない窒化ケイ素粉末を使用す
るか、或いは、Si3N4粉末、Y2O3粉末、Al2O3粉
末、AlN粉末並びに第5成分として添加される
粉末の配合量を変えて使用した他は、実施例とす
べて同様の操作にて、表に同時に示した組成から
成る焼結体を10種類調製した。 上記操作により得られたそれぞれの焼結体につ
いて相対密度及び抗折強度(機械的強度)を測定
し、その結果も表に併記した。 尚、表中の相対密度は、理論密度を基礎とする
相対値(%)である。又、抗折強度値は、3点曲
げ強度試験によるものであり、試料サイズは3×
3×30(mm)、試験条件はクロスヘツドスピード
0.5mm/min、スパン20mm、温度は常温と1300℃
であり、各温度での測定はすべて4回行ない、そ
の平均値を記載した。
【表】
【表】
表から明らかなように、本発明方法により得ら
れた焼結体は、普通焼結法により得たものである
にも拘らず、相対密度が98%以上で、抗折強度が
常温で80Kg/mm2以上、1300℃で55Kg/mm2以上とい
う優れた特性を有するものであることが確認され
た。 又、上記実施例の他に、前記熱処理を施した
Si3N4粉末86重量%、Y2O3粉末5重量%、Al2O3
粉末3.5重量%、AlN粉末3.5重量%、並びに第5
成分として、ZrC、Cr3C2、HfC、TaC、NbC、
Mo2C、VC、WC、B4C、ZrSi2、CrSi2、HfSi2、
TaSi2、NbSi2、MoSi2、VSi2、WSi2、Mg2Si、
Ni3Si2、CoSi2、MnSi、BeSi2、ZrB、CrB2、
HfB2、TaB2、NbB2、MoB2、VB2及びWBから
成る群より選ばれた1種もしくは2種以上のもの
を2重量%加えて成る組成のものを、実施例と同
様の操作により調製し、焼結体を得た。これら焼
結体についても同様に、相対密度及び抗折強度を
測定したところ、実施例と同様の結果が得られ
た。 発明の効果 本発明のセラミツクス焼結体の製造方法によれ
ば、高密度で、高温時における機械的強度の低下
度合が少ないセラミツクス焼結体が得られるもの
であり、又、本発明の製造方法は加圧を要しない
ので大量生産に適したものであり、工業上大変有
利なものである。
れた焼結体は、普通焼結法により得たものである
にも拘らず、相対密度が98%以上で、抗折強度が
常温で80Kg/mm2以上、1300℃で55Kg/mm2以上とい
う優れた特性を有するものであることが確認され
た。 又、上記実施例の他に、前記熱処理を施した
Si3N4粉末86重量%、Y2O3粉末5重量%、Al2O3
粉末3.5重量%、AlN粉末3.5重量%、並びに第5
成分として、ZrC、Cr3C2、HfC、TaC、NbC、
Mo2C、VC、WC、B4C、ZrSi2、CrSi2、HfSi2、
TaSi2、NbSi2、MoSi2、VSi2、WSi2、Mg2Si、
Ni3Si2、CoSi2、MnSi、BeSi2、ZrB、CrB2、
HfB2、TaB2、NbB2、MoB2、VB2及びWBから
成る群より選ばれた1種もしくは2種以上のもの
を2重量%加えて成る組成のものを、実施例と同
様の操作により調製し、焼結体を得た。これら焼
結体についても同様に、相対密度及び抗折強度を
測定したところ、実施例と同様の結果が得られ
た。 発明の効果 本発明のセラミツクス焼結体の製造方法によれ
ば、高密度で、高温時における機械的強度の低下
度合が少ないセラミツクス焼結体が得られるもの
であり、又、本発明の製造方法は加圧を要しない
ので大量生産に適したものであり、工業上大変有
利なものである。
Claims (1)
- 1 非酸化性雰囲気中において熱処理を施した窒
化ケイ素粉末75重量%以上:少なくとも1種以上
の稀土類元素の酸化物粉末0.1〜10重量%:酸化
アルミニウム粉末0.1〜10重量%:窒化アルミニ
ウム粉末0.1〜10重量%:並びにチタン、ジルコ
ニウム、クロム、ハフニウム、タンタル、ニオ
ブ、モリブデン、バナジウム及びタングステンの
それぞれの酸化物、炭化物、珪化物及び硼化物;
マグネシウム、ニツケル、コバルト、マンガン及
びベリリウムのそれぞれの酸化物及び珪化物;及
び炭化硼素から成る群より選ばれた1種もしくは
2種以上の粉末0.05〜5重量%から成る混合粉末
を成形し、該成形体を非酸化性雰囲気中において
焼結することを特徴とするセラミツクス焼結体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192364A JPS5895655A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192364A JPS5895655A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895655A JPS5895655A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH0247426B2 true JPH0247426B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=16290046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192364A Granted JPS5895655A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895655A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178647A (en) * | 1983-07-29 | 1993-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wear-resistant member |
| JPS6051668A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-03-23 | 株式会社東芝 | 耐摩耗性部材 |
| JPS6178657A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Corp | プリンタ用ガイド部材 |
| JPS62278169A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | 東芝タンガロイ株式会社 | セラミツクス焼結体部品およびその製造方法 |
| JPS63218584A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-12 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192364A patent/JPS5895655A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5895655A (ja) | 1983-06-07 |
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