JPH0249410A - チタン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は無電解メッキ電極を有する還元再酸化型又は粒
界絶縁型チタン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデン
サに関するものである。

（従来の技術） 従来より半導体磁器コンデンサの電極には、銀が専ら用
いられてきたが、銀が非オーム性を示すため半導体磁器
との間に新たな直列の容量を発生し、この直列容量によ
り、半導体磁器コンデンサとしての全体の容量を減少す
るという問題点かあった。この問題点を解決するにあた
って、特開昭５３−９６４６３号公報によれば、チタン
酸ストロンチウム系半導体磁器の表面に、オーム性接触
をする無電解ニッケルメッキ電極を対向させて付与し熱
処理を行うことが記載されている。

（発明が解決しようとする課題） しかし、これらの半導体磁器の表面に無電解ニッケル電
極を有するコンデンサは、熱処理のために表面に酸化し
たニッケル層が形成されるために、リード線を直接半田
付けして接続させる場合、半田付は性の低下を来すこと
があった。このために、あらかじめニッケル電極上に銀
電極を重層付与する必要があり、製造工程が増えること
及び銀を使用するために、製造原価が高くなるという問
題点が生じた。

一方、ニッケルの酸化を防止して半田付は性を改良した
ニッケル・ボロン合金メッキが開発され、特開昭６３−
６０５０１号公報にチタン酸バリウム系半導体磁器より
なるサーミスタへの適用が開示されている。しかしなが
ら、このニッケル・ボロン合金無電解メッキ電極メッキ
にしても、メッキ後に２００″Ｃ以上の熱処理をしなけ
れば、半導体磁器素体とメッキとの経時安定性を保持す
ることが出来ないという問題点をもっている。即ち、従
来の無電解メッキ法で半導体磁器素体に安定した電極を
形成するには、熱処理工程が不可欠で、そのための製造
設備、エネルギー、工数が、コストの増加及び歩留りの
低下を来していた。

本発明は、熱処理工程を経なくてもコンデンサの諸性能
が従来法と同等以上の無電解メッキ電橋を有する還元再
酸化型又は粒界絶縁型チタン酸ストロンチウム系半導体
磁器コンデンサを得ることを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、ニッケル・スズ・ボロン合金又はニッケル・
タングステン・ボロン合金の無電解メッキ電極を対向付
与させた還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸ストロン
チウム系半導体磁器からなるコンデンサで、メッキ後の
熱処理が不要となるという極めて優れた効果を有するも
のである。本発明により、電極とリード線の半田付けが
容易でかつその経時安定性にも優れ、又従来の無電解ニ
ッケルメッキに優るとも劣らない電気特性を有し、さら
に製造工程において占める割合の大きな熱処理工程を省
略可能にしたコンデンサを提供することが出来るように
なった。

本発明で使用するニッケル・スズ・ボロン合金メッキは
、ニッケル塩、ホウ水素化ナトリウムまたはジメチルア
ミンボランを含む水溶液に、還元剤としてスズ酸−グル
コン酸錯体を添加したものであり、還元再酸化型又は粒
界絶縁型チタン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデン
サ素体の表面にニッケル・スズ・ボロンの三成分の合金
を析出する。

また、本発明で使用するニッケル・タングステン・ボロ
ン合金メッキは、ニッケル塩、ホウ水素化ナトリウムま
たはジメチルアミンボランを含む水溶液に、還元剤とし
てタングステン酸−グルコン酸錯体を添加したものであ
り、還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸ストロンチウ
ム系半導体磁器コンデンサ素体の表面にニッケル・タン
グステン・ボロンの三成分の合金を析出する。これらの
合金の成分、析出量により、還元再酸化型又は粒界絶縁
型チタン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデンサ素体
との密着性及びそれと関連する電気特性、さらに半田付
は性が影響を受ける。

（発明の効果） 以上のように、本発明の粒界に誘電体層を有するチタン
酸ストロンチウム系半導体磁器コンデンサは、表面にニ
ッケル・スズ・ボロン又はニッケル・タングステン・ボ
ロン合金メッキを対向付与してなることを特徴としてい
るために、メッキ析出後の熱処理が必要無くなり、製造
面において極めて優れている。又熱処理が必要な従来の
無電解ニッケル・ボロン合金メッキ法によるものと比較
して優るとも劣らない電気特性を存し、かつ電気特性と
半田付は性の経時安定性にも優れたものである。

（実施例） 次に実施例によって本発明をさらに具体的に説明する。

５ｒＴｉ（ｈ　１００モル、Ｔｉｅ、　１モル、Ｎｂｚ
Ｏｓ　　０．１モル、ＭｎＯ□１モルからなる粉を、ポ
リビニールアルコール水溶液を加えて造粒し、１．Ｏｔ
／ｃｍ”の加圧で乾式プレスにより直径１０＋ｎｍφ、
厚さ０．５　ｍｍの円板状に成形した。この成形体を１
１１０°Ｃの温度で２時間焼成した後、水素１５容量％
、窒素８５容量％からなる還元性雰囲気で１４００°Ｃ
の温度で２時間熱処理して、半導体磁器を得た。次に大
気中でＢｉｚｆｈとＣｕＯからなるペーストを塗布した
後に、８００〜１２００°Ｃで２時間熱処理することに
より粒界に誘電体層を有するチタン酸ストロンチウム系
半導体磁器コンデンサ素体を製造した。次にこの半導体
磁器コンデンサ素体をフッ化水素酸と硝酸の混合水溶液
により表面エツチングし、超音波洗浄した後、塩酸酸性
第一スズ溶液からなるエンプレートセンシタイザ−４３
２（メルラックス（株）の商品名）に浸漬して撹拌し、
取り出して水洗する。

次に、塩化パラジウム、水溶液からなるエンプレードア
クチベータ４４０（メルラックス（株）の商品名）に浸
漬撹拌した後、水洗する。次に無電解メッキ液であるエ
ンプレートＮｉ　４２７（メルラックス（株）の商品名
）の１００ｇ＃！に対して、５ｇ＃！のスズ酸−グルコ
ン酸錯体又はタングステン酸−グルコン酸錯体を混合し
た７０°Ｃの溶液に３０分間浸漬撹拌することにより、
半導体磁器コデンサ素体の全面にニッケル・スズ・ボロ
ン合金又はニッケル・タングステン・ボロン合金を析出
させた。分析の結果、ニッケル・スズ・ボロンの重量比
率は８８／９／１２、ニッケル・タングステン・ボロン
の重量比率は８７／１０／３であった。次に、これらの
円盤の周側面のニッケル・スズ・ボロン合金又はニッケ
ル・タングステン・ボロン合金を研磨して除去し、粒界
に誘電体層を有するチタン酸ストロンチウム系半導体磁
器コンデンサを得た。

又、比較例は、本発明と同一の方法によって得られた半
導体磁器素体に、無電解メッキ液にスズ酸−グルコン酸
錯体又はタングステン酸−グルコン酸錯体を混合しない
ことが実施例と違うだけで、残りの作業方法は、全て実
施例と同一の方法により、粒界に誘電体層を有するチタ
ン酸ストロンチウム系半導体磁器コンデンサ素体の全面
にニッケル・スズ・ボロン合金を析出させ、次に２００
°Ｃで１時間熱処理し、最後に周側面のニッケル・スズ
・ボロン合金を研磨して除去したものを用いた。

表中の測定値は、いずれも試料３０個の平均値である。

第１表から明らかなように、本発明のものでは、従来の
ものと変わらない電気特性及び半田付は性を有しながら
、かつそれらの経時安定性も優れていることが判明した
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．ニッケル・スズ・ボロン合金又はニッケル・タング
   ステン・ボロン合金の無電解メッキ電極を有することを
   特徴とする還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸ストロ
   ンチウム系半導体磁器コンデンサ。