JPH0254689B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0254689B2 JPH0254689B2 JP57054963A JP5496382A JPH0254689B2 JP H0254689 B2 JPH0254689 B2 JP H0254689B2 JP 57054963 A JP57054963 A JP 57054963A JP 5496382 A JP5496382 A JP 5496382A JP H0254689 B2 JPH0254689 B2 JP H0254689B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- charging
- circuit
- differential pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発振回路特にデユーテイ比50％の三角
波或いは矩形波を取り出す充放電型の発振回路に
関する。
波或いは矩形波を取り出す充放電型の発振回路に
関する。
充放電コンデンサとトランジスタ差動対を組合
せた充放型の発振回路は従来より種々提案されて
いるが、斯る発振回路によつてデユーテイ比50％
で直線性の良い三角波を得るには、充放電コンデ
ンサの充電特性と放電特性を正確に一致させなけ
ればならないため、回路構成が複雑となり簡単に
実現できないと云う問題があつた。
せた充放型の発振回路は従来より種々提案されて
いるが、斯る発振回路によつてデユーテイ比50％
で直線性の良い三角波を得るには、充放電コンデ
ンサの充電特性と放電特性を正確に一致させなけ
ればならないため、回路構成が複雑となり簡単に
実現できないと云う問題があつた。
そこで、従来は第１図の様な発振回路が採用さ
れていた。この回路は大別すると、バイアス兼制
御部１と、充放電回路部２と、差動回路部３と、
充放電切換部４と、出力部５から構成されてい
る。
れていた。この回路は大別すると、バイアス兼制
御部１と、充放電回路部２と、差動回路部３と、
充放電切換部４と、出力部５から構成されてい
る。
前記バイアス兼制御部１は、抵抗Ｒ１，Ｒ２に
よつて固定バイアスされたダーリントン接続のト
ランジスタＴ１，Ｔ２と、そのＴ２にベースが接
続されたトランジスタＴ３からなる。また、充放
電回路部２は、各エミツタが抵抗Ｒ０及び可変抵
抗VRを介して電源＋Vccに接続されたPNP型の
トランジスタＴ４，Ｔ５と、このＴ４，Ｔ５とそ
れぞれ直列に接続されたNPN型のトランジスタ
Ｔ７，Ｔ８と、このＴ７，Ｔ８が電流ミラー回路
をなすようバイアスするトランジスタＴ６を備
え、上記トランジスタＴ５，Ｔ８間の接続中点Ａ
と接地点との間に充放電コンデンサC0が接続さ
れ、且つ、トランジスタＴ４，Ｔ５の各ベースが
それぞれ抵抗Ｒ４，Ｒ５を介して前記バイアス兼
制御部１のトランジスタＴ３のエミツタに接続さ
れている。
よつて固定バイアスされたダーリントン接続のト
ランジスタＴ１，Ｔ２と、そのＴ２にベースが接
続されたトランジスタＴ３からなる。また、充放
電回路部２は、各エミツタが抵抗Ｒ０及び可変抵
抗VRを介して電源＋Vccに接続されたPNP型の
トランジスタＴ４，Ｔ５と、このＴ４，Ｔ５とそ
れぞれ直列に接続されたNPN型のトランジスタ
Ｔ７，Ｔ８と、このＴ７，Ｔ８が電流ミラー回路
をなすようバイアスするトランジスタＴ６を備
え、上記トランジスタＴ５，Ｔ８間の接続中点Ａ
と接地点との間に充放電コンデンサC0が接続さ
れ、且つ、トランジスタＴ４，Ｔ５の各ベースが
それぞれ抵抗Ｒ４，Ｒ５を介して前記バイアス兼
制御部１のトランジスタＴ３のエミツタに接続さ
れている。
次に、差動回路部３は、前記接続点Ａが一方の
ベースに接続され他方のベースが分圧抵抗Ｒ１
８，Ｒ１９の接続中点Ｂに接続された差動対トラ
ンジスタＴ１２，Ｔ１３と、その定電電流源をな
しベースが抵抗Ｒ２１，Ｒ２２及びダイオード
D3によつてバイアスされたトランジスタＴ１６
と、抵抗Ｒ１７と共に前記分圧抵抗Ｒ１８，Ｒ１
９の一方Ｒ１９に並列接続され後述する充放電切
換部４によつてオン、オフされるスイツチングト
ランジスタＴ１４を主要素として構成されてい
る。また、充放電切換部４は、前記差動対トラン
ジスタＴ１２，Ｔ１３の各コレクタにベースが接
続されたトランジスタＴ９，Ｔ１０及びＴ１１か
ら構成されており、その一つのトランジスタＴ１
０が上記スイツチングトランジスタＴ１４のオ
ン、オフを行ない、他の二つのトランジスタＴ
９，Ｔ１１が前記充放電回路部２のトランジスタ
Ｔ５，Ｔ４をそれぞれオン、オフさせるようにな
つている。
ベースに接続され他方のベースが分圧抵抗Ｒ１
８，Ｒ１９の接続中点Ｂに接続された差動対トラ
ンジスタＴ１２，Ｔ１３と、その定電電流源をな
しベースが抵抗Ｒ２１，Ｒ２２及びダイオード
D3によつてバイアスされたトランジスタＴ１６
と、抵抗Ｒ１７と共に前記分圧抵抗Ｒ１８，Ｒ１
９の一方Ｒ１９に並列接続され後述する充放電切
換部４によつてオン、オフされるスイツチングト
ランジスタＴ１４を主要素として構成されてい
る。また、充放電切換部４は、前記差動対トラン
ジスタＴ１２，Ｔ１３の各コレクタにベースが接
続されたトランジスタＴ９，Ｔ１０及びＴ１１か
ら構成されており、その一つのトランジスタＴ１
０が上記スイツチングトランジスタＴ１４のオ
ン、オフを行ない、他の二つのトランジスタＴ
９，Ｔ１１が前記充放電回路部２のトランジスタ
Ｔ５，Ｔ４をそれぞれオン、オフさせるようにな
つている。
第１図の従来例において、今、電源＋Vccの投
入直後の状態で充放電コンデンサＣ０が何等充電
されていないとすると、差動対のＴ１２がオフで
Ｔ１３がオンであるから、充放電切換部４のＴ
９，Ｔ１０がオフでＴ１１がオンとなつている。
そして、そのオンであるＴ１１のコレクタ電流が
充放電回路部２内の抵抗R4を通つてバイアス兼
制御部１のＴ３のコレクタ・エミツタ間に流れる
ので、その抵抗R4に生じる電圧上昇によつてＴ
４がオフとなり、従つて、Ｔ７，Ｔ８もオフとな
つている。しかし、充放電回路部２内のＴ５は抵
抗Ｒ５にそのような電流が流れないのでオンであ
る。それ故、電源＋Vccから抵抗Ｒ０，VRを通
つて充放電コンデンサＣ０に充電々流が流れる。
その際上記トランジスタＴ５のベース電位は先の
バイアス兼制御部１で決まるＴ３のエミツタ電位
に保持されるので、上記充電々流は定電流となつ
ている。
入直後の状態で充放電コンデンサＣ０が何等充電
されていないとすると、差動対のＴ１２がオフで
Ｔ１３がオンであるから、充放電切換部４のＴ
９，Ｔ１０がオフでＴ１１がオンとなつている。
そして、そのオンであるＴ１１のコレクタ電流が
充放電回路部２内の抵抗R4を通つてバイアス兼
制御部１のＴ３のコレクタ・エミツタ間に流れる
ので、その抵抗R4に生じる電圧上昇によつてＴ
４がオフとなり、従つて、Ｔ７，Ｔ８もオフとな
つている。しかし、充放電回路部２内のＴ５は抵
抗Ｒ５にそのような電流が流れないのでオンであ
る。それ故、電源＋Vccから抵抗Ｒ０，VRを通
つて充放電コンデンサＣ０に充電々流が流れる。
その際上記トランジスタＴ５のベース電位は先の
バイアス兼制御部１で決まるＴ３のエミツタ電位
に保持されるので、上記充電々流は定電流となつ
ている。
したがつて、前記コンデンサＣ０の充電に伴つ
てＡ点の電位が直線的に上昇して行くが、その
際、充放電切換部４のＴ１０の前述のオフによつ
て差動回路部３のスイツチングトランジスタＴ１
４もオフとなつている。従つて、上記Ａ点の電位
は、分圧抵抗Ｒ１８，Ｒ１９によつて決まるＢ点
の電位VHに向つて上昇して行き、このVHに達し
た時点で上記のＴ１４がターンオンし、Ｂ点の電
位が抵抗Ｒ１７，Ｒ１８，Ｒ１９で決まる値VL
に低下する。その結果、差動対のＴ１２がオンで
Ｔ１３がオフに反転し、これによつて充放電切換
部４のＴ９，Ｔ１０がオンでＴ１１がオフにな
る。
てＡ点の電位が直線的に上昇して行くが、その
際、充放電切換部４のＴ１０の前述のオフによつ
て差動回路部３のスイツチングトランジスタＴ１
４もオフとなつている。従つて、上記Ａ点の電位
は、分圧抵抗Ｒ１８，Ｒ１９によつて決まるＢ点
の電位VHに向つて上昇して行き、このVHに達し
た時点で上記のＴ１４がターンオンし、Ｂ点の電
位が抵抗Ｒ１７，Ｒ１８，Ｒ１９で決まる値VL
に低下する。その結果、差動対のＴ１２がオンで
Ｔ１３がオフに反転し、これによつて充放電切換
部４のＴ９，Ｔ１０がオンでＴ１１がオフにな
る。
前記充放電切換部４のＴ９がオンになると、そ
のコレクタ電流が充放電回路部２内の抵抗Ｒ５を
通つてバイアス兼制御部１のＴ３に流れるので前
述の場合と同様にＴ５がオフになるが、他方のＴ
４はオンになつている。そして、その後者即ちＴ
４のコレクタ電流Ｉ２が電源＋Vccから抵抗Ｒ
０，VRを通つてＴ７に流れるので、この電流Ｉ
２と同一の大きさのコレクタ電流Ｉ３がＴ８に流
れることになる。その際、この電流Ｉ３は上述の
如くＴ５がオフとなつているので、充放電コンデ
ンサＣ０から流れる。従つて、このコンデンサＣ
０の放電が行なわれるが、ここで先のＴ４のベー
ス電位は前述の充電時に於けるＴ５のベース電位
と同一になつているから、上記放電電流Ｉ３は前
述した充電電流I1と同一の大きさになる。このた
め、Ａ点の電位は充電時と同一の勾配で低下して
行くことになる。
のコレクタ電流が充放電回路部２内の抵抗Ｒ５を
通つてバイアス兼制御部１のＴ３に流れるので前
述の場合と同様にＴ５がオフになるが、他方のＴ
４はオンになつている。そして、その後者即ちＴ
４のコレクタ電流Ｉ２が電源＋Vccから抵抗Ｒ
０，VRを通つてＴ７に流れるので、この電流Ｉ
２と同一の大きさのコレクタ電流Ｉ３がＴ８に流
れることになる。その際、この電流Ｉ３は上述の
如くＴ５がオフとなつているので、充放電コンデ
ンサＣ０から流れる。従つて、このコンデンサＣ
０の放電が行なわれるが、ここで先のＴ４のベー
ス電位は前述の充電時に於けるＴ５のベース電位
と同一になつているから、上記放電電流Ｉ３は前
述した充電電流I1と同一の大きさになる。このた
め、Ａ点の電位は充電時と同一の勾配で低下して
行くことになる。
このようにしてＡ点の電位が低下して行きＢ点
の先の電位VLに達すると、今度は差動対のＴ１
２がオフでＴ１３がオンに反転して初期の状態に
復帰する。従つて、以後はこれまでの動作を繰り
返すことになつて、結局、Ａ点の電位は第２図の
ように変化することになり、このデユーテイ比50
％の三角波電圧が出力部５のＴ１５のエミツタか
ら取り出される訳である。
の先の電位VLに達すると、今度は差動対のＴ１
２がオフでＴ１３がオンに反転して初期の状態に
復帰する。従つて、以後はこれまでの動作を繰り
返すことになつて、結局、Ａ点の電位は第２図の
ように変化することになり、このデユーテイ比50
％の三角波電圧が出力部５のＴ１５のエミツタか
ら取り出される訳である。
なお、差動対Ｔ１２，Ｔ１３の何れか一方のコ
レクタから出力を取り出すようにすれば、デユー
テイ比50％の矩形波が得られる。
レクタから出力を取り出すようにすれば、デユー
テイ比50％の矩形波が得られる。
さて、叙上では特に詳述しなかつたが、前述の
充電過程及び充電過程に於いて、Ａ点の電位がＢ
点の電位と丁度等しくなつた時点を考えると、そ
の各時点において差動対のＴ１２，Ｔ１３には定
電流源トランジスタＴ１６の電流の1/2の電流が
夫々流れることになる。このため、充放電回路部
２のＴ４，Ｔ５は能動領域内の同一動作点にバイ
アスされることになり、従つて、充放電コンデン
サＣ０に同一の大きさの充電々流と放電々流が流
れる。その結果、回路系が安定し発振が停止して
しまう虞れがある。
充電過程及び充電過程に於いて、Ａ点の電位がＢ
点の電位と丁度等しくなつた時点を考えると、そ
の各時点において差動対のＴ１２，Ｔ１３には定
電流源トランジスタＴ１６の電流の1/2の電流が
夫々流れることになる。このため、充放電回路部
２のＴ４，Ｔ５は能動領域内の同一動作点にバイ
アスされることになり、従つて、充放電コンデン
サＣ０に同一の大きさの充電々流と放電々流が流
れる。その結果、回路系が安定し発振が停止して
しまう虞れがある。
ところで、斯る誤動作のうち充電過程では、Ａ
点の電位がＢ点の電位VHに達する直前で、スイ
ツチングトランジスタＴ１４がターンオンするよ
うに、抵抗Ｒ１５の値を選定することによつて、
充分回避することができる。しかし、放電過程で
は充放電切換部４のＴ１０のオンによつて上記ス
イツチングトランジスタＴ１４がオン状態に保持
されているから、このＴ１４をＡ点の電位がＢ点
の電位VLに達する直前でターンオフさせること
は不可能である。従つて、第１図の回路構成だけ
では放電過程での前述の事態を確実に解消できな
いことになる。
点の電位がＢ点の電位VHに達する直前で、スイ
ツチングトランジスタＴ１４がターンオンするよ
うに、抵抗Ｒ１５の値を選定することによつて、
充分回避することができる。しかし、放電過程で
は充放電切換部４のＴ１０のオンによつて上記ス
イツチングトランジスタＴ１４がオン状態に保持
されているから、このＴ１４をＡ点の電位がＢ点
の電位VLに達する直前でターンオフさせること
は不可能である。従つて、第１図の回路構成だけ
では放電過程での前述の事態を確実に解消できな
いことになる。
本発明は上述の欠点を解消する発振回路を提供
するものであり、以下、図面に従い本発明の一実
施例を説明する。
するものであり、以下、図面に従い本発明の一実
施例を説明する。
第３図は本実施例回路を示しており、第１図と
同一構成の部分には同一図番を付して説明を省略
するが、この実施例では次の点を特徴としてい
る。それは充放電切換部４のＴ１０がオンの時に
ターンオンされるもう一つのトランジスタＴ１７
を設け、このＴ１７及びこれと直列の抵抗Ｒ２５
を介して上記充放電切換部４のＴ１１のエミツタ
に流入する電流の一部を側路するようにした点で
ある。
同一構成の部分には同一図番を付して説明を省略
するが、この実施例では次の点を特徴としてい
る。それは充放電切換部４のＴ１０がオンの時に
ターンオンされるもう一つのトランジスタＴ１７
を設け、このＴ１７及びこれと直列の抵抗Ｒ２５
を介して上記充放電切換部４のＴ１１のエミツタ
に流入する電流の一部を側路するようにした点で
ある。
すなわち、今、コンデンサＣ０の放電過程に於
いて、Ａ点の電位がＢ点の電位VLに近ずき、差
動対のＴ１２，Ｔ１３が共に能動状態になつた時
点を考えると、この時には充放電切換部４のＴ
９，Ｔ１１も共に能動状態になつて、その各コレ
クタ電流が流れる。しかし、この時は先のＴ１７
がオンとなつているから、このＴ１７に分流され
る分だけＴ１１のコレクタ電流がＴ９よりも少な
くなる。従つて、前述の説明から分るように、充
放電回路部２のＴ４，Ｔ５の一方Ｔ４を導通度の
方が他方Ｔ５のそれよりも大きくなるから、コン
デンサＣ０の放電々流が充電々流よりも増大す
る。それ故、Ａ点の電位はVL以下になつて差動
対のＴ１２，Ｔ１３が反転する訳である。
いて、Ａ点の電位がＢ点の電位VLに近ずき、差
動対のＴ１２，Ｔ１３が共に能動状態になつた時
点を考えると、この時には充放電切換部４のＴ
９，Ｔ１１も共に能動状態になつて、その各コレ
クタ電流が流れる。しかし、この時は先のＴ１７
がオンとなつているから、このＴ１７に分流され
る分だけＴ１１のコレクタ電流がＴ９よりも少な
くなる。従つて、前述の説明から分るように、充
放電回路部２のＴ４，Ｔ５の一方Ｔ４を導通度の
方が他方Ｔ５のそれよりも大きくなるから、コン
デンサＣ０の放電々流が充電々流よりも増大す
る。それ故、Ａ点の電位はVL以下になつて差動
対のＴ１２，Ｔ１３が反転する訳である。
なお、コンデンサＣ０の充電過程では、前記ト
ランジスタＴ１７は差動対のＴ１２がオンするま
でオフであるから、第１図の場合と同一である。
ランジスタＴ１７は差動対のＴ１２がオンするま
でオフであるから、第１図の場合と同一である。
上述の如く本発明の発振回路は、直線性が非常
に良いデユーテイ比50％の三角波或るいは矩形波
を簡単に得ることができ、また、発振動作が停止
する安定点が回路系に全く存在しないため、確実
な発振動作を実現することができる。
に良いデユーテイ比50％の三角波或るいは矩形波
を簡単に得ることができ、また、発振動作が停止
する安定点が回路系に全く存在しないため、確実
な発振動作を実現することができる。
第１図は従来の発振回路を示す図、第２図はそ
の発振は系を示す図、第３図は本発明の一実施例
を示す図である。 １……バイアス兼制御部、２……充放電回路
部、３……差動回路部、４……充放電切換部、５
……出力部。
の発振は系を示す図、第３図は本発明の一実施例
を示す図である。 １……バイアス兼制御部、２……充放電回路
部、３……差動回路部、４……充放電切換部、５
……出力部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 定電流動作する第１第２のトランジスタＴ
４，Ｔ７の直列回路及び第３第４のトランジスタ
Ｔ５，Ｔ８の直列回路を並列に接続して電源と接
地点との間に接続し、且つ、その第２第４のトラ
ンジスタを互いに電流ミラー回路をなすように接
続すると共に前記第３第４のトランジスタの接続
中点Ａと接地点間に充放電コンデンサC0を接続
してなる充放電回路部２と、 前記第３第４のトランジスタの接続中点が一方
のベースに接続され、電源と接地点間に接続され
た分圧抵抗の接続中点Ｂが他方のベースに接続さ
れた差動対トランジスタＴ１２，Ｔ１３と前記分
圧抵抗の一つに並列に接続されこの差動対トラン
ジスタのスイツチング動作に応じて選択的にオ
ン、オフする第１のスイツチングトランジスタＴ
１４とを備える差動回路部３と、 前記差動対トランジスタの一方Ｔ１２のコレク
タにそれぞれベースが接続され、前記第３のトラ
ンジスタＴ５を制御する第５のトランジスタＴ９
及び前記第１のスイツチングトランジスタＴ１４
を制御する第６のトランジスタＴ１０と前記差動
対トランジスタの他方Ｔ１３のコレクタにベース
が接続され、前記第１のトランジスタＴ４を制御
する第７のトランジスタＴ１１とからなる充放電
切換部４とを備える発振回路において、 前記差動回路部に、前記第６のトランジスタＴ
１０により制御され前記第７のトランジスタＴ１
１のエミツタにそのコレクタが接続された第２の
スイツチングトランジスタＴ１７を設けてなる発
振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054963A JPS58172014A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054963A JPS58172014A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172014A JPS58172014A (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0254689B2 true JPH0254689B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=12985313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054963A Granted JPS58172014A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172014A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752821B2 (ja) * | 1984-02-08 | 1995-06-05 | ロ−ム株式会社 | 電圧制御発振器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56979B2 (ja) * | 1972-11-25 | 1981-01-10 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57054963A patent/JPS58172014A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58172014A (ja) | 1983-10-08 |
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