JPH0255933B2 - - Google Patents
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- JPH0255933B2 JPH0255933B2 JP61022562A JP2256286A JPH0255933B2 JP H0255933 B2 JPH0255933 B2 JP H0255933B2 JP 61022562 A JP61022562 A JP 61022562A JP 2256286 A JP2256286 A JP 2256286A JP H0255933 B2 JPH0255933 B2 JP H0255933B2
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- film
- stencil
- plating base
- ray
- plating
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線露光用マスクとしては、最も一般的なる構
造として、BN膜でメンブランを形成し、その上
に金属薄膜よりなるメツキベース、更にパターン
ニングされたレジスト膜（ステンシルと呼ぶ）を
形成し、ステンシル間隙をAu鍍金により埋込ん
だ後、ステンシル及びその直下のメツキベースを
除去して、全面を保護膜でカバーする構造となつ
ている。本発明ではメツキベースとして透明伝導
膜と金薄膜の２層構造として、ステンシルとメツ
キベースを除去しないマスク構造について述べ
る。
造として、BN膜でメンブランを形成し、その上
に金属薄膜よりなるメツキベース、更にパターン
ニングされたレジスト膜（ステンシルと呼ぶ）を
形成し、ステンシル間隙をAu鍍金により埋込ん
だ後、ステンシル及びその直下のメツキベースを
除去して、全面を保護膜でカバーする構造となつ
ている。本発明ではメツキベースとして透明伝導
膜と金薄膜の２層構造として、ステンシルとメツ
キベースを除去しないマスク構造について述べ
る。
本発明は、Ｘ線露光用マスクの構造に関する。
半導体装置の高密度化に伴つて、微細パターンの
形成にＸ線露光法の開発が進んでいる。
半導体装置の高密度化に伴つて、微細パターンの
形成にＸ線露光法の開発が進んでいる。
Ｘ線露光法は波長数ÅのＸ線を用い、ウエハー
上のＸ線レジストを露光するもので光、あるいは
電子線露光における如く回折、干渉、散乱等の問
題が少なく微細加工に適している。
上のＸ線レジストを露光するもので光、あるいは
電子線露光における如く回折、干渉、散乱等の問
題が少なく微細加工に適している。
Ｘ線露光用には、波長の短いＸ線の特性上の要
求から通常の光露光用のマスク構造は使用出来
ず、Ｘ線露光用マスクとして特有なる構造を必要
とし、尚改善すべき問題が多い。
求から通常の光露光用のマスク構造は使用出来
ず、Ｘ線露光用マスクとして特有なる構造を必要
とし、尚改善すべき問題が多い。
現在最も一般的な構造として使用されているＸ
線マスクを、マスク製作の工程順に第２図ａ〜ｆ
により説明する。
線マスクを、マスク製作の工程順に第２図ａ〜ｆ
により説明する。
パターンを形成するマスク基板としては、Ｘ線
の透過特性からガラス、石英等の基板は使用出来
ない。Ｘ線透過特性の良好な原子番号の低いBN
よりなる数μｍの厚さの薄膜（メンブランと称
す）が使用される。
の透過特性からガラス、石英等の基板は使用出来
ない。Ｘ線透過特性の良好な原子番号の低いBN
よりなる数μｍの厚さの薄膜（メンブランと称
す）が使用される。
BN薄膜は、そのままでは機械的強度、平坦性
が維持出来ないので、リングに接着保持すること
が必要である。その方法として、Siウエハー上に
BN膜をCVD法で積層し、パイレツクスよりなる
リングに接着する。
が維持出来ないので、リングに接着保持すること
が必要である。その方法として、Siウエハー上に
BN膜をCVD法で積層し、パイレツクスよりなる
リングに接着する。
次いで、リング内側のSiウエハーをエツチング
液で除去する。この状態を第２図ａに示す。BN
膜のメンブラン１はリング状のSiリング２とパイ
レツクス・リング３により平坦なる薄膜として得
られる。
液で除去する。この状態を第２図ａに示す。BN
膜のメンブラン１はリング状のSiリング２とパイ
レツクス・リング３により平坦なる薄膜として得
られる。
次いで、BNメンブラン１上にTi、あるいは
Ta／Au／Ta、あるはPt等よりなるメツキベー
ス４をスパツタさせる。メツキベースの厚さは
400〜500Å程度に選ばれる。
Ta／Au／Ta、あるはPt等よりなるメツキベー
ス４をスパツタさせる。メツキベースの厚さは
400〜500Å程度に選ばれる。
次いで、ホトレジスト、あるいはEBレジスト
５を塗布して第２図ｂを得る。
５を塗布して第２図ｂを得る。
上記のレジストを露光、あるいはEB描画を行
い、現像を行つて第２図ｃが得られる。このとき
に得られたレジストのパターンは、通常ステンシ
ル６（Stencil）と呼ばれる。
い、現像を行つて第２図ｃが得られる。このとき
に得られたレジストのパターンは、通常ステンシ
ル６（Stencil）と呼ばれる。
次いで、メツキベースを電極としてAu鍍金を
行う。ステンシル６の間隙部は、Au層７にて埋
込まれ、第２図ｄが得られる。このAu層７がＸ
線の吸収層となる。
行う。ステンシル６の間隙部は、Au層７にて埋
込まれ、第２図ｄが得られる。このAu層７がＸ
線の吸収層となる。
次いで、ステンシル６を酸素を用いたアツシン
グにより除去し、更にステンシルの下のメツキベ
ース４をCF4ガスによるRIE法あるいはArガスに
よるスパツタ・エツチング法で除去する。これを
第２図ｅに示す。
グにより除去し、更にステンシルの下のメツキベ
ース４をCF4ガスによるRIE法あるいはArガスに
よるスパツタ・エツチング法で除去する。これを
第２図ｅに示す。
このメツキベースの除去を行う理由は、Ｘ線露
光を行う前に、光学的なマスク・アライメントが
必要で、そのため金属層よりなるメツキベースを
除去する。
光を行う前に、光学的なマスク・アライメントが
必要で、そのため金属層よりなるメツキベースを
除去する。
最後に全面に保護膜８をコートしてマスクが完
成する。これを第２図ｆに示す。
成する。これを第２図ｆに示す。
上述に述べた、従来の技術による方法ではステ
ンシル６と、その下に形成されているメツキベー
ス４を除去する工程が必要である。
ンシル６と、その下に形成されているメツキベー
ス４を除去する工程が必要である。
パターンが微細化し、サブミクロンの領域とな
ると、Au層７はＸ線吸収特性から0.5〜1μｍに近
い厚さを必要とするので、深い溝が近接して形成
されていることになる。
ると、Au層７はＸ線吸収特性から0.5〜1μｍに近
い厚さを必要とするので、深い溝が近接して形成
されていることになる。
このためステンシル及びメツキベースの除去、
その後の保護膜の塗布工程でパターンの変形及び
パターンの剥離の問題を生ずる。
その後の保護膜の塗布工程でパターンの変形及び
パターンの剥離の問題を生ずる。
上記問題点は、透明メンブラン上に、全面に例
えばInとSnの酸化物よりなる透明伝導膜とその
上の金薄膜よりなる２層のメツキベースが形成さ
れ、更に、上記メツキベース上にはパターンニン
グされたステンシルと、該ステンシルの間隙をＸ
線吸収金属としてのAuを鍍金にて埋込んだ積層
を有する本発明のＸ線露光用マスクにより解決さ
れる。
えばInとSnの酸化物よりなる透明伝導膜とその
上の金薄膜よりなる２層のメツキベースが形成さ
れ、更に、上記メツキベース上にはパターンニン
グされたステンシルと、該ステンシルの間隙をＸ
線吸収金属としてのAuを鍍金にて埋込んだ積層
を有する本発明のＸ線露光用マスクにより解決さ
れる。
上記メツキベースを構成するAu薄膜としては、
１〜約67Åの膜厚を使用することによりアライメ
ントに必要なる光透過特性を得ることが出来る。
１〜約67Åの膜厚を使用することによりアライメ
ントに必要なる光透過特性を得ることが出来る。
Ｘ線露光用マスクはＸ線を吸収遮蔽するパター
ン領域と、Ｘ線を透過する領域とのコントラスト
と共に、Ｘ線露光前には光学的にマスク・アライ
メントを必要とする。
ン領域と、Ｘ線を透過する領域とのコントラスト
と共に、Ｘ線露光前には光学的にマスク・アライ
メントを必要とする。
上記メツキベース構造により、アライメントに
必要なる最低の光透過度を得ることが出来る。そ
の結果ステンシルの除去が不要となり、マスクの
製作工程を著しく簡易化し、パターン精度が向上
する。
必要なる最低の光透過度を得ることが出来る。そ
の結果ステンシルの除去が不要となり、マスクの
製作工程を著しく簡易化し、パターン精度が向上
する。
更に、ステンシル及びメツキベースの除去、そ
の後の保膜膜塗布工程でのパターンの変形、剥離
のおそれも無くなる。
の後の保膜膜塗布工程でのパターンの変形、剥離
のおそれも無くなる。
本発明による一実施例を第１図ａ〜ｄにより詳
細説明する。
細説明する。
BN薄膜よりなるメンブラン１を形成する工程
は第２図ａで説明せる方法と変わらない。次い
で、透明伝導膜の形成には、ITO（Indium Tin
Oxide）のターゲツトを用いたスパツタ法により
メンブラン上に700〜800ÅのITO膜９を積層させ
る。
は第２図ａで説明せる方法と変わらない。次い
で、透明伝導膜の形成には、ITO（Indium Tin
Oxide）のターゲツトを用いたスパツタ法により
メンブラン上に700〜800ÅのITO膜９を積層させ
る。
ITOはIn2O3にSnO2を５〜20％含んだ薄膜とし
て形成され、光透過性で且つ電気伝導特性を有す
る材料である。
て形成され、光透過性で且つ電気伝導特性を有す
る材料である。
次いで、同じくスパツタ法によりAu薄膜１０
を１〜約67Å積層する。ITO膜９とAu薄膜１０
とでメツキベース４が形成され、これを第１図ａ
に示す。
を１〜約67Å積層する。ITO膜９とAu薄膜１０
とでメツキベース４が形成され、これを第１図ａ
に示す。
Au薄膜の厚さで、膜厚下限は、後のAu鍍金工
程で膜質の均一性を保ための制約であり、上限は
光透過特性を確保するための制約である。
程で膜質の均一性を保ための制約であり、上限は
光透過特性を確保するための制約である。
67ÅのAu薄膜を用いた時、実験的に約30％の
光透過特性（He−Neレーザに対し）が得られる
ことが判明している。これはマスク・アライメン
トが可能なる限度と考えられるが、67％なる数値
は厳密なものでなく、プラス側に多少ずれても構
わない。
光透過特性（He−Neレーザに対し）が得られる
ことが判明している。これはマスク・アライメン
トが可能なる限度と考えられるが、67％なる数値
は厳密なものでなく、プラス側に多少ずれても構
わない。
次いで、ホトレジスタあるいはEBレジスト５
を0.5〜1.0μｍ塗布して、露光あるいはEB描画を
行い、現像することによりステンシル６が形成さ
れる。こさを第１図ｂに示す。
を0.5〜1.0μｍ塗布して、露光あるいはEB描画を
行い、現像することによりステンシル６が形成さ
れる。こさを第１図ｂに示す。
次いで、ステンシルの間隙をＸ線吸収層として
Au鍍金により埋込む。マスクパターンを形成せ
るAu層７が、ほぼステンシルと同一の平面にて
積層される。これを第１図ｃに示す。
Au鍍金により埋込む。マスクパターンを形成せ
るAu層７が、ほぼステンシルと同一の平面にて
積層される。これを第１図ｃに示す。
最後にポリイミド（Polyimide）等の保護膜８
をコートすることによりＸ線露光用マスクが完成
する。これを第１図ｄに示す。
をコートすることによりＸ線露光用マスクが完成
する。これを第１図ｄに示す。
以上に説明せるごとく、本発明のＸ線露光マス
ク構造により、微細加工されたステンシル及びメ
ツキベースの除去は不要となり、マスク製作工程
が著しく簡易化され、パターンの変形、剥離のお
それもなく、精度向上に寄与すること大である。
ク構造により、微細加工されたステンシル及びメ
ツキベースの除去は不要となり、マスク製作工程
が著しく簡易化され、パターンの変形、剥離のお
それもなく、精度向上に寄与すること大である。
第１図ａ〜ｄは本発明にかかわるＸ線露光用マ
スク構造の製作工程順断面図、第２図ａ〜ｆは従
来の技術によるＸ線露光用マスク構造の製作工程
順断面図、を示す。 図面において、１はメンブラン、２はSiリン
グ、３はパイレツクス・リング、４はメツキベー
ス、５はレジスト、６はステンシル、７はＸ線吸
収層（Au層）、８は保護膜、９は透明伝導膜
（ITO膜）、１０はAu薄膜、をそれぞれ示す。
スク構造の製作工程順断面図、第２図ａ〜ｆは従
来の技術によるＸ線露光用マスク構造の製作工程
順断面図、を示す。 図面において、１はメンブラン、２はSiリン
グ、３はパイレツクス・リング、４はメツキベー
ス、５はレジスト、６はステンシル、７はＸ線吸
収層（Au層）、８は保護膜、９は透明伝導膜
（ITO膜）、１０はAu薄膜、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 透明メンブラン１上に、全面に透明伝導膜９
と膜厚が１〜約67Åである金薄膜１０よりなるメ
ツキベース４が積層され、更に、該メツキベース
上にはパターニングされたステンシル６と、該ス
テンシルの間〓をＸ線吸収金属で埋込んだ積層７
を有することを特徴とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022562A JPS62202518A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | Ｘ線露光用マスク |
| KR1019870000696A KR900003254B1 (ko) | 1986-02-03 | 1987-01-28 | X-선 노출 마스크 |
| EP87101361A EP0231916B1 (en) | 1986-02-03 | 1987-02-02 | X-ray exposure masks |
| DE8787101361T DE3783239T2 (de) | 1986-02-03 | 1987-02-02 | Roentgenstrahlmaske. |
| US07/289,394 US4939052A (en) | 1986-02-03 | 1988-12-15 | X-ray exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022562A JPS62202518A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202518A JPS62202518A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0255933B2 true JPH0255933B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=12086305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022562A Granted JPS62202518A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4939052A (ja) |
| EP (1) | EP0231916B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62202518A (ja) |
| KR (1) | KR900003254B1 (ja) |
| DE (1) | DE3783239T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0682604B2 (ja) * | 1987-08-04 | 1994-10-19 | 三菱電機株式会社 | Ｘ線マスク |
| JPH02103547A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Fujitsu Ltd | 導電性層の形成方法 |
| JP2702183B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1998-01-21 | 富士通株式会社 | 半導体製造装置 |
| US5422491A (en) * | 1988-11-04 | 1995-06-06 | Fujitsu Limited | Mask and charged particle beam exposure method using the mask |
| US5262257A (en) * | 1989-07-13 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask for lithography |
| JP2801270B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-09-21 | キヤノン株式会社 | マスク作成方法 |
| US5258091A (en) * | 1990-09-18 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing X-ray window |
| US5235626A (en) * | 1991-10-22 | 1993-08-10 | International Business Machines Corporation | Segmented mask and exposure system for x-ray lithography |
| SG43954A1 (en) * | 1991-11-15 | 1997-11-14 | Canon Kk | X-ray mask structure and x-ray exposing method and semiconductor device manufactured by use of x-ray mask structure and method for manufacturing x-ray mask structure |
| FI93680C (fi) * | 1992-05-07 | 1995-05-10 | Outokumpu Instr Oy | Ohutkalvon tukirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
| WO1994017449A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
| US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
| US6297169B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-10-02 | Motorola, Inc. | Method for forming a semiconductor device using a mask having a self-assembled monolayer |
| RU2256207C2 (ru) * | 2002-12-02 | 2005-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Комсомольское-на-Амуре авиационное производственное объединение им. Ю.А. Гагарина" | Множитель изображения рентгеношаблона |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3925677A (en) * | 1974-04-15 | 1975-12-09 | Bell Telephone Labor Inc | Platinum oxide lithographic masks |
| US4018938A (en) * | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
| JPS57193031A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Manufacture of mask substrate for exposing x-ray |
| JPS5890729A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Nec Corp | Ｘ線マスク製作方法 |
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| US4549939A (en) * | 1984-04-30 | 1985-10-29 | Ppg Industries, Inc. | Photoelectroforming mandrel and method of electroforming |
| JPS61245161A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | Ｘ線用マスクの製造方法 |
| US4696878A (en) * | 1985-08-02 | 1987-09-29 | Micronix Corporation | Additive process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography and the resulting mask |
-
1986
- 1986-02-03 JP JP61022562A patent/JPS62202518A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-28 KR KR1019870000696A patent/KR900003254B1/ko not_active Expired
- 1987-02-02 DE DE8787101361T patent/DE3783239T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-02 EP EP87101361A patent/EP0231916B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-15 US US07/289,394 patent/US4939052A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870008378A (ko) | 1987-09-26 |
| KR900003254B1 (ko) | 1990-05-12 |
| JPS62202518A (ja) | 1987-09-07 |
| EP0231916B1 (en) | 1992-12-30 |
| US4939052A (en) | 1990-07-03 |
| EP0231916A2 (en) | 1987-08-12 |
| DE3783239D1 (de) | 1993-02-11 |
| DE3783239T2 (de) | 1993-04-29 |
| EP0231916A3 (en) | 1989-11-08 |
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