JPS63268295A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS63268295A JPS63268295A JP10190887A JP10190887A JPS63268295A JP S63268295 A JPS63268295 A JP S63268295A JP 10190887 A JP10190887 A JP 10190887A JP 10190887 A JP10190887 A JP 10190887A JP S63268295 A JPS63268295 A JP S63268295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- wiring board
- multilayer wiring
- insulating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子計算機などに使用されるＬＳＩ搭載のため
の多層回路基板とくに有機物で絶縁層を形成する薄膜多
層回路基板に関するものである。
の多層回路基板とくに有機物で絶縁層を形成する薄膜多
層回路基板に関するものである。
従来より多層回路基板の高精度、高機能化をはかるため
に有機絶縁層を使用することは、たとえば特開昭５７−
２０２７９７号公報に記載されている。上記の公報では
有機絶縁層にポリイミドを使用した積層法について記載
しているが、これを使用した多層基板の使用状態に対す
る信頼性の配慮については同等記載していない。すなわ
ち、高精度、高機能が要求される多層回路基板の主な用
途は大形計算機のＬＳＩ搭載用多層回路板であるが、こ
の場合には、信頼性の面からＬＳＩ搭載部の気密封止が
大前提である。その理由は、絶縁層形成時、絶縁基体物
と有機絶縁層との間に熱膨張の差で発生する応力により
上記両者の間に剥離しようとする力が作用する。この力
は基板の端部で最大となり、かつ有機絶縁層の膜厚が厚
ければ厚いほど大きくなる。そのため、膜の厚さは、自
ら制限を受ける。上記公報に記載された構成では、基板
の端部に耐湿性の劣る有機物層を含めているため、上記
の力に対抗しつる力で気密封止することが困難であり、
あえて気密封止を行うとすれば、基板の裏面を気密の封
止しろにしなければならないため、構成が複雑になる。
に有機絶縁層を使用することは、たとえば特開昭５７−
２０２７９７号公報に記載されている。上記の公報では
有機絶縁層にポリイミドを使用した積層法について記載
しているが、これを使用した多層基板の使用状態に対す
る信頼性の配慮については同等記載していない。すなわ
ち、高精度、高機能が要求される多層回路基板の主な用
途は大形計算機のＬＳＩ搭載用多層回路板であるが、こ
の場合には、信頼性の面からＬＳＩ搭載部の気密封止が
大前提である。その理由は、絶縁層形成時、絶縁基体物
と有機絶縁層との間に熱膨張の差で発生する応力により
上記両者の間に剥離しようとする力が作用する。この力
は基板の端部で最大となり、かつ有機絶縁層の膜厚が厚
ければ厚いほど大きくなる。そのため、膜の厚さは、自
ら制限を受ける。上記公報に記載された構成では、基板
の端部に耐湿性の劣る有機物層を含めているため、上記
の力に対抗しつる力で気密封止することが困難であり、
あえて気密封止を行うとすれば、基板の裏面を気密の封
止しろにしなければならないため、構成が複雑になる。
膏
本発 、前期従来の問題点を解決し、気密封止の容易
な高精度、高機能が可能な多層回路基板を提供すること
にある。
な高精度、高機能が可能な多層回路基板を提供すること
にある。
本発明は前記の目的を達成するため、絶縁部基体の上面
の周辺部以外に絶縁層と導体層とを交互に積層し、上記
周辺部を気密封止しるに形成し、かつ、絶縁層の周縁部
にまたがって、絶縁層および絶縁部基板上に金属膜を形
成するものである。
の周辺部以外に絶縁層と導体層とを交互に積層し、上記
周辺部を気密封止しるに形成し、かつ、絶縁層の周縁部
にまたがって、絶縁層および絶縁部基板上に金属膜を形
成するものである。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の実施例（１）を示す薄膜多層回路基
板の製作工程図である。同図（ａｌに示す如く、たとえ
ばアルミナセラミック板あるいは厚膜多層配線１上面全
体にたとえば日立化成工業株式会社製のピーアイキュ（
ＰＩＱ）（商品名）をスピンナにより均一に塗布し、こ
れを熱処理して有機絶縁層のポリイミド層２を形成する
。その後、ホトレジストを用いてエツチングマスク３を
形成する。
板の製作工程図である。同図（ａｌに示す如く、たとえ
ばアルミナセラミック板あるいは厚膜多層配線１上面全
体にたとえば日立化成工業株式会社製のピーアイキュ（
ＰＩＱ）（商品名）をスピンナにより均一に塗布し、こ
れを熱処理して有機絶縁層のポリイミド層２を形成する
。その後、ホトレジストを用いてエツチングマスク３を
形成する。
この際、スルホール形成個所にマスク開口部４を、３゜
形成し、かつ上記厚膜多層配線板１の周端部より一定距
離５の領域のホトレジストを除去するようにする。つい
で同図（ｂ）に示す如く、上記エツチングマスク３を用
いてポリイミド層２をヒドラジンヒトラードおよびエチ
レンジアミンの混液あるいは０□プラズマなどでエツチ
ングして上記レジストを除去する。ついで同図（ｃ）に
示す如く、半導体などで用いられる方法により配線材の
成膜、ホトエツチングで配線層６を形成する。ついで、
同図（ｄ）に示す如く、上記を必要回数繰返して所定の
多層配線を形成する。
離５の領域のホトレジストを除去するようにする。つい
で同図（ｂ）に示す如く、上記エツチングマスク３を用
いてポリイミド層２をヒドラジンヒトラードおよびエチ
レンジアミンの混液あるいは０□プラズマなどでエツチ
ングして上記レジストを除去する。ついで同図（ｃ）に
示す如く、半導体などで用いられる方法により配線材の
成膜、ホトエツチングで配線層６を形成する。ついで、
同図（ｄ）に示す如く、上記を必要回数繰返して所定の
多層配線を形成する。
次に、同図（ｅ）に示す如く、ポリイミド層の端部７を
覆うように、金属膜８を形成する。形成は、配線層６の
形成と同様の方法で行う。なお金属膜８としては膜形成
時に応力が小さく基体との接着性のよいアルミ等を用い
ることが望ましい。 ゛実施例（２） 実施例（１）の第１図（ｃ）の絶縁層端部７を第２図（
ａ）の如く、段差状に形成する。ついで同図（ｂ）に示
す如く、端部７を覆うように金属膜８′を形成する。
覆うように、金属膜８を形成する。形成は、配線層６の
形成と同様の方法で行う。なお金属膜８としては膜形成
時に応力が小さく基体との接着性のよいアルミ等を用い
ることが望ましい。 ゛実施例（２） 実施例（１）の第１図（ｃ）の絶縁層端部７を第２図（
ａ）の如く、段差状に形成する。ついで同図（ｂ）に示
す如く、端部７を覆うように金属膜８′を形成する。
、４゜
以上示したように本発明においては、厚膜多層配線板１
の周端部より所定距離の領域に、有機物層を含まないよ
うに構成し、かつ、有機物層の端部を金属膜で覆うこと
で、有機物絶縁層の剥離の起点発生を防止できる。
の周端部より所定距離の領域に、有機物層を含まないよ
うに構成し、かつ、有機物層の端部を金属膜で覆うこと
で、有機物絶縁層の剥離の起点発生を防止できる。
本発明は以上述べたる如く、多層化に対しても絶縁膜剥
離の起点発生を防止するので、安定かつ高機能、高信頼
度の多層回路基板を実現することができる効果を有する
。
離の起点発生を防止するので、安定かつ高機能、高信頼
度の多層回路基板を実現することができる効果を有する
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例（１）の製作工
程を示す図、第２図（，１〜（ｂ）は実施例（２）を示
す多層回路基板の製作工程図である。 ｌ・・・厚膜多層配線板 ２・・・ポリイミド層３・
・・エツチングマスク ４・・・マスク開口部５・・・
絶縁層除去領域 ６・・・配線層８・・・端部被覆膜
゛ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 ７１ 図 （ｅ） 晃 ２ し くα）
程を示す図、第２図（，１〜（ｂ）は実施例（２）を示
す多層回路基板の製作工程図である。 ｌ・・・厚膜多層配線板 ２・・・ポリイミド層３・
・・エツチングマスク ４・・・マスク開口部５・・・
絶縁層除去領域 ６・・・配線層８・・・端部被覆膜
゛ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 ７１ 図 （ｅ） 晃 ２ し くα）
Claims (1)
- １、絶縁物基板上に有機物からなる絶縁層と、導体層と
を交互に積重して形成する多層配線基板において、上記
絶縁物基体上の周端部の一定距離領域を残して有機物か
らなる絶縁層と、上記周端部に絶縁物体と絶縁層周端に
またがって形成された金属膜を構成したことを特徴とす
る多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190887A JPS63268295A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190887A JPS63268295A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63268295A true JPS63268295A (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=14313006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190887A Pending JPS63268295A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63268295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102662A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10190887A patent/JPS63268295A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102662A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板 |
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