JPH027455A - 樹脂封止型混成集積回路 - Google Patents

樹脂封止型混成集積回路

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JPH027455A
JPH027455A JP63157348A JP15734888A JPH027455A JP H027455 A JPH027455 A JP H027455A JP 63157348 A JP63157348 A JP 63157348A JP 15734888 A JP15734888 A JP 15734888A JP H027455 A JPH027455 A JP H027455A
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JP
Japan
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control circuit
large power
power use
resin
metal
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Pending
Application number
JP63157348A
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English (en)
Inventor
Naoharu Senba
仙波 直治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH027455A publication Critical patent/JPH027455A/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路に関し、特に樹脂封止型混成集積
回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の混成集積回路の構造は、第2図(a)。
(b)に示すように大電力用素子およびこれを制御する
制御回路の相方共、同一の金属アイランド1 ]、 b
に配線基板18を接着し、大電力用素子13、能動素子
16.受動素子15等を搭載し金属細線14.17を用
いて混成集積回路を形成し、トランスファーモールド方
式により外装樹脂12で封止した構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の混成集積回路は、大電力用素子とこれを
制御する制御回路が同一の金属アイランド上に搭載され
ているため、制御回路に搭載されている素子の特性が大
電力用素子の熱放散による影響を受け、本来の制御機能
が十分に発揮されないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型混成集積回路は、放熱板と一体の金
属アイランドに搭載された大電力用半導体素子と、他の
金属アイランドに接着され、前記大電力用半導体素子を
制御し駆動する制御回路を搭載した回路基板とが樹脂封
止されてなるというものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例を示す平面
図及び側面図である。
放熱板1aと一体の金属アイランド1bに大電力用素子
3を搭載する。他の金属アイランド10bに配線基板8
を接着層9を介して接着する。この配線基板8上に受動
素子5.能動素子6等を搭載し、金属細線7を用いて接
続し、制御回路を構成し、金属細線7でこの制御回路と
大電力用素子とを接続し混成集積回路を形成する。トラ
ンスファーモールド方式を用いて外装樹脂2で封止する
。大電力用素子と制御回路とが別々の金属アイランドに
搭載されているので、制御回路が大電力用素子により熱
の影響をうけ難いので制御機能が損なわれない。
なお、la、lb、lc、10b、10c1〜10c3
は、途中の工程迄はフレームで連結されたリードフレー
ムの−こまを構成しているので、従来例と同様に、トラ
ンスファーモールド方式で樹脂封止できる。又、他の金
属アイランド10bに放熱板をつけてもよい。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、大電力用素子と制御回路
とが別々の金属アイランド上に搭載されているので、大
電力用素子の発熱による制御回路への影響を小さくでき
、動作の安定な樹脂封止型混成集積回路が得られるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例の平面図及
び側面図、第2図(a)及び(b)は従来技術の平面図
及び側面図である。 la、1la−放熱板、lb、1lb−・・金属アイラ
ンド、lc、1lcl 〜11C4・”外部リード、2
.12・・・外装樹脂、3,13・・・大電力用素子、
4,14・・・金属細線、5,15・・・受動素子、6
.16・・・能動素子、7,17・・・金属細線、8゜
18・・・配線基板、9.19・・・接着層、10b・
・・他の金属アイランド、10cl〜10C3・・・外
部す欣、を鮪板 第 1 図 万 Z 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放熱板と一体の金属アイランドに搭載された大電力用半
    導体素子と、他の金属アイランドに接着され、前記大電
    力用半導体素子を制御し駆動する制御回路を搭載した回
    路基板とが樹脂封止されてなることを特徴とする樹脂封
    止型混成集積回路。
JP63157348A 1988-06-24 1988-06-24 樹脂封止型混成集積回路 Pending JPH027455A (ja)

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