JPH0278041A - 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気ディスク媒体およびその製造方法Info
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- JPH0278041A JPH0278041A JP23070288A JP23070288A JPH0278041A JP H0278041 A JPH0278041 A JP H0278041A JP 23070288 A JP23070288 A JP 23070288A JP 23070288 A JP23070288 A JP 23070288A JP H0278041 A JPH0278041 A JP H0278041A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
光磁気ディスクに関し、
優れた密着力および平坦性を共に実現するとともに透湿
による記録再生特性の経時的劣化を防止することを目的
とし、 光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体にお
いて、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｇｅおよび■からなる
群の少なくとも１種の金属の窒素酸化物からなる膜を光
磁気記録層と基板の間ならびに光磁気記録層の上に設け
るように構成する。
による記録再生特性の経時的劣化を防止することを目的
とし、 光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体にお
いて、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｇｅおよび■からなる
群の少なくとも１種の金属の窒素酸化物からなる膜を光
磁気記録層と基板の間ならびに光磁気記録層の上に設け
るように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気ディスクおよびその製造方法に関し、さ
らに詳しく述べるならばプラスチックもしくはガラス等
の基板を使用した光磁気ディスクおよびその製造方法に
関する。
らに詳しく述べるならばプラスチックもしくはガラス等
の基板を使用した光磁気ディスクおよびその製造方法に
関する。
［従来の技術］
従来の光磁気ディスクにおいては、反りや記録再生特性
の安定性の等の特性面から、基板にガラス基板が使用さ
れてきた。しかしながら、ガラス基板は高価であり、ま
た割れが生じる危険性があるため、最近は基板にプラス
チック材料が使用され始めている。
の安定性の等の特性面から、基板にガラス基板が使用さ
れてきた。しかしながら、ガラス基板は高価であり、ま
た割れが生じる危険性があるため、最近は基板にプラス
チック材料が使用され始めている。
プラスチック基板は上記特性の面では問題があるため、
この対策としてＴｉＯ２，ＴｉＯ等の酸化物材料あるい
はＳｉ３Ｎ４、ＡρＮ等の窒化物材料をプラスチック基
板に下地膜として施すことが提案されている。
この対策としてＴｉＯ２，ＴｉＯ等の酸化物材料あるい
はＳｉ３Ｎ４、ＡρＮ等の窒化物材料をプラスチック基
板に下地膜として施すことが提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
本発明者等の研究によると、酸化物材料をプラスチック
等の基板に直接ｇ！膜してもその密着力が弱いために、
光磁気ディスクが使用される大気環境下で下地酸化膜が
基板から光磁気記録層とともに膜が剥雛してしまい、一
方、窒化物膜は基板との密着力が強すぎるために、基板
を反らせ、基板を大きく変形させることが分かった。さ
らに、上記酸化物材料および窒化物材料は透湿性に優れ
ておらないため、これらの材料を光磁気記録層の皮膜と
して使用して大気中の湿分から光磁気記録層を保護する
ために用いたとしても、十分な透湿防止効果は得られな
い。同様に、これら材料を下地保護膜として使用したと
してもプラスチック基板の場合プラスチック基板側から
の透湿を防止する十分な効果は得られず、結局記録再生
特性が経時的に劣化する。したがって、本発明は光磁気
ディスクにおいて密着力が高い保護膜は反りが生じ易く
、反りが生じない保護膜は密着力が弱いという欠点を解
消し、優れた密着力および平坦性を共に実現するととも
に透湿による記録再生特性の経時的劣化を防止すること
を目的とする。
等の基板に直接ｇ！膜してもその密着力が弱いために、
光磁気ディスクが使用される大気環境下で下地酸化膜が
基板から光磁気記録層とともに膜が剥雛してしまい、一
方、窒化物膜は基板との密着力が強すぎるために、基板
を反らせ、基板を大きく変形させることが分かった。さ
らに、上記酸化物材料および窒化物材料は透湿性に優れ
ておらないため、これらの材料を光磁気記録層の皮膜と
して使用して大気中の湿分から光磁気記録層を保護する
ために用いたとしても、十分な透湿防止効果は得られな
い。同様に、これら材料を下地保護膜として使用したと
してもプラスチック基板の場合プラスチック基板側から
の透湿を防止する十分な効果は得られず、結局記録再生
特性が経時的に劣化する。したがって、本発明は光磁気
ディスクにおいて密着力が高い保護膜は反りが生じ易く
、反りが生じない保護膜は密着力が弱いという欠点を解
消し、優れた密着力および平坦性を共に実現するととも
に透湿による記録再生特性の経時的劣化を防止すること
を目的とする。
［課題を解決するための手段〕
本発明に関する光磁気ディスク媒体は、光磁気記録層を
基板で担持した光磁気ディスク媒体において、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｎｂ、Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少なくとも
１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層
と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に設けた
ことを特徴とする。
基板で担持した光磁気ディスク媒体において、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｎｂ、Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少なくとも
１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層
と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に設けた
ことを特徴とする。
以下、本発明の構成を詳しく説明する。
光磁気記録層の上に設けた膜を、以下、上地保護膜とい
う。光磁気記録層と基板の間に設けた膜を、以下、下地
保護膜という。
う。光磁気記録層と基板の間に設けた膜を、以下、下地
保護膜という。
上地保護膜は主として大気中からの湿分が光磁気膜に透
過するのを遮断する効果をもつ。一方下地保護膜は光磁
気膜をプラスチック等の基板に対して密着させるととも
にプラスチック等の基板からの湿分から光磁気膜を遮断
する効果をもつ。
過するのを遮断する効果をもつ。一方下地保護膜は光磁
気膜をプラスチック等の基板に対して密着させるととも
にプラスチック等の基板からの湿分から光磁気膜を遮断
する効果をもつ。
本発明の光磁気ディスク媒体は上地保護膜も下地保護膜
も同一材料から構成すると構成上簡単になるが、両像ｊ
Ｗ１５１を別種材料から構成することも本発明の範囲に
含まれる。下地保護膜の厚みは８０〜１２０ｎｍが好ま
しく、下地保護膜の厚みは８０〜１２０ｎｍが好ましい
。これらの下限値および上限値は次の理由で定められた
。すなわち、下限値未満では各保護膜の効果は少なく、
−方上地保護膜の厚みが上限値を越えるとレーザーの透
過効率が低下し、下地保護膜の厚みが上限値を越えても
とくに効果は増大せず経済性が低下する。好ましい厚み
は両像護膜とも８０〜１１００ｎである。
も同一材料から構成すると構成上簡単になるが、両像ｊ
Ｗ１５１を別種材料から構成することも本発明の範囲に
含まれる。下地保護膜の厚みは８０〜１２０ｎｍが好ま
しく、下地保護膜の厚みは８０〜１２０ｎｍが好ましい
。これらの下限値および上限値は次の理由で定められた
。すなわち、下限値未満では各保護膜の効果は少なく、
−方上地保護膜の厚みが上限値を越えるとレーザーの透
過効率が低下し、下地保護膜の厚みが上限値を越えても
とくに効果は増大せず経済性が低下する。好ましい厚み
は両像護膜とも８０〜１１００ｎである。
本発明においては、基板／下地保護膜／光磁気記録層／
上地保護膜の積Ｍ構造が最も好ましく、また窒素酸化物
としてはＺｒ０Ｎが最も好ましい。しかしながら、本発
明の効果を損なわず、反り等の欠点を招かないならば、
本発明以外の積層材料の膜を付加的に成膜することがで
きる。例えばＳｉＯ，，５ＬＯＮ等を下地保護膜あるい
は上地保護膜と光磁気記録層の間に積層することもでき
る。
上地保護膜の積Ｍ構造が最も好ましく、また窒素酸化物
としてはＺｒ０Ｎが最も好ましい。しかしながら、本発
明の効果を損なわず、反り等の欠点を招かないならば、
本発明以外の積層材料の膜を付加的に成膜することがで
きる。例えばＳｉＯ，，５ＬＯＮ等を下地保護膜あるい
は上地保護膜と光磁気記録層の間に積層することもでき
る。
プラスチック基板には通常１．２ｍｍの厚みのポリカー
ボネート、アクリル、ＡＰＯ基板等が使用される。
ボネート、アクリル、ＡＰＯ基板等が使用される。
プラスチック基板以外にもガラス−２Ｐ基板に対しても
上記上地保護膜および下地保護膜を使用することができ
る。
上記上地保護膜および下地保護膜を使用することができ
る。
上記した上地および下地保護膜の製法としてはスパッタ
法が膜組成および厚みの均一性の点で好ましい。
法が膜組成および厚みの均一性の点で好ましい。
また、スパッタの具体的方法は真空スパッタ法と雰囲気
ガスによる反応を利用するスパッタ法の２つが可能であ
る。
ガスによる反応を利用するスパッタ法の２つが可能であ
る。
真空スパッタ法では、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、 。
Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少なくとも１種の金属
の窒素酸化物からなるターゲットを用いて真空中でスパ
ッタを行ない、前記少なくとも１種の金属の窒素酸化物
からなる膜を前記光磁気記録層と前記プラスチック基板
の間ならびに前記光磁気記録層の上に設ける。この方法
では、ターゲットの組成は、窒化物が５０〜９９モル％
、酸化物が残部となるように調節することが好ましい。
の窒素酸化物からなるターゲットを用いて真空中でスパ
ッタを行ない、前記少なくとも１種の金属の窒素酸化物
からなる膜を前記光磁気記録層と前記プラスチック基板
の間ならびに前記光磁気記録層の上に設ける。この方法
では、ターゲットの組成は、窒化物が５０〜９９モル％
、酸化物が残部となるように調節することが好ましい。
窒化物が５０モル％未満であると密着力が低下する。
一方窒化物が９９モル％を越えると、積層膜が反りを生
じ易くなり、また透湿性が劣化すどため、上記組成が好
ましい。このターゲットは例えば窒化ジルコニウムの粉
末と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成して調製さ
れる。予めジルコニウムの窒素酸化物を化合物として用
意し、これを焼成する方法でターゲットを調製してもよ
いのは当然である。本発明における窒素酸化物は上記の
ように化合物または混合物から選ばれるものであり、保
護膜中においてＮと０を含む物質である。次に、スパッ
タ製膜を行なう真空雰囲気の真空度は特に制限はないが
、１０−’Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒが好ましい。真空度が
この下限値未満であると放電にくくなる。上限値を越え
るとスパッタ効率が低下する。よって上記範囲の真空度
が好ましい。
じ易くなり、また透湿性が劣化すどため、上記組成が好
ましい。このターゲットは例えば窒化ジルコニウムの粉
末と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成して調製さ
れる。予めジルコニウムの窒素酸化物を化合物として用
意し、これを焼成する方法でターゲットを調製してもよ
いのは当然である。本発明における窒素酸化物は上記の
ように化合物または混合物から選ばれるものであり、保
護膜中においてＮと０を含む物質である。次に、スパッ
タ製膜を行なう真空雰囲気の真空度は特に制限はないが
、１０−’Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒが好ましい。真空度が
この下限値未満であると放電にくくなる。上限値を越え
るとスパッタ効率が低下する。よって上記範囲の真空度
が好ましい。
雰囲気との反応を利用するスパッタ法においては、スパ
ッタされた物質が窒素および／または酸素と反応する方
法であれば各種ターゲットおよび雰囲気を採用すること
ができる。
ッタされた物質が窒素および／または酸素と反応する方
法であれば各種ターゲットおよび雰囲気を採用すること
ができる。
好ましいスパッタ法としてはＺｒ、Ｔｉ。
Ｎｂ、Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少なくとも１種
の金属の窒化物または酸化物からなるターゲットを用い
て酸素雰囲気中（窒化物ターゲットの場合）または窒素
雰囲気中（酸化物ターゲットの場合）でスパッタして、
前記少なくとも１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前
記光磁気記録層と前記プラスチック基板の間ならびに前
記光磁気記録層の上に設ける方法がある。
の金属の窒化物または酸化物からなるターゲットを用い
て酸素雰囲気中（窒化物ターゲットの場合）または窒素
雰囲気中（酸化物ターゲットの場合）でスパッタして、
前記少なくとも１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前
記光磁気記録層と前記プラスチック基板の間ならびに前
記光磁気記録層の上に設ける方法がある。
この方法においては、Ｔｉの酸化物としてＴ ｉ Ｏ、
Ｔ ｉ ２０３． Ｔ ｉ ２０％等を、Ｎｂの酸化物
としてはＮｂＯ，Ｎｂ２０９等を、Ｔａの酸化物として
はＴａｇ、ＴａＯ□等を、■の酸化物としてはＶ ２０
ｓ等を、Ｇｅの酸化物としてＧｅＯ□等をターゲット
として使用することができる。また、Ｔｉの窒化物とし
てＴｉＮ、等を、Ｚｒの窒化物としてはＺｒＮ等をＮｂ
の窒化物としてはＮｂＮ、等を、Ｔａの窒化物としては
ＴａＮ、等を、■の窒化物としてはＶＮ等をターゲット
として使用することができる。ターゲットの酸化物（窒
化物）はスパッタ装置のチャンバ内で窒素ガス（酸素ガ
ス）と反応して窒素酸化物として基板上に製膜される。
Ｔ ｉ ２０３． Ｔ ｉ ２０％等を、Ｎｂの酸化物
としてはＮｂＯ，Ｎｂ２０９等を、Ｔａの酸化物として
はＴａｇ、ＴａＯ□等を、■の酸化物としてはＶ ２０
ｓ等を、Ｇｅの酸化物としてＧｅＯ□等をターゲット
として使用することができる。また、Ｔｉの窒化物とし
てＴｉＮ、等を、Ｚｒの窒化物としてはＺｒＮ等をＮｂ
の窒化物としてはＮｂＮ、等を、Ｔａの窒化物としては
ＴａＮ、等を、■の窒化物としてはＶＮ等をターゲット
として使用することができる。ターゲットの酸化物（窒
化物）はスパッタ装置のチャンバ内で窒素ガス（酸素ガ
ス）と反応して窒素酸化物として基板上に製膜される。
（作用）
一般に酸化物は程度の差はあるが、プラスチックとの密
着力が悪いので、プラスチックに被着された酸化膜は容
易にプラスチック基板から剥離する。そこで、この酸化
物に窒素または窒化物を添加することにより若干窒化さ
せると密着力が向上する。
着力が悪いので、プラスチックに被着された酸化膜は容
易にプラスチック基板から剥離する。そこで、この酸化
物に窒素または窒化物を添加することにより若干窒化さ
せると密着力が向上する。
窒化物は、プラスチックと密着力が良いが、プラスチッ
ク基板と積層された場合に膜面内方向の応力が強すぎて
、基板を変形させる難点がある。そこで、この窒化物に
酸素または酸化物を添加することにより、密着力をそこ
なわず、基板を変形させないようにする。
ク基板と積層された場合に膜面内方向の応力が強すぎて
、基板を変形させる難点がある。そこで、この窒化物に
酸素または酸化物を添加することにより、密着力をそこ
なわず、基板を変形させないようにする。
以上のように、酸化膜に添加された窒素等は密着性を高
めるが基板の反りをもたらさず、一方窒化膜に添加され
た酸素等は密着力を低下させずに基板の反りを防止する
。したがって、本発明によれば、酸化物または窒化物単
独膜の欠点が解消され、各膜のすぐれた性質のみが備わ
った下地保護膜および上地保護膜が提供される。
めるが基板の反りをもたらさず、一方窒化膜に添加され
た酸素等は密着力を低下させずに基板の反りを防止する
。したがって、本発明によれば、酸化物または窒化物単
独膜の欠点が解消され、各膜のすぐれた性質のみが備わ
った下地保護膜および上地保護膜が提供される。
以下、実施例によりさらに詳しく本発明を説明する。
〔実施例〕。
以下の実施例において、下地膜と基板との密着力を調べ
るために、第２図に示すような剥離試験を行なった。下
地膜に図のような基盤目状に切って１００個のマス目を
つくり、これにテープを密着させ、そしてテープを剥が
したあと、マス目に何個の膜が残っているかで密着性を
判断する。
るために、第２図に示すような剥離試験を行なった。下
地膜に図のような基盤目状に切って１００個のマス目を
つくり、これにテープを密着させ、そしてテープを剥が
したあと、マス目に何個の膜が残っているかで密着性を
判断する。
反りを調べるために、第３図に示すような試験を行なっ
た。すなわち、上地保護膜および下地保護膜を形成した
プラスチック基板を台の上に置き、基板変形（そり）の
経時変化を８０°Ｃの加速試験で調べた。測定は第３図
のように基板端部の反り量を測定する方法に依った。
た。すなわち、上地保護膜および下地保護膜を形成した
プラスチック基板を台の上に置き、基板変形（そり）の
経時変化を８０°Ｃの加速試験で調べた。測定は第３図
のように基板端部の反り量を測定する方法に依った。
透湿に対する保護効果を調べるために、上地および下地
保護膜を形成したプラスチック基板を８５°Ｃ１９０％
ＲＨの大気中に放置し、Ｃ／Ｎを測定した。
保護膜を形成したプラスチック基板を８５°Ｃ１９０％
ＲＨの大気中に放置し、Ｃ／Ｎを測定した。
Ｃ／Ｎ測定条件は以下のとおりであった９回転数
９００ｒｐｍ 周波数 １．０ＭＨｚ 線速度 ４．０ｍＷ／Ｓ 記録磁界 ３００ ０ｅ 実施例 １ 本実施例で１吏用したターゲットは、ＺｒＮを母相に、
ＺｒＯ２を添加し、焼結したターゲットを使用した。
９００ｒｐｍ 周波数 １．０ＭＨｚ 線速度 ４．０ｍＷ／Ｓ 記録磁界 ３００ ０ｅ 実施例 １ 本実施例で１吏用したターゲットは、ＺｒＮを母相に、
ＺｒＯ２を添加し、焼結したターゲットを使用した。
このターゲットを用いて光磁気ディスクの上地および下
地保護Ｊｍ（ＺｒＯＮ）を製膜した。基板は厚み１．２
ｍｍ、直径５インチのポリカーボネート樹脂基板（ＰＣ
）を用いた。ディスクの構造は次の通りであった。
地保護Ｊｍ（ＺｒＯＮ）を製膜した。基板は厚み１．２
ｍｍ、直径５インチのポリカーボネート樹脂基板（ＰＣ
）を用いた。ディスクの構造は次の通りであった。
ＰＣ基板／ Ｚ ｒ ＯＮ下地保護膜（厚み８０ｎｍ）
／ＴｂＦｅＣｏ （厚み９０ｎｍ）／Ｚｒ０Ｎ上地保護
膜く厚み８０ｎｍ） 試験の結果は剥離試験を表１に、反りを第１図に、透湿
に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２に、
それぞれ示す。
／ＴｂＦｅＣｏ （厚み９０ｎｍ）／Ｚｒ０Ｎ上地保護
膜く厚み８０ｎｍ） 試験の結果は剥離試験を表１に、反りを第１図に、透湿
に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２に、
それぞれ示す。
実施例 ２
本実施例では、ＴｉＮを母相に、Ｔ ｉ Ｏ２を添加し
、焼結したターゲットを使用して実施例１と同様の処理
を行なった。
、焼結したターゲットを使用して実施例１と同様の処理
を行なった。
実施例 ３
本実施例では、ＮｂＮを母相に、Ｎ ｂ ２０ ％を添
加し、焼結したターゲットを使用して実施例１と同様の
処理を行なった。
加し、焼結したターゲットを使用して実施例１と同様の
処理を行なった。
実施例 ４
本実施例では、ＨｆＮを母相に、ＨｆＯ２を添加し、焼
結したターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行
なった。
結したターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行
なった。
比較例 １
本比較例では、ＺｒＯ２を焼結したターゲットを使用し
て実施例１と同様の処理を行なった。
て実施例１と同様の処理を行なった。
比較例 ２
本比較例では、ＳｉＯ２を焼結したターゲットを使用し
て実施例１と同様の処理を行なった。
て実施例１と同様の処理を行なった。
比較例 ３
本比較例では、５ｉｉＮａを焼結したターゲットを使用
して実施例１と同様の処理を行なった。
して実施例１と同様の処理を行なった。
（以下余白）
表 １ 剥離試験の結果
＊−比較例
表 ２ ディスク特性
第４図に加速試験によるＣ／Ｎの経時変化を示す。これ
より酸化物単独および窒化物単独を上地および下地保護
膜とした場合は透湿によりＣ／Ｎが劣化が起こるが、窒
素酸化物の場合はＣ／Ｎの劣化は起こらないことが分か
る。
より酸化物単独および窒化物単独を上地および下地保護
膜とした場合は透湿によりＣ／Ｎが劣化が起こるが、窒
素酸化物の場合はＣ／Ｎの劣化は起こらないことが分か
る。
以上で説明した本発明の実施例−は、（イ）保護膜の剥
離がなく、ＳＬ、Ｎ４と同等の密着性を有しく表１）、
（ロ）は５ｉｉＮａのような変形はなく（第１図）、（
ハ）酸化物および窒化物のように透湿による劣化がなく
（第４図）、また（二）ディスク特性は表２に示すよう
にＺｒＯ２を保護膜としたものと全く違いはみられない
。
離がなく、ＳＬ、Ｎ４と同等の密着性を有しく表１）、
（ロ）は５ｉｉＮａのような変形はなく（第１図）、（
ハ）酸化物および窒化物のように透湿による劣化がなく
（第４図）、また（二）ディスク特性は表２に示すよう
にＺｒＯ２を保護膜としたものと全く違いはみられない
。
実施例 ５
本実施例での製膜方法は、ターゲットに１００％ＺｒＯ
２を用い、１００％窒素雰囲気中でスパッタを行ないＺ
ｒ０Ｎを基板上にデポジットする方法であった。
２を用い、１００％窒素雰囲気中でスパッタを行ないＺ
ｒ０Ｎを基板上にデポジットする方法であった。
基板は実施例１と同様のポリカーボネート樹脂（ＰＣ）
を用いた。ディスクの構造は実施例１と同様であった。
を用いた。ディスクの構造は実施例１と同様であった。
試験の結果は剥離試験を表３に、反りを第１図に、透湿
に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２に、
それぞれ示す。なお、本実施例で得られた反りおよび透
湿に対する保護効果は実施例１と同じであったので、結
果は実施例１と同じ図に示す。
に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２に、
それぞれ示す。なお、本実施例で得られた反りおよび透
湿に対する保護効果は実施例１と同じであったので、結
果は実施例１と同じ図に示す。
実施例 ６
本実施例ではターゲットに１００％Ｔ ｉ Ｏ２を用い
実施例５と同様に処理を行なった。
実施例５と同様に処理を行なった。
実施例 ７
本実施例ではターゲットに１００％
Ｎｂ１２０ｓを用い実施例５と同様に処理を行なった。
実施例 ８
本実施例ではターゲットに１００％Ｈｆ Ｏ２を用い実
施例５と同様に処理を行なった。
施例５と同様に処理を行なった。
（以下、余白）
表 ３ 剥離試験の結果
＊−比較例
表 ４ ディスク特性
１００％Ｎ２雰囲気に代えてＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用い
ても同様の結果が得られた。
ても同様の結果が得られた。
（発明の効果）
以上説明したように窒素酸化物を上地／下地保護膜を設
けた本発明の光磁気ディスク媒体は耐透湿性にすぐれ、
反りが少ない、また、プラスチック基板使用にも係わら
ずガラス基板使用の光磁気ディスクと同等以上の性能を
もつので、基板のプラスチック化を確実に前進させるも
のである。
けた本発明の光磁気ディスク媒体は耐透湿性にすぐれ、
反りが少ない、また、プラスチック基板使用にも係わら
ずガラス基板使用の光磁気ディスクと同等以上の性能を
もつので、基板のプラスチック化を確実に前進させるも
のである。
第１図は光磁気ディスクの反り量の経時変化を示すグラ
フ、 第２図は剥離試験説明図、 第３図は基板の反り量測定図、 第４図はＣ／Ｎの経時変化を示すグラフである。
フ、 第２図は剥離試験説明図、 第３図は基板の反り量測定図、 第４図はＣ／Ｎの経時変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体
において、 Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少
なくとも１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁
気記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上
に設けたことを特徴とする光磁気ディスク媒体。 ２、光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体
の製造方法において、 Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少
なくとも１種の金属の窒素酸化物からなるターゲットを
用いて真空中でスパッタを行ない、前記少なくとも１種
の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前
記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に設けること
を特徴とする光磁気ディスク媒体の製造方法。 ３、光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体
の製造方法において、 Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、ＧｅおよびＶからなる群の少
なくとも１種の金属の窒化物または酸化物からなるター
ゲットを用いて酸素雰囲気中（窒化物ターゲットの場合
）または窒素雰囲気中（酸化物ターゲットの場合）でス
パッタして、前記少なくとも１種の金属の窒素酸化物か
らなる膜を前記光磁気記録層と前記基板の間ならびに前
記光磁気記録層の上に設けることを特徴とする光磁気デ
ィスク媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230702A JP2551118B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230702A JP2551118B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
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