JPH0280565A - マグネトロンスパッター用マグネット - Google Patents
マグネトロンスパッター用マグネットInfo
- Publication number
- JPH0280565A JPH0280565A JP23199488A JP23199488A JPH0280565A JP H0280565 A JPH0280565 A JP H0280565A JP 23199488 A JP23199488 A JP 23199488A JP 23199488 A JP23199488 A JP 23199488A JP H0280565 A JPH0280565 A JP H0280565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnet
- magnetron sputtering
- poles
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマグネトロンスパッター用マグネットの改良に
関するものである。
関するものである。
（従来の技術とその課題）
従来のマグネトロンスパッター用マグネットは、第７図
に示す如くＮ極すングｌとＳ極リング２とが１対設けら
れたものである為、スパッタリング時第８図に示す如く
磁界と電界が直交するエリアが一重で、プラズマ３がそ
こにしか発生しなかった。その為第９図に示す如くマグ
ネットＭに取付けたターゲット４のスパッタリングによ
る消耗にむらかあって、ターゲット４の使用効率が低く
、寿命が短いものであった。
に示す如くＮ極すングｌとＳ極リング２とが１対設けら
れたものである為、スパッタリング時第８図に示す如く
磁界と電界が直交するエリアが一重で、プラズマ３がそ
こにしか発生しなかった。その為第９図に示す如くマグ
ネットＭに取付けたターゲット４のスパッタリングによ
る消耗にむらかあって、ターゲット４の使用効率が低く
、寿命が短いものであった。
（発明の目的）
本発明は上記課題を解決すべくなされたもので、スパッ
タリングに寄与するプラズマリングの数と面積を増やし
て、ターゲットの消耗むらを減少し、ターゲットの使用
効率を向上することのできるマグネトロンスパッター用
マグネットを提供することを目的とするものである。
タリングに寄与するプラズマリングの数と面積を増やし
て、ターゲットの消耗むらを減少し、ターゲットの使用
効率を向上することのできるマグネトロンスパッター用
マグネットを提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明のマグネトロンスパッ
ター用マグネットは、Ｎ極、Ｓ極を２対以上同心多重に
備えたことを特徴とするものである。
ター用マグネットは、Ｎ極、Ｓ極を２対以上同心多重に
備えたことを特徴とするものである。
（作用）
上述の如く構成されたマグネトロンスパッター用マグネ
ットによれば、ターゲットの表面にプラズマの多重リン
グを発生させることができ、従ってターゲットのスパッ
タリングによる消耗のむらが少なくなる。
ットによれば、ターゲットの表面にプラズマの多重リン
グを発生させることができ、従ってターゲットのスパッ
タリングによる消耗のむらが少なくなる。
（実施例）
本発明のマグネトロンスパッター用マグネットの一実施
例を第１図ａ、ｂによって説明すると、厚さ５０順のマ
グネッ）Ｍに、内径４０ｍｍ、外径５０市のＮ極リング
１、内径７０ｍｍ、外径８０ｍｍのＳ極リング２、内径
１００ｍｍ、外径１１０ｍｍのＮ極リング１、内径１３
０ｍｍ、外径１４０ ｍｍのＳ極リング２を同心に配列
形成している。
例を第１図ａ、ｂによって説明すると、厚さ５０順のマ
グネッ）Ｍに、内径４０ｍｍ、外径５０市のＮ極リング
１、内径７０ｍｍ、外径８０ｍｍのＳ極リング２、内径
１００ｍｍ、外径１１０ｍｍのＮ極リング１、内径１３
０ｍｍ、外径１４０ ｍｍのＳ極リング２を同心に配列
形成している。
このマグネトロンスパッター用マグネットＭに、第２図
に示す如（直径６インチ、厚さ５ｍｍのＣｕより成るタ
ーゲット４を取付け、マグネトロンスパッタリングを行
った処、ターゲット４の表面にプラズマの二重リングが
発生し、ターゲット４の表面は第３図に示す如く消耗し
、消耗むらが減少した。
に示す如（直径６インチ、厚さ５ｍｍのＣｕより成るタ
ーゲット４を取付け、マグネトロンスパッタリングを行
った処、ターゲット４の表面にプラズマの二重リングが
発生し、ターゲット４の表面は第３図に示す如く消耗し
、消耗むらが減少した。
次に他の実施例を第４図ａ、ｂによって説明すると、厚
さ２０ｍｍのマグネットＭ′に、直径５ｍｍの円柱状の
Ｎ極１ ／、内径１５關、外径２０ｍｍのＳ極リング２
、内径２５ｆｆｌｌＢ、外径３０ｍｍのＮ極リング１、
内径３５ｍｍ、外径４０ｍｍのＳ極リング２を同心に配
列形成している。
さ２０ｍｍのマグネットＭ′に、直径５ｍｍの円柱状の
Ｎ極１ ／、内径１５關、外径２０ｍｍのＳ極リング２
、内径２５ｆｆｌｌＢ、外径３０ｍｍのＮ極リング１、
内径３５ｍｍ、外径４０ｍｍのＳ極リング２を同心に配
列形成している。
このマグネトロンスパック−用マグネットＭ′に、第５
図に示す如く直径２インチ、厚さ１ ｍｍのＡｕより成
るターゲット４を取付け、マグネトロンスパッタリング
を行った処、ターゲット４の表面にプラズマの二重リン
グが発生し、ターゲット４の表面は第６図に示す如く消
耗し、消耗むらが減少した。
図に示す如く直径２インチ、厚さ１ ｍｍのＡｕより成
るターゲット４を取付け、マグネトロンスパッタリング
を行った処、ターゲット４の表面にプラズマの二重リン
グが発生し、ターゲット４の表面は第６図に示す如く消
耗し、消耗むらが減少した。
尚、上記各実施例はＮ極、Ｓ極を２対設けたマグネッ）
Ｍの場合であるが、Ｎ極、Ｓ極を３対以上設けて、スパ
ッタリング時ターゲットの表面に三重以上のプラズマリ
ングを発生させるようにしても良い。このようにすると
、より一層ターゲットの表面の消耗むらが減少し、略均
等に消耗するようになる。
Ｍの場合であるが、Ｎ極、Ｓ極を３対以上設けて、スパ
ッタリング時ターゲットの表面に三重以上のプラズマリ
ングを発生させるようにしても良い。このようにすると
、より一層ターゲットの表面の消耗むらが減少し、略均
等に消耗するようになる。
また上記実施例ではＮ極とＳ極の間を空隙にした場合で
あるが、Ｎ極とＳ極の間に非磁性体を挟むようにしても
よいものである。
あるが、Ｎ極とＳ極の間に非磁性体を挟むようにしても
よいものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のマグネトロンスパッタ
ー用マグネットは、Ｎ極、Ｓ極を２対以上同心多重に備
えているので、スパッタリング時ターゲットの表面にプ
ラズマの多重リングを発生させることができ、従ってタ
ーゲットのスパッタリングによる消耗むらを減少し、タ
ーゲットの使用効率を向上させ、寿命を増長させること
ができるという効果がある。
ー用マグネットは、Ｎ極、Ｓ極を２対以上同心多重に備
えているので、スパッタリング時ターゲットの表面にプ
ラズマの多重リングを発生させることができ、従ってタ
ーゲットのスパッタリングによる消耗むらを減少し、タ
ーゲットの使用効率を向上させ、寿命を増長させること
ができるという効果がある。
第１図ａ、ｂは本発明のマグネトロンスパッター用マグ
ネットの一実施例の平面図及び縦断面図、第２図はその
マグネットにターゲットを取付けた状態を示す縦断面図
、第３図はスパッタリングによる第２図のターゲットの
消耗状態を示す縦断面図、第４図ａ、ｂは本発明のマグ
ネトロンスパッター用マグネットの他の実施例の平面図
及び縦断面図、第５図はそのマグネットにターゲットを
取付けた状態を示す縦断面図、第６図はスパッタリング
による第５図のターゲットの消耗状態を示す縦断面図、
第７図ａＳｂは従来のマグネトロンスパッター用マグネ
ットの平面図及び縦断面図、第８図はスパッタリング時
のプラズマの発生状況を示す図、第９図は第７図すのマ
グネットに取付けたターゲットのスパッタリングによる
消耗状態を示す縦断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第 図（ａ） 第 図（ａ） 第 図 第 ６図 県 図 第 図（（１） 第 図（ｂ）
ネットの一実施例の平面図及び縦断面図、第２図はその
マグネットにターゲットを取付けた状態を示す縦断面図
、第３図はスパッタリングによる第２図のターゲットの
消耗状態を示す縦断面図、第４図ａ、ｂは本発明のマグ
ネトロンスパッター用マグネットの他の実施例の平面図
及び縦断面図、第５図はそのマグネットにターゲットを
取付けた状態を示す縦断面図、第６図はスパッタリング
による第５図のターゲットの消耗状態を示す縦断面図、
第７図ａＳｂは従来のマグネトロンスパッター用マグネ
ットの平面図及び縦断面図、第８図はスパッタリング時
のプラズマの発生状況を示す図、第９図は第７図すのマ
グネットに取付けたターゲットのスパッタリングによる
消耗状態を示す縦断面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第 図（ａ） 第 図（ａ） 第 図 第 ６図 県 図 第 図（（１） 第 図（ｂ）
Claims (1)
- １、マグネトロンスパッター用マグネットに於いて、Ｎ
極、Ｓ極を２対以上同心多重に備えたことを特徴とする
マグネトロンスパッター用マグネット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23199488A JPH0280565A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マグネトロンスパッター用マグネット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23199488A JPH0280565A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マグネトロンスパッター用マグネット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280565A true JPH0280565A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16932279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23199488A Pending JPH0280565A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マグネトロンスパッター用マグネット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1211332A4 (en) * | 1999-07-02 | 2004-09-01 | Applied Materials Inc | MAGNETIC UNIT AND SPRAYER |
| JP2013543057A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-11-28 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 大きなターゲットによる高圧スパッタリングのためのスパッタ源およびスパッタリング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067668A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Fujitsu Ltd | スパッタリング装置 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23199488A patent/JPH0280565A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067668A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Fujitsu Ltd | スパッタリング装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1211332A4 (en) * | 1999-07-02 | 2004-09-01 | Applied Materials Inc | MAGNETIC UNIT AND SPRAYER |
| JP2013543057A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-11-28 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 大きなターゲットによる高圧スパッタリングのためのスパッタ源およびスパッタリング方法 |
| US9481928B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-11-01 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Sputtering sources for high-pressure sputtering with large targets and sputtering method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1369898B1 (en) | Magnetic field generator for magnetron plasma | |
| KR960023212A (ko) | 마그네트론 스퍼터링장치 | |
| ATE318017T1 (de) | Elektrische synchron-axialfeldmaschine | |
| ATE168467T1 (de) | Ionisationswandler mit sich gegenuberliegenden magneten | |
| JPH0280565A (ja) | マグネトロンスパッター用マグネット | |
| MY122975A (en) | Driving apparatus, light-amount regulating apparatus, and lens driving apparatus | |
| JPH0941135A (ja) | マグネトロンスパッタカソード | |
| JPS61211619A (ja) | 液体の改質装置 | |
| CN220254672U (zh) | 发声单元及可穿戴电子产品 | |
| AU7269500A (en) | Diaphragm transducer | |
| CN216487532U (zh) | 磁吸件以及磁环组件 | |
| JPS6142903Y2 (ja) | ||
| JPS5956580A (ja) | スパツタリング方法 | |
| JPS5562164A (en) | Sputtering unit | |
| JPH054143A (ja) | マグネツトチヤツク | |
| GB2241710A (en) | Magnetron sputtering of magnetic materials in which magnets are unbalanced | |
| JPH03183123A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS5779170A (en) | Target for magnetron sputtering | |
| JPH01264553A (ja) | 電動機 | |
| GB578075A (en) | Improvements in magnetic work holders | |
| GB778585A (en) | Improvements in or relating to magnet systems | |
| JPS6026094Y2 (ja) | プラズマ処理用放電電極装置 | |
| JPS56160743A (en) | Ion source | |
| JPS6026095Y2 (ja) | プラズマ放電電極の冷却装置 | |
| JPH027844A (ja) | 永久磁石付き回転子 |