JPH0282030U - - Google Patents
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- JPH0282030U JPH0282030U JP16280488U JP16280488U JPH0282030U JP H0282030 U JPH0282030 U JP H0282030U JP 16280488 U JP16280488 U JP 16280488U JP 16280488 U JP16280488 U JP 16280488U JP H0282030 U JPH0282030 U JP H0282030U
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- JP
- Japan
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- generation chamber
- plasma
- chamber
- excitation coil
- sample
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図はこの考案の実施例を示す断面図、第２
図は第１図の装置における磁束密度分布説明図、
第３図は従来の装置を示す断面図、第４図は従来
の装置の磁束密度分布説明図である。 １……プラズマ生成室、２……冷却パイプ、３
……石英ガラス板、４……マイクロ波導入口、５
……導波管、６……口径寸法変更手段、７……プ
ラズマ引出窓、８……磁界強度変化手段、９……
スライダ、１０……試料基板、１１……試料台、
１２……試料室、１３……励磁コイル、１４……
高透磁率材料。
図は第１図の装置における磁束密度分布説明図、
第３図は従来の装置を示す断面図、第４図は従来
の装置の磁束密度分布説明図である。 １……プラズマ生成室、２……冷却パイプ、３
……石英ガラス板、４……マイクロ波導入口、５
……導波管、６……口径寸法変更手段、７……プ
ラズマ引出窓、８……磁界強度変化手段、９……
スライダ、１０……試料基板、１１……試料台、
１２……試料室、１３……励磁コイル、１４……
高透磁率材料。
Claims (1)
- 周囲に励磁コイルが設置され、かつプラズマ引
出窓が形成されたプラズマ生成室と、このプラズ
マ生成室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段と、上記引出窓を介して上記生成室と連通す
る試料室と、上記生成室の試料室側前方に設けら
れた磁界強度変化手段と、上記励磁コイル周囲を
覆う高透磁率材料とからなることを特徴とするプ
ラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16280488U JPH0282030U (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16280488U JPH0282030U (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282030U true JPH0282030U (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=31446966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16280488U Pending JPH0282030U (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282030U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205020A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH04306598A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-10-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子サイクロトロン共鳴装置と基板へのイオンの流れを生成する方法 |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP16280488U patent/JPH0282030U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205020A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH04306598A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-10-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子サイクロトロン共鳴装置と基板へのイオンの流れを生成する方法 |