JPH0282262A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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- JPH0282262A JPH0282262A JP63235461A JP23546188A JPH0282262A JP H0282262 A JPH0282262 A JP H0282262A JP 63235461 A JP63235461 A JP 63235461A JP 23546188 A JP23546188 A JP 23546188A JP H0282262 A JPH0282262 A JP H0282262A
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- Japan
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- aqueous solution
- alloy
- photosensitive layer
- photoreceptor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ａ１を主成分とする基体上にＳｅ−Ａｓ系
合金からなる感光層を備えた電子写真用感光体の製造方
法に関し、詳しくは、八ｌを主成分とする基体表面の加
工に関する。
合金からなる感光層を備えた電子写真用感光体の製造方
法に関し、詳しくは、八ｌを主成分とする基体表面の加
工に関する。
Ｓｅ−Ａｓ系合金からなる感光層を備えた電子写真用感
光体（以下、単にＳｅ−Ａｓ系感光体とも称する）は八
ｌを主成分とする基体（以下、単にＡ１基体とも称する
）上にＳｅ−Ａｓ系合金を感光層として真空蒸着するこ
とにより製造される。このとき、傷やピンホールがなく
基体への密着性が良い良好な蒸着層を形成するためには
、Ａｌ基体表面は傷や異物の付着がなく平滑でしかも適
度の粗さであることが要求される。このため、従来１．
Ｖ基体表面は最終的に円筒型あるいは角型の砥石により
研削され、その後、有機溶剤などで洗浄されていた。
光体（以下、単にＳｅ−Ａｓ系感光体とも称する）は八
ｌを主成分とする基体（以下、単にＡ１基体とも称する
）上にＳｅ−Ａｓ系合金を感光層として真空蒸着するこ
とにより製造される。このとき、傷やピンホールがなく
基体への密着性が良い良好な蒸着層を形成するためには
、Ａｌ基体表面は傷や異物の付着がなく平滑でしかも適
度の粗さであることが要求される。このため、従来１．
Ｖ基体表面は最終的に円筒型あるいは角型の砥石により
研削され、その後、有機溶剤などで洗浄されていた。
ところが、このような従来の方法では、（ａ）へｌ基体
表面にΔｇのパリが発生する。
表面にΔｇのパリが発生する。
（５）砥石研削くずのＡ１基体への食い込み。
（Ｃ）砥石目詰りによりＡ１基体表面に傷が発生する。
などの問題があり、Ａ１のパリや砥石研削くずはその後
の洗浄でも完全に除去することはできず、また、ＪＶの
パリの部分、砥石研削くずの食い込んでいる部分、傷の
部分などは充分な洗浄ができず汚れが残存することがあ
る。このような表面欠陥のある／Ｖ基体にＳｅ−Ａｓ系
合金を真空蒸着すると、第４図に示すように蒸着膜すな
わち感光層にピンホールが発生する。第４図において、
■はへｌ基体。
の洗浄でも完全に除去することはできず、また、ＪＶの
パリの部分、砥石研削くずの食い込んでいる部分、傷の
部分などは充分な洗浄ができず汚れが残存することがあ
る。このような表面欠陥のある／Ｖ基体にＳｅ−Ａｓ系
合金を真空蒸着すると、第４図に示すように蒸着膜すな
わち感光層にピンホールが発生する。第４図において、
■はへｌ基体。
２は感光層、３はピンホールを示し、第４図（ａ）はへ
ｌバリ４によるピンホール３．第４図（ｂ）は砥石研削
くず５によるピンホール３．第４図（Ｃ）は砥石の目詰
りにより生じた傷６によるピンホール３を示す。このよ
うなピンホールのある感光層を有する感光体を使用する
と、得られる画像のピンホールに対応する部分に白抜は
欠陥が現れる。
ｌバリ４によるピンホール３．第４図（ｂ）は砥石研削
くず５によるピンホール３．第４図（Ｃ）は砥石の目詰
りにより生じた傷６によるピンホール３を示す。このよ
うなピンホールのある感光層を有する感光体を使用する
と、得られる画像のピンホールに対応する部分に白抜は
欠陥が現れる。
この発明は、上述の問題点を解消して、ＡＩ２基体上に
形成されるＳｅ−Ａｓ系合金蒸着膜のピンホールを大幅
に低減することができ、白抜は欠陥の少ない良好な画像
が得られる感光体の製造方法を提供することを目的とす
る。
形成されるＳｅ−Ａｓ系合金蒸着膜のピンホールを大幅
に低減することができ、白抜は欠陥の少ない良好な画像
が得られる感光体の製造方法を提供することを目的とす
る。
上記の目的は、この発明によれば、Ａｎを主成分とする
基体上にＳｅ−Ａｓ系合金からなる感光層を形成する電
子写真用感光体の製造方法において、前記Ａ１を主成分
とする基体表面をダイヤモンドバイトの切削加工により
最大高さＲｍａｘ が１．３μｍ以上１．８μｍ以下、
ろ波最大うねりＷ。、が０．５μｍ以下に加工した後、
さらにアルカリ水溶液でエツチングし、その基体表面に
Ｓｅ−Ａｓ系合金を真空蒸着して感光層を形成する電子
写真用感光体の製造方法により達成される。
基体上にＳｅ−Ａｓ系合金からなる感光層を形成する電
子写真用感光体の製造方法において、前記Ａ１を主成分
とする基体表面をダイヤモンドバイトの切削加工により
最大高さＲｍａｘ が１．３μｍ以上１．８μｍ以下、
ろ波最大うねりＷ。、が０．５μｍ以下に加工した後、
さらにアルカリ水溶液でエツチングし、その基体表面に
Ｓｅ−Ａｓ系合金を真空蒸着して感光層を形成する電子
写真用感光体の製造方法により達成される。
また、基体表面をアルカリ水溶液でエツチングした後、
さらに硝酸水溶液でエツチングした後、その基体表面に
Ｓｅ−Ａｓ系合金を真空蒸着すると、さらに均一で平滑
な密着性の良い感光層を有する感光体が得られる。
さらに硝酸水溶液でエツチングした後、その基体表面に
Ｓｅ−Ａｓ系合金を真空蒸着すると、さらに均一で平滑
な密着性の良い感光層を有する感光体が得られる。
ダイヤモンドバイトによる切削加工でへ１基体表面をＲ
ｍａｘｌ、 ３１１ｍ以上１．８ μｍ以下、 Ｗｅ
ｌｌ０．５．１４ｍ以下に均一に加工した後アルカリ水
溶液でエツチングすることにより、Ｍ基体表面はＳｅ−
Ａｓ系合金の平滑で密着性の良い蒸着膜を形成するに適
した表面状態となる。また、従来の砥石による研削は行
わないので、Ａ１のパリ、砥石研削くずのＡ１基体表面
への食い込み、砥石目詰りによるＡｌ基体表面の傷など
は生じなくなるのでピンホールは大幅に減少する。さら
に硝酸水溶液によるエツチングを行うことにより、Ａｌ
基体表面が僅かにエツチングされると同時に表面に酸化
膜薄膜が形成され、より平滑で密着性の良いＳｅ−Ａｓ
系合金の蒸着膜が形成できることになる。
ｍａｘｌ、 ３１１ｍ以上１．８ μｍ以下、 Ｗｅ
ｌｌ０．５．１４ｍ以下に均一に加工した後アルカリ水
溶液でエツチングすることにより、Ｍ基体表面はＳｅ−
Ａｓ系合金の平滑で密着性の良い蒸着膜を形成するに適
した表面状態となる。また、従来の砥石による研削は行
わないので、Ａ１のパリ、砥石研削くずのＡ１基体表面
への食い込み、砥石目詰りによるＡｌ基体表面の傷など
は生じなくなるのでピンホールは大幅に減少する。さら
に硝酸水溶液によるエツチングを行うことにより、Ａｌ
基体表面が僅かにエツチングされると同時に表面に酸化
膜薄膜が形成され、より平滑で密着性の良いＳｅ−Ａｓ
系合金の蒸着膜が形成できることになる。
ドラム状のＡ１基体の表面をダンヤモンドコンバックス
バイト （商品名：大阪ダイヤモンド工業■製）でＲｍ
ａｘｌ、 ３１１ｍ以上１．８μｍ以下、 Ｗｃ、Ｑ
、５μｍ以下に切削加工した。このへｌ基体を有機溶剤
で洗浄後、液温４０℃の３重量％ＫＯＨ水溶液中に３分
間浸漬してエツチングを行った。続いて、液温４０℃の
３０重量％１１ Ｎ Ｏ３水溶液で２０分間エツチング
を行った。
バイト （商品名：大阪ダイヤモンド工業■製）でＲｍ
ａｘｌ、 ３１１ｍ以上１．８μｍ以下、 Ｗｃ、Ｑ
、５μｍ以下に切削加工した。このへｌ基体を有機溶剤
で洗浄後、液温４０℃の３重量％ＫＯＨ水溶液中に３分
間浸漬してエツチングを行った。続いて、液温４０℃の
３０重量％１１ Ｎ Ｏ３水溶液で２０分間エツチング
を行った。
このように表面処理を施したＡ１基体３４本についてＲ
ｍａｘおよびＷｅｌｌを測定した。測定した結果のＲｍ
ａｘの分布を第１図に、ＷＣＩＩ＋の分布を第２図に示
す。ＲＩＴｌａ×は平均で１．２５ ＪＡＭ 、 Ｗｅ
ｌｌは平均で０．４２μｍであった。また、このＡｌ基
体表面の酸化度（へＪｏｘｉｄ／へ５ｍｅｔａｌ）を調
べたところ、切削加工後の表面では１．５であるのに対
して、１１ Ｎ Ｏ３水溶液エツチング処理後の表面で
は５と大きくなっている。さらに、この基体表面の酸化
状態をＥＳＣΔで調べた結果を第３図に示す。第３図か
らＡｌ基体表面に酸化膜が形成されていることが判る。
ｍａｘおよびＷｅｌｌを測定した。測定した結果のＲｍ
ａｘの分布を第１図に、ＷＣＩＩ＋の分布を第２図に示
す。ＲＩＴｌａ×は平均で１．２５ ＪＡＭ 、 Ｗｅ
ｌｌは平均で０．４２μｍであった。また、このＡｌ基
体表面の酸化度（へＪｏｘｉｄ／へ５ｍｅｔａｌ）を調
べたところ、切削加工後の表面では１．５であるのに対
して、１１ Ｎ Ｏ３水溶液エツチング処理後の表面で
は５と大きくなっている。さらに、この基体表面の酸化
状態をＥＳＣΔで調べた結果を第３図に示す。第３図か
らＡｌ基体表面に酸化膜が形成されていることが判る。
このように機械加工とエツチング処理を施されたＡ１基
体表面に＾ｓ、Ｓｅ、を真空蒸着することによりピンホ
ールなどの欠陥の少ない平滑で密着性の良い感光層を有
する良好な感光体が得られた。この実施例の感光体およ
び従来例の感光体について、感光体表面の外観欠陥と得
られる画像欠陥との不良率を調べた結果を第１表に示す
。
体表面に＾ｓ、Ｓｅ、を真空蒸着することによりピンホ
ールなどの欠陥の少ない平滑で密着性の良い感光層を有
する良好な感光体が得られた。この実施例の感光体およ
び従来例の感光体について、感光体表面の外観欠陥と得
られる画像欠陥との不良率を調べた結果を第１表に示す
。
第 １
表
実施例の感光体は不良率が大幅に減少しており、実施例
の方法は優れた製造方法であることは明らかである。
の方法は優れた製造方法であることは明らかである。
上述のように、所要の表面形状に切削加工されたへｐ基
体表面をアルカリ水溶液でエツチングすると、△ｌ基体
表面はＳｅ−Ａｓ系合金の蒸着膜との濡れ性が良く、か
つ、適度にあれだ状態となる。従って、引き続いてＨＮ
Ｏ３水溶液によるエツチングを行わなくても、Ｓｅ−Ａ
ｓ系合金を真空蒸着して平滑で密着性の良い良好な感光
層を形成することができる。アルカリ水溶液によるエツ
チングの施されたへｌ基体表面にｌｌＮ０．水溶液によ
るエツチングを行うとへｐ基体表面は僅かにエツチング
されると同時に表面に酸化膜薄膜が形成され、Ｓｅ−Ａ
ｓ系合金の蒸着膜との適合性、密着性が向上してより好
適となる。
体表面をアルカリ水溶液でエツチングすると、△ｌ基体
表面はＳｅ−Ａｓ系合金の蒸着膜との濡れ性が良く、か
つ、適度にあれだ状態となる。従って、引き続いてＨＮ
Ｏ３水溶液によるエツチングを行わなくても、Ｓｅ−Ａ
ｓ系合金を真空蒸着して平滑で密着性の良い良好な感光
層を形成することができる。アルカリ水溶液によるエツ
チングの施されたへｌ基体表面にｌｌＮ０．水溶液によ
るエツチングを行うとへｐ基体表面は僅かにエツチング
されると同時に表面に酸化膜薄膜が形成され、Ｓｅ−Ａ
ｓ系合金の蒸着膜との適合性、密着性が向上してより好
適となる。
この発明によれば、へｒ基体表面をダイヤモンドバイト
の切削加工によりＲｍａｘｌ、３μｍ以上１．８μｍ以
下、Ｗｏ５０．５μｍ以下に加工し、アルカリ水溶液で
エツチングした後、その面上にＳｅ−Ａｓ系合金を真空
蒸着して感光層を形成して感光体とする。このような処
理を施されたＡｌ基体表面はＳｅ−Ａｓ系合金の蒸着膜
の形成に適合した状態となり、しかも従来の砥石で研削
加工されたときのような八２のパリ、砥石研削くずの食
い込みなどはないので、このようなＡ１基体表面にＳｅ
−Ａｓ系合金を真空蒸着して、ピンホールなどの少ない
平滑で密着性の良い感光層を形成することができ、外観
良好で白抜けなどの画像欠陥の少ない良好な画像の得ら
れるＳｅ−Ａｓ系感光体を製造することが可能となる。
の切削加工によりＲｍａｘｌ、３μｍ以上１．８μｍ以
下、Ｗｏ５０．５μｍ以下に加工し、アルカリ水溶液で
エツチングした後、その面上にＳｅ−Ａｓ系合金を真空
蒸着して感光層を形成して感光体とする。このような処
理を施されたＡｌ基体表面はＳｅ−Ａｓ系合金の蒸着膜
の形成に適合した状態となり、しかも従来の砥石で研削
加工されたときのような八２のパリ、砥石研削くずの食
い込みなどはないので、このようなＡ１基体表面にＳｅ
−Ａｓ系合金を真空蒸着して、ピンホールなどの少ない
平滑で密着性の良い感光層を形成することができ、外観
良好で白抜けなどの画像欠陥の少ない良好な画像の得ら
れるＳｅ−Ａｓ系感光体を製造することが可能となる。
また、アルカリ水溶液によるエンチング後、さらに硝酸
水溶液′によるエツチングを施したＡｌ基体を用いると
、さらに平滑で密着性の良好な優れたＳｅ−Ａｓ系感光
体を製造することができる。
水溶液′によるエツチングを施したＡｌ基体を用いると
、さらに平滑で密着性の良好な優れたＳｅ−Ａｓ系感光
体を製造することができる。
第１図、第２図、第３図はそれぞれこの発明の実施例の
Ａ１基体に関するもので、第１図は表面のＲｍａｘの分
布を示す図、第２図は同じく表面のＷｏ、の分布を示す
図、第３図は表面の酸化膜をＥＳＣＡで調べた酸化状態
を示す図である。第４図は従来の砥石研削で加工したへ
１基体を用いて製造したＳｅ−Ａｓ系感光体のピンホー
ルを原因別に示す模式的断面図で、第４図（ａ）はＭの
パリによるピンホール、第４図（ｂ）は砥石研削くずに
よるピンホール、第４図（Ｃ）は砥石の目詰りにより発
生した傷によるピンホールをそれぞれ示す図である。 ＲＩＴＩＯＸ （Ｈｍ） 第 １ 区 第２区
Ａ１基体に関するもので、第１図は表面のＲｍａｘの分
布を示す図、第２図は同じく表面のＷｏ、の分布を示す
図、第３図は表面の酸化膜をＥＳＣＡで調べた酸化状態
を示す図である。第４図は従来の砥石研削で加工したへ
１基体を用いて製造したＳｅ−Ａｓ系感光体のピンホー
ルを原因別に示す模式的断面図で、第４図（ａ）はＭの
パリによるピンホール、第４図（ｂ）は砥石研削くずに
よるピンホール、第４図（Ｃ）は砥石の目詰りにより発
生した傷によるピンホールをそれぞれ示す図である。 ＲＩＴＩＯＸ （Ｈｍ） 第 １ 区 第２区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ａｌを主成分とする基体上にＳｅ−Ａｓ系合金から
なる感光層を形成する電子写真用感光体の製造方法にお
いて、前記Ａｌを主成分とする基体表面をダイヤモンド
バイトの切削加工により最大高さＲｍａｘが１．３μｍ
以上１．８μｍ以下、ろ波最大うねりＷ＿Ｃ＿Ｍが０．
５μｍ以下に加工した後、さらにアルカリ水溶液でエッ
チングし、その基体表面にＳｅ−Ａｓ系合金を真空蒸着
して感光層を形成することを特徴とする電子写真用感光
体の製造方法。 ２）特許請求範囲第１項記載の感光体の製造方法におい
て、Ａｌを主成分とする基体表面をアルカリ水溶液でエ
ッチングした後さらに硝酸水溶液でエッチングした後に
、その基体表面にＳｅ−Ａｓ系合金を真空蒸着して感光
層を形成することを特徴とする電子写真用感光体の製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235461A JPH0282262A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 電子写真用感光体の製造方法 |
| DE3930045A DE3930045A1 (de) | 1988-09-20 | 1989-09-08 | Verfahren zur herstellung eines elektrofotografischen aufzeichnungsmaterials |
| US07/409,122 US5080993A (en) | 1988-09-20 | 1989-09-19 | Method to produce a photoreceptor for electrophotography using diamond bit followed by etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235461A JPH0282262A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282262A true JPH0282262A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16986439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63235461A Pending JPH0282262A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5080993A (ja) |
| JP (1) | JPH0282262A (ja) |
| DE (1) | DE3930045A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207756A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| US5250319A (en) * | 1990-01-24 | 1993-10-05 | Fujitsu Limited | Process for preparation of electroconductive polymeric material provided within grooves |
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| US5834148A (en) * | 1996-04-09 | 1998-11-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrically-conductive substrate for electrophotographic photoreceptor, electrophotographic photoreceptor comprising same and process for the preparation thereof |
| US5691004A (en) * | 1996-07-11 | 1997-11-25 | Ford Global Technologies, Inc. | Method of treating light metal cylinder bore walls to receive thermal sprayed metal coatings |
| JP3365213B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2003-01-08 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
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| US5955231A (en) * | 1997-12-15 | 1999-09-21 | Konica Corporation | Electrophotographic apparatus and electrophotographic photoreceptor employed by the same |
| JP2000122310A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Nisshin Unyu Kogyo Kk | 複写機等感光ドラム用鏡面管の製造方法 |
| US6432603B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing electrophotographic photosensitive member |
| US7799140B1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-09-21 | Xerox Corporation | Process for the removal of photoreceptor coatings using a stripping solution |
| CN106929851B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-11-22 | 比亚迪股份有限公司 | 一种铝合金壳体及其制备方法 |
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Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS58172652A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Ricoh Co Ltd | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
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| US4735883A (en) * | 1985-04-06 | 1988-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface treated metal member, preparation method thereof and photoconductive member by use thereof |
| JPH01207756A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63235461A patent/JPH0282262A/ja active Pending
-
1989
- 1989-09-08 DE DE3930045A patent/DE3930045A1/de active Granted
- 1989-09-19 US US07/409,122 patent/US5080993A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63157166A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5080993A (en) | 1992-01-14 |
| DE3930045A1 (de) | 1990-03-22 |
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