JPH0285260A - イミダゾール誘導体の製造法 - Google Patents

イミダゾール誘導体の製造法

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JPH0285260A
JPH0285260A JP1114018A JP11401889A JPH0285260A JP H0285260 A JPH0285260 A JP H0285260A JP 1114018 A JP1114018 A JP 1114018A JP 11401889 A JP11401889 A JP 11401889A JP H0285260 A JPH0285260 A JP H0285260A
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Tsutomu Terachi
寺地 務
Yoshiharu Nakai
中井 芳治
John Durant Graham
グラハム・ジョン・デュラント
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SmithKline Beecham Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は一般式 (式中、R1およびR4は低級アルキルMl”およびR
3は低級アルキレン基をそれぞれ色味ずろ)で示される
イミダゾール誘導体またはその塩の新規な製造法に関す
るものであり、これを式で示すと次の通りである。
[式中、R1、n*、R3およびR4は前と同じ意味で
あり、xlはハロゲン、メルカプト基、窒素含有5員芳
呑複累環−N−イル基または式5−(0)n−Z(ここ
でZはヒドロキン基またはアルキル基、nは1または2
をそれぞれ意味する) で示される基をそれぞれ意味する] この発明の方法は化合物(II)に化合物(1)を作用
させることにより行なわれる。
原料化合物(11)において、R’で表わされる低級ア
ルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、第3級ブチル、ペンチル
、ヘキシル等の直鎖状らしくは分枝鎖状のアルキル基が
挙げられ、またR’およびR3で表わされる低級アルキ
レン基としてはメチレン、エチレン、トリメチレン、テ
トラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、2−
メチルトリメチレン、2.2−ジメチルトリメチレン等
の直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキレン基が挙げられ、
R1およびR3の低級アルキレン基は同一であっても異
なっていてもよい。
もう一方の原料化合物(1)においてR4で表わされる
低級アルキル基としては、前記のR1の低級アルキル基
と同様な基が例示される。またxiで表わされるハロゲ
ンとしてはクロル、ブロム、ヨード等が、窒素含n5員
芳香複累環−N〜イル基としては1−ピラゾリル、!−
イミダゾリル、1−ピロリル、1,2.3−トリアゾー
ル−1−イル、3.5−ツメチル−1−ピラゾリル、1
.2゜4−トリアゾール−4−イル等が、式−5(0)
nZで表わされる基としてはスルフィノ基、スルホ基、
メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルス
ルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフ
ィニル、イソブチルスルフィニル、第3級ブチルスルフ
ィニル、ペンチルスルフィニル、ヘキシルスルフィニル
等のアルキルスルフィニル基およびメチルスルホニル、
エチルスルホニル、プロピルスルボニル、イソプロピル
スルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル
、第3級ブチルスルホニル、ペンデルスルホニル、ヘキ
シルスルホニル等のアルキルスルホニル基が例示される
、この反応は通常溶媒中で行なわれ、溶媒としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、イソ
プロピルアルコール等のアルコール、アセトニトリル、
塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キザイド、ノオキザン、テトラヒドロフラン等が例示さ
れる。反応温度は通常冷却下ないし室温で行なわれろ。
なお、前記の一般式(In)においてxlがハロゲン、
スルフィノ基またはスルホ基である化合物を原料物質と
して使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン、
N−メチルアニリン、1.5−ジアザビシクロ[5,4
,0]−5−ウンデセン等の塩基の存在下に反応を行な
うのが好ましく、また、前記の一般式(III)におい
てxlがメルカプト基であ・る化合物を原料物質として
使用する場合には、水銀、銀、鉛等の重金属化合物の存
在下に反応を行なうのが好ましい。また、原料化合物(
III)のうち、Xlがスルフィノ基またはスルホ基で
ある化合物は塩の形で使用することもでき、そのような
塩としてはナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、
1.5−ジアザビシクロ[5,4,0L−5ウンデセン
塩等がその代表例として挙げられる。
この発明の方法により生成するイミダゾール誘導体(1
)は常法により反応混合物から単離し、精製することが
でき、また遊離の化合物(1)は常法により塩酸塩の如
き所望の塩に導いてもよい。
なお、この発明の方法で使用される原料化合物はいずれ
も実施例に記載の方法またはそれらと同様の方法により
製造することができろ。
次に、この発明の方法を実施例により説明する。
実施例1 (1)  シアナミド(18,59)およびN−シアノ
S−メチル−N’−[2−(5−メチルイミダゾールー
4−イルメチルチオ)エヂル]イソチオ尿素(lO,7
6g)を金属ナトリウム(1,019)のエタノール溶
液(+2010に加え、得られる混合物を15時間加熱
還流する。反応液を減圧下に濃縮し、残渣を冷水(50
WC)に加え、10%塩酸でpl−145に調整したの
ち、水浴中で1時間冷却する。析出物を濾取し、水洗、
乾燥すると、粗生成物(7439)を得る。本品をエタ
ノールと水の混液(ll)から再結晶すると、mp18
3−186°CのNN−ツノアノ−N”−[2−(5−
メチルイミダゾール−4−イルメチルチオ)エチル]グ
アニノン(5,179)を得る。収率49.2%。
元素分析 C,、I−1,3N7S 計算値: C45,61,1−14,98,N37.2
4.S12.18実験値 C45,59,H4,99N
36.51 S12.17[1え(ヌノヨール) νmax: 3330.3110.2660,2170
.1575,1518.14351378134813
101230867ca ’NMR(DMSOda+D
to) δ:2.32(3H,s)、2.4−2.7(211,
m)。
3.26 (2H,L、 J = 71(z)3.83
(21(、s)、8.77(IH,5)(2)上記で得
たN、N’−ジンアノ−N”−[2(5−メチルイミダ
ゾール−4−イルメチルチオ)エチル]グアニノン(5
27ff9)をメチルアミンのエタノール溶液(40%
、3.1g)に加え、室温で47時間撹拌する。反応液
を減圧下に濃縮し、残置をアセトニトリルで粉末化する
。不溶の原料物質を濾去し、濾液を減圧下に濃縮する。
残渣を7リカゲル・クロマトグラフィに付し、アセトニ
トリルとメタノールの混液(ll+)で溶出する。溶出
液を減圧下に濃縮し、濃縮液をシリカゲル薄層クロマト
グラフィ[展開溶媒、酢酸エチルとメタノールと28%
アンモニア水の混液(10・I:1)]に付し、さらに
アセトニトリルから再結晶すると、mp135−137
°CのN”−ノアノーN−メチルN’−[2−(5−メ
チルイミダゾール−4−イルメチルチオ)エチル]グア
ニノン(1,0x9)を得ろ。
実施例2 (1)  2−(5−メチルイミダゾール−・1−イル
メチルチオ)エチルイソチオノアネート・(その塩酸塩
から製造)(4、17y)のクロロ中ルム溶液(20m
Q)を、ノアナミド(1,05y)および1.5−ノア
ザヒンクロ[5,4,03−5−ウンデセン(3809
)のクロロ71;ルム溶液(50ffC)に加え、−夜
撹拌する。反応液を濃縮後、残渣を水(30ffQ)に
溶解し、エーテルで洗浄し、活性炭で処理したのら、水
冷下に10%塩酸でpI−15に調整4″る。析出物を
濾取し、水洗、乾燥すると、mp158〜161℃のN
−シアノ−N”[2−(5〜メチルイミダゾール−4−
イルメチルチオ)エチルコチオ尿素の1水和物(3,5
711)を得ろ。
元素分析 Ce H13N 5S 2・I−1、0計算
値: C39,54,115,53,N25.62.S
23.46実験値 C39,71,I! 5.44. 
N 2569. S 22.73In(ヌノヨール) vmax: 3400327031302760265
0.2190.165215401470.14301
381.1362,1278.12371217120
511Q31088967831cm ’NMR(DM
SO−d、+−D、O) 62.32(311,s)、2.4−2.8(21−1
m)3.0−3.67(2+−(1m)、3.87(2
H,s)8.9.’3(IH,5) (2) 上記で得たN−シアノ−N’−[2−(5メヂ
ルイミダゾール−4−イルメチルチオ)エチ小素チオ尿
木の1水和物(765ffg)の塩化メチレン溶液(7
i12)に乾燥塩化水素ガスを水冷下に数分間導入した
のち、5塩化燐(1,259)を加え、室温で3時間撹
拌する。N”−ノアノーN−[1−(5メチルイミダゾ
ール−4−イルメチルチオ)エチル]クロロポルムアミ
ノンを含むこの反応混合物を濃縮し、濃縮液を塩化メチ
レン(5肩Q)で希釈したのち、−5℃に冷却する。こ
れにメチルアミンのエタノール溶液(40%、15II
C)を30℃以下で加え、室温で20時間ri、拌する
。この反応混合物を濾過し、濾液を濃縮ずろ。濃縮液を
アセトニトリルで希釈し、再び濾過する。dと液を濃縮
乾固し、残渣をカラムクロマトグラフィ[シリカゲル・
アセトニトリル−メタノール(4:1)]に付し、さら
に薄層クロマトグラフィ[シリカゲル・展開溶媒:酢酸
エチル−メタノール−28%アンモニア水(10:l:
l)]に付して精製したのち、アセトニトリルから再結
晶すると、mp136.5〜138℃のN”−シアノ−
N−メチル−N’ −[2−(5メチルイミダゾール−
4−イルメチルチオ)エヂル]グアニジン(10,4m
l?)を得る。収率1.5%。
特許出願人 スミスクライン・コーポレイション手続ネ
市正書 (方式) 1、事件の表示 平成 1年  特許願  第114018号2、発明9
名称 イミダゾール誘導体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 スミスクライン・コーポレイション4、代理人

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1は低級アルキル基、R^2およびR^3
    は低級アルキレン基、X^1はハロゲン、メルカプト基
    、シアナミド基、窒素含有5員芳香複素環−N−イル基
    または式−S(O)_n−Z(ここでZはヒドロキシ基
    またはアルキル基、nは1または2をそれぞれ意味する
    )で示される基をそれぞれ意味する] で示される化合物に一般式 R^4−NH_2 (式中、R^4は低級アルキル基を意味する)で示され
    る化合物を作用させて一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3およびR^4は前と同
    じ意味) で示されるイミダゾール誘導体を得ることを特徴とする
    イミダゾール誘導体の製造法。
JP1114018A 1989-05-01 1989-05-01 イミダゾール誘導体の製造法 Granted JPH0285260A (ja)

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