JPH0288499A - 化学蒸着法によるダイヤモンド製造用の抵抗加熱ヒータ - Google Patents
化学蒸着法によるダイヤモンド製造用の抵抗加熱ヒータInfo
- Publication number
- JPH0288499A JPH0288499A JP1213134A JP21313489A JPH0288499A JP H0288499 A JPH0288499 A JP H0288499A JP 1213134 A JP1213134 A JP 1213134A JP 21313489 A JP21313489 A JP 21313489A JP H0288499 A JPH0288499 A JP H0288499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- panels
- reaction chamber
- metal wire
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/271—Diamond only using hot filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明はダイヤモンド結晶の核生成および成長を行わせ
るための改良された化学蒸着装置に関するものであって
、更に詳しく言えば、互いに平行に離隔した状態にある
１対の直立した基体表面およびそれらの間に配置された
直流抵抗加熱ヒータ素子を含むような化学蒸着装置に関
する。
るための改良された化学蒸着装置に関するものであって
、更に詳しく言えば、互いに平行に離隔した状態にある
１対の直立した基体表面およびそれらの間に配置された
直流抵抗加熱ヒータ素子を含むような化学蒸着装置に関
する。
先行技術の説明
１９８６年１２月２２日に提出された米国特許出願第９
４４７２９号明細書中には、白熱温度下にあるタングス
テン線の抵抗加熱ヒータに接触させるのと同時にマイク
ロ波エネルギーに暴露することによって水素−炭化水素
混合ガスを活性化するような装置および方法が開示され
ている。このようにして活性化された混合ガスを好適な
材料から成る基体に接触させれば、基体上にダイヤモン
ド結晶の核生成および成長が起こるのである。また、上
記の特許出願明細書中にはカモ（Ｉｌａｍｏ）の米国特
許第４４３４１８８号が引用されているが、その明細書
中にはマイクロ波および熱エネルギーを個別に適用して
水素−炭化水素混合ガスを活性化する方法が開示されて
いる。かかる混合ガスを加熱された基体に接触させれば
、やはり基体上にはダイヤモンド結晶の核生成および成
長が起こる。
４４７２９号明細書中には、白熱温度下にあるタングス
テン線の抵抗加熱ヒータに接触させるのと同時にマイク
ロ波エネルギーに暴露することによって水素−炭化水素
混合ガスを活性化するような装置および方法が開示され
ている。このようにして活性化された混合ガスを好適な
材料から成る基体に接触させれば、基体上にダイヤモン
ド結晶の核生成および成長が起こるのである。また、上
記の特許出願明細書中にはカモ（Ｉｌａｍｏ）の米国特
許第４４３４１８８号が引用されているが、その明細書
中にはマイクロ波および熱エネルギーを個別に適用して
水素−炭化水素混合ガスを活性化する方法が開示されて
いる。かかる混合ガスを加熱された基体に接触させれば
、やはり基体上にはダイヤモンド結晶の核生成および成
長が起こる。
上記のごとき方法は化学蒸着法（ｃＶＤ法）と呼ばれる
。ダイヤモンド結晶を製造するためのＣＶＤ法に付随す
る問題点は、各々の作業サイクルから得られるダイヤモ
ンド結晶の収量が比較的少ないことである。
。ダイヤモンド結晶を製造するためのＣＶＤ法に付随す
る問題点は、各々の作業サイクルから得られるダイヤモ
ンド結晶の収量が比較的少ないことである。
発明の目的
本発明の目的の１つは、ダイヤモンド結晶製造のための
化学蒸着法を実施するために役立つ改良された装置を提
供することにある。
化学蒸着法を実施するために役立つ改良された装置を提
供することにある。
ま・た、化学蒸着サイクルから得られるダイヤモンド結
晶の収量の増加をもたらす改良されたダイヤモンド製造
用化学蒸着装置を提供することも本発明の目的の１つで
ある。
晶の収量の増加をもたらす改良されたダイヤモンド製造
用化学蒸着装置を提供することも本発明の目的の１つで
ある。
更にまた、基体表面上におけるダイヤモンド結晶の核生
成および成長を増加させるために役立つ基体表面積の顕
著な増大を示す改良されたダイヤモンド製造用化学蒸着
装置を提供することも本発明の目的の１つである。
成および成長を増加させるために役立つ基体表面積の顕
著な増大を示す改良されたダイヤモンド製造用化学蒸着
装置を提供することも本発明の目的の１つである。
本発明の上記およびその他の目的や利点は、添付の図面
を参照しながら以下の詳細な説明を考察することによっ
て一層容易に理解されよう。
を参照しながら以下の詳細な説明を考察することによっ
て一層容易に理解されよう。
発明の要約
本発明の化学蒸着装置には、ダイヤモンド結晶の核生成
および成長のために役立つ表面積の増大を示す基体が含
まれている。かかる基体は、互いに平行に離隔しながら
向かい合った１対の直立した平面状パネルから成ってい
る。これらのパネルの間には、直線状の直流抵抗加熱ヒ
ータが該パネルと平行に配置されている。
および成長のために役立つ表面積の増大を示す基体が含
まれている。かかる基体は、互いに平行に離隔しながら
向かい合った１対の直立した平面状パネルから成ってい
る。これらのパネルの間には、直線状の直流抵抗加熱ヒ
ータが該パネルと平行に配置されている。
好適な実施の態様の説明
本発明を迅速に実施するために役立つ装置が第１図に示
されている。第１図について説明すれば、装置１０は耐
熱材料（たとえば石英）から成りかつ両側に閉鎖端１２
および１３を有する中空円筒状の反応室１１を含んでい
る０反応室１１内には、１対の平坦な長方形基体パネル
１４および１５が互いに平行に離隔した状態で同心的に
配置されている。パネル１４および１５は所定の間隔を
保ちながら互いに平行な状態で懸垂されている結果、閉
鎖端１２に設けられたガス流入口１６を通して反応室１
１内に流入したガスはパネル１４および１５の間を流れ
、そして閉鎖端１３に設けられたガス流出口１７を通し
て反応室１１から流出することになる。パネル１４およ
び１５の間には、小径の直線状タングステン線フィラメ
ント１８から成る抵抗加熱ヒータが両パネルから等しい
距離を保ちながらそれらと平行に配置されている。フィ
ラメント１８は電気リード線１９および２０によって直
流電源２１に接続されている。フィラメント１８は、パ
ネル１４および１５の全長にわたり、パネル１４および
１５から所定の距離だけ離隔した状態に保持されている
。パネル１４および１５が図示のごとく一定の間隔をも
って平行に配置された状態に保持されるようにするため
、それらは反応室１１内においてサブアセンブリを成し
ている。かかるサブアセンブリは、第２図中にサブアセ
ンブリ２２として一層明確に図示されている。
されている。第１図について説明すれば、装置１０は耐
熱材料（たとえば石英）から成りかつ両側に閉鎖端１２
および１３を有する中空円筒状の反応室１１を含んでい
る０反応室１１内には、１対の平坦な長方形基体パネル
１４および１５が互いに平行に離隔した状態で同心的に
配置されている。パネル１４および１５は所定の間隔を
保ちながら互いに平行な状態で懸垂されている結果、閉
鎖端１２に設けられたガス流入口１６を通して反応室１
１内に流入したガスはパネル１４および１５の間を流れ
、そして閉鎖端１３に設けられたガス流出口１７を通し
て反応室１１から流出することになる。パネル１４およ
び１５の間には、小径の直線状タングステン線フィラメ
ント１８から成る抵抗加熱ヒータが両パネルから等しい
距離を保ちながらそれらと平行に配置されている。フィ
ラメント１８は電気リード線１９および２０によって直
流電源２１に接続されている。フィラメント１８は、パ
ネル１４および１５の全長にわたり、パネル１４および
１５から所定の距離だけ離隔した状態に保持されている
。パネル１４および１５が図示のごとく一定の間隔をも
って平行に配置された状態に保持されるようにするため
、それらは反応室１１内においてサブアセンブリを成し
ている。かかるサブアセンブリは、第２図中にサブアセ
ンブリ２２として一層明確に図示されている。
第２図について説明すれば、サブアセンブリ２２は互い
に並置された１対の長方形パネル１４および１５と小径
の短い石英管部材２３とから成っている０石英管部材２
３は一方のパネル（たとえばパネル１４）の各々のかど
部から垂直に伸びて他方のパネル１５の対応するかど部
に結合されていて、それによりパネル１４および１５は
互いに平行に離隔した状態に保持されている０両パネル
の各々のかど部には石英管部材２３の内腔と整列するよ
うに小さい開口が設けられている。一方のパネルの開口
から小径の短い金属線（たとえばタングステン線）２４
が挿入され、そして石英管部材２３を貫通して他方のパ
ネルの開口から引出される。かかる金属線２４の両端を
折曲げることにより、金属線２４が石英管部材２３内に
保持されると共に、パネル１４および１５と石英管部材
２３とが合体させられる。かかるサブアセンブリ２２に
おけるパネル１４および１５の離隔距離は、石英管部材
２３の長さによって決定される。１対のパネル１４およ
び１５を含むサブアセンブリ２２は、第１図に示される
ごとく、小形のＪ形フック支持体２５によって吊下げる
のが簡便である。
に並置された１対の長方形パネル１４および１５と小径
の短い石英管部材２３とから成っている０石英管部材２
３は一方のパネル（たとえばパネル１４）の各々のかど
部から垂直に伸びて他方のパネル１５の対応するかど部
に結合されていて、それによりパネル１４および１５は
互いに平行に離隔した状態に保持されている０両パネル
の各々のかど部には石英管部材２３の内腔と整列するよ
うに小さい開口が設けられている。一方のパネルの開口
から小径の短い金属線（たとえばタングステン線）２４
が挿入され、そして石英管部材２３を貫通して他方のパ
ネルの開口から引出される。かかる金属線２４の両端を
折曲げることにより、金属線２４が石英管部材２３内に
保持されると共に、パネル１４および１５と石英管部材
２３とが合体させられる。かかるサブアセンブリ２２に
おけるパネル１４および１５の離隔距離は、石英管部材
２３の長さによって決定される。１対のパネル１４およ
び１５を含むサブアセンブリ２２は、第１図に示される
ごとく、小形のＪ形フック支持体２５によって吊下げる
のが簡便である。
本発明の実施に際しては、所定の水素−炭化水素混合ガ
ス（たとえば、水素とメタンとの混合ガス）が閉鎖端１
２に設けられたガス流入口１６を通して反応室１１内に
導入され、フィラメント１８に接触しながらそれに沿っ
てパネル１４および１５の間を流れ、そして閉鎖端１３
に設けられたガス流出口１７を通して反応室１１から排
出される。フィラメント１８には電源２１から十分な電
流が供給され、それによって白熱状態に加熱される。こ
のような条件下において、ガス流が白熱状態のフィラメ
ント１８に接触して活性化される。
ス（たとえば、水素とメタンとの混合ガス）が閉鎖端１
２に設けられたガス流入口１６を通して反応室１１内に
導入され、フィラメント１８に接触しながらそれに沿っ
てパネル１４および１５の間を流れ、そして閉鎖端１３
に設けられたガス流出口１７を通して反応室１１から排
出される。フィラメント１８には電源２１から十分な電
流が供給され、それによって白熱状態に加熱される。こ
のような条件下において、ガス流が白熱状態のフィラメ
ント１８に接触して活性化される。
かかるガス流はパネル１４および１５にも接触するが、
パネル１４および１５はフィラメント１８よりも低温で
あるため、かかるパネル（とりわけ、フィラメント１８
に対面する側の表面）上にはダイヤモンド結晶の核生成
および成長が起こる。パネル１４および１５は化学蒸着
装置１０における１対の基体表面として役立つが、これ
ら２枚のパネルに対して１本のフィラメント１８を使用
すれば事足りる。パネル１４および１５は、ＣＶＤ法に
おいてダイヤモンド結晶の核生成および成長を誘起する
ような材料を含有するか、あるいはかかる材料から作製
される。好適な材料としては、高温および高炭素含量の
ガスの存在下において炭化物を生成する傾向の強い金属
が挙げられる。パネル１４および１５を作製するために
有用な金属の代表例は高融点金属であって、実際にモリ
ブデンを使用したところ良好な結果が得られた。一実施
例においては、９，０インチＸ１．２５インチＸ ｌ／
１６インチ（厚さ）の寸法を有する長方形のモリブデン
ストリップがパネル１４および１５として使用された。
パネル１４および１５はフィラメント１８よりも低温で
あるため、かかるパネル（とりわけ、フィラメント１８
に対面する側の表面）上にはダイヤモンド結晶の核生成
および成長が起こる。パネル１４および１５は化学蒸着
装置１０における１対の基体表面として役立つが、これ
ら２枚のパネルに対して１本のフィラメント１８を使用
すれば事足りる。パネル１４および１５は、ＣＶＤ法に
おいてダイヤモンド結晶の核生成および成長を誘起する
ような材料を含有するか、あるいはかかる材料から作製
される。好適な材料としては、高温および高炭素含量の
ガスの存在下において炭化物を生成する傾向の強い金属
が挙げられる。パネル１４および１５を作製するために
有用な金属の代表例は高融点金属であって、実際にモリ
ブデンを使用したところ良好な結果が得られた。一実施
例においては、９，０インチＸ１．２５インチＸ ｌ／
１６インチ（厚さ）の寸法を有する長方形のモリブデン
ストリップがパネル１４および１５として使用された。
ダイヤモンド結晶の核生成および成長に有利な影響を及
ぼすその他の材料をパネル１４および１５と組合わせて
使用することもできる。かかる材料の実例はホウ素およ
び炭素である。ＣＶＤ法において使用するための基体に
は、高炭素含量のガス（たとえばメタン）中に配置しな
がらくたとえば９００℃の）高温に暴露することから成
る前処理を施すことができる。このような前処理は基体
を炭素で飽和させ、それによって化学蒸着用の混合ガス
から基体材料中に炭素が余分に拡散するのを抑制する。
ぼすその他の材料をパネル１４および１５と組合わせて
使用することもできる。かかる材料の実例はホウ素およ
び炭素である。ＣＶＤ法において使用するための基体に
は、高炭素含量のガス（たとえばメタン）中に配置しな
がらくたとえば９００℃の）高温に暴露することから成
る前処理を施すことができる。このような前処理は基体
を炭素で飽和させ、それによって化学蒸着用の混合ガス
から基体材料中に炭素が余分に拡散するのを抑制する。
上記のごとき拡散は、ダイヤモンド結晶の成長過程にお
いて利用し得る炭素を減少させるものと考えられている
。なお、黒鉛型の炭素はダイヤモンド結晶の核生成を促
進することが判明しているのであって、黒鉛で標識した
基体区域には優先的にダイヤモンド結晶の核生成が起こ
ることが判明している。ホウ素もまた、順著なダイヤモ
ンド結晶核生成・成長促進剤であることが判明している
。基体上にホウ素を使用すれば、収量および結晶粒度の
両方が向上する。パネル１４および１５をホウ素で処理
するための簡便な方法としては、エタノールのごとき液
体媒質中に微小粒度の元素状ホウ素を混合し、そしてか
かる混合物を基体の所望区域に塗布すればよい０本発明
の一実施例においては、約０．５ミクロンの平均粒度を
持った微粒状のホウ素とエタノール媒質との混合物がパ
ネル１４および１５の対向面に塗布された。
いて利用し得る炭素を減少させるものと考えられている
。なお、黒鉛型の炭素はダイヤモンド結晶の核生成を促
進することが判明しているのであって、黒鉛で標識した
基体区域には優先的にダイヤモンド結晶の核生成が起こ
ることが判明している。ホウ素もまた、順著なダイヤモ
ンド結晶核生成・成長促進剤であることが判明している
。基体上にホウ素を使用すれば、収量および結晶粒度の
両方が向上する。パネル１４および１５をホウ素で処理
するための簡便な方法としては、エタノールのごとき液
体媒質中に微小粒度の元素状ホウ素を混合し、そしてか
かる混合物を基体の所望区域に塗布すればよい０本発明
の一実施例においては、約０．５ミクロンの平均粒度を
持った微粒状のホウ素とエタノール媒質との混合物がパ
ネル１４および１５の対向面に塗布された。
ダイヤモンド製造のためのＣＶＤ法を実施する際には、
フィラメント１８は白熱温度に維持されるが、その温度
は軽微な装置変動などの環境条件に応じて多少の変動を
生じることがある。室温がらの加熱時に見られる温度変
化をはじめとする温度変動は、フィラメント１８中に温
度由来の応力を誘起する。かかる応力がフィラメント１
８の屈曲や螺旋化を引起こす結果、フィラメント１８と
パネル１４および１５との間隔が変化することになる。
フィラメント１８は白熱温度に維持されるが、その温度
は軽微な装置変動などの環境条件に応じて多少の変動を
生じることがある。室温がらの加熱時に見られる温度変
化をはじめとする温度変動は、フィラメント１８中に温
度由来の応力を誘起する。かかる応力がフィラメント１
８の屈曲や螺旋化を引起こす結果、フィラメント１８と
パネル１４および１５との間隔が変化することになる。
最良の結果を得るためには、フィラメント１８がパネル
１４および１５に対して一定の間隔で離隔した状態を維
持することが必要である。たとえば、約ａｏｍｍの間隔
を保持すれば良好な結果が得られることが判明している
。フィラメント１８が白熱温度に維持されている場合、
それの固有強度は原著に低下しており、従って所定の離
隔状態を保持するための機構を取付けるとフィラメント
１８の切断や有効寿命の短縮を招く傾向がある。
１４および１５に対して一定の間隔で離隔した状態を維
持することが必要である。たとえば、約ａｏｍｍの間隔
を保持すれば良好な結果が得られることが判明している
。フィラメント１８が白熱温度に維持されている場合、
それの固有強度は原著に低下しており、従って所定の離
隔状態を保持するための機構を取付けるとフィラメント
１８の切断や有効寿命の短縮を招く傾向がある。
それ故１本発明の実施の一態様に従えば、パネル１４お
よび１５の全長に沿ってフィラメント１８の離隔距離を
一定に保つため、釣合い系を構成する極めて精密なトル
ク・てこ手段が使用される。
よび１５の全長に沿ってフィラメント１８の離隔距離を
一定に保つため、釣合い系を構成する極めて精密なトル
ク・てこ手段が使用される。
本発明において使用される釣合い系の一例が第１図中に
釣合いアセンブリ２６として示されている。
釣合いアセンブリ２６として示されている。
かかる釣合いアセンブリ２６およびそれの機能について
、第３および３Ａ図を参照しながら一層詳しい説明を行
うことにする。
、第３および３Ａ図を参照しながら一層詳しい説明を行
うことにする。
第３図に示されるごとく、釣合いアセンブリ２６は閉鎖
端１３を貫通して反応室１１内に才で伸びる棒部材２７
を含んでいる６反応室１１の内部においてはフィラメン
ト１８の一端が棒部材２７に連結されている一方、反応
室１１の外部においては極めて柔軟な銅の編組線２８の
一端が棒部材２７に電気的に接続されており、かつ編組
線２８の他端は終端コネクタ２９に接続されている。棒
部材２７は、低摩擦のころがり軸受３０を通して反応室
１１内に伸び、かつ軸方向に沿って往復運動を行うこと
ができる０反応室１１の外部に位置する棒部材２７の末
端には横方向に伸びるレバーアーム３１が連結されてい
る。レバーアーム３１の自由端は所定の重り３２を支持
している０重り３２と棒部材２７との間には支点Ｆが存
在していて、そこにケーブル３３が固定されている。ケ
ーブル３３は、閉鎖端１３に取付けられてレバーアーム
３１と垂直な方向に懸垂した滑車部材３４に掛けられ、
そして釣合い重り３５を支持している。
端１３を貫通して反応室１１内に才で伸びる棒部材２７
を含んでいる６反応室１１の内部においてはフィラメン
ト１８の一端が棒部材２７に連結されている一方、反応
室１１の外部においては極めて柔軟な銅の編組線２８の
一端が棒部材２７に電気的に接続されており、かつ編組
線２８の他端は終端コネクタ２９に接続されている。棒
部材２７は、低摩擦のころがり軸受３０を通して反応室
１１内に伸び、かつ軸方向に沿って往復運動を行うこと
ができる０反応室１１の外部に位置する棒部材２７の末
端には横方向に伸びるレバーアーム３１が連結されてい
る。レバーアーム３１の自由端は所定の重り３２を支持
している０重り３２と棒部材２７との間には支点Ｆが存
在していて、そこにケーブル３３が固定されている。ケ
ーブル３３は、閉鎖端１３に取付けられてレバーアーム
３１と垂直な方向に懸垂した滑車部材３４に掛けられ、
そして釣合い重り３５を支持している。
レバーアーム３１に沿って支点Ｆから棒部材２７までの
距離をＸで表わし、かつレバーアーム３１に沿って支点
Ｆから重り３２の中心までの距離をｌで表わす０図示の
ごとく、ケーブル３３は重り３２および棒部材２７の合
計重量を支持している。
距離をＸで表わし、かつレバーアーム３１に沿って支点
Ｆから重り３２の中心までの距離をｌで表わす０図示の
ごとく、ケーブル３３は重り３２および棒部材２７の合
計重量を支持している。
フィラメント１８の温度が室温から白熱温度にまで変化
する本発明の実施期間中において、フィラメント１８を
パネル１４および１５から適当な距離だけ離隔した直線
の状態に保持するためには、初期重量の一部（たとえば
、棒部材２７の重量を適当な重りと釣合わせることによ
って得られる重量）を利用すれば好都合であることが判
明した。
する本発明の実施期間中において、フィラメント１８を
パネル１４および１５から適当な距離だけ離隔した直線
の状態に保持するためには、初期重量の一部（たとえば
、棒部材２７の重量を適当な重りと釣合わせることによ
って得られる重量）を利用すれば好都合であることが判
明した。
ところで、フィラメント１８が白熱温度に達するとそれ
の引張強さは原著に低下するから、フィラメント１８に
比較的小さい引張力が加わっても過度の伸びや切断が起
こる。従って、釣合いアセンブリ２６の主たる目的は、
フィラメント１８が白熱温度に達した場合にそれに加わ
る引張力を実質的にゼロにまで低下させることにより、
フィラメント１８の屈曲、螺旋化および過度の伸びを抑
制することにある。このような目的を達成するためには
、第３Ａ図の力関係図に従って重り３２および３５を適
当に選定することにより、棒部材２７に加わる数学的モ
ーメントを実質的にゼロに低下させればよいわけである
。
の引張強さは原著に低下するから、フィラメント１８に
比較的小さい引張力が加わっても過度の伸びや切断が起
こる。従って、釣合いアセンブリ２６の主たる目的は、
フィラメント１８が白熱温度に達した場合にそれに加わ
る引張力を実質的にゼロにまで低下させることにより、
フィラメント１８の屈曲、螺旋化および過度の伸びを抑
制することにある。このような目的を達成するためには
、第３Ａ図の力関係図に従って重り３２および３５を適
当に選定することにより、棒部材２７に加わる数学的モ
ーメントを実質的にゼロに低下させればよいわけである
。
次に、第３Ａ図について説明すれば、公知の力学的原理
を適用することによって下記の関係式が導き出される。
を適用することによって下記の関係式が導き出される。
Ｒｘ＝Ｍ／
Ｃｗ 工Ｒ＋Ｍ
上記式中、Ｒは棒部材２７の重量、Ｘはレバーアーム３
１に沿って支点Ｆから棒部材２７までの距離、Ｍは重り
３２の重量、ｌはレバーアーム３１に沿って支点Ｆから
重り３２までの距離、そしてＣｗはケーブル３３を介し
てレバーアーム３１の支点Ｆに作用する釣合い重り３５
の重量である。
１に沿って支点Ｆから棒部材２７までの距離、Ｍは重り
３２の重量、ｌはレバーアーム３１に沿って支点Ｆから
重り３２までの距離、そしてＣｗはケーブル３３を介し
てレバーアーム３１の支点Ｆに作用する釣合い重り３５
の重量である。
第３Ａ図の解析結果に基づいて第３図の釣合いアセンブ
リ２６を使用すれば、白熱状態のフィラメント１８をパ
ネル１４および１５から適当な距離だけ離隔した状態に
保持するための手段が得られることになる。あるいはま
た、ばね手段を利用した適当な系を使用することにより
、フィラメント１８とパネル１４および１５との間に所
定の距離を維持しながら白熱温度においてフィラメント
１８に加わる引張力をゼロに低下させることも可能であ
る。
リ２６を使用すれば、白熱状態のフィラメント１８をパ
ネル１４および１５から適当な距離だけ離隔した状態に
保持するための手段が得られることになる。あるいはま
た、ばね手段を利用した適当な系を使用することにより
、フィラメント１８とパネル１４および１５との間に所
定の距離を維持しながら白熱温度においてフィラメント
１８に加わる引張力をゼロに低下させることも可能であ
る。
直流電源２１の使用もまた、フィラメント１８の有効寿
命を長くするための重要な要因である。
命を長くするための重要な要因である。
交流電源の使用はフィラメント１８中に有害な振動を引
起こし、それによって有効寿命の短縮をもたらす、かか
る振動は、交流電源に固有の周波数（通常の６０サイク
ル電源の場合には毎秒６０サイクルの周波数）に由来す
るものである。直流電源２１を使用すれば、フィラメン
ト１８中における交流振動の発生は回避されることにな
る。フィラメント１８への電力供給用として直流電源２
１を使用することに加えて、直流電源２１はフィラメン
ト１８に対して電気的に負のバイアスが印加されるよう
に接続される。このようにすれば、フィラメント１８の
寿命が伸びると共に、パネル１４および１５上における
ダイヤモンド結晶の核生成および成長が向上するのであ
る。
起こし、それによって有効寿命の短縮をもたらす、かか
る振動は、交流電源に固有の周波数（通常の６０サイク
ル電源の場合には毎秒６０サイクルの周波数）に由来す
るものである。直流電源２１を使用すれば、フィラメン
ト１８中における交流振動の発生は回避されることにな
る。フィラメント１８への電力供給用として直流電源２
１を使用することに加えて、直流電源２１はフィラメン
ト１８に対して電気的に負のバイアスが印加されるよう
に接続される。このようにすれば、フィラメント１８の
寿命が伸びると共に、パネル１４および１５上における
ダイヤモンド結晶の核生成および成長が向上するのであ
る。
第１図の装置においてＣＶＤ法が繰返して実施された。
各回の操作に際し、フィラメント１８は白熱温度に維持
された。約９９．０ （容量）％の水素と約１．０（容
量）％のメタンとから成る混合ガスを反応室１１内に導
入することにより、反応室１１の内部には約０．５〜約
３．０ ｃｃ ７分のガス流量が得られた。フィラメン
ト１８に対面するパネル１４および１５の表面には、０
．５ミクロンの平均粒度を持った微粒状のホウ素を含有
するエタノールが塗布された。各回の操作に際しては、
混合ガスの成分や比率、ガス流量、およびフィラメント
１８への供給電力のごとき作業パラメータが数時間がら
約１００日までの期間にわたって一定に保たれた。その
結果、パネル１４および１５のホウ素被覆表面上には、
約２−から１ ａｍ （最長作業期間の場合）までの厚
さを有するダイヤモンド層が形成された。冷却時におい
て、ダイヤモンド層をパネル１４および１５から機械的
に剥離することにより、一体止した自立状態のダイヤモ
ンド薄板が得られた。かかるダイヤモンド薄板はパネル
１４および１５から容易に剥離し得るが、その理由の１
つはパネル１４および１５の表面上にホウ素が存在する
ことにあると考えられる。すなわち、全てのホウ素がＣ
ＶＤ法に関与するわけではないのであって、一部はダイ
ヤモンド層とパネル１４および１５との間に強固な結合
が形成されるのを妨げるのである０本発明によって得ら
れたダイヤモンド薄板を詳細に調べなところ、それらは
多結晶質であると共に極めて高度の耐摩耗性を有してい
て、原著な臂開面や軟質の摩耗方向は示さないことが判
明した。こうして得られたダイヤモンド薄板は平坦な表
面を有していた。約５０−より小さい厚さの薄板は灰色
を呈し、かつやや半透明の外観を有していた０本発明の
一実施例においては、ダイヤモンド層を形成すべきパネ
ル１４および１５の表面に直線状の溝が設けられた。形
成されたダイヤモンド層を基体表面から剥離したところ
、溝がダイヤモンド層に対する型として作用した結果、
ダイヤモンド層上にも溝が再現されていた。こうして得
られたダイヤモンド薄板は溝の線に沿ってきれいに切断
することができたので、本発明によれば所望形状のダイ
ヤモンド薄板を製造し得ることがわかる。このように、
本発明は多結晶質薄板の状態でダイヤモンド結晶の核生
成および成長を生起させるような改良された化学蒸着装
置を提供するものである。
された。約９９．０ （容量）％の水素と約１．０（容
量）％のメタンとから成る混合ガスを反応室１１内に導
入することにより、反応室１１の内部には約０．５〜約
３．０ ｃｃ ７分のガス流量が得られた。フィラメン
ト１８に対面するパネル１４および１５の表面には、０
．５ミクロンの平均粒度を持った微粒状のホウ素を含有
するエタノールが塗布された。各回の操作に際しては、
混合ガスの成分や比率、ガス流量、およびフィラメント
１８への供給電力のごとき作業パラメータが数時間がら
約１００日までの期間にわたって一定に保たれた。その
結果、パネル１４および１５のホウ素被覆表面上には、
約２−から１ ａｍ （最長作業期間の場合）までの厚
さを有するダイヤモンド層が形成された。冷却時におい
て、ダイヤモンド層をパネル１４および１５から機械的
に剥離することにより、一体止した自立状態のダイヤモ
ンド薄板が得られた。かかるダイヤモンド薄板はパネル
１４および１５から容易に剥離し得るが、その理由の１
つはパネル１４および１５の表面上にホウ素が存在する
ことにあると考えられる。すなわち、全てのホウ素がＣ
ＶＤ法に関与するわけではないのであって、一部はダイ
ヤモンド層とパネル１４および１５との間に強固な結合
が形成されるのを妨げるのである０本発明によって得ら
れたダイヤモンド薄板を詳細に調べなところ、それらは
多結晶質であると共に極めて高度の耐摩耗性を有してい
て、原著な臂開面や軟質の摩耗方向は示さないことが判
明した。こうして得られたダイヤモンド薄板は平坦な表
面を有していた。約５０−より小さい厚さの薄板は灰色
を呈し、かつやや半透明の外観を有していた０本発明の
一実施例においては、ダイヤモンド層を形成すべきパネ
ル１４および１５の表面に直線状の溝が設けられた。形
成されたダイヤモンド層を基体表面から剥離したところ
、溝がダイヤモンド層に対する型として作用した結果、
ダイヤモンド層上にも溝が再現されていた。こうして得
られたダイヤモンド薄板は溝の線に沿ってきれいに切断
することができたので、本発明によれば所望形状のダイ
ヤモンド薄板を製造し得ることがわかる。このように、
本発明は多結晶質薄板の状態でダイヤモンド結晶の核生
成および成長を生起させるような改良された化学蒸着装
置を提供するものである。
以上、好適な実施の態様の関連して本発明を説明したが
、前記特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸
脱することなしに様々な変更態様が可能であることは当
業者にとって自明であろう。
、前記特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸
脱することなしに様々な変更態様が可能であることは当
業者にとって自明であろう。
第１図は本発明を実施するために役立つ好適な装置の概
略断面図、第２図は第１図中の線２−２の位置から見た
第１図の装置の概略上面図、第３図は第１図の装置にお
いて使用される釣合い系の略図、そして第３Ａ図は第３
図の釣合い系に関する力関係図である。 図中、１０は化学蒸着装置、１１は反応室、１２および
１３は閉鎖端、１４および１５は基体パネル、１６はガ
ス流入口、１７はガス流出口、１８はタングステン線フ
ィラメント、１９および２０は電気リード線、２１は直
流電源、２３は石英管部材、２４は金属線、２５はＪフ
ック支持体、２．６は釣合いアセンブリ、２７は棒部材
、２８は編組線、２９は終端コネクタ、３０はころがり
軸受、３１はレバーアーム、３２は重り、３３はケーブ
ル、３４は滑車部材、そして３５は釣合い重りを表わす
。 ＦＩＧ、 ／ ＦＩＧ。 ＣＷ ＦＩＧ。 Ａ
略断面図、第２図は第１図中の線２−２の位置から見た
第１図の装置の概略上面図、第３図は第１図の装置にお
いて使用される釣合い系の略図、そして第３Ａ図は第３
図の釣合い系に関する力関係図である。 図中、１０は化学蒸着装置、１１は反応室、１２および
１３は閉鎖端、１４および１５は基体パネル、１６はガ
ス流入口、１７はガス流出口、１８はタングステン線フ
ィラメント、１９および２０は電気リード線、２１は直
流電源、２３は石英管部材、２４は金属線、２５はＪフ
ック支持体、２．６は釣合いアセンブリ、２７は棒部材
、２８は編組線、２９は終端コネクタ、３０はころがり
軸受、３１はレバーアーム、３２は重り、３３はケーブ
ル、３４は滑車部材、そして３５は釣合い重りを表わす
。 ＦＩＧ、 ／ ＦＩＧ。 ＣＷ ＦＩＧ。 Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）両側に閉鎖端を有する反応室、 （ｂ）前記反応室内にガスを導入すると共に、前記反応
室からガスを排出するため、前記閉鎖端にそれぞれ設け
られたガス導入手段およびガス排出手段、 （ｃ）互いに平行に離隔しながら向かい合った１対の直
立した平坦な基体表面であって、前記ガス導入手段から
のガスが前記基体表面間を流れて前記ガス排出手段から
流出し得るようにして前記反応室内に配置された基体表
面、 （ｄ）前記基体表面間を流れるガスを加熱するため、前
記基体表面の全長にわたり、前記基体表面から所定の距
離だけ離隔しながら前記基体表面間に直立状態で配置さ
れたヒータ手段、並びに （ｅ）前記ヒータ手段を前記基体表面から前記のごとく
離隔した状態に維持するための手段の諸要素から成るこ
とを特徴とする、化学蒸着法を実施するための装置。 ２、前記ヒータ手段が前記基体表面から離隔しながらそ
れの全長に沿って配置された直線状フィラメントの抵抗
加熱ヒータから成る請求項１記載の装置。 ３、前記フィラメントが直流電源に接続されている請求
項２記載の装置。 ４、前記フィラメントに対して電気的に負のバイアスが
印加されるようにして前記フィラメントが直流電源に接
続されている請求項２記載の装置。 ５、前記フィラメントが小径の金属線である請求項２記
載の装置。 ６、前記金属線がタングステン線である請求項５記載の
装置。 ７、前記金属線の一端が前記電源からの電気リード線に
接続されており、かつ前記金属線の他端が懸垂状態の棒
部材に連結されている結果、前記棒部材の重量が前記基
体表面間において前記金属線を前記基体表面から離隔し
た直線の状態に保持するために役立つ請求項５記載の装
置。 ８、前記金属線が白熱温度に達した場合に前記金属線に
加わる前記棒部材の引張力をほぼゼロに低下させる釣合
い系が前記棒部材に付属している請求項７記載の装置。 ９、前記釣合い系が、 （ａ）前記棒部材に連結されて横方向に伸びかつ自由端
を有するレバーアーム、 （ｂ）前記自由端上に配置されかつそれによって支持さ
れた所定の重り、並びに （ｃ）支点支持体として前記棒部材と前記重りとの中間
において前記レバーアームに固定され、かつ前記重りお
よび前記棒部材と共に前記レバーアームを釣合い状態で
支持するたわみケーブル手段から成る請求項８記載の装
置。 １０、前記釣合い系が前記反応室の閉鎖端に取付けられ
た滑車部材に掛けられたケーブルによつて前記反応室か
ら懸垂されていて、前記ケーブルが前記重りおよび前記
棒部材の合計重量を支持している請求項９記載の装置。 １１、前記ケーブルが前記支点において前記レバーアー
ムを支持する釣合い重りに連結されている請求項１０記
載の装置。 １２、（ａ）反応室内に１対の平面状ストリップを互い
に平行に離隔した状態で配置し、（ｂ）前記ストリップ
の間に細長い抵抗加熱ヒータ素子を前記ストリップと平
行に支持し、 （ｃ）前記ヒータ素子の温度を約２０００℃以上にまで
上昇させ、 （ｄ）前記ストリップ間において前記ヒータ素子を前記
ストリップから離隔した直線の状態に保持し、 （ｅ）前記反応室内に水素−炭化水素混合ガスを導入し
て前記ヒータ素子および前記ストリップに接触させなが
ら流すことにより、前記ストリップの全域にわたってダ
イヤモンド結晶の核生成および成長を生起させてダイヤ
モンド層を形成し、次いで （ｆ）一体化した自立状態の多結晶質ダイヤモンド薄板
として前記ダイヤモンド層を前記ストリップから剥離す
る諸工程から成るダイヤモンド薄板材料の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/234,773 US4958592A (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Resistance heater for diamond production by CVD |
| US234,773 | 1994-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288499A true JPH0288499A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=22882769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213134A Pending JPH0288499A (ja) | 1988-08-22 | 1989-08-21 | 化学蒸着法によるダイヤモンド製造用の抵抗加熱ヒータ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4958592A (ja) |
| JP (1) | JPH0288499A (ja) |
| KR (1) | KR900003428A (ja) |
| CA (1) | CA1318225C (ja) |
| FR (1) | FR2635535B1 (ja) |
| IE (1) | IE61889B1 (ja) |
| SE (1) | SE8902775L (ja) |
| ZA (1) | ZA893989B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992001828A1 (fr) * | 1990-07-18 | 1992-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede et appareil pour travailler le diamant |
| JP2012509826A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | ディアッコン ゲーエムベーハー | 化学気相成長法を用いて基板をコーティングするデバイス及び方法 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413589B1 (en) | 1988-11-29 | 2002-07-02 | Chou H. Li | Ceramic coating method |
| US4953499A (en) * | 1989-08-03 | 1990-09-04 | General Electric Company | Apparatus for synthetic diamond deposition including curved filaments and substrate cooling means |
| US5110579A (en) * | 1989-09-14 | 1992-05-05 | General Electric Company | Transparent diamond films and method for making |
| DE3935865C1 (ja) * | 1989-10-27 | 1990-10-04 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg, De | |
| US5256206A (en) * | 1990-08-07 | 1993-10-26 | General Electric Company | CVD diamond for coating twist drills |
| US5096736A (en) * | 1990-08-07 | 1992-03-17 | General Electric Company | Cvd diamond for coating twist drills |
| CA2044543C (en) * | 1990-08-10 | 1999-12-14 | Louis Kimball Bigelow | Multi-layer superhard film structure |
| DE69117159T2 (de) * | 1990-12-24 | 1996-08-29 | Gen Electric | Verkleidung aus Metall zur Steigerung der Wachstumsgeschwindigkeit beim Aufdampfen von Diamant mittels CVD |
| US5145712A (en) * | 1991-02-08 | 1992-09-08 | Center For Innovative Technology | Chemical deposition of diamond |
| US5240749A (en) * | 1991-08-27 | 1993-08-31 | University Of Central Florida | Method for growing a diamond thin film on a substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition |
| GB9123331D0 (en) * | 1991-11-04 | 1991-12-18 | De Beers Ind Diamond | Apparatus for depositing a material on a substrate by chemical vapour deposition |
| CA2082711A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-06-14 | Philip G. Kosky | Cvd diamond growth on hydride-forming metal substrates |
| US5234484A (en) * | 1992-02-24 | 1993-08-10 | Itt Corporation | Method for annealing phosphors applied to surfaces having melting points below the annealing temperature of the phosphor |
| US5443032A (en) * | 1992-06-08 | 1995-08-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for the manufacture of large single crystals |
| JP3381319B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2003-02-24 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド合成方法 |
| CA2174737C (en) * | 1993-10-29 | 2008-04-22 | Douglas V. Faller | Physiologically stable compositions of butyric acid, and butyric acid salts and derivatives as anti-neoplastic agents |
| US5833753A (en) * | 1995-12-20 | 1998-11-10 | Sp 3, Inc. | Reactor having an array of heating filaments and a filament force regulator |
| US5937514A (en) | 1997-02-25 | 1999-08-17 | Li; Chou H. | Method of making a heat-resistant system |
| US6286206B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-09-11 | Chou H. Li | Heat-resistant electronic systems and circuit boards |
| WO1999040883A2 (en) * | 1998-02-11 | 1999-08-19 | Faller Douglas V | Compositions and methods for the treatment of cystic fibrosis |
| US6676492B2 (en) | 1998-12-15 | 2004-01-13 | Chou H. Li | Chemical mechanical polishing |
| US6976904B2 (en) * | 1998-07-09 | 2005-12-20 | Li Family Holdings, Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry |
| US6458017B1 (en) | 1998-12-15 | 2002-10-01 | Chou H. Li | Planarizing method |
| US6464912B1 (en) * | 1999-01-06 | 2002-10-15 | Cvd, Incorporated | Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition |
| US6432206B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-08-13 | Si Diamond Technology, Inc. | Heating element for use in a hot filament chemical vapor deposition chamber |
| KR100382943B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2003-05-09 | 프리시젼다이아몬드 주식회사 | 고온 열 필라멘트를 이용한 기상화학다이아몬드증착장치 |
| KR100657229B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2006-12-14 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 티타니아 나노시트 배향 박막과 그 제조 방법 및 티타니아나노시트 배향 박막을 구비한 물품 |
| US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
| US8291856B2 (en) * | 2008-03-07 | 2012-10-23 | Tokyo Electron Limited | Gas heating device for a vapor deposition system |
| DE102008044028A1 (de) * | 2008-11-24 | 2010-08-12 | Cemecon Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD |
| WO2010105112A1 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | Hemaquest Pharmaceuticals, Inc. | Detection of short-chain fatty acids in biological samples |
| US8272347B2 (en) * | 2009-09-14 | 2012-09-25 | Tokyo Electron Limited | High temperature gas heating device for a vapor deposition system |
| US20110086869A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-04-14 | The Trustees Of Boston University | Methods for treating viral disorders |
| CN102802412A (zh) | 2009-12-08 | 2012-11-28 | 海玛奎斯特医药公司 | 用于治疗红细胞病症的方法及低剂量方案 |
| WO2011113013A2 (en) | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Hemaquest Pharmaceuticals, Inc. | Methods and compositions for treating viral or virally-induced conditions |
| EP3484489B1 (en) | 2016-07-15 | 2025-06-18 | Viracta Subsidiary, Inc. | Hdac inhibitors for use with nk cell based therapies |
| CA3142142A1 (en) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Viracta Subsidiary, Inc. | Methods of treating virally associated cancers with histone deacetylase inhibitors |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4434188A (en) * | 1981-12-17 | 1984-02-28 | National Institute For Researches In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond |
| JPS58153324A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 |
| JPH0644554B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1994-06-08 | 株式会社富士電機総合研究所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61171120A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Jeol Ltd | 光励起プロセス装置 |
| US4859490A (en) * | 1986-07-23 | 1989-08-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for synthesizing diamond |
| JPS6472992A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Sumitomo Electric Industries | Diamond synthesizing installation |
| JPH0950092A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物及びそれを用いた要素 |
-
1988
- 1988-08-22 US US07/234,773 patent/US4958592A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-23 IE IE165889A patent/IE61889B1/en not_active IP Right Cessation
- 1989-05-25 ZA ZA893989A patent/ZA893989B/xx unknown
- 1989-06-08 CA CA000602224A patent/CA1318225C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-03 FR FR898910471A patent/FR2635535B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-18 SE SE8902775A patent/SE8902775L/xx not_active Application Discontinuation
- 1989-08-19 KR KR1019890011822A patent/KR900003428A/ko not_active Abandoned
- 1989-08-21 JP JP1213134A patent/JPH0288499A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992001828A1 (fr) * | 1990-07-18 | 1992-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede et appareil pour travailler le diamant |
| JP2012509826A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | ディアッコン ゲーエムベーハー | 化学気相成長法を用いて基板をコーティングするデバイス及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1318225C (en) | 1993-05-25 |
| KR900003428A (ko) | 1990-03-26 |
| US4958592A (en) | 1990-09-25 |
| FR2635535B1 (fr) | 1992-02-21 |
| FR2635535A1 (fr) | 1990-02-23 |
| ZA893989B (en) | 1990-08-29 |
| SE8902775L (sv) | 1990-02-23 |
| IE61889B1 (en) | 1994-11-30 |
| SE8902775D0 (sv) | 1989-08-18 |
| IE891658L (en) | 1990-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0288499A (ja) | 化学蒸着法によるダイヤモンド製造用の抵抗加熱ヒータ | |
| EP0411424B1 (en) | Apparatus for synthetic diamond deposition including spring tensioned filaments | |
| KR0184849B1 (ko) | 다이아몬드 제조방법 및 장치 | |
| JPH05506064A (ja) | 電子用途用ダイヤモンド載置基板 | |
| CN1555424B (zh) | 用于控制薄膜均匀性的工艺及由此制造的产品 | |
| IE901920A1 (en) | Apparatus for synthetic diamond deposition including curved¹filaments and substrate cooling means | |
| JPH05306194A (ja) | 熱応力によって誘発された亀裂を実質的に含まないｃｖｄダイヤモンド薄膜の製造法 | |
| EP0272418B1 (en) | Apparatus and process to condensate diamond | |
| JPH07277889A (ja) | ダイヤモンドの化学蒸着のための装置及び方法 | |
| CN102292466B (zh) | 利用cvd 涂覆基板的器件和方法 | |
| JPH01230496A (ja) | 新規なダイヤモンド状炭素膜及びその製造方法 | |
| CN112501582A (zh) | 一种热丝化学气相沉积装置及金属支架 | |
| EP0617141A1 (en) | Improved method for growing continuous diamond films | |
| EP0492159B1 (en) | Metal growth accelerator shell for the chemical vaporization deposition of diamond | |
| CN100432287C (zh) | 强磁场下金刚石薄膜的制备方法 | |
| CN106282964B (zh) | 微刀具表面热丝法化学气相沉积金刚石涂层的电极系统 | |
| CN110468386B (zh) | 热丝夹具和热丝沉积设备与其应用及刀具的制备方法 | |
| JPH0421777A (ja) | ダイヤモンドの合成装置 | |
| CN1696340A (zh) | 一种化学气相沉积装置及其沉积方法 | |
| EP0561511A2 (en) | Preheater for CVD diamond reactor | |
| JPS6261109B2 (ja) | ||
| JPH0492447A (ja) | 無機薄膜の成膜方法 | |
| JPH07309697A (ja) | 半透明ダイヤモンド薄膜及びその製法 | |
| JPH0492891A (ja) | ダイヤモンド膜形成方法 | |
| JPH0513118B2 (ja) |