JPH0289342U - - Google Patents
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- JPH0289342U JPH0289342U JP16864988U JP16864988U JPH0289342U JP H0289342 U JPH0289342 U JP H0289342U JP 16864988 U JP16864988 U JP 16864988U JP 16864988 U JP16864988 U JP 16864988U JP H0289342 U JPH0289342 U JP H0289342U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- silicon
- diaphragm chip
- semiconductor
- sensitive diaphragm
- Prior art date
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- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の構造断面図、第２
図は他の実施例の構造断面図、第３図は更に異な
る実施例の構造断面図、第４図は従来の装置の構
造断面図である。 １……シリコン感圧ダイアフラムチツプ、２…
…台座、３……導圧パイプ、４……容器底部、５
……厚膜ＩＣ基板、６……取付台。
図は他の実施例の構造断面図、第３図は更に異な
る実施例の構造断面図、第４図は従来の装置の構
造断面図である。 １……シリコン感圧ダイアフラムチツプ、２…
…台座、３……導圧パイプ、４……容器底部、５
……厚膜ＩＣ基板、６……取付台。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) シリコン感圧ダイアフラムチツプとこのシ
リコン感圧ダイアフラムチツプの出力信号処理の
ための電子回路を搭載した厚膜ＩＣ基板とを金属
容器内に封入してなる半導体圧力変換器において
、 シリコン感圧ダイアフラムチツプが固着される
台座を固着しかつシリコン感圧ダイアフラムチツ
プに被測定圧力を供給する導圧パイプと、 前記導圧パイプが固着される容器底部と、 を熱膨脹係数がシリコン半導体と近似的に等しい
材料で一体構造とすることを特徴とする半導体圧
力変換器。 (2) シリコン感圧ダイアフラムチツプとこのシ
リコン感圧ダイアフラムチツプの出力信号処理の
ための電子回路を搭載した厚膜ＩＣ基板とを金属
容器内に封入してなる半導体圧力変換器において
、 シリコン感圧ダイアフラムチツプが固着される
台座と、 前記台座を固着しかつシリコン感圧ダイアフラ
ムチツプに被測定圧力を供給する導圧パイプと、 前記導圧パイプが固着される容器底部と、 を熱膨脹係数がシリコン半導体と近似的に等しい
材料で一体構造とすることを特徴とする半導体圧
力変換器。 (3) シリコン感圧ダイアフラムチツプとこのシ
リコン感圧ダイアフラムチツプの出力信号処理の
ための電子回路を搭載した厚膜ＩＣ基板とを金属
容器内に封入してなる半導体圧力変換器において
、 シリコン感圧ダイアフラムチツプが固着される
台座と、 前記台座を固着しかつシリコン感圧ダイアフラ
ムチツプに被測定圧力を供給する導圧パイプと、 前記厚膜ＩＣ基板が固着される取付部と、 前記導圧パイプが固着される容器底部と、 を熱膨脹係数がシリコン半導体と近似的に等しい
材料で一体構造とすることを特徴とする半導体圧
力変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16864988U JPH0289342U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16864988U JPH0289342U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289342U true JPH0289342U (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=31458008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16864988U Pending JPH0289342U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289342U (ja) |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP16864988U patent/JPH0289342U/ja active Pending
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