JPH03108699A - 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 - Google Patents
放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法Info
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- JPH03108699A JPH03108699A JP1244992A JP24499289A JPH03108699A JP H03108699 A JPH03108699 A JP H03108699A JP 1244992 A JP1244992 A JP 1244992A JP 24499289 A JP24499289 A JP 24499289A JP H03108699 A JPH03108699 A JP H03108699A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シンクロトロン放射光を用いて、超ＬＳＩ
等の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せし
める露光装置の放射光透過窓及び該窓への放射光透過薄
膜の取付方法に関する。
等の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せし
める露光装置の放射光透過窓及び該窓への放射光透過薄
膜の取付方法に関する。
半導体（ＬＳＩ）の高集積化技術の進歩に伴い、マスク
上のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写
する半導体リソグラフィ装置でも、軟Ｘ線を含むシンク
ロトロン放射光の利用が注目されるようになったに の放射光は、第１１図に示されるように、高真空の電子
蓄積リング（３０）内で光速に近い速さの電子を偏向磁
石（３１）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方向
に放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強い
軟Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラスにな
る超ＬＳＩのマスクパターンを上記露光板状物に転写す
るＸ線露光装置の次期Ｘ線源として期待されている。
上のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写
する半導体リソグラフィ装置でも、軟Ｘ線を含むシンク
ロトロン放射光の利用が注目されるようになったに の放射光は、第１１図に示されるように、高真空の電子
蓄積リング（３０）内で光速に近い速さの電子を偏向磁
石（３１）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方向
に放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強い
軟Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラスにな
る超ＬＳＩのマスクパターンを上記露光板状物に転写す
るＸ線露光装置の次期Ｘ線源として期待されている。
該シンクロトロン放射光を用いる実際の露光装置では、
電子蓄積リング（３０）から発した放射光がビームライ
ン（３）を通って転写装置（４）内に導かれ、その内部
でＸ線マスク（図示なし）やウェハ駆動ステージ（図示
なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを被露光板
状物の表面（この場合はウェハの上に′ｆ１．ｒＩＩさ
れたレジス１−）に転写する構成となっている。
電子蓄積リング（３０）から発した放射光がビームライ
ン（３）を通って転写装置（４）内に導かれ、その内部
でＸ線マスク（図示なし）やウェハ駆動ステージ（図示
なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを被露光板
状物の表面（この場合はウェハの上に′ｆ１．ｒＩＩさ
れたレジス１−）に転写する構成となっている。
このうち、ビームライン（３）内部は、電子蓄積リング
（３０）内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさないよう
にするため真空に保たれ、他方、転写装置（４）は、マ
スクの温度上昇を抑えるため、その周りをチャンバ（４
０）で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気（放射光減衰
作用の小さいヘリウムガス等）で満たしている。そこで
シンクロトロン放射光を放射する放射光源側（図では電
子蓄積リング（３０）及びビームライン（３））と転写
装置（４）との間には、放射光路途中に放射光源側の高
真空域と転写装置（４）側の雰囲気とを隔て且つ放射光
の一部を透過可能なベリリウム薄膜等の放射光透過薄膜
（１）が設けられている。
（３０）内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさないよう
にするため真空に保たれ、他方、転写装置（４）は、マ
スクの温度上昇を抑えるため、その周りをチャンバ（４
０）で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気（放射光減衰
作用の小さいヘリウムガス等）で満たしている。そこで
シンクロトロン放射光を放射する放射光源側（図では電
子蓄積リング（３０）及びビームライン（３））と転写
装置（４）との間には、放射光路途中に放射光源側の高
真空域と転写装置（４）側の雰囲気とを隔て且つ放射光
の一部を透過可能なベリリウム薄膜等の放射光透過薄膜
（１）が設けられている。
第１２図は、このような放射光透過薄膜（１）の取付け
られた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図
に示すように、ビームライン（３）の真空フランジ（２
２）等からなる窓枠にスペーサ（２３）を介して平板状
の放射光透過薄膜（１）の端部側が取付けられ、更にそ
の上から止めフランジ（２４）等の窓枠材をクランプし
ている。
られた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図
に示すように、ビームライン（３）の真空フランジ（２
２）等からなる窓枠にスペーサ（２３）を介して平板状
の放射光透過薄膜（１）の端部側が取付けられ、更にそ
の上から止めフランジ（２４）等の窓枠材をクランプし
ている。
放射光の照射によってマスクパターンの露光を行なう場
合に、実用的なスループットを得るためには、放射光透
過薄膜（１）の膜厚を薄くして放射光の減衰をできるだ
け低くしなければならない。
合に、実用的なスループットを得るためには、放射光透
過薄膜（１）の膜厚を薄くして放射光の減衰をできるだ
け低くしなければならない。
しかし、放射光源側空間と転写装置（４）のチャンバ（
４０）内界囲気との間にはかなりの圧力差があるため、
放射光透過薄膜（１）の膜厚が薄くなると、上記放射光
透過窓の構成では、該薄膜（１）がその半径方向中心部
を中心に放射光源側に膨出することとなり、それにより
第１２図に示すように、この薄膜（１）に大きな引張り
応力が掛ることになる。
４０）内界囲気との間にはかなりの圧力差があるため、
放射光透過薄膜（１）の膜厚が薄くなると、上記放射光
透過窓の構成では、該薄膜（１）がその半径方向中心部
を中心に放射光源側に膨出することとなり、それにより
第１２図に示すように、この薄膜（１）に大きな引張り
応力が掛ることになる。
そのため、転写装置のチャンバ（４０）側雰囲気を減圧
状態に保持することで対応せざるを得す、減圧設備の増
強及び減圧状態の維持・制御を行なう必要性を生じ、放
射光透過率のアップによる放射光リングラフィのスルー
プット向上を相殺することにもなりかねないものであっ
た。
状態に保持することで対応せざるを得す、減圧設備の増
強及び減圧状態の維持・制御を行なう必要性を生じ、放
射光透過率のアップによる放射光リングラフィのスルー
プット向上を相殺することにもなりかねないものであっ
た。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案された
ものであって、放射光透過窓に取付けられる放射光透過
薄膜自身の構造に改良を加えて、転写装置側が大気圧雰
囲気下でも露光処理ができ、且つ薄膜化による放射光透
過率のアップを達成できるようにしようとするものであ
り、併せてそのような改良の加えられた放射光透過薄膜
の放射光透過窓への装着方法についても提案するもので
ある。
ものであって、放射光透過窓に取付けられる放射光透過
薄膜自身の構造に改良を加えて、転写装置側が大気圧雰
囲気下でも露光処理ができ、且つ薄膜化による放射光透
過率のアップを達成できるようにしようとするものであ
り、併せてそのような改良の加えられた放射光透過薄膜
の放射光透過窓への装着方法についても提案するもので
ある。
そのため本発明の放射光透過窓は、第１図に示すように
、放射光透過薄膜（１）を放射光源側に突出する球面状
にすることで、放射光源側と転写装置（４）側の圧力差
によって放射光透過薄膜（１）に作用する引張り応力に
も耐えられるようにするものである。
、放射光透過薄膜（１）を放射光源側に突出する球面状
にすることで、放射光源側と転写装置（４）側の圧力差
によって放射光透過薄膜（１）に作用する引張り応力に
も耐えられるようにするものである。
このように放射光透過薄膜（１）を球面状に成形して用
いると、該薄膜（１）には次式に示す引張り応力σのみ
が掛る。
いると、該薄膜（１）には次式に示す引張り応力σのみ
が掛る。
但し、Ｐ：圧 力
Ｒ：球面曲率半径
ｔ：膜厚み
従って、膜厚しが薄くてもそれに対応した球面曲率半径
Ｒを選ぶことにより、任意の引張り応力 σ にするこ
とができる。
Ｒを選ぶことにより、任意の引張り応力 σ にするこ
とができる。
但し、球面状にした放射光透過薄膜（１）の膜厚ｔがど
の位置においても等しい場合、第２図に示すように、放
射光源側から入射して該放射光透過薄膜（１）中を透過
直進するシンクロトロン放射光は平行光であるため、該
直進方向における膜中の各透過距離Ｘ工・・・ｘｎは、
膜中央部が一番小さく、膜層縁端に近づく程次第に太き
くなる。従って放射光の減衰率も膜層縁端に向かう程大
きなものとなる。
の位置においても等しい場合、第２図に示すように、放
射光源側から入射して該放射光透過薄膜（１）中を透過
直進するシンクロトロン放射光は平行光であるため、該
直進方向における膜中の各透過距離Ｘ工・・・ｘｎは、
膜中央部が一番小さく、膜層縁端に近づく程次第に太き
くなる。従って放射光の減衰率も膜層縁端に向かう程大
きなものとなる。
本発明では、放射光透過薄膜（１）の耐引張り応力特性
を高めるために単に球面状にするだけでなく、転写装置
（４）側で得られる放射光強度が略どの位置においても
等しくなるようにするため、第１図に示すように、放射
光透過薄膜（１）の球面状の中央部Ｃを中心にその周り
で膜厚ｔが次第に薄くなるよう（ｔｏ ＞ ｔｚ ＞
ｔｚ ）に成形し、これによって放射光の前記膜中透過
距離Ｘがどの位置でも等しくなるようにしている。この
ように放射光の膜中透過距離Ｘがどの位置でも等しくな
るようにする膜厚成形の具体的構成としては、第３図に
示すように、放射光透過薄膜（１）の球面内側曲率半径
Ｒｉと外側曲率ＲＯとを同一にする（Ｒｉ＝Ｒｏ）と共
に、これらの曲率半径中心点ｍ０およびｍｉを同一線Ｃ
上で偏心せしめるようにすれば良い。更にもし、この放
射光透過薄膜（１）がベリリウム等の金属で構成される
ならば、該薄膜（１）を球面状に成形し、且つ薄膜（１
）の膜厚を上述のようにコントロールすることは、蒸着
法によって簡単に実現できる。
を高めるために単に球面状にするだけでなく、転写装置
（４）側で得られる放射光強度が略どの位置においても
等しくなるようにするため、第１図に示すように、放射
光透過薄膜（１）の球面状の中央部Ｃを中心にその周り
で膜厚ｔが次第に薄くなるよう（ｔｏ ＞ ｔｚ ＞
ｔｚ ）に成形し、これによって放射光の前記膜中透過
距離Ｘがどの位置でも等しくなるようにしている。この
ように放射光の膜中透過距離Ｘがどの位置でも等しくな
るようにする膜厚成形の具体的構成としては、第３図に
示すように、放射光透過薄膜（１）の球面内側曲率半径
Ｒｉと外側曲率ＲＯとを同一にする（Ｒｉ＝Ｒｏ）と共
に、これらの曲率半径中心点ｍ０およびｍｉを同一線Ｃ
上で偏心せしめるようにすれば良い。更にもし、この放
射光透過薄膜（１）がベリリウム等の金属で構成される
ならば、該薄膜（１）を球面状に成形し、且つ薄膜（１
）の膜厚を上述のようにコントロールすることは、蒸着
法によって簡単に実現できる。
又、上記０式によれば、球面曲率半径Ｒを小さくすれば
する程、放射光透過薄膜（１）に掛かる引張り応力 σ
を小さくすることができる。
する程、放射光透過薄膜（１）に掛かる引張り応力 σ
を小さくすることができる。
一方、上述のような各部分の膜厚を異ならしめる薄膜成
形がなされた場合、球面曲率半径Ｒが小さければ小さい
程、薄膜（１）外周部の厚みｔ′ が薄くなってしまい
、ここでの応力は０式より逆に増えることになる。そこ
で本発明者はこの球面曲率半径Ｒの最適値を求めた。
形がなされた場合、球面曲率半径Ｒが小さければ小さい
程、薄膜（１）外周部の厚みｔ′ が薄くなってしまい
、ここでの応力は０式より逆に増えることになる。そこ
で本発明者はこの球面曲率半径Ｒの最適値を求めた。
即ち、第４図より。
更に、該合力Ｆにより膜外周部に作用する反力Ｆ′は、
Ｆ’＝πＤＸｔ’ＸσＸ ｓｉｎθ ・・・・・・・・
・・・・・・・■但し、πＤＸｔ’：周面積 ｓｉｎθ 二方向 ００式の釣合いより （Ｄ−）” πＸＰ＝ πＤＸｔ’ Ｘ ａ Ｘ５ｉｎ
Ｏ−−■この０式に０式を代入して 倒し、Ｄ：放射光透過薄膜の口径 又、薄膜（１）外周部の厚みｔ′は、 ｔ’ ＝ｔ−ｃｏｓ（１・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・■そして転写装置（
４）側の圧力をＰとして、該圧力Ｐにより薄膜（１）に
係る合力Ｆは、ｄσｍａｘ 該０式から 二〇と置けば、 ｄθ となり、 ｃｏｓ２θ＝ｏ 、−、θ＝「（＝４５°）という
ことになる。
・・・・・・・■但し、πＤＸｔ’：周面積 ｓｉｎθ 二方向 ００式の釣合いより （Ｄ−）” πＸＰ＝ πＤＸｔ’ Ｘ ａ Ｘ５ｉｎ
Ｏ−−■この０式に０式を代入して 倒し、Ｄ：放射光透過薄膜の口径 又、薄膜（１）外周部の厚みｔ′は、 ｔ’ ＝ｔ−ｃｏｓ（１・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・■そして転写装置（
４）側の圧力をＰとして、該圧力Ｐにより薄膜（１）に
係る合力Ｆは、ｄσｍａｘ 該０式から 二〇と置けば、 ｄθ となり、 ｃｏｓ２θ＝ｏ 、−、θ＝「（＝４５°）という
ことになる。
これを上記０式に代入し、薄膜（１）の口径りと球面曲
率半径Ｒとの関係で示せば、 となるため、球面曲率半径Ｒの最適値はこの関係式から
求めることができる。
率半径Ｒとの関係で示せば、 となるため、球面曲率半径Ｒの最適値はこの関係式から
求めることができる。
尚、第５図に示すように、窓枠（２）に矩形の開口部（
２ａ）を設けて、そこに転写装置（４）側から薄膜（１
）の球面状突出面を露出せしめる窓構成の場合は、該開
口部（２ａ）の対角線の長さ Ｑを上記薄膜（１）の口
径りとして１球面曲率半径Ｒの最適値を求めれば良い。
２ａ）を設けて、そこに転写装置（４）側から薄膜（１
）の球面状突出面を露出せしめる窓構成の場合は、該開
口部（２ａ）の対角線の長さ Ｑを上記薄膜（１）の口
径りとして１球面曲率半径Ｒの最適値を求めれば良い。
更に、第２乃至第４発明は、球面状に成形された放射光
透過薄膜（１）を放射光透過窓の窓枠（２）に取付ける
場合の取付性方法を堤供するものである。
透過薄膜（１）を放射光透過窓の窓枠（２）に取付ける
場合の取付性方法を堤供するものである。
即ち、第１発明によって放射光透過薄膜（１）の形状を
球面状にすることで膜面に作用する引張り応力を低減化
できるようになったとしても、これを放射光透過窓の窓
枠（２）のクランプ部分に実際に取付ける段になって、
第１２図の従来例に示されるように、フランジ面等のよ
うな垂直面に該放射光透過薄膜（１）の端部側を挾持さ
せた場合、この放射光透過薄膜（１）はそのクランプ部
分で放射光源側に折れ曲がり、そこに曲げ応力が発生す
ることになる。そこで第２乃至第４発明はこのような球
面状にした放射光透過薄膜（１）の取付方法につき、更
に改良を加え、上述のような局所的な応力の発生を避け
、膜面全体に均一な応力（引張り応力）が掛るようにし
たものである。
球面状にすることで膜面に作用する引張り応力を低減化
できるようになったとしても、これを放射光透過窓の窓
枠（２）のクランプ部分に実際に取付ける段になって、
第１２図の従来例に示されるように、フランジ面等のよ
うな垂直面に該放射光透過薄膜（１）の端部側を挾持さ
せた場合、この放射光透過薄膜（１）はそのクランプ部
分で放射光源側に折れ曲がり、そこに曲げ応力が発生す
ることになる。そこで第２乃至第４発明はこのような球
面状にした放射光透過薄膜（１）の取付方法につき、更
に改良を加え、上述のような局所的な応力の発生を避け
、膜面全体に均一な応力（引張り応力）が掛るようにし
たものである。
第２発明の取付方法は、第６図に示すように、放射光透
過薄膜（１）をクランプする窓枠（２）につき、転写装
置（４）側にテーパ面（２０）を形成し、該テーパ面（
２０）に沿わせて放射光透過薄膜（１）の球面状突出面
を接触させ、該薄膜（１）端部側を窓枠（２）にクラン
プするようにしたものである。
過薄膜（１）をクランプする窓枠（２）につき、転写装
置（４）側にテーパ面（２０）を形成し、該テーパ面（
２０）に沿わせて放射光透過薄膜（１）の球面状突出面
を接触させ、該薄膜（１）端部側を窓枠（２）にクラン
プするようにしたものである。
第３発明の取付方法は、第７図に示すように、放射光透
過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて球面座（２１）
を窓枠（２）の転写装置（４）側に形成し、該放射光透
過薄膜（１）の端部側をこの球面座（２１）に接着せし
めている。
過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて球面座（２１）
を窓枠（２）の転写装置（４）側に形成し、該放射光透
過薄膜（１）の端部側をこの球面座（２１）に接着せし
めている。
第４発明の取付方法は、第８図に示すように、放射光透
過薄膜（１）の端部側が放射光透過窓の窓枠（２）とな
るように一体成形されて該窓枠（２）と共に放射光透過
薄膜（１）が形成されるようにしたものである。
過薄膜（１）の端部側が放射光透過窓の窓枠（２）とな
るように一体成形されて該窓枠（２）と共に放射光透過
薄膜（１）が形成されるようにしたものである。
以下、第２発明に係る放射光透過窓における放射光透過
薄膜の取付方法の実施例を示し、本発明の放射光透過窓
の具体的構成につき説明する。
薄膜の取付方法の実施例を示し、本発明の放射光透過窓
の具体的構成につき説明する。
第９図は第２発明の取付方法により放射光透過薄膜（１
）の取付けられた放射光透過窓の構成を示す縦断面図で
ある。
）の取付けられた放射光透過窓の構成を示す縦断面図で
ある。
この放射光透過薄膜（１）はベリリウム製で、蒸着法に
より球面状に成形され、しかもその膜厚が、球面状の中
央部Ｃを中心にその周りで次第に薄くなるように形成さ
れている。
より球面状に成形され、しかもその膜厚が、球面状の中
央部Ｃを中心にその周りで次第に薄くなるように形成さ
れている。
更にこの薄膜（１）の周側部は、図中Ａ、Ａ’点で接す
る球面接線方向に延出せしめられており、球面状部分と
一体的に形成された円錐台形状の放射状延出部（１ａ）
が設けられている。
る球面接線方向に延出せしめられており、球面状部分と
一体的に形成された円錐台形状の放射状延出部（１ａ）
が設けられている。
本実施例では、放射光透過窓の窓枠（２）につき、転写
装置（４）側にテーパ面（２０）を形成すると共に、該
テーパ面（２０）に前記放射状延出部（１ａ）が面接触
し、且つこの放射状延出部（１ａ）端部側が押え金具（
５０）によって窓枠（２）に固定されている。
装置（４）側にテーパ面（２０）を形成すると共に、該
テーパ面（２０）に前記放射状延出部（１ａ）が面接触
し、且つこの放射状延出部（１ａ）端部側が押え金具（
５０）によって窓枠（２）に固定されている。
このように本実施例では、放射光透過薄膜（］）の放射
光源側高真空域と転写装置（４）側チャンバ雰囲気とを
隔てている部分が、放射光源側に突出する球面状の形状
を有しているため、膜面に作用する引張り応力を小さく
でき、従ってその膜厚を薄くして放射光透過率を上げて
も問題を生じることがない。又、上述のように膜厚各部
を調整しているため、前記薄膜（１）の放射光透過位置
によって、該放射光強度に大きな差を生じることもない
。
光源側高真空域と転写装置（４）側チャンバ雰囲気とを
隔てている部分が、放射光源側に突出する球面状の形状
を有しているため、膜面に作用する引張り応力を小さく
でき、従ってその膜厚を薄くして放射光透過率を上げて
も問題を生じることがない。又、上述のように膜厚各部
を調整しているため、前記薄膜（１）の放射光透過位置
によって、該放射光強度に大きな差を生じることもない
。
更に、本実施例に示された放射光透過薄膜（１）の取付
方法によれば、球面状の該薄膜（１）の側面（本実施例
では放射状延出部（ｌａ） ）が窓枠（２）のテーパ面
（２０）に面接触し、その端部側だけが該窓枠（２）に
固定されるため、膜面には均一な引張り応力が作用する
だけで、局所的に他の応力が発生することを避けること
ができる。そればかりか、この放射光透過薄膜（１）に
は前述のように放射状延出部（１ａ）が一体的に設けら
れているため、Ａ−Ａ’点を通る膜断面積に比べＢ−Ｂ
’点を通る膜断面積の方が大きくなり、押え金具（５０
）で押えられるＢ、Ｂ’点では引張り応力が更に緩和さ
れることになる。
方法によれば、球面状の該薄膜（１）の側面（本実施例
では放射状延出部（ｌａ） ）が窓枠（２）のテーパ面
（２０）に面接触し、その端部側だけが該窓枠（２）に
固定されるため、膜面には均一な引張り応力が作用する
だけで、局所的に他の応力が発生することを避けること
ができる。そればかりか、この放射光透過薄膜（１）に
は前述のように放射状延出部（１ａ）が一体的に設けら
れているため、Ａ−Ａ’点を通る膜断面積に比べＢ−Ｂ
’点を通る膜断面積の方が大きくなり、押え金具（５０
）で押えられるＢ、Ｂ’点では引張り応力が更に緩和さ
れることになる。
第１０図は第２発明の取付方法により放射光透過薄膜（
１）の取付けられた放射光透過窓の他の実施例を示す縦
断面図である。
１）の取付けられた放射光透過窓の他の実施例を示す縦
断面図である。
本実施例では、放射光透過薄膜（１）自身の構成につき
、放射状延出部（１ａ）を設けていない点を除き、前記
実施例と同じであるので、その詳細は省略する。
、放射状延出部（１ａ）を設けていない点を除き、前記
実施例と同じであるので、その詳細は省略する。
ここでは、窓枠（２９）に形成されるテーパ面を、放射
光透過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて形成される
球面座（２０ａ）とし、該球面座（２０ａ）に薄膜（１
）の球面状突出面を面接触させており、更にその反対側
から前記曲率に合わせて形成されたＲ状面（５１ａ）を
有する裏当金（５１）を当てて、放射光透過薄膜（１）
の端部側を前記窓枠（２）に固定している。
光透過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて形成される
球面座（２０ａ）とし、該球面座（２０ａ）に薄膜（１
）の球面状突出面を面接触させており、更にその反対側
から前記曲率に合わせて形成されたＲ状面（５１ａ）を
有する裏当金（５１）を当てて、放射光透過薄膜（１）
の端部側を前記窓枠（２）に固定している。
このように、球面座（２０ａ）を設けて球面状の放射光
透過薄膜（１）をそこに接触させ、その端部側全体をそ
こに固定すれば、面接触している部分全体で放射光透過
薄膜（１）端部側周縁をクランプすることになり、該膜
面に局所的な応力を発生せずに１強力なりランプ力を得
ることができることになる。
透過薄膜（１）をそこに接触させ、その端部側全体をそ
こに固定すれば、面接触している部分全体で放射光透過
薄膜（１）端部側周縁をクランプすることになり、該膜
面に局所的な応力を発生せずに１強力なりランプ力を得
ることができることになる。
以上詳述したように本発明の構成を有する放射光透過窓
によれば、そこに取付けられる放射光透過薄膜の構造を
球面状にしたため、たとえ膜面を薄くしても、放射光源
側の高真空域と転写装置側のチャンバ内雰囲気との間の
大きな圧力差に対し十分に耐えられるようになる。その
ため、放射光透過率を高めて放射光りソグラフィのスル
ープットを向上せしめることができるようになると共に
、前記チャンバ内雰囲気の圧力を大気圧程度にしておく
ことが可能となり、減圧設備の増強の必要性がなくなる
等、優れた効果を有している。又このように放射光透過
薄膜を球面状にしても、その膜厚が薄膜中央部を中心に
その周りで次第に薄くなるように成形しであるため、平
行な放射光が膜中を透過する時の減衰率はどの膜位置に
おいても同じになり。
によれば、そこに取付けられる放射光透過薄膜の構造を
球面状にしたため、たとえ膜面を薄くしても、放射光源
側の高真空域と転写装置側のチャンバ内雰囲気との間の
大きな圧力差に対し十分に耐えられるようになる。その
ため、放射光透過率を高めて放射光りソグラフィのスル
ープットを向上せしめることができるようになると共に
、前記チャンバ内雰囲気の圧力を大気圧程度にしておく
ことが可能となり、減圧設備の増強の必要性がなくなる
等、優れた効果を有している。又このように放射光透過
薄膜を球面状にしても、その膜厚が薄膜中央部を中心に
その周りで次第に薄くなるように成形しであるため、平
行な放射光が膜中を透過する時の減衰率はどの膜位置に
おいても同じになり。
その結果、透過した放射光の強度はどの位置においても
略等しくなる。
略等しくなる。
更に、第２乃至第４の放射光透過薄膜の取付方法によれ
ば、局所的な応力の発生を避けながら、球面状の放射光
透過薄膜を放射光透過窓の窓枠に取付けることができ、
そのため薄膜クランプ部での破断等を防止することが可
能となる。
ば、局所的な応力の発生を避けながら、球面状の放射光
透過薄膜を放射光透過窓の窓枠に取付けることができ、
そのため薄膜クランプ部での破断等を防止することが可
能となる。
第１図は本発明の基本構成を示す断面図、第２図は放射
光透過薄膜の膜厚と放射光透過距離の関係を示す説明図
、第３図は放射光透過薄膜の最適膜面形状を示す断面図
、第４図は放射光透過薄膜の球面曲率半径の最適値を求
めるために便宜的にその膜面形状を示した断面図、第５
図は窓枠の矩形開口部に球面状の放射光透過薄膜を露出
せしめてそこに取付けた状態を示す斜視図、第６図は第
２発明に係る放射光透過薄膜の取付方法を示す説明図、
第７図は第３発明に係る放射光透過薄膜の取付方法を示
す説明図、第８図は第４発明に係る放射光透過薄膜の取
付方法を示す説明図、第９図は第２発明方法により球面
状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓の一実
施例を示す断面図、第１０図は同じく第２発明法により
球面状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓の
他の実施例を示す断面図、第１１図はシンクロトロン放
射光を用いたＸ線リソグラフィの概略を示す説明図、第
１２図は従来の放射光透過窓の構造を示す断面図である
。 図中、（１）は放射光透過薄膜、（２）は窓枠、（２０
）はテーパ面、（２０ａ） （２１）は球面座、（３）
はビームライン、（４）は転写装置を各示す。 １！ＩＦｉＡ 第 ４ 図 第 図 第 １１ 図 第 ２ 図 ？ｎ ０ 手続補正書 平成元年１０月ｌｂ日
光透過薄膜の膜厚と放射光透過距離の関係を示す説明図
、第３図は放射光透過薄膜の最適膜面形状を示す断面図
、第４図は放射光透過薄膜の球面曲率半径の最適値を求
めるために便宜的にその膜面形状を示した断面図、第５
図は窓枠の矩形開口部に球面状の放射光透過薄膜を露出
せしめてそこに取付けた状態を示す斜視図、第６図は第
２発明に係る放射光透過薄膜の取付方法を示す説明図、
第７図は第３発明に係る放射光透過薄膜の取付方法を示
す説明図、第８図は第４発明に係る放射光透過薄膜の取
付方法を示す説明図、第９図は第２発明方法により球面
状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓の一実
施例を示す断面図、第１０図は同じく第２発明法により
球面状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓の
他の実施例を示す断面図、第１１図はシンクロトロン放
射光を用いたＸ線リソグラフィの概略を示す説明図、第
１２図は従来の放射光透過窓の構造を示す断面図である
。 図中、（１）は放射光透過薄膜、（２）は窓枠、（２０
）はテーパ面、（２０ａ） （２１）は球面座、（３）
はビームライン、（４）は転写装置を各示す。 １！ＩＦｉＡ 第 ４ 図 第 図 第 １１ 図 第 ２ 図 ？ｎ ０ 手続補正書 平成元年１０月ｌｂ日
Claims (8)
- （１）放射光源側からシンクロトロン放射光を取り出す
ビームラインと転写装置との間に設置され、放射光源側
の高真空域と転写装置側のチャンバ雰囲気とを隔て且つ
該シンクロトロン放射光を透過せしめる放射光透過薄膜
が設けられた放射光透過窓において、該放射光透過薄膜
を放射光源側に突出する球面状にすると共に、この放射
光透過薄膜の球面状の中央部を中心にその周りで膜厚が
次第に薄くなるように成形したことを特徴とする放射光
透過窓。 - （２）前項記載の放射光透過窓において、放射光透過薄
膜の球面内側曲率半径と外側曲率半径を同一にすると共
に、これらの曲率半径中心点を同一線上で偏心せしめ、
該放射光透過薄膜の球面状の中央部を中心にその周りで
膜厚が次第に薄くなるように成形したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の放射光透過窓。 - （３）特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の放射光透
過窓において、放射光透過薄膜の口径Ｄに対し、該薄膜
の球面曲率半径Ｒが下式 を満たすことを条件として、放射光透過薄膜を球面状に
成形することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
２項記載の放射光透過窓。 ▲数式、化学式、表等があります▼ - （４）特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の球面状放
射光透過薄膜を放射光透過窓に取付ける場合に、該放射
光透過窓の窓枠につき、転写装置側にテーパ面を形成し
、前記放射光透過薄膜の球面状突出面を該テーパ面に接
触させて、この放射光透過薄膜の端部側を前記窓枠に固
定することを特徴とする放射光透過窓における放射光透
過薄膜の取付方法。 - （５）前項記載の放射光透過窓における放射光透過薄膜
の取付方法において、放射光透過薄膜の周側部をその球
面接線方向に延出せしめて放射状延出部を設けると共に
、この放射状延出部をテーパ面に接触せしめ、且つ放射
状延出部の端部側を窓枠に固定することを特徴とする特
許請求の範囲第４項記載の放射光透過窓における放射光
透過薄膜の取付方法。 - （６）特許請求の範囲第４項記載の放射光透過窓におけ
る放射光透過薄膜の取付方法において、該放射光透過窓
の窓枠につき、転写装置側に形成されるテーパ面を、放
射光透過薄膜の球面状の曲率に合わせて形成される球面
座とし、該放射光透過薄膜の球面状突出面をこの球面座
に接触させると共に、その反対側から前記曲率に合わせ
て形成されたＲ状面を有する 裏当金を当ててこの放射光透過薄膜の端部側を前記窓枠
に固定することを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法。 - （７）特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の球面状放
射光透過薄膜を放射光透過窓に取付ける場合に、該放射
光透過窓の窓枠につき、転写装置側に、放射光透過薄膜
の球面状の曲率に合わせて球面座を形成し、該放射光透
過薄膜の端部側をこの球面座に接着せしめることを特徴
とする放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法
。 - （８）特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の球面状放
射光透過薄膜を放射光透過窓に取付ける場合に、該放射
光透過薄膜の端部側が放射光透過窓の窓枠となるように
一体成形されて該窓枠と共に形成されたことを特徴とす
る放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244992A JPH0834132B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244992A JPH0834132B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108699A true JPH03108699A (ja) | 1991-05-08 |
| JPH0834132B2 JPH0834132B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17126971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244992A Expired - Lifetime JPH0834132B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834132B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065200U (ja) * | 1991-12-12 | 1994-01-21 | 石川島播磨重工業株式会社 | シンクロトロンにおけるｓｏｒ光出射用窓装置 |
| US6289077B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1244992A patent/JPH0834132B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065200U (ja) * | 1991-12-12 | 1994-01-21 | 石川島播磨重工業株式会社 | シンクロトロンにおけるｓｏｒ光出射用窓装置 |
| US6289077B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
| US6289076B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
| US6295334B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-09-25 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834132B2 (ja) | 1996-03-29 |
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