JPH0311358A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関するものであり、特にプリ
ンタ、複写機等に有効に用いることができ、半導体レー
ザ光及ＬＥＤに対して高感度を示す電、子写真感光体に
関するものである。

〔従来技術〕

電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜鉛、
硫化カドミウム等の無機光導電物質を主成分とする感光
層を設けた無機感光体が広く使用されてきＩ；が、この
ような無機感光体は例えば、セレンは熱や指紋の汚れ等
によって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化カ
ドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛も又耐久性
に劣る等の問題があって、近年は種々の利点を有する有
機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるよう
になってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電変
換の量子効率が高く、又近赤外線領域まで高い分光感度
を示すため、特に半導体レーザ光源に適応する電子写真
感光体用として注目されてきｊこ　。

そのような目的に対して、銅フタロシアニン、無金属フ
タロシアニン、クロルインジウム７タロシアニン、クロ
ルガリウムフタロシアニンなどを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えば特開昭６１−２３９２
４８号、同６２−６７０９４３号、同６２−２７２２７
２号、同６３−１１６１５８号のようにチタニルフタロ
シアニンを用いた電子写真感光体が多く技術開示されて
いる。

一般に、フタロシアニン化合物は、フタロジニトリルや
１．３−ジイミノイソインドリンなどと金属化合物を反
応させて製造されるが、電子写真感光体用のチタニルフ
タロシアニンの製造においては、反応性の点で専ら四塩
化チタンが原料として用いられてきた。例えば、チタニ
ルフタロシアニンに構造の類似したバナジルフタロシア
ニンの製造においては塩化バナジルや、バナジルアセチ
ルアセトネイトなどが原料として使用可能であるが、チ
タニルフタロシアニンの製造においてはチタニルアセチ
ルアセトネイトを原料として用いると収率が著しく低下
し、純度もまた低下する。このため、電子写真感光体用
のチタニル７りロシアニンの製造法としては、上述の特
開昭６１〜２３９２４８号、同６２−６７０９４３号、
同６２−２７２２７２号、同６３−１１６１５８号の他
にも、特開昭６１−１７１７７１号、同６１−１０９０
５６号、同５９−１６６９５９号、同６２−２５６８６
８号、同６２−２５６８６６号、同６２−２５６８６７
号、同６３−８０２６３号、同６２−２８６０５９号、
同６３３６６号、同６３−３７１６３号、同６２−１３
４６５１号に開示されているがこれらの全ての場合にお
いて四塩化チタンを用いた方法がとられている。

〔発明が解決しよとする問題点〕

前記のようなチタン塩化物を原料に用いた場合には、７
りロシアニン核の塩素反応が伴われる。

その上従来の製造法においては１８０°Ｃ以上の高温度
条件を必要とするために塩素化の副反応を促進する原因
ともなっている。このため従来のチタニル７りロシアニ
ンには、かなりの量の塩素化チタニル７０シアニンの含
有は避けられず、又−旦混入した塩素化チタニルフタロ
シアニンは無置換のチタニルフタロシアニンと物理的、
化学的な特性が類似しているため、再結晶や昇華精製に
よってさえ殆ど除去不能であり、従来、電子写真感光体
に用いられていたチタニルフタロシアニンは塩素化合物
を含んだものであった。例えば上述の公開公報に開示さ
れたチタニル７りロシアニンの製造例における塩素含有
量の実測値を挙げると表１の表１ て注）Ｍ”−６１０は一塩素化チタニル７夕口シアニン
に対応する。

このように従来のチタニル７りロシアニンにおいてはＱ
、４ｗｔ％程度の塩素の含有は避けられないものであっ
た。塩素原子としての０．４ｖｔ％という値は、−塩素
化チタニルフタロシアニン濃度に換算すると７．９ｗｔ
％（６，６モル％）の含有量に相当するものであり、不
純物濃度としては非常に高い値である。

一方、フタロシアニン化合物の電子写真特性は、その結
晶状態によって著しく異なり、チタニルフタロシアニン
においても特定の結晶型を有するとぎに優れた特性が得
られることが知られている。

このうよに構造敏感な性質を持つ電子写真材料において
、不純物の存在は構造的な欠陥部位を導入することにな
り、特定の結晶型の持つ優れた電子写真特性を損わせる
原因となるものである。

そのような点に関して、我々は高純度のチタニルフタロ
シアニンを得るべく鋭意検討を行った結果、塩素化反応
を伴わない製造法を適用することに成功し、そうして得
られた塩素含有量り少ないチタニルフタロシアニンを特
定の結晶構造にすることによって、優れた電子写真感光
体を作成することができたものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さく、
電位特性が安定な優れた電子写真感光体を提供すること
にある。

本発明の他の目的は、特に電位保持能に優れ、帯電電位
の安定した電子写真感光体を提供することにある。

〔発明の構成及び作用効果〕

本発明の上記の目的は、Ｃｕ−Ｋａ線に対するＸ線回折
スペクトルがブラッグ角２θの９．３６±０．２６．１
０．６゜±０．２゜、１３．２゜±０．２゜、１５．１
゜±０．２゜、２０．８゜±０．２゜、２３．３゜±０
．２゜、２６．３゜±０．２’にピークを示す結晶型を
有し、かつ塩素の含有量がＱ、２ｗｔ％以下、好ましく
は０．１ｗｔ％以下のチタニルフタロシアニンを感光層
中に含有させることによって達成することができる。

Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定され、前記ピーク
とは、ノイズと明瞭に異なった鋭角の突出部のことであ
る。

Ｘ線管球　　　　　Ｃｕ 電　　圧　　　　　　　　　　４０．ＯＫＶ電　　流　
　　　　　　　　１００　　　　　　　　　　　　ｍＡ
スタート角度　　　６．Ｏｄｅｇ。

ストップ角度　　　３５−Ｏｄｅｇ。

ステップ角度　　　　０．０２　　　　　　ｄｅｇ。

測定時間　　　　　０．５０　　　　　　ｓｅｃ。

塩素含有量は通常の元素分析測定によっても決定される
が、三菱化成社製塩素・硫黄分析装置ｒＴＳＸ−ＩＯＪ
を用いた元素分析によって決定することもできる。

本発明において最も望ましい塩素含有量としては、これ
らの測定方法において、検出限界以下となるものである
。

本発明のチタニルフタロシアニンは下記一般式ＣＩ）で
表されるチタン化合物を用いることによって、塩素化を
伴わずに、高純度で製造することが一般式（Ｉ） 式中、Ｘ、、　Ｘ、、Ｘ３、Ｘ、は−ＯＲ，、−５Ｒ２
、−０ＳＯｚＲｓ１ −ｐ−０Ｒ４を表す。

ＯＲ。

ここで、Ｒ１−Ｒ５は水素原子、アルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、アラルキル基、アリール基、アリロ
イル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基を
有してもよい。又Ｘ　Ｉ””　Ｘ　４は任意の組合せに
よって結合し、環を形成してもよい。

Ｙは、配位子を表し、ｎは０％１，２を表す。なかでも
特にＸ、−Ｘ、が−ＯＲ，であるものは、反応性や、取
扱い易さ、価格などの点で、望ましいものとして挙げる
ことができる。

製造方法としては種々の反応形式が可能であるが、代表
的な方法として、次の反応式で表される方法が用いられ
る。

式中Ｒ１〜Ｒ１，は、水素原子もしくは置換基を表す。

本発明におけるこのような製造方法においては活性な塩
素の攻撃を受けることがないので、フタロシアニン核の
塩素化を完全に回避することができる。又従来の四塩化
チタンを用いる方法に比べて反応性が高く、より穏やか
な環境下で反応を進行させることがでるため製造条件に
とって有利であるばかりでなく、副反応を防止し不純物
を最小に抑えることができるもである。

本反応において有用なチタン化合物の具体例を次に示す
。

（１）　　　（ＣａＨ＊０）ａＴｉ （２）　　　（ｉ　　ＣＪアＯ）、Ｔｉ（３）　　　Ｃ
ｃ、Ｈｓｏ）、ｒｉ （４）　　　（ｔ　−ｃ＊ｎ、ｏ）４Ｔ＝（５）　　　
（ＣＩａＨｓｙＯ）ａＴｉ（６’）　　　（ＣＩＨ７０
）４Ｔｉ （７）　　　（ｉ　　ＣｚＨｙＯ）ｚＴｉ（ＣＨｓＣＯ
ＣＨＣＯＣ［（ｘ）２（８）　　　（ＨＯＣＯＣＨＯ）
ｘＴｉ（ＯＨ）ｘＣＨ。

（１０）　　　　（ＣＪＩ　ｙＯ）４Ｔｉ　［Ｐ（ＯＣ
ｓＨｙ）＊］　ｘＨ ＣＨ３ 反応の溶媒としては種々のものを用いることが可能であ
る。例えばジオキサン、シクロヘキサン、スルホラン、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、メチルペンタノン等の脂肪族溶媒、ク
ロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ブロムベンゼン、ニ
トロベンゼン、クロルナフタレン、テトラリン、ピリジ
ン、キノリン等の芳香族溶媒などが代表的なものとして
挙げられるが、高純度の生成物を得るためには、チタニ
ルフタロシアニンに対しである程度の溶解性を持つもの
が望ましい。

反応温度は、チタンカップリング剤の種類によって異な
るが、だいたい１０Ｇ−１８０’ｏで行うことができる
。この点でも従来の反応が１８０〜２４０　’Ｃという
高温を必要としていたのに対して、副反応防止という観
点から有利である。

こうして得られた高純度のチタニルフタロシアニンは適
当な溶媒で処理することによって、目的の結晶型を得る
ことができが、処理に用いられる装置としては一般的な
撹拌装置の他に、ホモミキサー　ディスバイザ、アジタ
ー、或いはボールミル、サンドミル、アトライタ等を用
いることができる。

本発明の電子写真感光体において、上記のチタニル７り
ロシアニンはキャリア発生物質として用いられるが、そ
の他に、他のキャリア発生物質を併用してもよい。その
ようなキャリア発生物質としては本発明とは結晶型にお
いて異なるチタニル７りロシアニンをはじめ、他のフタ
ロシアニン顔料、アゾ顔料、アントラキノン顔料、ペリ
レン顔料、多環キノン顔料、スクェアリウム顔料等が挙
げられる。

本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、種
々のものが使用できるが、代表的なものとしては例えば
、オキサゾール、オキサジアゾール、チタノール、チア
ジアゾール、イミダゾール等に代表される含窒素複素環
核及びその縮合環核を有する化合物、ボリアリールアル
カン系の化合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化
合物、トリアリールアミン系化合物、スチリル系化合物
、スチリルトリフェニルアミン系化合物、β−フェニル
スチリルトリフェニルアミン系化合物、ブタジェン系化
合物、ヘキサトリエン系化合物、カルバゾール系化合物
、縮合多環系化合物等が挙げられる。これらのキャリア
輸送物質の具体例としては、例えば特開昭６１−１０７
３５６号に記載のキャリア輸送物質を挙げることができ
るが、特に代表的なものの構造を次に示す。

−１ −２ −６− −７− −８ −５ −９ Ｔ−１０ Ｔ−１４ −１１ −１５ −１３ −１７ Ｃ，Ｈ。

−１８ −１９ 感光体の構成は種々の形態が知られている。本発明の感
光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが、積層をも
しくは分散型の機能分離型感光体とするのが望ましい。

この場合、通常は第１図から第０ｒＸＪのような構成と
なる。第１図に示す層構成は、導電性支持体ｌ上にキャ
リア発生層２を形成し、これにキャリア輸送層３を積層
して感光層４を形成したものであり、第２図はこれらの
キャリア発生層２とキャリア輸送層３を逆にした感光層
４′を形成したものである。第３図は第１因の層構成の
感光層４と導電性支持体ｌの間に中間層５を設け、第４
ＦＭは第２図の層構成の感光層４′と導電性支持体ｌと
の間に中間層５を設けたものである。第５図の層構成は
キャリア発生物質６とキャリア輸送物質７を含有する感
光層４“を形成したものであり、第６図はこのような感
光層４＃と導電性支持体ｌとの間に中間層５を設けたも
のである。

第１図〜第６図の構成において、最表層には、更に、保
護層を設けることができる。

感光層の形成においては、キャリア発生物質或はキャリ
ア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤ととも
に溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。しかし
又、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、その
ような場合キャリア発生物質を超音波分散機、ボールミ
ル、サンドミル、ホモミキサー等の分散装置を用いて適
当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方法が有
効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液中に添
加して用いられるのが通常である。

感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒としては広く
任意のものを用いることができる。例えば、ブチルアミ
ン、エチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、エチレン
グリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレン、ア
セトフェノン、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、トリクロルエタン、メタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等が挙げられる。

キャリア発生層もしくはキャリア輸送層の形成にバイン
ダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶこ
とができるが、特に疎水性でかつフィルム形成能を有す
る高分子重合体が望ましい。

このような重合体としては例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

ポリカーボネート、ポリカーボネートＺ樹脂、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、スチレン−ブタジェン共重合体
、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルホルマール、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルカルバ
ゾール、スチレン−アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、
シリコーン−アルキッド樹脂、ポリエステル、フェノー
ル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体。

バインダに対するキャリア発生物質の割合は１０〜６０
０ｗｔ％が望ましく、更には５０〜４００ｖｔ％が好ま
しい。バインダに対するキャリア輸送物質の割合はｌＯ
〜５００ｖｔ％とするのが望ましい。キャリア発生層の
厚さは、０．０１〜２０μ■とされるが、更には０．０
５〜５μｍが好ましい。キャリア輸送層の厚みはｌ−１
００μｍであるが、更には５〜３０μ■が好ましい。

上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、或いは反
復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質を
含有させることができる。このような電子受容性物質と
しては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム
無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸
、テトラブロム無水７タル酸、３−ニトロ無水７タル酸
、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水
メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、０−ジニトロベンゼン、鵬−ジニトロベンゼ
ン、１．３．５−）ジニトロベンゼン、ｐ−ニトロベン
ゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、クロラニル、ジクロルジシアノ−ｐ−ベ
ンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン
、Ｆｙルオレニリデンマロノジニトリル、ポリニトロ−
９−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピクリン酸、
０−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３，５−ジ
ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロ
サリチル酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、
メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げ
ることができる。電子受容性物質の添加割合はキャリア
発生物質の重量１００に対して０．０１〜２００ｖｔ／
ｖｔが望ましく、更には０．１〜１００ｖｔ／ｗｔが好
ましい。

又、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存性を
向上させ−る目的で酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止
剤を含有させることができる。そのような目的に用いら
れる化合物としては例えば、トコロ７エロール等のクロ
マノール誘導体及［ソのエーテル化化合物もしくはエス
テル化化合物、ボリアリールアルカン化合物、ハイドロ
キノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベ
ンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオ
エーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステル
、フェニレンジアミン誘導体、フェノール化合物、ヒン
ダードフェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミ
ン化合物、ヒンダードアミン化合物、などが有効である
。特、に有効な化合物の具体例としては、ｒｌＲＧＡＮ
ＯＸ　ｌ０ＩＯＪ、　ｒｌＲＧＡＮＯＸ５６５Ｊ（チバ
・ガイギー社製）、「スミライザーＢＨＴＪ　。

「スミライザーＭＤＰＪ　（住友化学工業社製）等のヒ
ンダードフェノール化合物、「サノールＬＳ−２６２６
Ｊ　。

［サノールＬＳ−６２２ＬＤＪ　（三共社製）等のヒン
ダードアミン化合物が挙げられる。

中間層、保護層等に用いられるバインダとしては、上記
のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたものを
用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−無
水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸ビニル−メタク
リル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ホリビニルアルコ
ール、セルロース誘導体等が有効である。又、メラミン
、エポキシ、インシアネート等の熟硬化或いは化学的硬
化を利用した硬化型のバインダを用いることができる。

導電性支持体としては、金属板、金属ドラムが用いられ
る他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性化合
物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の薄層
を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラスチ
ックフィルムなどの基体の上に設けたものを用いること
ができる。

本発明の感光体は以上のような構成であって、以下の実
施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰返
し特性に優れたものである。

〔実施例〕

次に本発明における具体的な実施例を示す。

合成例１ １．３−ジイミノイソインドリン；　２９．２ｇとスル
ホラン；　２００！ＩＱを混合し、チタニウムトライソ
プロポキシド；　１７．Ｏｇを加え、窒素雰囲気下に１
４０℃で２時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し
、クロロホルムで洗浄、２％−塩酸水溶液で洗浄、水洗
、メタノール洗浄して、乾燥の後２５．５ｇ（８８，５
％）のチタニルフタロシアニンを得た。元素分析法にお
いて塩素は検出限界以下であった。

生成物は２０倍量の濃硫憩に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取、乾燥後に０−ジクロルベンゼ
ンで処理して第７図に示すＸ線回折スペクトルをもつ結
晶型とした。

合成例２ １．３−ジイミノイソインドリン；　２９．２ｇとα−
クロルナフタレン；２００１１１２を混合し、チタニウ
ムテトラブトキシド；　２０．４ｇを加えて窒素雰囲気
下に１４０〜１５０　’Ｃ！で２時間加熱し、続いて１
８０℃で３時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し
、スルホランで洗浄、次いでクロロホルムで洗浄し、更
に２％−塩酸水溶液で洗浄、水洗、最後にメタノール洗
浄して、乾燥の後２６．２ｇ（９１，０％）のチタニル
フタロシアニンを得た。元素分析における塩素含有量の
値は０．０θｗｔ％であった。

合成例３ 合成例１で得たチタニル７りａシアニン；　１．２ｇと
後述の比較合成例１で得たチタニルフタロシアニン；　
０．８ｇを４０ｇの濃硫酸に溶かし、４００ｇの水にあ
けて析出させて濾取、乾燥後に０−ジクロルベンゼンで
処理して、塩素含有量０．１９ｆｔ％の本発明のチタニ
ルフタロシアニンを得た。

比較合成例（１） フタロジニトリル；　２５．６ｇとσ−クロルナフタレ
ン；　１５０ｍＱの混合物中に窒素気流下で（ｉ、５ｍ
Ｑの四塩化チタンを滴下し、２００〜２２０℃の温度で
５時間反応させた。析出物を濾取し、σ−クロルナフタ
レンで洗浄した後、クロロホルムで洗浄し、続いてメタ
ノールで洗浄した。次いでアンモニア水中で還流して加
水分解を完結させた後、水洗、メタノール洗浄し乾燥の
後、チタニルフタロシアニン；２１．８ｇ（７５，６％
）を得た。元素分析による塩素の含有量は０゜４ｆｉｗ
ｔ％であった。

生成物は１０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取、乾燥後にＮ−メチルピロリド
ンで処理して第９図に示すＸ線回折スペクトルをもつ結
晶型とした。

比較合成例（２） 合成例１で得たチタニル７りロシアニン；　０．６ｇと
比較合成例〔Ｉ〕で得たチタニル７りロシアニン；　１
．４ｇを４０ｇの濃硫酸に溶かし、４００ｇの水にあけ
て析出させて濾取乾燥後にＮ−メチルピロリドンで処理
して、第１θ図に示すＸ線回折スペクトルをもつ結晶型
とした。この場合の元素分析による塩素含有量は０．３
１ｆｔ％であった。

比較合成例（３） フタロジニトリル；　２５．６ｇに代えて、７りロジニ
トリル；　２４．７ｇと４−クロル７タロジニトリル；
１．０ｇの混合物を用いた他は比較合成例１と同様にし
て、塩素含有量１．１４ｖｔ％の比較用のチタニル７り
ロシアニンを得た。

実施例１ 合成例１において得られた第７図のＸ線回折パターンを
有するチタニルフタロシアニン：１部、バインダ樹脂と
してポリビニルブチラール「エスレックＢＬＳＪ　（覆
水化学社製）　；　０．５部、分散媒としてインプロパ
ツール：１００部をサンドミルを用いて分散し、これを
アルミニウムを蒸着したポリエステルベース上にワイヤ
バーを用いて塗布して、膜厚０．２μ醜のキャリア発生
層を形成した、次いで、キャリア輸送物質Ｔ−１；１部
とポリカーボネート樹脂「ニーピロンＺ２００Ｊ　（三
菱瓦斯化学社製）；１−３部、及び添加剤として、「サ
ノールＬＳ−２６２６Ｊ（三基社製）０．０３部、微量
のシリコーンオイルｒＫＦ−５４Ｊ（信越化学社製）を
、■、２−ジクロルエタン、　１０部に溶解した液をブ
レード塗布機を用いて塗布し乾燥した後、膜厚２０μｍ
のキャリア輸送層を形成した。

このようにして得られた感光体をサンプルｌとする。

実施例２ 合成例２で得た第８図のチタニルフタロシアニン；目Ｌ
バインダ樹脂としてシリコーン変性樹脂ｒ　ＫＲ−５２
４０Ｊ　（信越化学社製）；１部、分散媒としてメチル
エチルケトン；１００部を超音波分散装置を用いて分散
した。一方、アルミニウムを蒸着したポリエステルベー
ス上にポリアミド樹脂ｒＣＭ８０００Ｊ　（東し社製）
からなる厚さ０．２μ−の中間層を設け、その上に、先
に得られた分散液を浸漬塗布法によって塗布して、膜厚
０．３μｍのキャリア発生層を形成した。次いでキャリ
ア輸送物質Ｔ−５；　１部とポリカーボネート樹脂［パ
ンライト　Ｋ−１３００Ｊ（音大化成社製）；１．３部
及び微量のシリコーンオイルｒＫＦ−５４Ｘ信越化学社
製）を１．２−ジクロエタン；１０部に溶解した液を浸
漬塗布法によって塗布して、乾燥の後、膜厚２０μｌの
キャリア輸送層を形成しＩこ　。

このようにして得られた感光体をサンプル２とする。

実施例３ 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
合成例３で得たチタニルフタロシアニンに代えた他は実
施例２と同様にして感光体を作成した。これをサンプル
３とする。

比較例（１） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例〔Ｉ〕で得た、第９図のＸ線回折パターンを
持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施例
１と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サン
プル（１）とする。

比較例（２） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（２）で得た、第１０図のＸ線回折パターン
を持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施
例２と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サ
ンプル（２）とする。

比較例（３） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（３）で得た、比較用のチタニルフタロシア
ニンに代えた他は実施例２と同様にして比較用の感光体
を得た。これを比較サンプル（３）とする。

（評価１） 以上のようにして得られたサンプルは、ペーパアナライ
ザＥＰＡ−８１００（川口電気社製）を用いて、以下の
ような評価を行った。まず、−８０μＡの条件で５秒間
のコロナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Ｖａ及び５秒
間放置後の表面電位Ｖｉを求め、続いて表面照度が２　
（１ｕｘ）となるような露光を行い、表面電位を１／２
Ｖｉとするのに必要な露光量Ｅ１７．を求めた。又Ｄ−
１００（Ｖａ−Ｖｉ）／　Ｖａ（％　）（７）　式ヨ’
Ｊ　ｔｔｉ　Ｋ衰率りを求めた。結果は表１に示した。

塩素含有量の低下により特に電位保持能に優れた特性が
得られる。

（評価２） 得られたサンプルまたは、プリンタＬＰ−３０１０（コ
二カ社製）に半導体レーザ光源を装置した改造機を用い
て評価した。未露光部電位ＶＨ１露光部電位ＶＬを求め
、更に１万回の繰返しにおけるＶＨの低下量ΔＶＨを求
めた。結果は表１に示した。

表１ ３・・・キャリア輸送層 ５・・・中間層 ４．４　′

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルが、ブ
   ラッグ角２θの９．３゜±０．２゜、１０．６゜±０．
   ２゜、１３．２゜±０．２゜、１５．１゜±０．２゜、
   ２０．８゜±０．２゜、２６．３゜±０．２゜にピーク
   を持つ結晶型において、塩素含有量が０．２重量％以下
   のチタニルフタロシアニンを含有してなる電子写真感光
   体。
2. （２）前記チタニルフタロシアニンが、下記一般式〔
   I 〕で表されるチタン化合物を用いる方法によって製造
   された請求項１に記載の電子写真感光体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、Ｘ＿４は−ＯＲ＿１
   、−ＳＲ＿２、−ＯＳＯ＿２Ｒ＿３▲数式、化学式、表
   等があります▼を表す。 ここでＲ＿１〜Ｒ＿５は、水素原子、アルキル基、アル
   ケニル基、アリール基、アラキル基、アシール基、アリ
   ロイル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基
   を有していてもよい。又、Ｘ＿１〜Ｘ＿４は任意の組合
   わせによって結合し、環を結成してもよい。Ｙは配位子
   を表し、ｎは０、１、２を表す。〕
3. （３）前記チタニルフタロシアニンがキャリア発生物質
   として用いられる請求項１又は２のいづれかに記載の電
   子写真感光体。