JPH03113706A - 配線形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、基板上に配線を形成する方法に関し、特に、
薄膜磁気ヘッド（記録ヘッド）の上部ヨーク形成に適し
た方法に関する。

〈従来の技術〉 基板等への配線形成方法としては、一般に、配線形成部
以外の場所にあらかじめレジスト膜をつけておき、その
上に金属膜を付着させた後、レジスト膜の除去とともに
配線形成部以外の金属膜を除去してパターンを形成する
、いわゆるリフトオフ法があり、薄膜磁気ヘッドの上部
ヨーク形成においても、この方法が採用されている。

薄膜磁気ヘッドの上部ヨーク形成等においては、基板等
への金属膜の密着性を向上させるため、基板を所定温度
に加熱することがなされており、その基板温度上昇に対
する耐熱性を考慮して、リフトオフのレジスト材として
、従来、ポリイミド樹脂が用いられている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、レジスト材としてポリイミド樹脂を用いた従
来のリフトオフ法によれば、以下に列記する問題がある
。

■Ｏｚアッシャー等によるポリイミド樹脂のエツチング
に相当の時間を要する。

■例えば、膜厚１０ｕｍ以上の配線形成を容易に行うに
は、ポリイミド樹脂の膜厚を３０μｍ以上にしなければ
ならず、このため、ボリイミド樹脂層を形成するのに多
くの時間を要する。

■ポリイミド樹脂層が、基板の絶縁層（Ｓｉｎ。

Ｓ　ｉ　Ｏｚ　　Ｓ　ｔ　３　Ｎ　ｍ等）上に直接に形
成されるため、０２アッシャ−等によるエツチングでは
、絶縁層上にポリイミド樹脂の残渣が残り易く、後のパ
ッシベーション膜形成工程おいて、その膜の密着性が悪
くなる。

〈課題を解決するための手段〉 上記の諸問題点を一挙に解決するために、本発明では、
実施例に対応する第１図に示すように、基板１上の配線
形成部を除く部分を、形成すべき配線とは異なる金属に
より形成された２層の金属膜４　ａ　、４　ｂ　％およ
びその金属膜４ａ、４ｂ間に挟み込まれたポリイミド樹
脂層５からなるレジスト層により被覆しくＣ）、次いで
、配線用の金属６を積層した後（ｄ）、レジスト層の各
層４ａ、５，４ｂを順次エツチングにより除去する（ｅ
）。

く作用〉 レジスト層の各層４ａ、５，４ｂの除去とともに、その
レジスト層上に積層された配線金属層６の不要な部分が
除去される。すなわち、リフトオフ法により所定パター
ンの配線を得ることができる。

ここで、ポリイミド樹脂５のエツチング前に、その上層
の金属膜４ａは除去されており、ポリイミド樹脂５のエ
ツチング時には、金属膜４ａが除去された隙間にＯ！プ
ラズマ等が入り込み、これにより、エツチング速度が増
大する。

また、ポリイミド樹脂５を２層の金属膜４ａ。

４ｂ間に挟み込むことにより、そのポリイミド樹脂５の
厚さを、形成する配線の膜厚と同程度もしくはそれ以下
とすることが可能となる。

さらにまた、基板の絶縁層に接触する金属膜４ｂは、ウ
ェットエツチング法により除去できるので、エツチング
後、充分な洗浄を行えば、絶縁層上には、金属膜４ｂの
残渣が残ることはなく、これにより、後の工程において
形成されるパッシベーション膜の密着性が良好となる。

〈実施例〉 第１図は本発明実施例の手順を説明する図であって、薄
膜磁気ヘッドの上部ヨーク形成に本発明を適用した例を
示す。

まず、（ａ）に示すように、基板１上には、先の工程に
おいて、絶縁層２および内部に導体パターン（図示せず
）を有する絶縁層３があらかじめ形成されている。この
基板１上に、蒸着あるいはスパッタリング法により、金
属膜４ａを一様に形成する。なお、金属膜４ａの材料と
しては、後述する上部ヨーク材とは異なる金属、例えば
Ａ１あるいはＣｕ等を用いる。

次に、金属膜４ａ上に、ポリイミド樹脂をスピンコード
法により一様に塗布し、硬化させることによってポリイ
ミド樹脂層５を形成し、次いで、そのポリイミド樹脂層
５上に、金属膜４ａと同種の金属を、スパッタリング法
等により一様に付着させた後、その金属膜４ｂをフォト
リソグラフィ法等によって選択的に被覆した状態で、ウ
ェットエツチングを行って、上部ヨーク形成部に相応す
る部分の金属膜４ｂを除去する（ｂ）。

次に、ポリイミド樹脂Ｊｉｉ５を、リアクティブイオン
エツチングあるいは０２プラズマにより除去し、次いで
、その下層の金属膜４ａをウェットエツチングにより除
去する（Ｃ）。このエツチング工程において、ポリイミ
ド樹脂５の除去時には、絶縁層２および３は、金属膜４
ｂにより被覆されており、絶縁層２，３の表面が、Ｏｚ
プラズマ等によって損傷を受けることはない。

そして、基板１の所定箇所に、蒸着あるいはスパッタリ
ング法等により、上部ヨーク材としてのセンダスト合金
（Ｆｅ−ＡＩ−５ｔ）製のＭ６を付着させた後（ｄ）、
金属膜４ａをウェットエツチングにより除去し、次いで
、ポリイミド樹脂層５をＯｔプラズマエツチング等によ
り除去し、さらに、金属膜４ｂをウェットエツチングに
より除去する。このとき同時にセンダスト合金製の膜６
の不要な部分が除去されて、基板１上に、（ｅ）に示す
ような形状の上部ヨーク６を得る。このエツチング工程
においても、ポリイミド樹脂５の除去時には絶縁層２は
金属膜４ｂにより被覆されており、絶縁層２表面が、０
２プラズマ等によって損傷を受けることはない。なお、
金属層４ａおよび４ｂのエッチャントとしては、センダ
スト合金に対して不活性な溶液、例えばフッ酸系の溶液
等を用いる。

第２図は、本発明の他の実施例の手順を説明する図であ
る。

この例においては、基板１上に金属膜４ａを形成した後
（ａ）、その金属膜４ａ上の所定箇所に、メツキ法によ
り金属層７を付着させる（ｂ）。この金属層７の材料と
しては、金属膜４ａと同種の金属、Ａ２あるいはＣｕ等
を用いる。

次に、先の実施例と同様に、ポリイミド樹脂層５および
金属膜４ｂを順次形成した後（Ｃ）、ポリイミド樹脂層
５を０！プラズマ等によりエツチングし、次いで、エツ
チング後のポリイミド樹脂層５をマスクとして金属層７
およびその下層の金属膜４ａをウェットエツチングによ
り除去する（ｄ）。

そして、基板１の所定箇所に、スパッタリング法等によ
り、センダスト合金製の膜６を付着させた後、先の実施
例と同様にして、金属膜４ａ、ポリイミド樹脂層５およ
び金属膜４ｂを順次エツチングにより除去することによ
って、基板１上に、（ｆ）に示す形状の上部ヨーク６を
得る。

この実施例によると、センダスト合金製の膜６とポリイ
ミド樹脂層５の下層の金属膜４ｂとは接触しないので、
その金属膜４ｂのエツチングが容易になるとともに、エ
ツチング後の上部ヨーク６と絶縁層２との隅部に金属膜
４ｂが残ることはない。

なお、本発明は、薄膜磁気ヘッドの上部ヨーク形成の他
に、例えば、多層配線板等の製造工程において、配線形
成やヴイアホール形成等に適用可能であることは勿論で
ある。

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、基本的にリフト
オフ法を採用し、そのレジスト層としてのポリイミド樹
脂の上層および下層部に、それぞれ配線材料とは異なる
金属による膜を形成したから、ポリイミド樹脂層の膜厚
を従来よりも薄くすることが可能となり、その積層時間
の短縮化をはかることができる。しかも、ポリイミド樹
脂層のエツチング速度が従来に比して速くなる結果、生
産性の向上をはかることができる。さらに、後の工程に
おいて、基板の絶縁層上に形成するバンシベーション膜
の密着性も良好となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の手順を説明する図である。 第２図は、本発明の他の実施例の手順を説明する図であ
る。 １・・・基板 ３・・・絶縁層 ４ｂ・・・金属膜 ５・・・ポリイミド樹脂層 ６・・・上部ヨーク ２゜ ４ａ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に配線を形成する方法であって、基板の配線形
   成部を除く部分を、形成すべき配線とは異なる金属によ
   り形成された２層の金属膜、およびその金属膜間に挟み
   込まれたポリイミド樹脂層からなるレジスト層により被
   覆し、次いで、配線用の金属を積層した後、上記レジス
   ト層の各層を順次エッチングにより除去することを特徴
   とする、配線形成方法。