JPH031151A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。

（従来技術） 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真用感
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。

また、上記電荷輸送材料としてジアミン誘導体を含有す
る感光体が知られている。該ジアミン誘導体の中でも特
に下記−形式ＣＩ３〜（ＩＶ）（以下余白） する電界強度依存性が小さいという特徴を有している。

従って、上記−形式［１］〜（ｌＶ）で表されるジアミ
ン誘導体を電荷輸送材料として使用した蓬光体は、高感
度で残留電位の小さなものが得られる。

（発明の目的） 本発明者等は、上記−喰式（１３〜（ＩＶ）でｉされる
ジアミン誘導体を使用した感光体におい１さらに複写プ
ロセスの繰り返しにおいても、表１電位の安定性に優れ
た感光体を提供すべく鋭意４究した結果、本発明の感光
体を完成させるに至だ。

従って、本発明の目的は感度、残留電位等のｔ子写真特
性だけでなく、さらに繰り返し安定性ζも優れた電子写
真感光体を提供することである。

（課題を解決するための手段および作用）本発明は、電
荷輸送材料として下記−形式〔■〕〜（ＪＶ） （以下余白） （式中、Ｒ１，、、Ｒ１＆は、同一または異なって、水
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す；Ｙは、水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す；ｎは１〜３
の整数を示す；ｊ！、ｍ、ｏおよびｐはＯ〜２の整数を
示す；但し、Ｒ５、ＲｂＲ？およびＲ１１は同時に水素
原子でないものとし、水素原子でない前記Ｒ３，Ｒ”、
Ｒ’およびＲ６の！！、ｍ、ｏおよびｐは、少なくとも
１つが２であるものとする）で表される化合物は、分子
の対称性がよく、光照射により異性化反応などが生じず
、光安定性に優れているだけでな（、ドリフト移動度が
大きく、しかもドリフト移動度に関で表されるジアミン
誘導体の群の中から少なくとも一種を選択して含有する
感光層を有する感光体において、 上記感光層が、下記一般式（Ｖ）で表されるヒドラゾン
系化合物、下記−形式（Ｖｌ）で表されるフルオレン系
化合物、下記−形式〔■〕で表されるｍ−フェニレンジ
アミン系化合物 （式中、Ｒ１？は水素原子またはアルキル基を示（式中
、Ｒ１８、ＲＩ９、Ｒ”およびＲＺＩは、水素原子また
はアルキル基を示す） （式中、ＲｔｔＳＲ２２、Ｒ”、ＲｚｓおよびＲ”は、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を示し、それ
ぞれフェニル基に置換しなくてもまた、置換し得る限り
何個置換してもよく、またすべての置換基は同一でも、
それぞれ互いに異なっていてもよい）よりなる群の中か
ら少なくとも一種を選択して含有することを特徴とする
電子写真感光体により上記目的を達成した。

本発明者等が鋭意研究の結果、電荷輸送材料として一般
式（１）〜（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体の中から
少なくとも一種を選択して含有する感光層を有する感光
体においては、前記−形式１’Ｖ）で表されるヒドラゾ
ン系化合物、前記−形式（ＶＩ）で表されるフルオレン
系化合物、前記−形式〔■〕で表されるｍ−フェニレン
ジアミン系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を
選択して混合させることによって、複写プロセスを繰り
返した場合においても安定した表面電位を維持できるこ
とが判明した。

（発明の好適態様） 本発明に使用される電荷輸送材料としてのジアミン誘導
体としては、前記−・形式〔１〕〜（ＩＶ）で表される
化合物が用いられる。

上記−形式ＣＩ）〜［ＩＶ）における低級アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基などの炭素数１〜６のアルキル基が例示される。

上記低級アルキル基のうち、炭素数１〜４のアルキル基
が好ましい。

また、低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒ　ｔ−
ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭
素数１〜６のアルコキシ基が例示される。上記低級アル
コキシ基のうち、炭素数１〜４のアルコキシ基が好まし
い。

また、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およ
びヨウ素原子が挙げられる。

なお、上記置換基Ｒ’　％Ｒ１＆および上記置換基Ｙは
、フェニル環またはナフチル環の任意の位置に置換して
いてもよい。

また、上記−形式（１）で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち好
ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１−（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）−４［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコベンゼン、１．４−ビス［Ｎ−（３−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコベンゼンなど
が例示され、その他に特願昭６２−２７７１５８号公報
Ｐ１３〜Ｐ２０に記載のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式ＣＩ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、４，４゛　　−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニ
ルアミノ）ジフェニル、４゜４°−ビス［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ＝フェニルアミノ］ジフェニル、４
，４°　−ビス［Ｎ−（３−メトキシフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコシフェニル、４，４”　−ビス［Ｎ−
（３クロロフエニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニ
ル、４−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］−４”　−［Ｎ−（４−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ１ジフエニル、４−　［Ｎ−（２−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　　
−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コシフェニル、３゜３゛　−ジメチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ
’　、　Ｎ’　−テトラキス−４−メチルフェニル（１
，１’　−ビフェニル）−４，４“−ジアミンなどが例
示され、その他に特願昭６２−２７７１５８号公報Ｐ２
］〜Ｐ２８に記載のジアミン誘導体が例示される。

上記一般式Ｎ）で表されるジアミン誘導体において、ｎ
＝３の４．４”−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビス（Ｎ
、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１，１°　：４’、１“−
テルフェニル、４４”−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎフェニルアミノ］−１，１’　　：４’　、１
”−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭６２
２７７１５８号公報Ｐ２８〜Ｐ３４に記載のジアミン誘
導体が例示される。

また、上記−形式（ｎ）で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、１−　［Ｎ−（３，
５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４
−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１−［Ｎ、
Ｎ−ジ（３，５−ジメチルフェニル）アミノ］　−４−
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１．４−ビス
［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコベンゼンなどが例示され、その他に特願昭６２−
２７７１５９号公報Ｐ１３〜Ｐ２１に記載のジアミン誘
導体が例示される。

上記−形式（ＩＩ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物と
しては、例えば、４，４−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニル、４．
４−ビス［Ｎ−（３゜５−ジメトキシフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコシフェニル、４，４−ビス［Ｎ−（３
，５−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフ
ェニル、４，４−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニ
ル）−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコジフェニル
、４−　［Ｎ−（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ１−４°　−［Ｎ−（３，５−ジメチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニルなどが例示
され、その他に特願昭６２−２７７１５９号公報Ｐ２１
〜Ｐ２９に記載のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式（ＩＩ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝３の４．４”−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、４，４”−ビス
［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］−１，１’　　：４′、ｌ”−テルフェニル、４
−　［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］−４”−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１
，１’：４”、１″−テルフェニル、４−［Ｎ、Ｎ−ビ
ス（３，５−ジメチルフェニル）アミノ］−４”−（Ｎ
、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１，１’　　：４°、１”
−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭６２−
２７７１５９号公報Ｐ２９〜Ｐ３６に記載のジアミン誘
導体が例示される。

また、上記−形式〔■〕で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、１．４−ビスＥＮ−
Ｃ６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコベンゼ
ン、１，４−ビス（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ
）ベンゼン、１−（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ
）−４−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニル
アミノコベンゼンなどが例示され、その他に特願昭６２
−２７７１６１号公報Ｐ１３〜Ｐ１９に記載のジアミン
誘導体が例示される。

ト記一般式（Ｉ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、４．４′　　−ビス（Ｎ−ナフチル−Ｎ
−フェニルアミノ）ジフェニル、４，４“　−ビス［Ｎ
−（６−メチルナフチル）−Ｎ〜フェニルアミノ］ジフ
ェニル、４゜４°−ビス［Ｎ−（６−メドキシナフチル
）−Ｎフェニルアミノコシフェニル、４．　４’　　−
ビス［Ｎ−（６−クロロナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノコシフェニル、４，４゛　　−ビス［Ｎ−（６−メチ
ルナフチル）−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコシ
フェニル、４−　［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノ］　−４’　　−［Ｎ−（６−メチルナ
フチル）　−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコシフ
ェニル、４−［Ｎ−（４−メチルナフチル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］−４’［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノコシフェニルなどが例示され、その他
に特願昭６２−２７７１６１号公報Ｐ１９〜Ｐ２５に記
載のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式（ＩＩＩ）で表されるジアミン誘導体におい
て、ｎ＝３の４．４“−テルフェニルジアミン誘導体の
うち、好ましい化合物としては、例えば、４，４”−ビ
ス（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）−１，１’　
　：４’、１”−テルフェニル、４．４”−ビス［Ｎ−
（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−１，
１’　　：４’、ｔ”−テルフェニルなどが例示され、
その他に特願昭６２−２７７１６１号公報Ｐ２５〜Ｐ３
０に記載のジアミン誘導体が例示される。

また、上記一般式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体に
おいて、！１＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス（
Ｎ、Ｎ−シナフチ・ルアミノ）ベンゼン、１−（Ｎ、Ｎ
−ジナフチルアミノ）−４−［Ｎ−（６−メチルナフチ
ル）−Ｎ−ナフチルアミノコベンゼン、１，４−ビス［
Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコベ
ンゼンなどが例示され、その他に特願昭６２−２７７１
６２号公報Ｐ１３〜Ｐ２２に記載のジアミン誘導体が例
示される。

上記−Ｃ式〔■〕で表されるジアミン誘導体において、
ｎ、　＝　２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合
物としては、例えば、４．４′　−ビス［Ｎ、Ｎ・−ジ
（６−メチルナフチル）アミノコシフェニル、４．４″
　−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチル
アミノコシフェニル、４゜４′−ビス［Ｎ−（６−メド
キシナフチル）−Ｎナフチルアミノ１ジフエニル、４，
４″　〜ビス［Ｎ−（６−クロロナフチル）−Ｎ−ナフ
チルアミノ１ジフエニル、ｌ−［Ｎ、Ｎ−ジ（６−メチ
ルナフチル）アミノ］　−４’　　−［Ｎ−（６−メチ
ルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコシフェニル、４−
　［Ｎ−（４−メチルナフチル）アミノ−Ｎ−ナフチル
アミノ］　−４’　　−［Ｎ−（６−メチルナフチル）
−Ｎ−ナフチルアミノコシフェニルなどが例示され、そ
の他に特願昭６２−２７７１６２号公報Ｐ２２〜Ｐ３０
に記載のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝３の４．４“−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、４，４”−ビス
（Ｎ、Ｎ−ジナフチルアミン）−１，１°　：４’、ｔ
”−テルフェニル、４４”−ビス［Ｎ−（６−メチルナ
フチル）−Ｎ−ナフチルアミノ］−１，１”　：４’、
１“−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭６
２−２７７１６２号公報Ｐ３０−Ｐ３８に記載のジアミ
ン誘導体が例示される。

上記−形式（１）〜〔■〕で表されるジアミン誘導体は
、一種または二種以上混合して用いられる。なお、上記
ジアミン誘導体は、分子の対称性がよく、光照射により
異性化反応などが生じず、光安定性に優れているだけで
なく、ドリフト移動度が大きく、しかもドリフト移動度
に関する電界強度依存性が小さい。

さらに、上記ジアミン誘導体含有する系の感光体に、前
記−形式（Ｖ）で表されるヒドラゾン系化合物、前記−
形式（Ｖｌ）で表されるフルオレン系化合物、前記−形
式〔■］で表されるｍ−フェニレンジアミン系化合物の
中から一種を選択して混合させるか、前記−形式（Ｖｌ
）で表されるフルオレン系化合物に対して、前記−形式
（Ｖｌで表されるヒドラゾン系化合物あるいは前記−形
式〔■］で表されるｍ−フェニレンジアミン系化合物を
組み合わせた二種を選択して混合させることで、複写プ
ロセスの繰り返しにおける表面電位の低下が防止され安
定した表面電位を維持することができる。

前記−形式（Ｖ）、［■〕、〔■〕におけるアルキル基
としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル基等の炭素数１〜６のアルキル基が例示される。

また、前記−形式〔■〕におけるアルコキシ基としては
、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、
ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等が例示される。また、前
記−形式〔■］におけるハロゲン原子としては、フッ素
、塩素、臭素およびヨウ素原子が挙げられる。

前記−形式（Ｖ）で表されるヒドラゾン系化合物として
は、３−カルバゾリルアルデヒドＮ、　　Ｎ−ジフェニ
ルヒドラゾン、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒ
ドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−エチル−３−カ
ルバゾリルアルデヒドＮ。

Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−プロピル−３カルバゾ
リルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−イ
ソプロピル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾン、Ｎ−ブチル−３−カルバゾリルアル
デヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−イソブチル
−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒド
ラゾン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−３−カルバゾリルアル
デヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−ペンチルー
３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラ
ゾン、Ｎ−へキシル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン等が例示されるが、中でも、
Ｎ−エチル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾンが好ましい。

前記−形式（■〕で表されるフルオレン系化合物として
は、９−カルバゾリルイミノフルオレン、９−（３−メ
チルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，６−
シメチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，
６−ジニチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（
３−エチル−６−メチルカルバゾリルイミノ）フルオレ
ン、９−（３，６−ジプロピルカルバゾリルイミノ）フ
ルオレン、１−（３，６−ジイツプロビルカルバゾリル
イミノ）フルオレン、９−（３，６−シブチルカルバゾ
リルイミノ）フルオレン、９−　（３６−ジイツブチル
カルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，６−シー
ｔｅｒｔ−ブチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９
−（３，６−ジベンチルカルバゾリルイミノ）フルオレ
ン、９−（３，６−ジヘキシルカルバゾリルイミノ）フ
ルオレン、９−（３，６−シメチルカルバゾリルイミノ
）−３−メチルフルオレン、９−（３，６−シメチルカ
ルバゾリルイミノ）−３，６−シメチルフルオレン、９
−（３，６−シメチルカルバゾリルイミノ）−３，６−
シエチルフルオレン、９−（３，６−シメチルカルバゾ
υルイミノ）−３−エチルフルオレン等が例示されるが
、中でも、９−カルバゾリルイミノフルオレンが好まし
い。

下記−形式〔■〕で表されるｍ−フェニレンジアミン系
化合物としては、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　　−テトラフェ
ニル戸１，３−フェニレンジアミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ”−テトラキス（３−トリル）−１゜３−
フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラフ
ェニル−３，５−１−リレンジアミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−３゜５−
トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ”　Ｎ　＋　　−テトラ
キス（４−トリル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（４−トリル）−３，５
−）リレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ“。

Ｎｏ−テトラキス（３−エチルフェニル）−１゜３−フ
ェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ”、Ｎ”−テトラキス（
４−プロピルフェニル）−１，３−フェニレンジアミン
、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラフェニル−５−メトキ
シ−１，３−フェニレンジアミン−Ｎ、Ｎ−ビス（３−
トリル）　−Ｎ’、Ｎ’ジフェニル−１，３−フェニレ
ンジアミン　Ｎ。

Ｎｏ−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’　　−ジフェニル
−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、　Ｎ’　　−ビス
（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’　　−ビス（３−トリフ１／
）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎｏビス（４−
トリル）−Ｎ、Ｎ’　　−ビス（３−トリル）−３，５
−１−リレンジアミン、Ｎ、　　Ｎ’　　−ビス（４−
エチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’　　−ビス（３−エチルフ
ェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、　Ｎ’　
　−ビス（４−エチルフェニル）−Ｎ。

Ｎｏ−ビス（３−エチルフェニル）−３，５−トリレン
ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（２，４
，６−ドリメチルフエニル）−１，３フエニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（２，４，６−
１−リメチルフェニル）−３゜５−トリレンジアミン、
Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（３，５−ジメチル
）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”
−テトラキス（３゜５−ジメチル）−３，５−）リレン
ジアミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ”Ｎ　ｌ−テトラキス（３，５−ジエチル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’。

Ｎ“−テトラキス（３，５−ジメチル）−３，５−トリ
レンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ”　Ｎ　ｌ　−テトラキス（
３−クロロフェニル）−１，３−フェニレンジアミン、
Ｎ、Ｎ、Ｎ”　Ｎ　Ｌ−テトラキス（３−ブロモフェニ
ル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ
’−テトラキス（３−ヨードフェニル）−１，３−フェ
ニレンジアミン、Ｎ。

Ｎ、　Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−フルオロフェニル
）−１，３−フェニレンジアミン等が例示されるが、中
でも、分子の対称性が悪いことに起因して分子間の相互
作用が小さくなり、逆に樹脂との相互作用が大きくなる
ことから極めて結晶化しにくい特性を持ち樹脂中に十分
溶解できることから、前記１０式（ＶＩ［）中ノＲ２１
，Ｒ２２、Ｒｔｓ、　Ｒｔｉを窒素原子に対してメタ位
に置換する基とした化合物、あるいはＲａｔ、Ｒｔｉを
窒素原子に対してバラ位に、Ｒｚ３、Ｒｚｓを窒素原子
に対してメタ位に置換する基とした化合物が好ましい。

具体的には、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル）−Ｎ、Ｎ’
　　−ビス（４−トリル）−１，３−フェニレンジアミ
ンである。

なお、上記各化合物は、感光体の特性等に応じて適宜量
使用することができるが、上記各化合物のうちヒドラゾ
ン系化合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジ
アミン系化合物とヒドラゾン系化合物とが９５：５乃至
９０：１０の重量比で感光層中に含有することが好まし
い。

また、上記各化合物のうちフルオレン系化合物を使用す
る場合は、電荷輸送材料としてのジアミン系化合物とフ
ルオレン系化合物とが９ｏ：ｉ。

乃至８０　：　２０の重量比で感光層中に含有すること
が好ましい。

また、上記各化合物のうちｍ−フェニレンジアミン系化
合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジアミン
系化合物とｍ−フェニレンジアミン系化合物とが７５：
２５乃至２５ニア５の重量比、特に７０：３０乃至５０
：５０の重量比で感光層中に含有することが好ましい。

すなわち、感光層中に上記重量比より少ない割合で上記
各化合物を含有すると繰り返し特性が十分でなく、上記
重量比を越えた割合で上記各化合物を含有すると繰り返
し特性は高くなるものの感度等が十分でなくなるのであ
る。

また、光照射による電荷の発生と発生した電荷の輸送と
に機能′を分離して感光層の感度などを高めるため、上
記ジアミン誘導体等は、電荷発生材料および結着樹脂と
共に使用され、導電性支持基板上に、上記電荷発生材料
とジアミン誘導体等の電荷輸送材料とが結着樹脂中に分
散された単層型の感光層が形成された感光体や、導電性
支持基板上に、上記電荷輸送材料を含有する電荷発生層
と前記ジアミン誘導体等の電荷輸送材料を含有する電荷
輸送層とが積層された複層型の感光層を有する感光体が
構成される。

上記電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−
テルル、アモルファスシリコン、ビリリウム塩、アゾ系
化合物、ジスアゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、
アンサンスロン系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ
系化合物、トリフェニルメタン系化合物、スレン系化合
物、トルイジン系化合物、ピラゾリン系化合物、キナク
リドン系化合物、ピロロピロール系化合物等、種々のも
のが使用し得るが、感度に優れ、表面電位が高く、しか
も残留電位が低い感光体を得るため、ペリレン系化合物
あるいはアンサンスロン系化合物を使用するのが好まし
い。これらの電荷発生材料は、一種または二種以上を混
合して使用される。

また、上記結着樹脂としては、種々のもの、例えば、ス
チレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリ
ル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、アイオノ
マー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキッド
樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリ
カーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジアリ
ルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニ
ルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂
や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹脂等、各種の
重合体が使用できるが、感光体の感度を高め、感光体の
耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共に結着樹脂を
溶解する溶剤の選択幅が広いポリ（４，４°　−シクロ
へキシリデンジフェニル）カーボネートが好ましい。上
記ポリ（４，４’　　−シクロヘキシリデンジフェニル
）カーボネートを用いると、従来、溶液安定性等の点か
ら、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等の塩素系溶
剤しか使用できなかったビスフェノールＡ型ポリカーボ
ネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチルエチルケ
トン等の溶剤も使用することができるので、安全衛生上
も好ましく、取扱いが容易である。なお、上記ポリ（４
，４゜−シクロへキシリデンジフェニル）カーボネート
の中でも、分子量１５０００〜２５０００、ガラス転移
点が５８℃程度のものが好ましい。

上記ジアミン誘導体等と上記電荷発生材料と上記結着樹
脂とを用いて単層型感光体を形成する場合、上記材料の
使用割合は、特に限定されず、所望する電子写真感光体
の特性等に応じて適宜選択することができるが、結着樹
脂１００重量部に対して、電荷発生材料２〜２０重量部
、好ましくは３〜１５重量部、ジアミン誘導体４０〜２
００重量部、好ましくは５０〜１００重量部使用される
。

電荷発生材料およびジアミン誘導体が上記使用量よりも
少ないと、感光体の感度が十分でないばかりか、残留電
位が大き゛くなる。また上記範囲を越えると感光体の耐
摩耗性等が十分でなくなる。

また、上記ペリレン系化合物およびアンサンスロン系化
合物が長波長側に分光感度がないことがら、本発明の電
子写真感光体を赤の分光エネルギーの大きいハロゲンラ
ンプと組み合わせた場合においてより高感度化するため
に、長波長側に分光感度を持つＸ型メタルフリーフタロ
シアニンを使用するのが好ましい。

上記Ｘ型メタルフリーフタロシアニンとしては、ブラッ
グ角度（２θ±０．２″）が７．５°、９゜１＠、１６
．７”　　　１７．３°、２２．３°に強い回折ピーク
を示すものが好ましい。上記Ｘ型メタルフリーフタロシ
アニンは、ペリレン系化合物１００重量部に対して１．
２５乃至３．７５重量部添加すると分光感度領域が長波
長側に拡大し、より感光体の感度が高くなるのである。

しかし、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系
化合物１００重量部に対して１．２５重量部以下添加し
ただけで、は、長波長側への増感効果が生じない。また
、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系化合物
１００重量部に対して３．７５重量部以上添加すると逆
に長波長側での分光感度が高（なってしまい、赤色原稿
の再現性が悪くなってしまう。

また、酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受は安い
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。

上記酸化防止剤としては、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス（
３−（３−ｔ　ｅ　ｒ　ｔ−ブチル−５−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６−ヘキ
サンシオールービス〔３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブ
チルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、ペ
ンタエリスリチル−テトラキス（３−（３，５−ジーｔ
ｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
−１−）、２．２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，
５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート）、２．２−チオビス（４−メチル−５
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、Ｎ、Ｎ・−へキサメ
チレンビス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒド
ロキシ−ヒドロシンナマミド）、１，３．５−）ジメチ
ル−２゜４．６−）リス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチ
ルー４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン等のフェノール
系酸化防止剤を例示することができるが、中でも、２，
６−シーｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−クレゾールが好ましい
。

上記各成分を用いて単層型の感光層を有する感光体を形
成する場合、感光層は、適宜の厚みを有していてもよい
が、１５〜３０μｍ、特に１８〜２７μｍの厚みを有す
るものが好ましく、上記各成分の分散液を調製し、導電
性基板に塗布すると共に、溶媒を除去することにより形
成される。また、前記複層型の感光層を有する感光体は
、前記電荷発生材料と結着樹脂等からなる厚み約１〜５
μｍの電荷発生層と、前記ジアミン誘導体とヒドラゾン
系化合物、フルオレン系化合物、ｍ−フェニレンジアミ
ン誘導体から選択される少な（とも一種の化合物と結着
樹脂とからなる厚み５〜５０μｍ、特に１０〜２０μｍ
の電荷輸送層とを導電性基板上に順次形成することによ
り得られる。尚、複層型感光体の電荷発生層は、結着樹
脂を用いることなく、電荷発生材料を蒸着、スパッタリ
ング等の手段により形成してもよい。

上記導電性基体は、導電性を有するシート状やドラム状
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理し
たものが好ましい。

また、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。

なお、上記分散液の調製に際しては、使用される結着樹
脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機
溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パツール、イソプロパツール、ブタノールなどのアルコ
ール類、ｎ−へキサン、オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四
塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類
等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して
用いられる。また、上記各分散液を調製する際、分散性
、塗工性等をよくするため、界面活性側、シリコーンオ
イルなどの、レベリング剤、あるいはターフェニル、ハ
ロナフトキノン類、アセナフチレンなどの従来公知の増
感剤等、種々の添加剤を併用していてもよい。上記シリ
コーンオイルとしては、ポリジメチルシロキサンが好ま
しい。

上記各分散液などは、従来慣用の混合分散方法、例えば
、ペイントシェーカー　ミキサー、ボールミル、す〉′
ドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調製す
ることができ、得られた分散液などの塗布に際しては、
従来慣用のコーティング方法、例えば、デイツプコーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンコーティング、
ローラーコーティング、ブレードコーティング、カーテ
ンコーティング、バーコーティング法等が採用される。

（実施例） 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する
。

類１糺上 ポリ（４，４°　−シクロへキシリデンジフェニル）カ
ーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネー
トＺ）１００重量部、Ｎ、　Ｎ’　　−ジ（３，５−ジ
メチルフェニル）ペリレン−３，４゜９．１０−テトラ
カルボキシジイミド８重量部、Ｘ型メタルフリーフタロ
シアニン（大日本インキ社製）０．２重量部、３，３−
ジメチル−Ｎ、　Ｎ。

Ｎ“、Ｎ“　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜
１”−ビフェニル）−４，４’　　−ジアミン９５重量
部、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン５重量部、酸化防止剤（川口化学
社製、アンテージＢＨＴ）５重量部、シリコーンオイル
（信越化学社製）０．ＯＬ重量部および所定量のテトラ
ヒドロフランを用い、超音波分散器にて単層型感光層用
分散液を調製すると共に、約８μｍにアルマイト処理さ
れたアルミニウム素管上に塗布し、約１００°Ｃで熱処
理を加えることにより、厚み約２３μｍの感光層を有す
る電子写真感光体を作製した。

裏施■又 実施例１の材料に加えて、９−カルバゾリルイミノフル
オレン１０重量部を用いて、上記実施例１と同様にして
電子写真感光体を作製した。

皇嵐■ユ 実施例１の３，３−ジメチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’。

Ｎ゛　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１”−
ビフェニル）−４，４’　　−ジアミンを３０重量部用
い、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒド　Ｎ、Ｎ
−ジフェニルヒドラゾンに代えてＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−
テトラキス（３−トリル）−１，３−フェニレンジアミ
ン７０！量部を用いて、上記実施例１と同様にして電子
写真感光体を作製した。

夫施拠土 実施例３の材料に加えて、９−カルバゾリルイミノフル
オレン１０重量部を用いて、上記実施例１と同様にして
電子写真感光体を作製した。

尖止五ｉ−ｉ 実施例１〜４において、それぞれ３，３−ジメチル−Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”　−テトラキス−４−メチルフェニル
（Ｌ　　１’−ビフェニル）−４，４’ジアミンに代え
て、４，４゛−ビス［Ｎ−（３゜５−ジメチルフェニル
）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニルを用いる以′外は
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

、ｔｕＬ！しＸ１Ｉ 実施例１〜４において、それぞれ３，３−ジメナルーＮ
、　Ｎ、　Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス−４−メチルフェ
ニル（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンに
代えて、４，４゛−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）
−Ｎ−フェニルアミノコシフェニルを用いる以外は実施
例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

ｍ−ニュ」一 実施例１〜４において、それぞれ３，３−ジメチル−Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”−テトラキス−４−メチルフェニル（
１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンに代えて
、４，４゛−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−
ナフチルアミノ］ジフニニルを用いる以外は、実施例１
と同様にし′ζ電子写真感光体を作製した。

１１■上に１度 実施例１〜４において、それぞれＮ、　Ｎ’　−ジ（３
，５−ジメチルフェニル）ペリレン−３，４゜９．１０
−テトラカルボキシジイミドに代えて、４゜１０−ジブ
ロモージベンゼ［ｄｅｒ、ｍｎｏ］クリセン−６，１２
−ジオン８重量部を用いる以外は、実施例１と同様にし
て電子写真感光体を作製した。

且土口【Ｌ 実施例１の材料において、Ｎ−メチル−３−カルバゾリ
ルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンを用いず
、３，３−ジメチル−Ｎ、Ｎ。

Ｎ’　　　Ｎ’　　−テトラキス−４−メチルフェニル
（１，１°−ビフェニル）−４，４’　　−ジアミンを
１００重量部用いる以外は、上記実施例１と同様にして
電子写真感光体を作製した。

止較皿ｌ 比較例１の材料において、３．３−ジメチル−Ｎ、Ｎ、
Ｎ’、Ｎ“−テトラキス−４−メチルフェニル（１，１
’−ビフェニル）−４，４’　　−ジアミンに代えて、
４，４゛　　−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル
）−Ｎ−フェニルアミノコジフェニルを１００重量部用
いる以外は、上記実施例１と同様にして電子写真感光体
を作製した。

止較拠主 比較例１の材料において、３，３−ジメチル−Ｎ、Ｎ、
Ｎ”　Ｎ　ｌ　−テトラキス−４−メチルフェニル（１
，１’−ビフェニル）−４，４’　−ジアミンに代えて
、４，４゛−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノコジフェニルを１００重量部用いる以外
は、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し
た。

止較貫土 比較例１の材料において、３，３−ジメチルＮ、Ｎ、Ｎ
’、Ｎ’　−テトラキス−４−メチルフェニル（１，１
“−ビフェニル）−４，４°　−ジアミンに代えて、４
，４°　−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナ
フチルアミノコジフェニルを１００重量部用いる以外は
、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した
。

止較斑ｌ 比較例１の材料において、Ｎ、　Ｎ’　−ジ（３゜５−
ジメチルフェニル）ペリレン−３，４，９゜１０−テト
ラカルボキシジイミド８重量部に代えて、４．１０−ジ
ブロモージベンゼ［ｄｅｆ、ｍｎｏ］クリセン−６，１
２−ジオン８重量部を用いる以外は、上記実施例１と同
様にして電子写真感光体を作製した。

評ｍ （ａ）帯電特性、感光特性等 上記各実施例および比較例で得られた電子写真用感光体
の帯電特性、感光特性を調べるため、ドラム感度試験機
（ジエンチック社製、ジエンチック　シンシア　３０Ｍ
）を用いて各感光体を正に帯電させ、それらの帯電電位
（表面電位）ｓ、ｐ（Ｖ）を測定した。また、ハロゲン
ランプにより露光し、前記帯電電位が１／２となるまで
の時間を求め、半減露光１１Ｅ１／２　　（μＪ　／　
ｃｄ　）を算出した。また、露光後、０．１５秒経過後
の表面電位を残留電位Ｒ，Ｐ　（Ｖ）とした。

（ｂ）繰り返し特性 １０００回の繰り返し使用により表面電位が低下するか
否かを調べた。なお、上記感光体の繰り返し使用により
、感光体の表面電位が５０〜１００■の範囲内で低下し
たものを×、５０Ｖ以下しか低下しなかったものを○と
して評価した。

上記実施例および比較例で得られた各電子写真感光体の
帯電特性、感光特性、および繰り返し特性の結果を表に
示す。

表 であり、帯電電位が高く、しかも残留電位が小さい。ま
た、繰り返し使用しても、表面電位が大きく変化せず、
繰り返し特性に優れている。

これに対して、比較例の感光体は、いずれも繰り返し使
用により、表面電位の低下が見られた。

（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、帯電特性、感度、残留
電位等の電子写真特性に優れるだけでなく、複写プロセ
スの繰り返しにおいても残留電位の安定性に優れた電子
写真感光体を提供することができる。

特許出願人　　　　　三田工業株式会社日本蒸溜工業株
式会社 日本触媒化学工業株式会社

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）電荷輸送材料として下記一般式〔 I 〕〜〔IV〕
   ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾６は、同一または異なって、
   水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハ
   ロゲン原子を示す；Ｙは、水素原子、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す；ｎは１〜
   ３の整数を示す：ｌ、ｍ、ｏおよびｐは０〜２の整数を
   示す；但し、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾７およびＲ＾８は同
   時に水素原子でないものとし、水素原子でない前記Ｒ＾
   ５、Ｒ＾６、Ｒ＾７およびＲ＾８のｌ、ｍ、ｏおよびｐ
   は、少なくとも１つが２であるものとする） で表されるジアミン誘導体の群の中から少なくとも一種
   を選択して含有する感光層を有する感光体において、 上記感光層が、下記一般式〔Ｖ〕で表されるヒドラゾン
   系化合物、下記一般式〔VI〕で表されるフルオレン系化
   合物、下記一般式〔VII〕で表されるｍ−フェニレンジ
   アミン系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選
   択して含有することを特徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕 （式中、Ｒ＾１＾７は水素原子またはアルキル基を示す
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼〔VI〕 （式中、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９、Ｒ＾２＾０およびＲ
   ＾２＾１は、水素原子またはアルキル基を示す） ▲数式、化学式、表等があります▼〔VII〕 （式中、Ｒ＾２＾２、Ｒ＾２＾３、Ｒ＾２＾４、Ｒ＾２
   ＾５およびＲ＾２＾６は、アルキル基、アルコキシ基、
   ハロゲン原子を示し、それぞれフェニル基に置換しなく
   てもまた、置換し得る限り何個置換してもよく、またす
   べての置換基は同一でも、それぞれ互いに異なっていて
   もよい）
2. （２）Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾６が、同一または異なって、炭
   素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基
   またはハロゲン原子である請求項第１項記載の電子写真
   感光体。
3. （３）Ｙが、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４
   のアルコキシ基またはハロゲン原子である請求項第１項
   記載の電子写真感光体。
4. （４）ジアミン誘導体が、３、３’−ジメチル−Ｎ、Ｎ
   、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス−４−メチルフェニル（１、
   １’−ビフェニル）−４、４’−ジアミンである請求項
   第１項乃至第３項記載の電子写真感光体。
5. （５）ヒドラゾン系化合物が、Ｎ−メチル−３−カルバ
   ゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンである
   請求項第１項記載の電子写真感光体。
6. （６）フルオレン系化合物が、９−カルバゾリルイミノ
   フルオレンである請求項第１項記載の電子写真感光体。