JPH031152A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。

（従来技術） 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真用感
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機。

能分離型電子写真用怒光体の感光層としては、少なくと
も電荷発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料
と結着樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層
型感光体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着
樹脂中に分散させて成る単層型感光体等が種々提案され
ている。

上記積層感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とにより各
種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異なり
、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点がある。

ところで、電荷輸送材料には正電荷輸送型が多いことや
表面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生
層を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積
層感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層感光体では負帯電時に雰囲
気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚染
を引き起こしたり、また現像時には製造が困難である正
帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。

一方上記の単層型感光体は、正帯電させることができる
だけでなく、感光体の静電潜像を現像するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。

しかしながら、−層中で電子と正孔を移動させるため、
どちらかがトラップとなり残留電位が大きくなる傾向が
ある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送材料との組合せ
方により、帯電特性、感度、残留電位等の電子写真特性
が大きく左右されるという問題点がある。

そこで、上記問題点に鑑みドリフト移動度に関する電界
強度依存性が小さいジアミン誘導体と、ペリレン系化合
物とを組み合わせることで帯電特性、感度、残留電位等
の電子写真特性の優れた正帯電性の単層型電子写真感光
体（特願昭６２−２７７１５８号公報、特願昭６２−２
７７１５９号公報、特願昭６２−２７７１６１号公報、
特願昭６２−２７７１６２号公報）を先に提案した。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、先に提案した特願昭６２−２７７１５８
号公報、特願昭６２−２７７１５９号公報、特願昭６２
−２７７１６１号公報、特願昭６２−２７７１６２号公
報の感光体では、帯電特性、感度、残留電位等の電子写
真特性は優れているが、さらに複写プロセスの繰り返し
においても、表面電位の安定性に優れた感光体を提供す
べく本発明者等が鋭意研究した結果、本発明の感光体を
完成させるに至った。

従って、本発明は帯電特性、感度、残留電位等の電子写
真特性だけでなく、さらに繰り返し安定性にも優れた正
帯電性の単層型電子写真感光体を提供することを目的と
する。

（問題点を解決するための手段および作用）従って、本
発明においては結着樹脂中に、電荷発生材料として下記
−形式（１） （式中、Ｒ’　、Ｒｔ、Ｒ３、およびＲ４は、アルキル
基を示す）で表されるペリレン系化合物と、上記ペリレ
ン系化合物１００重量部に対して０゜６２乃至１．８８
重量部のオキソチタニルフタロシアニンと、電荷輸送材
料として下記−形式〔■〕〜〔Ｖ） （以下余白） 系化合物、下記−形成〔■〕で表されるフルオレン系化
合物、下記−形成〔■〕で表されるｍ−フェニレンジア
ミン系化合物 （式中、Ｒ５〜Ｒｚｏは、同一または異なって、水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を示す；Ｙは、水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を示す；ｎは１〜３の整
数を示す；Ｅ、ｍ、ｏおよびｐは０〜２の整数を示す；
但し、Ｒ′、ＲＩｏＲｌおよびＲ１２は同時に水素原子
でないものとし、水素原子テナイ前記Ｒ９、ＲＩＯ，、
Ｒ”オヨびＲＩ２の２、ｍ、０およびｐは、少なくとも
１つが２であるものとする）で表されるジアミン誘導体
の群から選ばれる少なくとも一種の化合物と、さらに下
記−形成（Ｖｌ）で表されるヒドラゾン（式中、ＲＺ＋
は水素原子またはアルキル基を示（式中、Ｒｚｚ、Ｒ”
、Ｒ２４およびＲｚｓは、水素原子またはアルキル基を
示す） （式中、Ｒｉｂ、Ｒｚ）、ＲｉｓオよびＲ２９、Ｒ”は
、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を示し、そ
れぞれフェニル基に置換しなくてもまた、置換し得る限
り何個置換してもよく、またすべての置換基は同一でも
、それぞれ互いに異なっていてもよい）よりなる群の中
から少なくとも一種を選択して含有する感光層を、導電
性基体上に形成して電子写真感光体を構成することによ
り上記目的を達成した。

本発明者等が鋭意研究の結果、電荷発生材料として一般
式［■］で表されるペリレン系化合物と、電荷輸送材料
として一般式［ＩＩ］〜〔Ｖ〕で表されるジアミン誘導
体の群から選ばれた少な（とも一種の化合物とを結着樹
脂中に含有する系の単層型感光層を有する感光体におい
ては、前記−形成（Ｖｌ）で表されるヒドラゾン系化合
物、前記−形成〔■］で表されるフルオレン系化合物、
前記−形成［■］で表されるｍ−フェニレンジアミン系
化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選択して混
合させることによって、複写プロセスを繰り返した場合
においても安定した表面電位を維持できることが判明し
た。

（発明の好適態様） 本発明に使用される電荷発生材料としてのペリレン系化
合物は、前記−形成ＣＩ）で表され、式中のＲ１、Ｒ１
、Ｒ３、Ｒ４のうちアルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基などの炭素数１
〜６のアルキル基が例示される。

具体的には、Ｎ、　　Ｎ’−ジ（３，５−ジメチルフェ
ニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシ
ジイミド、Ｎ、　Ｎ’　　−ジ（３−メチル−５−エチ
ルフェニル）ペリレン−３，４，９゜１０−テトラカル
ボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ’　　−ジ（３，５−ジエチ
ルフェニル）ペリレン−３，４゜９．１０−テトラカル
ボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ’−ジ（３，５−ジプロピル
フェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
キシジイミド、Ｎ、Ｎ’−ジ（３，５−ジイソプ口ビル
フエニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
キシジイミド、Ｎ、　Ｎ’　　−ジ（３−メチル−５イ
ソプロピルフエニル）ペリレン−３，４，９１０−テト
ラカルボキシジイミド、Ｎ、　　Ｎ’　　−ジ（３，５
−ジブチルフェニル）ペリレン−３，４゜９．１０−テ
トラカルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ’ジ（３，５−ジー
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペリレン−３，４，９，１
０−テトラカルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ’−ジ（３，
５−ジブチルフェニル）ペリレン−３，４，９，１０−
テトラカルボキシジイミド、Ｎ、　Ｎ’−ジ（３，５−
ジブチルフェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テト
ラカルボキシジイミド等が例示されるが、中でも、Ｎ、
　Ｎ“−ジ（３，５−ジメチルフェニル）ペリレン−３
，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドが好ましい
。

本発明に使用される電荷輸送材料としてのジアミン誘導
体としては、前記−形式〔■〕〜（Ｖ）で表される化合
物が用いられる。

上記−形式（ＩＩ）〜（Ｖ）における低級アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、ｔｅｒ　ｔ−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル基などの炭素数１〜６のアルキル基が例示される
。上記低級アルキル基のうち、炭素数１〜４のアルキル
基が好ましい。

また、低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素
数１〜６のアルコキシ基が例示される。上記低級アルコ
キシ基のうち、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい
。

また、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およ
びヨウ素原子が挙げられる。

なお、上記置換基Ｒ’　”−Ｒ”および上記置換基Ｙは
、フェニル環またはナフチル環の任意の位置に置換して
いてもよい。

また、上記−形式（ｎ）で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ−１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち好
ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１−（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）−４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコベンゼン、１，４−ビス［Ｎ−（３
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコベンゼンな
どが例示され、その他に特願昭６２−２７７１５８号公
報Ｐ１３〜Ｐ２０に記載のジアミン誘導体が例示される
。

上記−形式（ＩＩ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物と
しては、例えば、４．４゛　−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニ
ルアミノ）ジフェニル、４゜４′　−ビス［Ｎ−（３−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニル、
４，４°　−ビス［Ｎ−（３−メトキシフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコシフェニル、４，４゛　　−ビス［
Ｎ−（３−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシ
フェニル、４−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノ］　−４’　　−［Ｎ−（４−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニル、４−　［
Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　
−４’　　−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコシフェニル、３゜３゛　−ジメチル−Ｎ、
　Ｎ、　Ｎ’　、　Ｎ’　　−テトラキス−４−メチル
フェニル（１，１’　−ビフェニル）−４，４’　　−
ジアミンなどが例示され、その他に特願昭６２−２７７
１５８号公報Ｐ２１〜Ｐ２８に記載のジアミン誘導体が
例示される。

上記−最式（ＩＩ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝３の４，４”−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、４．４“−ビス
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１，１”　　：４°、
１”−テルフェニル、４゜４”−ビス［Ｎ−（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−１，１°　：４
°　、１“−テルフェニルなどが例示され、その他に特
願昭６２−２７７１５８号公報Ｐ２８〜Ｐ３４に記載の
ジアミン誘導体が例示される。

また、上記−形式（ＩＩＩ）で表されるジアミン誘導体
において、ｎ＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、１−［Ｎ−（３
，５−ジメチルフェニル）−Ｎフェニルアミノ］　−４
−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１−［Ｎ、
Ｎ−ジ（３，５−ジメチルフェニル）アミノ］　−４−
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン、１，４−ビス
［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコベンゼンなどが例示され、その他に特願昭６２−
２７７１５９号公報Ｐ１３〜Ｐ２１に記載のジアミン誘
導体が例示される。

上記−形式（Ｉ［［）で表されるジアミン誘導体におい
て、ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物
としては、例えば、４．４−ビス［Ｎ−（３，５−ジメ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニル、４
，４−ビス［Ｎ−（３゜５−ジメトキシフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコシフェニル、４．４−ビス［Ｎ−（
３，５−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシ
フェニル、４．４−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェ
ニル）−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコジフェニ
ル、４−　［Ｎ−（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノ］−４’−［Ｎ−（３，５−ジメチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノコシフェニルなどが例示
され、その他に特願昭６２−２７７１５９号公報Ｐ２１
〜Ｐ２９に記載のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式（Ｉ［Ｉ３で表されるジアミン誘導体におい
て、ｎ＝３の４，４”−テルフェニルジアミン誘導体の
うち、好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビ
ス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］−１，１’　　：４°　　１”−テルフェニル
、４−　［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］＝４”−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）
−１，１゜：４°、１“−テルフェニル、４−［Ｎ、Ｎ
−ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミノ］−４”−
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−１，１’　　：４′、
１”−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭６
２−２７７１５９号公報Ｐ２９〜Ｐ３６に記載のジアミ
ン誘導体が例示される。

また、上記−形式（ＩＶＩで表されるジアミン誘導体に
おいて、ｎ＝１のｐ−フェニレンジアミン誘導体のうち
、好ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス［Ｎ
−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコベン
ゼン、１，４−ビス（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミ
ノ）ベンゼン、１−（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミ
ノ）−４−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコベンゼンなどが例示され、その他に特願昭６
２−２７７１６１号公報Ｐ１３〜Ｐ１９に記載のジアミ
ン誘導体が例示される。

上記−形式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物と
しては、例えば、４．４°　−ビス（Ｎ−ナフチル−Ｎ
−フェニルアミノ）ジフェニル、４．４′　−ビス［Ｎ
−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノコシフ
ェニル、４゜４′−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）
−Ｎ−フェニルアミノコシフェニル、４，４°　−ビス
［Ｎ−（６−’２０ロナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ
コシフェニル、４，４゛　　−ビス［Ｎ−（６−メチル
ナフチル）−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコジフ
ェニル、４−　［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］　−４’　　−［Ｎ−（６−メチルナフ
チル）−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコジフェニ
ル、４−　［Ｎ−（４−メチルナフチル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］−４゜［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノコシフェニルなどが例示され、その他に
特願昭６２−２７７１６１号公報Ｐ１９〜Ｐ２５に記載
のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式（ＩＶ）で表されるジアミン誘導体において
、ｎ＝３の４，４”−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、４．４”−ビス
（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）−１，１’　　
：４’、ｌ”−テルフェニル、４．４”−ビス［Ｎ−（
６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−１，１
’　　：４°、１”−テルフェニルなどが例示され、そ
の他に特願昭６２−２７７１６１号公報Ｐ２５〜Ｐ３０
に記載のジアミン誘導体が例示される。

また、上記−形式（Ｖ）で表されるジアミン誘導体にお
いて、ｎ＝１のＰ−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、１．４−ビス（Ｎ、
Ｎ−ジナフチルアミノ）ベンゼン、１−（Ｎ、Ｎ−ジナ
フチルアミノ）−４［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ
−ナフチルアミノコベンゼン、１，４−ビス［Ｎ−（６
−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノコベンゼンな
どが例示され、その他に特願昭６２−２７７１６２号公
報Ｐ１３〜Ｐ２２に記載のジアミン誘導体が例示される
。

上記−形式（Ｖ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ＝２のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、４．４′　−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（６−メ
チルナフチル）アミノコジフェニル、４，４゛　　−ビ
ス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフチルアミノ
コシフェニル、４゜４゛　−ビス［Ｎ−（６−メチルナ
フチル）−Ｎ−ナフチルアミノコシフェニル、４，４°
　−ビス［Ｎ−（６−クロロナフチル）−Ｎ−ナフチル
アミノコシフェニル、４−［Ｎ、Ｎ−ジ（６−メチルナ
フチル）アミノ］　−４’　　−［Ｎ−（６−メチルナ
フチル）−Ｎ−ナフチルアミノコシフェニル、４−　［
Ｎ−（４−メチルナフチル）アミノ−Ｎ−ナフチルアミ
ノ］　−４’　　−［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ
−ナフチルアミノコシフェニルなどが例示され、その他
に特願昭６２−２７７１６２号公報Ｐ２２〜Ｐ３０に記
載のジアミン誘導体が例示される。

上記−形式（Ｖ）で表されるジアミン誘導体において、
ｎ＝３の４，４”−テルフェニルジアミン誘導体のうち
、好ましい化合物としては、例えば、４，４“−ビス（
Ｎ、Ｎ−ジナフチルアミノ）−１，１°　：４’、１”
−テルフェニル、４゜４”−ビス［Ｎ−（６−メチルナ
フチル）−Ｎ−ナフチルアミノ］−１，１’　　：４°
、１″−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭
６２−２７７１６２号公報Ｐ３０〜Ｐ３８に記載のジア
ミン誘導体が例示される。

上記−形式Ｃｌ０）〜（Ｖ）で表されるジアミン誘導体
は、一種または二種以上混合して用いられる。なお、上
記ジアミン誘導体は、分子の対称性がよく、光照射によ
り異性化反応などが生じず、光安定性に優れているだけ
でなく、ドリフト移動度が大きく、しかもドリフト移動
度に関する電界強度依存性が小さい。

上記のような特性を有するジアミン誘導体と、前記ペリ
レン系化合物とを組み合わせることにより、単層型感光
層を有する感光体であっても、高感度で残留電位の小さ
なものが得られる。

本発明に使用される結着樹脂としては、種々のもの、例
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニル
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ア
ルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹
脂、ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン
、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノ
ール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹脂等
、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を高め、
感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共に結
着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ（４，４’　
　−シクロへキシリデンシフみニル）カーボネートが好
ましい。上記ポリ（４，４’　　−シクロヘキシリデン
ジフェニル）カーボネートを用いると、従来、溶液安定
性等の点から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等
の塩素系溶剤しか使用できながったビスフェノールＡ型
ポリカーボネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチ
ルエチルケトン等の溶剤も使用することができるので、
安全衛生上も好ましく、取扱いが容易である。なお、上
記ポリ（４，４°　−シクロヘキシリデンジフェニル）
カーボネートの中でも、分子量１５０００〜２５０００
、ガラス転移点が５８℃程度のものが好ましい。

上記ペリレン系化合物とジアミン誘導体と上記結着樹脂
との使用割合は、特に限定されず、所望する電子写真感
光体の特性等に応じて適宜選択することができるが、結
着樹脂１００重量部に対して、ペリレン系化合物２〜２
０重量部、好ましくは、３〜１５重量部、ジアミン誘導
体４０〜２００重量部、好ましくは、５０〜１００重量
部使用される。ペリレン系化合物およびジアミン誘導体
が上記使用量よりも少ないと、感光体の感度が十分でな
いばかりか、残留電位が大きくなる。また上記範囲を越
えると感光体の耐摩耗性等が十分でなくなる。

さらに、上記ペリレン系化合物とジアミン誘導体とを結
着樹脂中に含有する系の単層型感光体に、前記−形式（
ＶＩ）で表されるヒドラゾン系化合物、前記−形式〔■
〕で表されるフルオレン系化合物、前記−形式〔■〕で
表されるｍ−フェニレンジアミン系化合物の中から一種
を選択して混合させるか、前記−形式〔■〕で表される
フルオレン系化合物に対して、前記−形式（Ｖｌ）で表
されるヒドラゾン系化合物あるいは前記−形式〔■〕で
表されるｍ−フェニレンジアミン系化合物を組み合わせ
た二種を選択して混合させることで、複写プロセスの繰
り返しにおける表面電位の低下が防止され安定した表面
電位を維持することができる。

前記−形式（Ｖｌ）、〔■〕、〔■〕におけるアルキル
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、
ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基が例示される
。また、前記−形式〔■〕におけるアルコキシ基として
は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ
、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペン
チルオキシ、ヘキシルオキシ基等が例示される。また、
前記−形式〔■〕におけるハロゲン原子としては、フッ
素、塩素、臭素およびヨウ素原子が挙げられる。

前記−形式（ＶＩ）で表されるヒドラゾン系化合物とし
ては、３−カルバゾリルアルデヒドＮ、　Ｎ−ジフェニ
ルヒドラゾン、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒ
ドＮ、　Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−エチル−３−
カルバゾリルアルデヒドＮ。

Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−プロピル−３−カルバ
ゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−
イソプロピル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾン、Ｎ−ブチル−３−カルバゾリルア
ルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−イソブチ
ル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−３−カルバゾリルア
ルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−ペンチル
−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒド
ラゾン、Ｎ−へキシル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ
、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン等が例示されるが、中でも
、Ｎ−エチル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾンが好ましい。

前記−形式〔■〕で表されるフルオレン系化合物として
は、９−カルバゾリルイミノフルオレン、９−１３−メ
チルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，６−
シメチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−　（３
，６−ジニチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−
　（３−エチル−６−メチルカルバゾリルイミノ）フル
オレン、９−（３，６−ジプロピルカルバゾリルイミノ
）フルオレン、９−（３，６−ジイツブロビルカルバゾ
リルイミノ）フルオレン、９−（３，６−シブチルカル
バゾリルイミノ）フルオレン、９−（３゜６−ジイツブ
チルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，６−
シーｔｅｒｔ−ブチルカルバゾリルイミノ）フルオレン
、９−（３，６−ジペンチルカルバゾリルイミノ）フル
オレン、９（３，６−ジヘキシルカルバゾリルイミノ）
フルオレン、９−（３，６−シメチルカルバゾリルイミ
ノ）−３−メチルフルオレン、９−（３，６−シメチル
カルバゾリルイミノ）−３，６−シメチルフルオレン、
９−　（３，６−シメチルカルバゾリルイミノ）−３，
６−ジニチルフルオレン、９−（３，６−シメチルカル
バゾリルイミノ）−３−エチルフルオレン等が例示され
るが、中でも、９−カルバゾリルゴミ２ノフルオレンが
好ましい。

下記−形式〔■〕で表されるｍ−フェニレンジアミン系
化合物としては、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　　−テトラフェ
ニル−１，３−フェニレンジアミン、ＮＩＮ、Ｎ’、Ｎ
”−テトラキス（３−トリル）−１゜３−フェニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”　−テトラフェニル−３，
５−）リレンジアミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−３゜５−
トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　　−テトラキ
ス（４−１−リル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ
、Ｎ、Ｎ”　Ｎ　ｌ−テトラキス（４−トリル）−３，
５−）リレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ”。

Ｎ”−テトラキス（３−エチルフェニル）−１゜３−フ
ェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス
（４−プロピルフェニル）−１，３−フェニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラフェニル−５−メト
キシ−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ビス（３
−トリル）−Ｎ’、Ｎ’ジフェニル−１，３−フェニレ
ンジアミン、ＮＩＮ′−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’
　　−ジフェニル−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、
　Ｎ’　　−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’　　−ビス
（３−トリル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、　
Ｎ’ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル
）−３，５−）リレンジアミン、Ｎ、　Ｎ’　　−ビス
（４−エチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’　　−ビス（３−エ
チルフェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、　
Ｎ″−ビス（４−エチルフェニル）−Ｎ。

Ｎ゛−ビス（３−エチルフェニル）−３，５−トリレン
ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（２，４
，６−）リメチルフェニル）−１，３フエニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”−テトラキス（２，４，６−ド
リメチルフエニル）−３゜５−トリレンジアミン、Ｎ、
Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（３，５−ジメチル）−
１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テ
トラキス（３゜５−ジメチル）−３，５−）リレンジア
ミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３，５−ジエチル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’。

Ｎ゛−テトラキス（３，５−ジメチル）−３，５−トリ
レンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（３
−７０口フェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ
、Ｎ、Ｎ”、Ｎ“−テトラキス（３−プロモフエニル）
−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−
テトラキス（３−ヨードフェニル）−１，３−フェニレ
ンジアミン、ＮＩＮ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−フ
ルオロフェニル）−１，３−フェニレンジアミン等が例
示されるが、中でも、分子の対称性が悪いことに起因し
て分子間の相互作用が小さくなり、逆に樹脂との相互作
用が大きくなることから極めて結晶化しにくい特性を持
ち樹脂中に十分溶解できることから、前記−形式〔■〕
中ｃｖ　ＲＺ　＆、Ｒ２’？、Ｒ２９、Ｒ３０を窒素原
子に対してメタ位に置換する基とした化合物、あるいは
Ｒ２６、Ｒ３（１を窒素原子に対してバラ位に、Ｒ２？
、Ｒ２９を窒素原子に対してメタ位に置換する基とした
化合物が好ましい。具体的には、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−
トリル）−Ｎ、Ｎ’　　−ビス（４−トＩＪル）−１，
３−フェニレンジアミンである。

なお、上記各化合物は、感光体の特性等に応じて適宜量
使用することができるが、上記各化合物のうちヒドラゾ
ン系化合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジ
アミン系化合物とヒドラゾン系化合物とが９５：５乃至
９０：１０の重量比で感光層中に含有することが好まし
い。

また、上記各化合物のうちフルオレン系化合物を使用す
る場合は、電荷輸送材料としてのジアミン系化合物とフ
ルオレン系化合物とが９０：１０乃至８０：２０の重量
比で感光層中に含有することが好ましい。

また、上記各化合物のうちｍ−フェニレンジアミン系化
合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジアミン
系化合物とｍ−フェニレンジアミン系化合物とが１５：
２５乃至２５ニア５の重量比、特に１０：３０乃至５０
：５０の重量比で感光層中に含有することが好ましい。

すなわち、感光層中に上記重量比より少ない割合で上記
各化合物を含有すると繰り返し特性が十分でな（、上記
重量比を越えた割合で上記各化合物を含有すると繰り返
し特性は高くなるものの感度等が十分でなくなるのであ
る。

また、上記ペリレン系化合物が長波長側に分光感度がな
いことから、本発明の単層型電子写真感光体を赤の分光
エネルギーの大きいノ１０ゲンランプと組み合わせた場
合においてより高感度化するために、長波長側に分光感
度を持つオキソチタニルフタロシアニンを使用するのが
好ましい。

上記オキソチタニルフタロシアニンは、例えば、α型、
β型、γ型、δ型およびε型など、種々の結晶型を有す
る下記−形成（ＩＸ） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは０または１以上
の整数を示す）で表されるオキソチタニルフタロシアニ
ンが例示されるが、中でも、前記−形成（ＩＸ）におけ
るハロゲン原子が、臭素あるいは塩素で、ｎがＯであり
、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±０．
２°）が、６．９．９．６’　　　１５．６’　　　１
７．６’、２１゜９’、２３．６’、２４．７”および
２８．０”に強い回折ピークを示し、上記ブラッグ角の
うち６．９°の回折ピークが最も大きい特性を示すα型
オキソチタニルフタロシアニンが好ましい。

上記ペリレン系化合物が長波長側に分光感度を有しない
ことから、上記オキソチタニルフタロシアニンをペリレ
ン系化合物１００重量部に対して０．６２乃至１．８８
重量部添加することで分光感度領域が長波長側に拡大し
、赤の分光エネルギーの大きいハロゲンランプと組み合
わせた場合において、より感光体の感度が高くなるので
ある。

しかし、オキソチタニルフタロシアニンをペリレン系化
合物１００重量部に対して０．６２重量部以下添加した
だけでは、長波長側への増感効果が生じない。また、オ
キソチタニルフタロシアニンをペリレン系化合物１００
重量部に対して１．８８重量部以上添加すると逆に長波
長側での分光感度が高くなってしまい、赤色原稿の再現
性が悪くなってしまう。

また、酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受は安い
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。

上記酸化防止剤としては、２，６−シーｔｅｒＬ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス（
３（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート）、１．６−ヘキサンシオ
ールービス〔３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、ペンタエリ
スリチル−テトラキス（３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−
ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、
２．２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジーむ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
−！、２．２−チオビス（４−メチル−５−ｔｅｒｔ−
ブチルフェノール）、Ｎ、Ｎ’　　−へキサメチレンビ
ス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマミド）、１，３．５−）リスチル−２゜
４．６−）リス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−
ヒドロキシベンジル）ベンゼン等のフェノール系酸化防
止剤を例示することができるが、中でも、２，６−シー
ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾールが好ましい。

本発明の感光体は、前述した各成分を含有する塗布液を
調製し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。

上記導電性基体は、導電性を有するシート状やドラム状
のいずれであってもよく、導電性を存する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、１着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理し
たものが好ましい。

また、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。

なお、上記塗布液の調製に際しては、使用される結着樹
脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機
溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パツール、イソプロパツール、ブタノールなどのアルコ
ール類、ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四
塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類
等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して
用いられる。また、上記各塗布液を調製する際、分散性
、塗工性等をよ（するため、界面活性剤、シリコーンオ
イルなどのレベリング剤、あるいはターフェニル、ハロ
ナフトキノン類、アセナフチレンなどの従来公知の増感
剤等、種々の添加剤を併用していてもよい。上記シリコ
ーンオイルとしては、ポリジメチルシロキサンが好まし
い。

上記各塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、例えば
、ペイントシェーカー　ミキサー、ボールミル、サンド
ミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調製する
ことができ、得られた分散液などの塗布に際しては、従
来慣用のコーティング方法、例えば、デイツプコーティ
ング、スプレーコーティング、スピンコーティング、ロ
ーラーコーティング、ブレードコーティング、カーテン
コーティング、バーコーティング法等が採用される。

本発明における電子写真感光体の単層型感光体は、適宜
の厚みを有してもよいが、１５〜３０μｍ、特に１８〜
２７μｍの厚みを有するものが好ましい。

（実施例） 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する
。

側缶■土 ポリ（４，４’　　−シクロヘキシリデンジフェニル）
カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネ
ートＺ）１００重量部、Ｎ、　　Ｎ’　　−ジ（３，５
−ジメチルフェニル）ペリレン−３，４゜９．１０−テ
トラカルボキシジイミド８重量部、オキソチタニルフタ
ロシアニン０．１重量部、３゜３゛−ジエチル−Ｎ、　
Ｎ、　Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス４−メチルフェニルｃ
ｉ、ｉ”　−ビフェニル）＝４，４°−ジアミン９５重
量部、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒド　Ｎ、
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン５重量部、酸化防止剤（川口
化学社製、アンテージＢＨＴ）５重量部、シリコーンオ
イル（信越化学社製）０．０１重量部および所定量のテ
トラヒドロフランを用い、超音波分散器にて単層型感光
層用分散液を調製すると共に、約８μｍにアルマイト処
理されたアルミニウム素管上に塗布し、約１００°Ｃで
熱処理を加えることにより、厚み約２３μｍの感光層を
有する電子写真感光体を作製した。

皇族１ 実施例１の材料に加えて、９−カルバゾリルイミノフル
オレン１０重量部を用いて、上記実施例Ｉと同様にして
電子写真感光体を作製した。

皇族皿ｌ 実施例１の３．３−ジエチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’Ｎ゛　
−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１゛−ビフェ
ニル）−４，４’　　−ジアミンを７０重量部用い、Ｎ
−メチル−３−カルバゾリルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾンに代えてＮ、Ｎ’−ビス（３−１−リ
ル）−Ｎ、Ｎ“　−ビス（４−トリル）−１，３−フェ
ニレンジアミン３０重量部を用いて、上記実施例１と同
様にして電子写真感光体を作製した。

皇１涯土 実施例３の材料に加えて、９−カルバゾリルイミノフル
オレン１０重量部を用いて、上記実施例１と同様にして
電子写真感光体を作製した。

皇族割」〜 実施例１の３，３−ジエチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’Ｎ゛　
−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１′−ビフェ
ニル）−４，４°　−ジアミンを３０重量部用い、Ｎ−
メチル−３−カルバゾリルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルヒドラゾンに代えてＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキ
ス（３−トリル）１．３−フェニレンジアミン７０重量
部を用いて、上記実施例１と同様にして電子写真感光体
を作製した。

実ＪＬｆＬ灸 実施例１の３，３−ジエチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ’。

Ｎｏ　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１′−
ビフェニル）−４，４°　−ジアミンに代えて、４，４
°　−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコシフェニル９５重量部を用い、さらに９−カ
ルバゾリルイミノフルオレン１０重量部を加える以外は
、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

ＸＵＬ（殊工 実施例１の３．３−ジエチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’。

Ｎｏ　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１′−
ビフェニル）−４，４’　　−ジアミンに代えて、４，
４”　−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコシフェニルを３０重量部用い、Ｎ−メチル
−３−カルバゾリルアルデヒ）’Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾンに代えてＮ。

Ｎ、Ｎ“　Ｎ　＋−テトラキス（３−トリル）−】。

３−フェニレンジアミン７０重量部を用いて、上記実施
例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

実１１亀 実施例１の３．３−ジエチル−Ｎ、Ｎ、Ｎ’。

Ｎｏ　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１°−
ビフェニル）−４，４’　　−ジアミンに代えて、４，
４゛　　−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノコシフェニルを９５重量部用い、上
記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

１隻ｍ 実施例５の３，３−ジエチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’。

Ｎｏ　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜１°−
ビフェニル）−４，４°　−ジアミンに代えて、４．４
゛　　−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナフ
チルアミノコジフェニルを３０重量部用い、上記実施例
１と同様にして電子写真感光体を作製した。

止較眉」一 実施例１の材料において、Ｎ−メチル−３−カルバゾリ
ルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンを用いず
、３．３−ジエチル−Ｎ、Ｎ。

Ｎ　ｌ　、　Ｎ　Ｉ　−テトラキス−４−メチルフェニ
ル（１゜１”−ビフェニル）−４，４’　−ジアミンを
１００重量部用いる以外は、上記実施例１と同様にして
電子写真感光体を作製した。

上校桝Ｉ 比較例１において、３，３−ジエチル−Ｎ、　Ｎ。

Ｎ’、Ｎ“　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜
１′−ビフェニル）−４，４”　−ジアミンに代えて、
４，４゛　−ビス［Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノコシフェニル１００重量部を用い
る以外は、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を
作製した。

止較皿工 比較例１において、３，３−ジエチル−Ｎ、Ｎ。

Ｎ”Ｎ　ｌ　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜
１”−ビフェニル）−４，４’　　−ジアミンに代えて
、４，４゛−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノコシフェニル１００重量部を用いる以外
は、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し
た。

１較拠土 比較例１において、３．３−ジエチル−Ｎ、　Ｎ。

Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス−４−メチルフェニル（１゜
１′−ビフェニル）−４，４’　−ジアミンに代えて、
４，４゛−ビス［Ｎ−（６−メチルナフチル）−Ｎ−ナ
フチルアミノコジフェニル１００重量部を用いる以外は
、上記実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した
。

且藍例ｊ− 実施例１の材料において、オキソチタニルフタロシアニ
ンを０．０１重量部用いる以外は、上記実施例１と同様
にして電子写真感光体を作製した。

止較利玉− 実施例１の材料において、オキソチタニルフタロシアニ
ンを０．２０重量部用いる以外は、上記実施例１と同様
にして電子写真感光体を作製した。

上較拠工 実施例１の材料において、３．３−ジエチル−Ｎ、Ｎ、
Ｎ’、Ｎ“　−テトラキス−４−メチルフェニル（１，
１’−ビフェニル）−４，４’　−ジアミンを用いず、
Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾンを１００重量部用いる以外は、上記
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

正値拭旦 （ａ）帯電特性、感光特性等 上記各実施例および比較例で得られた電子写真用感光体
の帯電特性、感光特性を調べるため、ドラム感度試験機
（ジエンチック社製、ジエンチック　シンシア　３０Ｍ
）を用いて各感光体を正に帯電させ、それらの帯電電位
（表面電位）Ｓ、Ｐ（Ｖ）を測定した。また、ハロゲン
ランプにより露光し、前記帯電電位が１／２となるまで
の時間を求め、半減露光［Ｅ１／２　　（μＪ／Ｃ１１
ｌ）を算出した。また、露光後、０．１５秒経過後の表
面電位を残留電位Ｒ，Ｐ　（Ｖ）とした。

（ｂ）繰り返し特性 １０００回の繰り返し使用により表面電位が低下するか
否かを調べた。なお、上記感光体の繰り返し使用により
、感光体の表面電位が１００Ｖ以上低下したものを×、
５０〜１００ｖの範囲内で低下したものをΔ、５０Ｖ以
下しか低下しなかったものを○として評価した。

（ｃ）赤色再現性 赤と同じ明度のグレー原稿を複写し、得られた複写物の
反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。赤色再現性が７
０％以下のものを×、７０〜１００％の範囲内のものを
Δ、１００％以上のものを○として評価した。

上記実施例および比較例で得られた各電子写真感光体の
帯電特性、感光特性、繰り返し特性および赤色再現性の
結果を表に示す。

（以下余白） 表から明らかなように、本発明の電子写真感光体は、い
ずれも半減露光量が小さく、感度が良好であり、帯電電
位が高く、しかも残留電位が小さい。

また、繰り返し使用しても表面電位が大きく変化せず、
繰り返し特性に優れている。

これに対して、比較例の感光体は、いずれも繰り返し使
用により表面電位の低下が見られた。

また、オキソチタニルフタロシアニンをペリレン系化合
物に対して０．６２重量部より少なく添加した比較例５
の感光体は、実施例１の感光体に比べて感度が低く、残
留電位も大きくなっている。

一方、１．８８重量部より多く添加した比較例６の感光
体は、赤色再現性が悪くなっている。

（発明の効果） 以上のように、本発明の感光体によれば、帯電特性、感
度、残留電位等の電子写真特性に優れ、さらに複写プロ
セスの繰り返しにおいても、表面電位の安定性に優れた
電子写真感光体を提供することができる。

特許出願人　　　　三田工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）結着樹脂中に、電荷発生材料として下記一般式〔
   I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４は、アル
   キル基を示す）で表されるペリレン系化合物と、上記ペ
   リレン系化合物１００重量部に対して０． ６２乃至１．８８重量部のオキソチタニルフタロシアニ
   ンと、電荷輸送材料として下記一般式〔II〕〜〔Ｖ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕 （式中、Ｒ＾５〜Ｒ＾２＾０は、同一または異なって、
   水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハ
   ロゲン原子を示す；Ｙは、水素原子、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基またはハロゲン原子を示す；ｎは１〜
   ３の整数を示す；ｌ、ｍ、ｏおよびｐは０〜２の整数を
   示す；但し、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１およびＲ
   ＾１＾２は同時に水素原子でないものとし、水素原子で
   ない前記Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１およびＲ＾１
   ＾２のｌ、ｍ、ｏおよびｐは、少なくとも１つが２であ
   るものとする） で表されるジアミン誘導体の群から選ばれる少なくとも
   一種の化合物と、 さらに、下記一般式〔VI〕で表されるヒドラゾン系化合
   物、下記一般式〔VII〕で表されるフルオレン系化合物
   、下記一般式〔VIII〕で表されるｍ−フェニレンジアミ
   ン系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選択し
   て含有する感光層を、導電性基体上に形成することを特
   徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔VI〕 （式中、Ｒ＾２＾１は水素原子またはアルキル基を示す
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼〔VII〕 （式中、Ｒ＾２＾２、Ｒ＾２＾３、Ｒ＾２＾４およびＲ
   ＾２＾５は、水素原子またはアルキル基を示す） ▲数式、化学式、表等があります▼〔VIII〕 （式中、Ｒ＾２＾６、Ｒ＾２＾７、Ｒ＾２＾８およびＲ
   ＾２＾９、Ｒ＾３＾０は、アルキル基、アルコキシ基、
   ハロゲン原子を示し、それぞれフェニル基に置換しなく
   てもまた、置換し得る限り何個置換してもよく、またす
   べての置換基は同一でも、それぞれ互いに異なっていて
   もよい） （２）前記感光層が、酸化防止剤を含有する請求項第１
   項又は第２項記載の電子写真感光体。 （３）ペリレン系化合物が、Ｎ、Ｎ’−ビス（３、５−
   ジメチルフェニル）ペリレン−３、４、９、１０−テト
   ラカルボキシジイミドである請求項第１項記載の電子写
   真感光体。（４）Ｒ＾５〜Ｒ＾２＾０が、同一または異
   なって、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
   ルコキシ基またはハロゲン原子である請求項第１項記載
   の電子写真感光体。 （５）Ｙが、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４
   のアルコキシ基またはハロゲン原子である請求項第１項
   記載の電子写真感光体。