JPH03116517A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH03116517A JPH03116517A JP1255660A JP25566089A JPH03116517A JP H03116517 A JPH03116517 A JP H03116517A JP 1255660 A JP1255660 A JP 1255660A JP 25566089 A JP25566089 A JP 25566089A JP H03116517 A JPH03116517 A JP H03116517A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度記録に適する磁気記録媒体に関する。
従来の技術
一般に、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒
体は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を基とした合金を、電子ビー
ム蒸着法、或いはスパッタリング法によってポリエチレ
ンテレフタレート等の高分子フィルム上に被着して作ら
れ、高密度記録特性を改善することは良く知られるが、
摺動負荷での耐久性と共に、経時環境条件によっては特
性劣化が起こるいわゆる耐食性について十分とは言い難
く、改善が続けられている。そのひとつに窒化鉄系の薄
膜を磁気記録層とすることが知られる（特開昭６０−２
３６１１３号公報、特開昭６３−１８４９２７号公報、
特開平１−１０５３３１号公報）。この薄膜は鉄を７０
度以上の高入射角度での斜め入射と窒素イオン照射を組
み合わせ保磁力１ｏｏ。
体は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を基とした合金を、電子ビー
ム蒸着法、或いはスパッタリング法によってポリエチレ
ンテレフタレート等の高分子フィルム上に被着して作ら
れ、高密度記録特性を改善することは良く知られるが、
摺動負荷での耐久性と共に、経時環境条件によっては特
性劣化が起こるいわゆる耐食性について十分とは言い難
く、改善が続けられている。そのひとつに窒化鉄系の薄
膜を磁気記録層とすることが知られる（特開昭６０−２
３６１１３号公報、特開昭６３−１８４９２７号公報、
特開平１−１０５３３１号公報）。この薄膜は鉄を７０
度以上の高入射角度での斜め入射と窒素イオン照射を組
み合わせ保磁力１ｏｏ。
（Ｏｓ）以上の薄膜が得られ、その膜の経時安定性は優
れている〔アイイーイーイートランザクションズ オン
マグネティクス （ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ） ｖｏ １ 、ＭＡ
Ｇ−２３、＆−５、Ｐ、Ｐ、 ２８３３〜２６３５（１
９８７）参照〕。
れている〔アイイーイーイートランザクションズ オン
マグネティクス （ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ） ｖｏ １ 、ＭＡ
Ｇ−２３、＆−５、Ｐ、Ｐ、 ２８３３〜２６３５（１
９８７）参照〕。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記した薄膜は、薄膜形成速度が１ｏＯ（
入／ｍ）程度と極めて遅く、蒸着膜厚として、１ｏｏＯ
人程度の膜は必要であシ、生産性に課題が残されている
。本発明は鉄系の高い磁束密度の特性を生かした磁気記
録媒体を窒化鉄系に近い耐久性、耐食性で実現し、かつ
その媒体が高速で得ることの出来る系であるものを提供
することを目的とするものである。
入／ｍ）程度と極めて遅く、蒸着膜厚として、１ｏｏＯ
人程度の膜は必要であシ、生産性に課題が残されている
。本発明は鉄系の高い磁束密度の特性を生かした磁気記
録媒体を窒化鉄系に近い耐久性、耐食性で実現し、かつ
その媒体が高速で得ることの出来る系であるものを提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体は
高分子フィルム上に配した斜め蒸着膜が０．３〜２ａｔ
％の窒素を含有しているものである。
高分子フィルム上に配した斜め蒸着膜が０．３〜２ａｔ
％の窒素を含有しているものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成にょシ、鉄の結
晶性が改善され欠陥が減少した膜で磁気記録層としての
経時安定性、特性向上がはかれ、特に反応を必要としな
いことから高速成膜にて達成できることになる。
晶性が改善され欠陥が減少した膜で磁気記録層としての
経時安定性、特性向上がはかれ、特に反応を必要としな
いことから高速成膜にて達成できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例にっいて説明
する。
する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第１図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
ポリエーテルエーテルケトン等の高分子フィルムで必要
に応じて微粒子塗布層や山脈状の塗布層等で形状付与し
たものを用いてもよい。２は鉄の斜め蒸着膜であって、
０．３〜２ａｔ％の窒素を含有する膜である。斜め蒸着
は、回転支持体に沿って移動する高分子フィルムに９０
度から入射させ最小入射角（θｉ）を変えて鉄を電子ビ
ーム蒸着して行い、その際同時に窒素アトムを照射する
か、窒素ガスを導入する。電子ビーム蒸着法で蒸着する
速度は、１ｏｏＯ（入／就）〜９０００（八μ）の範囲
で、入射角は必要な保磁力により条件を最適化し、真空
度は１×１Ｏ−５（Ｔｏｒｒ）以下で行うのが好ましい
。３は保護潤滑層で、４はバックコート層である。保護
潤滑層はプラズマ重合膜、炭素膜、脂肪酸、パーフルオ
ロポリエーテル等をスペーシング損失と保護効果の兼ね
合いで最適化されるものである。
ある。第１図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
ポリエーテルエーテルケトン等の高分子フィルムで必要
に応じて微粒子塗布層や山脈状の塗布層等で形状付与し
たものを用いてもよい。２は鉄の斜め蒸着膜であって、
０．３〜２ａｔ％の窒素を含有する膜である。斜め蒸着
は、回転支持体に沿って移動する高分子フィルムに９０
度から入射させ最小入射角（θｉ）を変えて鉄を電子ビ
ーム蒸着して行い、その際同時に窒素アトムを照射する
か、窒素ガスを導入する。電子ビーム蒸着法で蒸着する
速度は、１ｏｏＯ（入／就）〜９０００（八μ）の範囲
で、入射角は必要な保磁力により条件を最適化し、真空
度は１×１Ｏ−５（Ｔｏｒｒ）以下で行うのが好ましい
。３は保護潤滑層で、４はバックコート層である。保護
潤滑層はプラズマ重合膜、炭素膜、脂肪酸、パーフルオ
ロポリエーテル等をスペーシング損失と保護効果の兼ね
合いで最適化されるものである。
鉄膜に窒素が含まれることで結晶性の改善がはかられる
ことは保磁力は大きくならないが角型化が改善されるこ
とで推定され、欠陥が少なくなることで耐食性が改善さ
れることも厳密な証明は困難であるが、以下に更に具体
的な例を比較例との対比で詳しく説明する。
ことは保磁力は大きくならないが角型化が改善されるこ
とで推定され、欠陥が少なくなることで耐食性が改善さ
れることも厳密な証明は困難であるが、以下に更に具体
的な例を比較例との対比で詳しく説明する。
厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１ｏｏ人のＳｉｏ２ 微粒子を１０ケ／（μｍ）
配し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせて最小入射角（θ
ｉ）を変え、窒素原子ビームを照射しなから３０ＫＶ１
００ＫＷ（最大出力）の電子ビームで、９９．９９％マ
ツプの鉄をＭｑＱ容器よシ蒸発させ、１０ｏｏ（入／Ｓ
Ｍ：、）〜９ｏ００（入／渡辺範囲で１８ｏｏ人の鉄膜
を蒸着し、その上に、ヘキサメチルシクロトリシラザン
のプラズマ重合膜を１００人配し、０．４６μｍのバッ
クコート層を付して、８ミリ幅の磁気テープを得た。
に直径１ｏｏ人のＳｉｏ２ 微粒子を１０ケ／（μｍ）
配し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせて最小入射角（θ
ｉ）を変え、窒素原子ビームを照射しなから３０ＫＶ１
００ＫＷ（最大出力）の電子ビームで、９９．９９％マ
ツプの鉄をＭｑＱ容器よシ蒸発させ、１０ｏｏ（入／Ｓ
Ｍ：、）〜９ｏ００（入／渡辺範囲で１８ｏｏ人の鉄膜
を蒸着し、その上に、ヘキサメチルシクロトリシラザン
のプラズマ重合膜を１００人配し、０．４６μｍのバッ
クコート層を付して、８ミリ幅の磁気テープを得た。
夫々のテープをハイバンド化した８ミリビデオ（ＥＶ−
８９００ノニー■製）によシ出力比較を行った。テープ
の条件と評価結果を第１表にまとめて示した。
８９００ノニー■製）によシ出力比較を行った。テープ
の条件と評価結果を第１表にまとめて示した。
第１表かられかるように本発明の磁気テープは耐食性も
良好であるが、比較例は耐食性の点で劣る。得られた耐
食性は、既に報告されている。
良好であるが、比較例は耐食性の点で劣る。得られた耐
食性は、既に報告されている。
１ｏｏ（入／ｍ） の低速で慎重に試作したＦｅ工Ｎ
膜のレペμと同等であシ、高速性の点では極めて有用で
あるといえる。尚メカニズムは明らかではないが０．３
ａｔ％から２ａｔ％の範囲をこえるといずれも耐食性が
劣ることでこの範囲とするのが好ましい。
膜のレペμと同等であシ、高速性の点では極めて有用で
あるといえる。尚メカニズムは明らかではないが０．３
ａｔ％から２ａｔ％の範囲をこえるといずれも耐食性が
劣ることでこの範囲とするのが好ましい。
第
表
（実施例２）
課題を解決する別の手段は、高分子フィルム上に垂直蒸
着したＣｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、ｗのいずれかの下
地層上に斜め蒸着した鉄を配したものである。
着したＣｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、ｗのいずれかの下
地層上に斜め蒸着した鉄を配したものである。
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、下地と
同じ結晶構造を鉄がとることから、斜め蒸着にもかかわ
らず、下地が垂直蒸着であることから、バッキングファ
クタが大きくなり、耐食性が改良され、下地の結晶上へ
のエピタキシー的成長により結晶性が改善され雑音の低
い磁気記録媒体となる。
同じ結晶構造を鉄がとることから、斜め蒸着にもかかわ
らず、下地が垂直蒸着であることから、バッキングファ
クタが大きくなり、耐食性が改良され、下地の結晶上へ
のエピタキシー的成長により結晶性が改善され雑音の低
い磁気記録媒体となる。
第２図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第２図で、５は垂直蒸着したＣｒ。
ある。第２図で、５は垂直蒸着したＣｒ。
Ｖ 、Ｍｏ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、Ｗのいずれかから
成る下地層である。垂直蒸着は入射角が３０度以内であ
るのが好ましい。又真空度、高分子フィルム温度等につ
いても好ましい条件があるが、真空度では５ Ｘ １０
−５（Ｔｏｒｒ）以下、高分子フィルム温度は１０℃以
上が望ましい。膜厚は３００Å以上３０００Å以下が望
ましい。６は斜め蒸着した鉄膜であり、実施例１の磁気
記録層と組み合わせてもよいが、特に窒素を含まなくて
も下地の効果で、改善された磁気記録層が得られる。他
の番号は第１図と同じ構成でよいものである。
成る下地層である。垂直蒸着は入射角が３０度以内であ
るのが好ましい。又真空度、高分子フィルム温度等につ
いても好ましい条件があるが、真空度では５ Ｘ １０
−５（Ｔｏｒｒ）以下、高分子フィルム温度は１０℃以
上が望ましい。膜厚は３００Å以上３０００Å以下が望
ましい。６は斜め蒸着した鉄膜であり、実施例１の磁気
記録層と組み合わせてもよいが、特に窒素を含まなくて
も下地の効果で、改善された磁気記録層が得られる。他
の番号は第１図と同じ構成でよいものである。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１０．６μｍのポリエチレンナフタレートフィルム
上に直径１２０人のＣｒ２Ｏ３微粒子を１１ケ／（μｍ
）配し、その上にＯｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ。
上に直径１２０人のＣｒ２Ｏ３微粒子を１１ケ／（μｍ
）配し、その上にＯｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｗのいずれかを電子ビーム蒸着法で垂直蒸着を行って、
更に鉄（９９，９９９％）を斜め蒸着し、その上に実施
例１と同じプラズマ重合膜を配し、同様のバックコート
を施して８ミリテープを試作した。実施例、比較例共、
ハイバンド８ミリデツキ（ＥＶ−８ｓｏｏ ）を用い、
ＬＰモードでＣ／Ｎを比較した結果をテープ条件と併わ
せで第２表にまとめて示した。
更に鉄（９９，９９９％）を斜め蒸着し、その上に実施
例１と同じプラズマ重合膜を配し、同様のバックコート
を施して８ミリテープを試作した。実施例、比較例共、
ハイバンド８ミリデツキ（ＥＶ−８ｓｏｏ ）を用い、
ＬＰモードでＣ／Ｎを比較した結果をテープ条件と併わ
せで第２表にまとめて示した。
第２表より本実施例のテープは耐食性に優れていて、角
型比も良好でかつ雑音の改善でＣ／Ｎも第 表 良いことがわかる。
型比も良好でかつ雑音の改善でＣ／Ｎも第 表 良いことがわかる。
（実施例３）
課題を解決するだめの別の手段は、高分子フイルム１に
斜め蒸着した鉄膜と柱状成長方向が反対に傾斜した鉄窒
化鉄系斜め蒸着膜を積層したものである。本発明の磁気
記録媒体は、上記した構成により、微視的に腐食性ガス
のアタックが表面側の鉄窒化鉄系と下層の鉄斜め蒸着膜
の柱状微粒子が交錯することで弱まり、経時安定性が改
良され、２層構成になることで微細磁区化が進み雑音が
改善され高Ｃ／Ｎ化も図れることになる。
斜め蒸着した鉄膜と柱状成長方向が反対に傾斜した鉄窒
化鉄系斜め蒸着膜を積層したものである。本発明の磁気
記録媒体は、上記した構成により、微視的に腐食性ガス
のアタックが表面側の鉄窒化鉄系と下層の鉄斜め蒸着膜
の柱状微粒子が交錯することで弱まり、経時安定性が改
良され、２層構成になることで微細磁区化が進み雑音が
改善され高Ｃ／Ｎ化も図れることになる。
第３図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第３図で、第１図と同一構成でよいものは同一の
番号を付しである。第３図で７は鉄の斜め蒸着膜で、膜
厚は８００人から１６０゜人が適している。鉄の斜め蒸
着膜７は、柱状微粒子８の集合体から成り、傾斜方向が
模式的に示したようであるとすると、積層した鉄−窒化
鉄系斜め蒸着膜９を構成する柱状微粒子９はその反対に
傾けることが構成要件である。膜厚は、３００人から８
００人が好ましい。厚い方が耐食性の面からは有利であ
るが、生産性を考えると薄い方がよく、両者の妥協範囲
が上記した数値である。ここでいう鉄・窒化鉄系斜め蒸
着膜は、実施例１でのべた膜も含み、従来から知られる
Ｆｅ工Ｎ膜も含めて構成できる。
ある。第３図で、第１図と同一構成でよいものは同一の
番号を付しである。第３図で７は鉄の斜め蒸着膜で、膜
厚は８００人から１６０゜人が適している。鉄の斜め蒸
着膜７は、柱状微粒子８の集合体から成り、傾斜方向が
模式的に示したようであるとすると、積層した鉄−窒化
鉄系斜め蒸着膜９を構成する柱状微粒子９はその反対に
傾けることが構成要件である。膜厚は、３００人から８
００人が好ましい。厚い方が耐食性の面からは有利であ
るが、生産性を考えると薄い方がよく、両者の妥協範囲
が上記した数値である。ここでいう鉄・窒化鉄系斜め蒸
着膜は、実施例１でのべた膜も含み、従来から知られる
Ｆｅ工Ｎ膜も含めて構成できる。
又更に下地層を実施例２を謬考にして配してもよく、得
られる特性は更に好ましいものとなるが、製造上はやや
はん雑となることから要求特性との兼ね合いで、選択、
対応すればよい。
られる特性は更に好ましいものとなるが、製造上はやや
はん雑となることから要求特性との兼ね合いで、選択、
対応すればよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１１０人のＦｅ２Ｏ２ｇｊｔ粒子を２０ケ／（μ
ｍ）２配し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、フィル
ムを移動（入方向）させθｉを変え３ Ｘ １０＝ 〜
４．５ Ｘ １０−６（Ｔｏｒｒ）で鉄を斜め蒸着し、
フィルムを入方向と反転させ（Ｂ方向）移動しながら、
θ・を変え、９０’からθｉ までの部門 分にカウフマン型の窒素イオン源によシ、１゜ＫｅＶ
、４０μＡ／ｄのイオン照射を行い鉄・窒化鉄系の斜め
蒸着膜を形成し、その上に実施例１と同じ保護膜、同じ
バックコート層を配し８ミリテープとした。
に直径１１０人のＦｅ２Ｏ２ｇｊｔ粒子を２０ケ／（μ
ｍ）２配し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、フィル
ムを移動（入方向）させθｉを変え３ Ｘ １０＝ 〜
４．５ Ｘ １０−６（Ｔｏｒｒ）で鉄を斜め蒸着し、
フィルムを入方向と反転させ（Ｂ方向）移動しながら、
θ・を変え、９０’からθｉ までの部門 分にカウフマン型の窒素イオン源によシ、１゜ＫｅＶ
、４０μＡ／ｄのイオン照射を行い鉄・窒化鉄系の斜め
蒸着膜を形成し、その上に実施例１と同じ保護膜、同じ
バックコート層を配し８ミリテープとした。
比較例は、入方向での積層と、入方向、Ｂ方尚の積層で
あるが２層目も鉄膜とした場合で比較した。尚、評価は
実施例２と同じ基準で評価した。
あるが２層目も鉄膜とした場合で比較した。尚、評価は
実施例２と同じ基準で評価した。
（ｏ（ｄＢ）は第２表のｏ（ｄＢ）と同一である。）テ
ープの条件と評価結果を第３表にまとめて示した。
ープの条件と評価結果を第３表にまとめて示した。
第３表よυ本実流側は、高Ｃ／Ｎの実現と、維持に於て
比較例よシ優れていることがわかる。
比較例よシ優れていることがわかる。
第′
表
発明の効果
以上のように本発明によれば飽和磁束密度の大きい鉄系
を磁気記録層とした磁気記録媒体の耐食性高出力、低雑
音化を、媒体の生産性に於ても実用水準で実現できると
いったすぐれた効果がある。
を磁気記録層とした磁気記録媒体の耐食性高出力、低雑
音化を、媒体の生産性に於ても実用水準で実現できると
いったすぐれた効果がある。
第１図、第２図、第３図は本発明の各実施例における磁
気記録媒体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・鉄（０
，３〜２ａｔ％窒素含有）膜、３・・・・・・保護潤滑
層、６・・・・・・下地層（例えばＣｒ）、６・・・・
・・斜め蒸着鉄膜、７・・・・・・斜め蒸着鉄膜、９・
・・・・・斜め蒸着鉄・窒化鉄系膜。
気記録媒体の拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・鉄（０
，３〜２ａｔ％窒素含有）膜、３・・・・・・保護潤滑
層、６・・・・・・下地層（例えばＣｒ）、６・・・・
・・斜め蒸着鉄膜、７・・・・・・斜め蒸着鉄膜、９・
・・・・・斜め蒸着鉄・窒化鉄系膜。
Claims (3)
- （１）高分子フィルム上に配した斜め蒸着鉄膜が０．３
〜２ａｔ％の窒素を含有していることを特徴とする磁気
記録媒体。 - （２）高分子フィルム上に垂直蒸着したＣｒ、Ｖ、Ｍｏ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗのいずれかの下地層上に斜め蒸着した
鉄を配したことを特徴とする磁気記録媒体。 - （３）高分子フィルム上に配した斜め蒸着した鉄膜と柱
状成長方向が反対に傾斜した鉄−窒化鉄系斜め蒸着膜を
積層したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255660A JPH03116517A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255660A JPH03116517A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116517A true JPH03116517A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17281840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1255660A Pending JPH03116517A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116517A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0785466A (ja) * | 1992-09-17 | 1995-03-31 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| JPH07254148A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| KR20160099124A (ko) * | 2015-02-11 | 2016-08-22 | (주)뷰티프로모션스 | 평판형 인조손톱 및 이의 제조방법 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1255660A patent/JPH03116517A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0785466A (ja) * | 1992-09-17 | 1995-03-31 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| JPH07254148A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| KR20160099124A (ko) * | 2015-02-11 | 2016-08-22 | (주)뷰티프로모션스 | 평판형 인조손톱 및 이의 제조방법 |
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