JPH03207014A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03207014A JPH03207014A JP2003058A JP305890A JPH03207014A JP H03207014 A JPH03207014 A JP H03207014A JP 2003058 A JP2003058 A JP 2003058A JP 305890 A JP305890 A JP 305890A JP H03207014 A JPH03207014 A JP H03207014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- incident angle
- perpendicular magnetization
- magnetic recording
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁究記録用の磁気
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録：■′ｉ、より短波長化と狭トラノク化
の進歩により、記録面積を１（μｍ）に１で高密化する
ことが展望されるに至り、磁気記録謀体もＣｏ−Ｎｉ−
○斜め蒸着，Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜，Ｃｏ−０系垂直磁
化膜が特性向上を図ってその期待に応えようとしている
。
の進歩により、記録面積を１（μｍ）に１で高密化する
ことが展望されるに至り、磁気記録謀体もＣｏ−Ｎｉ−
○斜め蒸着，Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜，Ｃｏ−０系垂直磁
化膜が特性向上を図ってその期待に応えようとしている
。
中でもｃｏ−Ｑ系垂直磁化膜は、ヘリカノレスキャナー
による高密度記録で実用化に於で先行しているＣ ｏ
−Ｎ ｉ −０ 斜め蒸着膜の耐久性向上技術が生かせ
る点と、低温製膜化の可能性が期待される〔特開昭６０
−１９３１２３号公報〕ことから、最近各方面で開発が
加速されてきている。
による高密度記録で実用化に於で先行しているＣ ｏ
−Ｎ ｉ −０ 斜め蒸着膜の耐久性向上技術が生かせ
る点と、低温製膜化の可能性が期待される〔特開昭６０
−１９３１２３号公報〕ことから、最近各方面で開発が
加速されてきている。
このＣｏ−０系垂直磁化膜は、通常真空蒸着時に酸素ガ
ス又は酸素ガスとＡ ｒ ， Ｎ ２等との混合ガスを
導入しながら、ＣＯ又ぱＣ ｏ −Ｎ ｉ 等を電子ビ
ム蒸着することで高分子フィルム上に形或されるもので
あって、磁気特性，耐久性，或膜性等の点で数々の優れ
た特徴を有している。
ス又は酸素ガスとＡ ｒ ， Ｎ ２等との混合ガスを
導入しながら、ＣＯ又ぱＣ ｏ −Ｎ ｉ 等を電子ビ
ム蒸着することで高分子フィルム上に形或されるもので
あって、磁気特性，耐久性，或膜性等の点で数々の優れ
た特徴を有している。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＣＯ−○系垂直磁化膜はＣｏ−Ｃｒ系垂直
磁化膜に比較し、クラノクが生じ易く、高密度記録に必
要なＣ／Ｈの確保の点で改善が望１れている。本発明は
上記した事情に鑑みなされもので、クラックの発生のな
い、高Ｃ／Ｎ特性をもつ磁気記録媒体を提供するもので
ある。
磁化膜に比較し、クラノクが生じ易く、高密度記録に必
要なＣ／Ｈの確保の点で改善が望１れている。本発明は
上記した事情に鑑みなされもので、クラックの発生のな
い、高Ｃ／Ｎ特性をもつ磁気記録媒体を提供するもので
ある。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体は
、高分子フィルム上に入射角６５°以上のＣｏ−０非磁
性斜め蒸着膜上にＣｏ−０系垂直磁化膜を形戒したもの
である。
、高分子フィルム上に入射角６５°以上のＣｏ−０非磁
性斜め蒸着膜上にＣｏ−０系垂直磁化膜を形戒したもの
である。
作 用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構戎により、Ｃｏ−
０非磁性膜が応力分散を行い、Ｃｏ−０系垂直膜にクラ
ンクを生じさせないのと、Ｃｏ−０系垂直磁化膜の垂直
磁化特性がＣ ｏ−０下地によって改善されＣ／Ｎも改
善されることになる。
０非磁性膜が応力分散を行い、Ｃｏ−０系垂直膜にクラ
ンクを生じさせないのと、Ｃｏ−０系垂直磁化膜の垂直
磁化特性がＣ ｏ−０下地によって改善されＣ／Ｎも改
善されることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の磁気記録媒体につい
て説明する。
て説明する。
〔実施例１〕
第１図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第１図で、１はポリエチレンテレフタレート，ポ
リエチレンナフタレート，ポリフェニレンサノレファイ
ド，ホリエーテ！レエーテノレケトン等の高分子フィル
ムで、必要であれば、１００〜３００人の微粒子を０１
〜１００ケ／μ の範囲で配してもよい。２は入射角６
５度以上で形戒した非磁性のＣｏ−０膜で、膜厚は４０
０人から１０００人の範囲で構戒する。４００人以下で
はＣ／Ｎ改善効果が弱く、１ ０００人以上では、磁気
ヘノドに対して曲面に密着しに〈いことから起こるエン
ベロープ波形劣化をきたすからである。
ある。第１図で、１はポリエチレンテレフタレート，ポ
リエチレンナフタレート，ポリフェニレンサノレファイ
ド，ホリエーテ！レエーテノレケトン等の高分子フィル
ムで、必要であれば、１００〜３００人の微粒子を０１
〜１００ケ／μ の範囲で配してもよい。２は入射角６
５度以上で形戒した非磁性のＣｏ−０膜で、膜厚は４０
０人から１０００人の範囲で構戒する。４００人以下で
はＣ／Ｎ改善効果が弱く、１ ０００人以上では、磁気
ヘノドに対して曲面に密着しに〈いことから起こるエン
ベロープ波形劣化をきたすからである。
又入射角６５度以下の蒸着部を含むと、後述するように
ストレス吸収効果が弱壕り、垂直磁化膜にクラックの発
生が起こるからである。尚６５〜５０度の範囲では確率
的に％程度クラックが発生するので、６５度とした方が
よい。３はＣｏ−０系垂直磁化膜で、Ｃｏ −０ ，
Ｃｏ −Ｎ Ｌ −０ ， Ｃｏ−Ｎｄ −０ ，Ｃｏ
−Ｐｒ一四の垂直異方性を有したＯ．Ｏ Ｓ〜０．３μ
ｍの膜で、電子ビーム蒸着法，超高速スパノタ法等で形
戊される。他に図示しなかった保護潤滑層，パソクコー
ト層等は必要に応じ適宜，最適な条件で構威される。
ストレス吸収効果が弱壕り、垂直磁化膜にクラックの発
生が起こるからである。尚６５〜５０度の範囲では確率
的に％程度クラックが発生するので、６５度とした方が
よい。３はＣｏ−０系垂直磁化膜で、Ｃｏ −０ ，
Ｃｏ −Ｎ Ｌ −０ ， Ｃｏ−Ｎｄ −０ ，Ｃｏ
−Ｐｒ一四の垂直異方性を有したＯ．Ｏ Ｓ〜０．３μ
ｍの膜で、電子ビーム蒸着法，超高速スパノタ法等で形
戊される。他に図示しなかった保護潤滑層，パソクコー
ト層等は必要に応じ適宜，最適な条件で構威される。
以下更に具体的に本発明の実施例について比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み１１μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に
、直径１ ３０ＡのＣｒ２０３微粒子を２４ケ／μ 配
し、その上に直径６ｏｃＩ１の円筒キャン（キャン冷却
媒体温度２０℃， １６ｎ／／ｍ）を用い、入射角と酸
素導入条件をパラメータとして、非磁性のＣｏ−０膜を
形或し、その上でＧｏ−０垂直磁化膜を同じく５ｏｃＩ
１の円筒キャンに沿わせて、入射角範囲４００〜２０°
，蒸着速度１３０ｏ（Ａ／！ｆｌ）．酸素導入量１．ｔ
ｓ （ １／廁），酸素吹き付け角を５°として、飽和
磁束密度８７００（Ｇ），垂直異方性磁界５．６ （Ｋ
Ｏｅ ）の垂直磁化膜を形或した。垂直磁化膜は０．１
８μｍ一定とし、その上にパーフルオロアラキン酸を７
０入相当量３Ｘ１０−６（．Ｔｏｒｒ）の真空中で真空
蒸着し、バックコート層として、カーボンフィラー（フ
ィラー直径６００人）を重量で樹脂と等量含むポリウレ
タンバックコートを０．４４μｍ形戒し、Ｂｆｌ幅のテ
ープにし、ハイバンド８ミリビデオ（ＥＶ−３９００ソ
ニ■製〕で比較評価し、初期と走行後クラックは光学顕
微鏡（４００倍）で観察した。条件と評価結果を第１表
に１とめて示した。第１表からわかるように本発明の各
実施例はＣ／Ｎが安定していて、その原因がクラックの
ないことにあることは明らかである。
、直径１ ３０ＡのＣｒ２０３微粒子を２４ケ／μ 配
し、その上に直径６ｏｃＩ１の円筒キャン（キャン冷却
媒体温度２０℃， １６ｎ／／ｍ）を用い、入射角と酸
素導入条件をパラメータとして、非磁性のＣｏ−０膜を
形或し、その上でＧｏ−０垂直磁化膜を同じく５ｏｃＩ
１の円筒キャンに沿わせて、入射角範囲４００〜２０°
，蒸着速度１３０ｏ（Ａ／！ｆｌ）．酸素導入量１．ｔ
ｓ （ １／廁），酸素吹き付け角を５°として、飽和
磁束密度８７００（Ｇ），垂直異方性磁界５．６ （Ｋ
Ｏｅ ）の垂直磁化膜を形或した。垂直磁化膜は０．１
８μｍ一定とし、その上にパーフルオロアラキン酸を７
０入相当量３Ｘ１０−６（．Ｔｏｒｒ）の真空中で真空
蒸着し、バックコート層として、カーボンフィラー（フ
ィラー直径６００人）を重量で樹脂と等量含むポリウレ
タンバックコートを０．４４μｍ形戒し、Ｂｆｌ幅のテ
ープにし、ハイバンド８ミリビデオ（ＥＶ−３９００ソ
ニ■製〕で比較評価し、初期と走行後クラックは光学顕
微鏡（４００倍）で観察した。条件と評価結果を第１表
に１とめて示した。第１表からわかるように本発明の各
実施例はＣ／Ｎが安定していて、その原因がクラックの
ないことにあることは明らかである。
第
表
（ω
クフックは、長手力向にみてｎ当クの１０ｖｔ野での平
均本数で表示した。
均本数で表示した。
〔実施例２〕
課題を解決する別の手段は、高分子フィルム上に入射角
６０度以上のチタン，ゲルマニウム，シリコン，クロム
のいずれかの斜め蒸着膜を配した上にＣｏ−０系垂直磁
化膜を配したものである。本発明の磁気記録媒体は上記
した構或により、斜め蒸着膜の結晶性がＣｏ−０系垂直
磁化膜の垂直異方性を強くし、垂直磁化膜のパソキング
度合を低い方向に構或することで、クラノクの発生が起
こらなくなり、低温でもＣ／Ｈの良好な垂直磁気記録媒
体が得られることになる。
６０度以上のチタン，ゲルマニウム，シリコン，クロム
のいずれかの斜め蒸着膜を配した上にＣｏ−０系垂直磁
化膜を配したものである。本発明の磁気記録媒体は上記
した構或により、斜め蒸着膜の結晶性がＣｏ−０系垂直
磁化膜の垂直異方性を強くし、垂直磁化膜のパソキング
度合を低い方向に構或することで、クラノクの発生が起
こらなくなり、低温でもＣ／Ｈの良好な垂直磁気記録媒
体が得られることになる。
第２図は本発明の第２の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図で、第２図で第１図と共通した構戊要素の中から選
択できるものは同一番号を付してある。第２図で４は、
入射角６０度以上で斜め蒸着シタチタン，ゲルマニウム
，シリコン，クロムのいずれかの元素から或る斜め蒸着
膜で、６０度以上の条件であれば、クラノクの発生を抑
制できる。第１の実施例と角度が異なる点は明らかでは
ないが、一方が酸化嘆であることから、金属のもつ展性
，延性が小さくなってることに関係があると推察される
。
面図で、第２図で第１図と共通した構戊要素の中から選
択できるものは同一番号を付してある。第２図で４は、
入射角６０度以上で斜め蒸着シタチタン，ゲルマニウム
，シリコン，クロムのいずれかの元素から或る斜め蒸着
膜で、６０度以上の条件であれば、クラノクの発生を抑
制できる。第１の実施例と角度が異なる点は明らかでは
ないが、一方が酸化嘆であることから、金属のもつ展性
，延性が小さくなってることに関係があると推察される
。
膜厚ぱ４００人から１０００人の範囲が好寸し〈、電子
ビーム蒸着法で、１０００人／敦〜５０００人／就の範
囲で形或すればよい。
ビーム蒸着法で、１０００人／敦〜５０００人／就の範
囲で形或すればよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（
平均粗さ２５人）上に直径１００人の３ １０ ２微粒
子を１８ケ／μ２配し、その上に直径５０ｃＩＩｔの円
筒キャン（キャン温度２５℃）に沿わせて、最小入射角
を変えて、チタン，ゲルマニウム，シリコン，クロムを
平均６ Ｘ １ ０ （Ｔｏｒｒ），蒸着速度２２００
（人／繁）で電子ビーム蒸着し、史にその上に０．２μ
ｍのＣｏ−０系垂直磁化膜を、酸素導入（入射角５度）
条件と、キャン温度を変え蒸着速，度を１６００（入／
ＳｅＣ）〜４０００（入／ＳｅＣ）の範囲で選び、垂直
異方性磁界が５．６〜５．７（ＫＯｅ）垂直方向の保磁
力が８００〜８３０（Ｏｓ）のものを巽び、特性比較を
第１表に示しフ’ｊものと同じ測定器を用い行った。
平均粗さ２５人）上に直径１００人の３ １０ ２微粒
子を１８ケ／μ２配し、その上に直径５０ｃＩＩｔの円
筒キャン（キャン温度２５℃）に沿わせて、最小入射角
を変えて、チタン，ゲルマニウム，シリコン，クロムを
平均６ Ｘ １ ０ （Ｔｏｒｒ），蒸着速度２２００
（人／繁）で電子ビーム蒸着し、史にその上に０．２μ
ｍのＣｏ−０系垂直磁化膜を、酸素導入（入射角５度）
条件と、キャン温度を変え蒸着速，度を１６００（入／
ＳｅＣ）〜４０００（入／ＳｅＣ）の範囲で選び、垂直
異方性磁界が５．６〜５．７（ＫＯｅ）垂直方向の保磁
力が８００〜８３０（Ｏｓ）のものを巽び、特性比較を
第１表に示しフ’ｊものと同じ測定器を用い行った。
尚トンプコート層とバックコート層は同一とした、
比較例の一部は、高分子フィルムをポリイミドフィルム
とした。第２表に条件と特性を１とめて示した。
とした。第２表に条件と特性を１とめて示した。
第
表
比較例３．４はポリイミドフィルムを用いたものである
。
。
発明の効果
以上のように本発明によれば、クラック発生のない、良
好なＣ／Ｎを維持できる磁気記録媒体を提供できるとい
ったすぐれた効果がある。
好なＣ／Ｎを維持できる磁気記録媒体を提供できるとい
ったすぐれた効果がある。
第１図，第２図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・斜め蒸
着非磁性Ｃｏ−Ｏ膜、３・・・・・・Ｃｏ−０系垂直磁
化膜、４・・・・・・斜め蒸着膜（ Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｏ
，Ｃｒのいずれか）。
断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・斜め蒸
着非磁性Ｃｏ−Ｏ膜、３・・・・・・Ｃｏ−０系垂直磁
化膜、４・・・・・・斜め蒸着膜（ Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｏ
，Ｃｒのいずれか）。
Claims (2)
- （１）高分子フィルムと、その上面に設けた入射角６５
°以上のＣｏ−Ｏ非磁性斜め蒸着膜と、さらにその上面
に設けたＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜とを備えたことを特徴と
する磁気記録媒体。 - （２）高分子フィルムと、その上面に設けた入射角６０
°以上のチタン、ゲルマニウム、シリコン、クロムのい
ずれかの斜め蒸着膜と、さらにその上面に設けたＣｏ−
Ｏ系垂直磁化膜とを備えたことを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003058A JPH03207014A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003058A JPH03207014A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03207014A true JPH03207014A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11546726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003058A Pending JPH03207014A (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03207014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992016938A1 (fr) * | 1991-03-22 | 1992-10-01 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement magnetique vertical et son procede de fabrication |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01166334A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003058A patent/JPH03207014A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01166334A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992016938A1 (fr) * | 1991-03-22 | 1992-10-01 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement magnetique vertical et son procede de fabrication |
| US5525398A (en) * | 1991-03-22 | 1996-06-11 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and method for making |
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