JPH03116801A - 抵抗体ペースト - Google Patents
抵抗体ペーストInfo
- Publication number
- JPH03116801A JPH03116801A JP1252251A JP25225189A JPH03116801A JP H03116801 A JPH03116801 A JP H03116801A JP 1252251 A JP1252251 A JP 1252251A JP 25225189 A JP25225189 A JP 25225189A JP H03116801 A JPH03116801 A JP H03116801A
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- JP
- Japan
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- laser
- coloring pigment
- resistor
- glass powder
- laser beam
- Prior art date
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、抵抗体ペーストに関するものである。
[従来の技術]
従来厚膜回路において、セラミックス基板上に電極とし
て銅(Cu)導体を形成し、その間°に抵抗体ペースト
を印刷し、窒素雰囲気(N2)巾約850〜1000℃
で焼成される。
て銅(Cu)導体を形成し、その間°に抵抗体ペースト
を印刷し、窒素雰囲気(N2)巾約850〜1000℃
で焼成される。
次いで、抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行
なうが、その際レーザーによるトリミングが十分には行
なわれない。そのため、抵抗体厚膜がカットできるよう
に、レーザーのパワーを上昇させると、抵抗体が切れる
と共に下地の基板までレーザーにより切れ、掘れてしま
う。抵抗体がレーザーにより切れにくい。又、切口にク
ラックが発生する。以上のような問題があった。
なうが、その際レーザーによるトリミングが十分には行
なわれない。そのため、抵抗体厚膜がカットできるよう
に、レーザーのパワーを上昇させると、抵抗体が切れる
と共に下地の基板までレーザーにより切れ、掘れてしま
う。抵抗体がレーザーにより切れにくい。又、切口にク
ラックが発生する。以上のような問題があった。
[発明の解決しようどする課題]
本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった抵
抗体ペーストを新規に提供することを目的とするもので
ある。
消しようとするものであり、従来知られていなかった抵
抗体ペーストを新規に提供することを目的とするもので
ある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべ(なされたものであ
り、無機成分が実質的にガラス粉末とZrBa、LaB
5.TaN、TiN、Ta5iz、Mo5ia、Moz
C,Weのいずれか1つとレーザー光を吸収できる着色
顔料を含有することを特徴とする抵抗ペースト等を提供
するものである。
り、無機成分が実質的にガラス粉末とZrBa、LaB
5.TaN、TiN、Ta5iz、Mo5ia、Moz
C,Weのいずれか1つとレーザー光を吸収できる着色
顔料を含有することを特徴とする抵抗ペースト等を提供
するものである。
本発明の目的は、導電物質粉末と着色顔料及びガラス粉
末からなるドーザ−トリミング特性のよい抵抗体ペース
トを作製することである。
末からなるドーザ−トリミング特性のよい抵抗体ペース
トを作製することである。
本発明に使用するガラスはどんなものでも使用できるが
、5iOa −8mOs系等のガラスが低温度で焼結し
やすく望ましい。
、5iOa −8mOs系等のガラスが低温度で焼結し
やすく望ましい。
尚、以下%は特に記載しない限り重量%を意味する。
本発明にかかるガラス粉末の一例としては、無機成分が
実質的に%で Si0□ 8〜60% A1aOs 0〜30%Mg00〜40
% Ca00〜40% 5r00〜60% Ba0 0〜60% MgO+CaO+SrO+BaO10〜60%LLO+
NazO+LO+C3200〜10%pbo
o〜lO%Zn0
0〜40%Ti0z+ Zr0i
O〜10%BzOi
5〜40%からなり、順次これらについ
て説明する。
実質的に%で Si0□ 8〜60% A1aOs 0〜30%Mg00〜40
% Ca00〜40% 5r00〜60% Ba0 0〜60% MgO+CaO+SrO+BaO10〜60%LLO+
NazO+LO+C3200〜10%pbo
o〜lO%Zn0
0〜40%Ti0z+ Zr0i
O〜10%BzOi
5〜40%からなり、順次これらについ
て説明する。
かかる組成において、SiO□はガラスのネットワーク
フォーマ−であり、8%より少ないと、軟化点が低(な
りすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じやすくな
るので好ましくない。
フォーマ−であり、8%より少ないと、軟化点が低(な
りすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じやすくな
るので好ましくない。
一方、Singが60%より多いと、軟化点が高(なり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり導電物質粉末を
覆って濡らすことができず焼結層の空孔が多くなりすぎ
、抵抗の安定性が悪(なるので適当でない。望ましくは
、15〜55%の範囲である。
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり導電物質粉末を
覆って濡らすことができず焼結層の空孔が多くなりすぎ
、抵抗の安定性が悪(なるので適当でない。望ましくは
、15〜55%の範囲である。
A110.は必須ではないが、添加することにより、耐
湿性の向上に効果がある。30%を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは28%以下である。
湿性の向上に効果がある。30%を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは28%以下である。
MgO+CaO+SrO+BaOはガラス粉末製造時の
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。10%より少ないと、上記の溶解性が十分に
向上しないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、6
0%を超えると、熱膨張係数が大きくなりすぎ、いずれ
も適当でない。望ましくは15〜55%の範囲である。
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。10%より少ないと、上記の溶解性が十分に
向上しないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、6
0%を超えると、熱膨張係数が大きくなりすぎ、いずれ
も適当でない。望ましくは15〜55%の範囲である。
また、上記MgO+(:aO+sro+Baoの内のM
gO,CaOはそれぞれ40%以上であると熱膨張係数
が大きくなりすぎ不適当である。望ましい範囲は0〜3
5%である。上記MgO+CaO+SrO+BaOの内
のSrO。
gO,CaOはそれぞれ40%以上であると熱膨張係数
が大きくなりすぎ不適当である。望ましい範囲は0〜3
5%である。上記MgO+CaO+SrO+BaOの内
のSrO。
BaOは60%以上であると熱膨張係数が大きくなりす
ぎ不適当である。望ましい範囲は0〜55%である。
ぎ不適当である。望ましい範囲は0〜55%である。
LizO+Na*0+KiO+C3zOは必須ではない
が、添加することにより、ガラスの溶解性の向上を図る
ことができる。10%を越えると、熱膨張係数が大きく
なりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼成後厚膜
が入る可能性が大となり適当でない7田ましくけ8%i
′ノ下であるーPbOは必須ではないが、ガラスのフラ
ックス成分としての効果がある。10%を超えると抵抗
値が高くなりすぎ適当でない。望ましくは5%以下であ
る。
が、添加することにより、ガラスの溶解性の向上を図る
ことができる。10%を越えると、熱膨張係数が大きく
なりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼成後厚膜
が入る可能性が大となり適当でない7田ましくけ8%i
′ノ下であるーPbOは必須ではないが、ガラスのフラ
ックス成分としての効果がある。10%を超えると抵抗
値が高くなりすぎ適当でない。望ましくは5%以下であ
る。
ZnOは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に40%まで添加することが可能であり、35%以下が
望ましい範囲である。
に40%まで添加することが可能であり、35%以下が
望ましい範囲である。
Zr0t+TiO□は必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。添
加量は10%が可能であるが、望ましくは7%以下であ
る。
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。添
加量は10%が可能であるが、望ましくは7%以下であ
る。
B20.はフラックス成分として用いるが、 5%より
少ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また40%を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない。
少ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また40%を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない。
望ましくは、7〜38%の範囲である。
着色顔料としては、850〜1100℃の抵抗体の焼成
条件において、褪色しない耐熱を有するものが好ましく
、レーザーの波長近辺において、レーザーの吸11V
特性を有する物質であることが必要である。
条件において、褪色しない耐熱を有するものが好ましく
、レーザーの波長近辺において、レーザーの吸11V
特性を有する物質であることが必要である。
この様な耐熱性の着色顔料は、鉄酸化物、コバルト酸化
物、クロム酸化物、マンガン酸化物、アルミニウム酸化
物、銅酸化物、亜鉛酸化物、ニッケル酸化物、チタン酸
化物などの酸化物成分からなる化合物で一般的に市販さ
れている酸化物系顔料である。
物、クロム酸化物、マンガン酸化物、アルミニウム酸化
物、銅酸化物、亜鉛酸化物、ニッケル酸化物、チタン酸
化物などの酸化物成分からなる化合物で一般的に市販さ
れている酸化物系顔料である。
例えば、抵抗のレーザートリミングに使用される通常の
ItLm付近の波長のレーザーの場合は、Fe2rs
、 Cod、 CrzOz 、 MnO,Cub、 N
ip、 V*Oaを単独又は並用して使用できる。
ItLm付近の波長のレーザーの場合は、Fe2rs
、 Cod、 CrzOz 、 MnO,Cub、 N
ip、 V*Oaを単独又は並用して使用できる。
更には、
CrzOi−NiO(緑)
FeiOs−MnO(黒)
Fe20s−Cr20s (黒)
Fears−Crabs CoO(黒)FegOa−
Cr2bs−Cost4−MnO(黒)Feign−C
rabs−Cost4−MnO−Nio (黒)Cu
O−Crabs (黒) CuO−Fears −MnO(黒) 等からなる通常市販されている着色顔料が使用できる。
Cr2bs−Cost4−MnO(黒)Feign−C
rabs−Cost4−MnO−Nio (黒)Cu
O−Crabs (黒) CuO−Fears −MnO(黒) 等からなる通常市販されている着色顔料が使用できる。
以上の中で、黒色のものがレーザーの吸収効率がよいの
で望ましく、この中でCr1es、Nip。
で望ましく、この中でCr1es、Nip。
FegOs、MnO,Cooが望ましく、 Fears
−MnO(黒)、Fe20s−Crabs(黒〕、Fe
ars−Crabs −Coo(黒)、Fears −
cr*os −Cost< Mn0(黒)、Fe、
O,−CrsOs −CoaL −MnO−Nip(黒
)、CuO−Cr1es(黒)、CuO−Fezes
−Mn0(黒)が望ましい。
−MnO(黒)、Fe20s−Crabs(黒〕、Fe
ars−Crabs −Coo(黒)、Fears −
cr*os −Cost< Mn0(黒)、Fe、
O,−CrsOs −CoaL −MnO−Nip(黒
)、CuO−Cr1es(黒)、CuO−Fezes
−Mn0(黒)が望ましい。
以上述べた着色顔料にかかる物質は本発明の抵抗ペース
ト中に実質的に0.05〜20%含有されることが必要
であり、0.1〜10%が望ましい範囲である。
ト中に実質的に0.05〜20%含有されることが必要
であり、0.1〜10%が望ましい範囲である。
また、上記本発明にかかる着色顔料にかかる物質が主成
分であることが必要であるが、他の物質を含有していて
も使用できる。尚、該着色顔料の平均粒径は、均一に分
散されるように0、001〜1μ程度が好ましい 導電物質としては、ZrB*、LaBa、TaN、Ti
N、TaSi2゜Mo5ia、 MogC,wcが使用
できる。
分であることが必要であるが、他の物質を含有していて
も使用できる。尚、該着色顔料の平均粒径は、均一に分
散されるように0、001〜1μ程度が好ましい 導電物質としては、ZrB*、LaBa、TaN、Ti
N、TaSi2゜Mo5ia、 MogC,wcが使用
できる。
本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記割合
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。
上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混練し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリα−メチルスチレン樹脂、溶剤としては、α−
テルピネオール、ブチルカルピトールアセテート、ブチ
ルカルピトール、2,2.4−トリメチルペンタンジオ
−ルー1.3−モノイソブチレート、ジエチレングリコ
ールジ−n−ブチルエーテル等が通常使用できる。さら
に分散剤として界面活性剤を添加してもよい。
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混練し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリα−メチルスチレン樹脂、溶剤としては、α−
テルピネオール、ブチルカルピトールアセテート、ブチ
ルカルピトール、2,2.4−トリメチルペンタンジオ
−ルー1.3−モノイソブチレート、ジエチレングリコ
ールジ−n−ブチルエーテル等が通常使用できる。さら
に分散剤として界面活性剤を添加してもよい。
次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス等のセラミックス基板上に導体を作成するため
に例えばCuペーストを所定の回路に印刷、乾燥後、通
常酸素濃度20ppm以下の窒素雰囲気中で850〜1
000℃、5〜20分で焼成する。この焼成条件の望ま
しい範囲は880〜950℃、7〜15分である。次い
で、抵抗を設けるべき所定の箇所に上記本発明の抵抗体
ペーストを印刷した後乾燥させ、上記窒素雰囲気中、8
50〜1000℃、5〜20分で焼成する。この焼成条
件の望ましい範囲は880〜950℃、7〜15分であ
る。
ミックス等のセラミックス基板上に導体を作成するため
に例えばCuペーストを所定の回路に印刷、乾燥後、通
常酸素濃度20ppm以下の窒素雰囲気中で850〜1
000℃、5〜20分で焼成する。この焼成条件の望ま
しい範囲は880〜950℃、7〜15分である。次い
で、抵抗を設けるべき所定の箇所に上記本発明の抵抗体
ペーストを印刷した後乾燥させ、上記窒素雰囲気中、8
50〜1000℃、5〜20分で焼成する。この焼成条
件の望ましい範囲は880〜950℃、7〜15分であ
る。
多層セラミックス基板−括焼成の場合は、上記Cuペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気中で850〜1000℃、数分〜
数時間で一括焼成、多層基板を作成する。
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気中で850〜1000℃、数分〜
数時間で一括焼成、多層基板を作成する。
また、ガラス溶解時に清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、酸化アンチモン、硫酸塩、フッ化物、塩化物
等を0〜5%添加することができる。
、亜ヒ酸、酸化アンチモン、硫酸塩、フッ化物、塩化物
等を0〜5%添加することができる。
[実施例]
目標組成となるように、各原料を調合し、これを白金ル
ツボに入れ、1350〜1500℃で2〜3時間撹拌し
つつ加熱撹拌した。次いでこれを水砕又はフレーク状と
し、更に粉砕装置により平均粒径0.5〜6μmになる
ように粉砕し、前記組成範囲のSiO□−820,系の
ガラス粉末を製造した。次いで表−1に示す導電物質粉
末を平均粒径0.01〜5μmになるように調整した。
ツボに入れ、1350〜1500℃で2〜3時間撹拌し
つつ加熱撹拌した。次いでこれを水砕又はフレーク状と
し、更に粉砕装置により平均粒径0.5〜6μmになる
ように粉砕し、前記組成範囲のSiO□−820,系の
ガラス粉末を製造した。次いで表−1に示す導電物質粉
末を平均粒径0.01〜5μmになるように調整した。
次いで上記のガラス粉末と導電物質粉末を表−1に記載
の割合で混合し、本発明による12種類の組成物を得た
。
の割合で混合し、本発明による12種類の組成物を得た
。
次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
、溶剤としてα−テルビテオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が30X lO’cpsのペー
ストを作成した。次いでアルミナ基板上に電極としてC
uペーストを所定の回路にスクリーン印刷、乾燥し、窒
素雰囲気中900℃、10分で焼成した。
、溶剤としてα−テルビテオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が30X lO’cpsのペー
ストを作成した。次いでアルミナ基板上に電極としてC
uペーストを所定の回路にスクリーン印刷、乾燥し、窒
素雰囲気中900℃、10分で焼成した。
次いで、抵抗所定箇所に上記抵抗体ペーストを200メ
ツシユスクリーンでスクリーン印刷し、乾燥し、N2中
で900℃、10分で焼成した。
ツシユスクリーンでスクリーン印刷し、乾燥し、N2中
で900℃、10分で焼成した。
焼成膜厚は約15μmであった。
かくして回路を作成した。この回路素子について、抵抗
値を測定した。次いでそれらについてレーザートリミン
グを行なった。これらの結果を表−1に記載した。表−
1にはフルカットのレーザートリミング後の抵抗値を記
載した。
値を測定した。次いでそれらについてレーザートリミン
グを行なった。これらの結果を表−1に記載した。表−
1にはフルカットのレーザートリミング後の抵抗値を記
載した。
表−1から明らかなように、本発明による組成物はレー
ザートリミング性、トリミング後の抵抗特性に優れ、厚
膜回路用抵抗体ペーストとして、十分使用できる特性を
有する。
ザートリミング性、トリミング後の抵抗特性に優れ、厚
膜回路用抵抗体ペーストとして、十分使用できる特性を
有する。
比較例として本発明による組成物以外のものについても
同様の評価を行なったので表−2に記載した。
同様の評価を行なったので表−2に記載した。
表−1には、レーザー光の波長(約1μm)で測定した
吸収率を示す。測定には反射スペクトルを測定し、(1
−反射率) X 100(%)として算出した。
吸収率を示す。測定には反射スペクトルを測定し、(1
−反射率) X 100(%)として算出した。
[作用・効果]
本発明において、抵抗トリミング用のレーザーの吸収率
を上げた抵抗体は、レーザーの吸収を上げるためカット
特性を向上させる作用力Sある。
を上げた抵抗体は、レーザーの吸収を上げるためカット
特性を向上させる作用力Sある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)無機成分が実質的にガラス粉末とZrB_2,La
B_6,TaN,TiN,TaSi_2,MoSi_2
,Mo_2C,WCのいずれか1つとレーザー光を吸収
できる着色顔料を含有することを特徴とする抵抗ペース
ト。 2)無機成分が実質的にガラス粉末とZrB_2,La
B_6,TaN,TiN,TaSi_2,MoSi_2
,Mo_2C,WCのいずれか1つとFe_2O_3+
CoO+Cr_2O_3+MnO+CuO+NiO+V
_2O_5を0.05〜20重量%含有することを特徴
とする抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252251A JPH03116801A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 抵抗体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252251A JPH03116801A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 抵抗体ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116801A true JPH03116801A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17234628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1252251A Pending JPH03116801A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 抵抗体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116801A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11278190B2 (en) | 2009-06-18 | 2022-03-22 | Endochoice, Inc. | Multi-viewing element endoscope |
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-
1989
- 1989-09-29 JP JP1252251A patent/JPH03116801A/ja active Pending
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