JPH0311897Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0311897Y2 JPH0311897Y2 JP1986110842U JP11084286U JPH0311897Y2 JP H0311897 Y2 JPH0311897 Y2 JP H0311897Y2 JP 1986110842 U JP1986110842 U JP 1986110842U JP 11084286 U JP11084286 U JP 11084286U JP H0311897 Y2 JPH0311897 Y2 JP H0311897Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating film
- substrate
- contact
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【考案の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本考案は化合物半導体材料を用いたホール素子
に関し、特に静電破壊を防止するホール素子に関
するものである。
に関し、特に静電破壊を防止するホール素子に関
するものである。
（ロ） 従来の技術
ホール素子は、磁気を電気信号に変換する磁電
変換素子、すなわち磁気センサーの一種であり、
VTR・フロツピーデイスク装置等のブラシレス
モータの回転制御など幅広い分野で使用されてい
る。
変換素子、すなわち磁気センサーの一種であり、
VTR・フロツピーデイスク装置等のブラシレス
モータの回転制御など幅広い分野で使用されてい
る。
従来のホール素子２１はセンサ技術（1985年９
月号、Vo1.5.No.10）の第68頁乃至第71頁（第２図
イ・第２図ロに詳述されている如く、半絶縁性の
GaAs基板２２と、該GaAs基板２２内にシリコ
ンイオン（Si+）を注入して形成されるＮ型の活
性領域２３と、該Ｎ型の活性領域２３の端部にシ
リコンイオン（Si+）を注入して形成されるN+型
のコンタクト領域２４と、前記GaAs基板２２上
に被覆された絶縁膜２５と、前記N+型のコンタ
クト領域２４とオーミツクコンタクトする電極２
６と、該電極２６とリードを電気的に接続するた
めにワイヤボンドされた金属細線２７（図面にお
いては点線で示す。）とにより構成されている。
月号、Vo1.5.No.10）の第68頁乃至第71頁（第２図
イ・第２図ロに詳述されている如く、半絶縁性の
GaAs基板２２と、該GaAs基板２２内にシリコ
ンイオン（Si+）を注入して形成されるＮ型の活
性領域２３と、該Ｎ型の活性領域２３の端部にシ
リコンイオン（Si+）を注入して形成されるN+型
のコンタクト領域２４と、前記GaAs基板２２上
に被覆された絶縁膜２５と、前記N+型のコンタ
クト領域２４とオーミツクコンタクトする電極２
６と、該電極２６とリードを電気的に接続するた
めにワイヤボンドされた金属細線２７（図面にお
いては点線で示す。）とにより構成されている。
一方上述した構成のホール素子は特開昭59−
228783号公報にも詳しく述べられている。
228783号公報にも詳しく述べられている。
（ハ） 考案が解決しようとする問題点
前述の如きホール素子は小型化が進んでいる
が、一方前記金属細線２７を前記電極２６上にワ
イヤボンドするために、前記電極２６の面積を大
きく設ける必要があつた。この電極２６は、前記
ワイヤボンドに必要な面積の殆どがコンタクト領
域２４に接触している。
が、一方前記金属細線２７を前記電極２６上にワ
イヤボンドするために、前記電極２６の面積を大
きく設ける必要があつた。この電極２６は、前記
ワイヤボンドに必要な面積の殆どがコンタクト領
域２４に接触している。
そのために第２図ロに示す如く電位的に不安定
なGaAs基板２２と絶縁膜２５との界面において
電極２６，２６間に静電破壊部２８を生じる問題
点を有していた。
なGaAs基板２２と絶縁膜２５との界面において
電極２６，２６間に静電破壊部２８を生じる問題
点を有していた。
（ニ） 問題点を解決するための手段
本考案は上述した問題点に鑑みてなされ、化合
物半導体材料を用いたホール素子に於いて、少な
くとも該化合物半導体材料よりなる基板２と、該
基板２内に形成される一導電型の活性領域３と、
該活性領域３の端部に形成される高不純物濃度の
一導電型のコンタクト領域４と、前記基板２上に
被覆される第１の絶縁膜５と、該第１の絶縁膜５
を介して前記コンタクト領域４にオーミツクコン
タクトする第１の電極７と、前記基板２上に被覆
される第２の絶縁膜８と、該第２の絶縁膜８を介
して前記第１の電極７とオーミツクコンタクトす
る第２の電極１０とを備え、前記第１の電極７は
前記第２の電極１０より小さくすることで解決す
るものである。
物半導体材料を用いたホール素子に於いて、少な
くとも該化合物半導体材料よりなる基板２と、該
基板２内に形成される一導電型の活性領域３と、
該活性領域３の端部に形成される高不純物濃度の
一導電型のコンタクト領域４と、前記基板２上に
被覆される第１の絶縁膜５と、該第１の絶縁膜５
を介して前記コンタクト領域４にオーミツクコン
タクトする第１の電極７と、前記基板２上に被覆
される第２の絶縁膜８と、該第２の絶縁膜８を介
して前記第１の電極７とオーミツクコンタクトす
る第２の電極１０とを備え、前記第１の電極７は
前記第２の電極１０より小さくすることで解決す
るものである。
（ホ） 作 用
前記基板２内に活性領域３、コンタクト領域４
をイオン注入により形成した後、この基板２表面
にシリコン酸化膜５を被覆する。そして前記コン
タクト領域４とオーミツクコンタクトするように
シリコン酸化膜５を開孔し、第１の電極７を形成
する。
をイオン注入により形成した後、この基板２表面
にシリコン酸化膜５を被覆する。そして前記コン
タクト領域４とオーミツクコンタクトするように
シリコン酸化膜５を開孔し、第１の電極７を形成
する。
ここで前記第１の電極７の上には更に第２の絶
縁膜８を介して直接金属細線１２とコンタクトす
る第２の電極１０を形成すると、第１の電極７の
寸法はワイヤボンドを必要とせずまた接触抵抗が
小さいため小さく形成できる。
縁膜８を介して直接金属細線１２とコンタクトす
る第２の電極１０を形成すると、第１の電極７の
寸法はワイヤボンドを必要とせずまた接触抵抗が
小さいため小さく形成できる。
更には第２の絶縁膜８をシリコン窒化膜の如き
絶縁膜８で被覆した後、第２の電極１０をワイヤ
ボンドに必要な面積で形成する。
絶縁膜８で被覆した後、第２の電極１０をワイヤ
ボンドに必要な面積で形成する。
従つて第１の電極７を従来より小さく、GaAs
基板２表面における第１の電極７，７間の距離を
従来より増大できるので、GaAs基板２表面での
静電破壊耐量を増大できる。また、シリコン窒化
膜から成る第２の絶縁膜８の界面はGaAs基板２
の界面に比べて極めて安定であるので、第２の電
極１０，１０間が接近しても静電破壊の危惧は無
い。
基板２表面における第１の電極７，７間の距離を
従来より増大できるので、GaAs基板２表面での
静電破壊耐量を増大できる。また、シリコン窒化
膜から成る第２の絶縁膜８の界面はGaAs基板２
の界面に比べて極めて安定であるので、第２の電
極１０，１０間が接近しても静電破壊の危惧は無
い。
（ヘ） 実施例
以下に本考案のホール素子１の実施例を第１図
イ・第１図ロを参照しながら説明する。
イ・第１図ロを参照しながら説明する。
先ず半絶縁性のGaAs基板２と、該基板２内に
形成されるＮ型の活性領域３と、該活性領域３の
端部に形成されるN+型のコンタクト領域４とが
ある。
形成されるＮ型の活性領域３と、該活性領域３の
端部に形成されるN+型のコンタクト領域４とが
ある。
ここでは前記基板２上にノンドーブのシリコン
酸化膜をCVD法により約5000Å被覆し、イオン
注入領域と対応する開口部を介して、注入エネル
ギーが150KeV、ドーズ量が１×1013cm-2の条件
でシリコンイオンを注入してコンタクト領域４を
形成する。その際シリコン酸化膜と開口部を形成
する時に使用したホトレジスト膜はイオン注入の
際のマスクとして使用する。
酸化膜をCVD法により約5000Å被覆し、イオン
注入領域と対応する開口部を介して、注入エネル
ギーが150KeV、ドーズ量が１×1013cm-2の条件
でシリコンイオンを注入してコンタクト領域４を
形成する。その際シリコン酸化膜と開口部を形成
する時に使用したホトレジスト膜はイオン注入の
際のマスクとして使用する。
また活性領域３も同様に注入エネルギーが
360KeV、ドーズ量が、4.2×1012cm-2でシリコン
イオンを注入する。更には欠陥の回復とキヤリア
回復のために、前記基板２両面にノンドーブのシ
リコン酸化膜を約5000Å被覆した後に赤外加熱炉
でランプアニールする。
360KeV、ドーズ量が、4.2×1012cm-2でシリコン
イオンを注入する。更には欠陥の回復とキヤリア
回復のために、前記基板２両面にノンドーブのシ
リコン酸化膜を約5000Å被覆した後に赤外加熱炉
でランプアニールする。
そして前記基板２上に形成されたシリコン酸化
膜（第１の絶縁膜）５を蝕刻して形成される前記
コンタクト領域４のコンタクト孔６と、該コンタ
クト孔６を介して蒸着により形成される第１の電
極７とがある。
膜（第１の絶縁膜）５を蝕刻して形成される前記
コンタクト領域４のコンタクト孔６と、該コンタ
クト孔６を介して蒸着により形成される第１の電
極７とがある。
ここで第１の電極７はAuGe，Ni，Ti，Auを
夫々に約1100Å，400Å，1000Å，3000Åの厚さ
で蒸着する。また第１の電極７を形成する方法と
してはリフトオフ法を採用し、第１の電極７を合
金化するために赤外加熱炉で約400℃、１分間の
合金化処理をおこなう。更に第１の電極７の寸法
としては120μｍ×50μｍで、コンタクト孔の寸法
は110μｍ×40μｍである。
夫々に約1100Å，400Å，1000Å，3000Åの厚さ
で蒸着する。また第１の電極７を形成する方法と
してはリフトオフ法を採用し、第１の電極７を合
金化するために赤外加熱炉で約400℃、１分間の
合金化処理をおこなう。更に第１の電極７の寸法
としては120μｍ×50μｍで、コンタクト孔の寸法
は110μｍ×40μｍである。
次に前記基板２表面に形成される第２の絶縁膜
８と、該第２の絶縁膜８を蝕刻して形成されるコ
ンタクト孔９と、該コンタクト孔９を介して前記
第１の電極７とコンタクトする第２の電極１０が
ある。
８と、該第２の絶縁膜８を蝕刻して形成されるコ
ンタクト孔９と、該コンタクト孔９を介して前記
第１の電極７とコンタクトする第２の電極１０が
ある。
ここで前記第２の絶縁膜８としては、例えば
CVD法により形成され、基板２表面にシリコン
窒化膜を約1500Å形成する。また前記シリコン窒
化膜を蝕刻して形成されるコンタクト孔９を介し
て第２の電極１０は形成され、第２の電極１０は
前記第１の電極７とコンタクトし、TiとAuを
夫々約1000Å，3000Å蒸着して形成する。また第
２の電極１０の寸法は140μｍ×70μｍで、コンタ
クト孔の寸法は98μｍ×28μｍである。
CVD法により形成され、基板２表面にシリコン
窒化膜を約1500Å形成する。また前記シリコン窒
化膜を蝕刻して形成されるコンタクト孔９を介し
て第２の電極１０は形成され、第２の電極１０は
前記第１の電極７とコンタクトし、TiとAuを
夫々約1000Å，3000Å蒸着して形成する。また第
２の電極１０の寸法は140μｍ×70μｍで、コンタ
クト孔の寸法は98μｍ×28μｍである。
最後に前記基板２の下面に強磁性体であるフエ
ライト１１を接着してもよい。
ライト１１を接着してもよい。
またここでは後工程となるワイヤボンド、樹脂
モールド等の構成の説明および図面は省略する。
モールド等の構成の説明および図面は省略する。
本考案の特徴とする所は前記第１の電極７およ
び前記第２の電極１０にある。
び前記第２の電極１０にある。
従来では金属細線を電極上にワイヤボンドする
ために、前記電極面積を大きく設ける必要があつ
た。従って第２図ロに示す如くGaAs基板２２の
界面で電極間に静電破壊部２８を生じていた。
ために、前記電極面積を大きく設ける必要があつ
た。従って第２図ロに示す如くGaAs基板２２の
界面で電極間に静電破壊部２８を生じていた。
この問題点を解決するために前記第１の電極７
は前記第２の電極１０より小さくし、前記第１の
電極７および第１の絶縁膜５上に第２の絶縁膜８
を形成した。ここでは第１の電極７は120μｍ×
50μｍ、コンタクト孔は110μｍ×40μｍ、第２の
電極１０は140μｍ×70μｍ、コンタクト孔は98μ
ｍ×28μｍとした。更には第２の絶縁膜８として
はシリコン酸化膜より破壊耐圧の良いシリコン窒
化膜を用いている。
は前記第２の電極１０より小さくし、前記第１の
電極７および第１の絶縁膜５上に第２の絶縁膜８
を形成した。ここでは第１の電極７は120μｍ×
50μｍ、コンタクト孔は110μｍ×40μｍ、第２の
電極１０は140μｍ×70μｍ、コンタクト孔は98μ
ｍ×28μｍとした。更には第２の絶縁膜８として
はシリコン酸化膜より破壊耐圧の良いシリコン窒
化膜を用いている。
従って第１の電極７は従来よりも小さく形成す
るためにGaAs基板２表面での第１の電極７，７
間の静電破壊を防止できる。また、第２の電極１
０，１０間はGaAs界面より極めて安定な第２の
絶縁膜８を廷在するので、この電極１０，１０間
の静電破壊も防止できる。
るためにGaAs基板２表面での第１の電極７，７
間の静電破壊を防止できる。また、第２の電極１
０，１０間はGaAs界面より極めて安定な第２の
絶縁膜８を廷在するので、この電極１０，１０間
の静電破壊も防止できる。
更には金属細線１２をワイヤボンドする際の衝
撃を第２の電極１０、第２の絶縁膜８が付加され
ることにより減少させることができるため、特性
劣化を防止できる。また第２の絶縁膜８の採用に
より、高温や雰囲気に対する特性劣化の防止をす
ることができる。
撃を第２の電極１０、第２の絶縁膜８が付加され
ることにより減少させることができるため、特性
劣化を防止できる。また第２の絶縁膜８の採用に
より、高温や雰囲気に対する特性劣化の防止をす
ることができる。
（ト） 考案の効果
以上の説明からも明らかな如く、前記第１の電
極７を前記第２の電極１０より小さくし、前記第
１の電極７および第１の絶縁膜５上に更に第２の
絶縁膜８を形成することで、GaAs基板２の表面
における静電破壊や雰囲気に対する特性劣化等を
防止でき、更にはワイヤボンド時の衝撃を吸収で
きる。
極７を前記第２の電極１０より小さくし、前記第
１の電極７および第１の絶縁膜５上に更に第２の
絶縁膜８を形成することで、GaAs基板２の表面
における静電破壊や雰囲気に対する特性劣化等を
防止でき、更にはワイヤボンド時の衝撃を吸収で
きる。
従ってホール素子の静電破壊を防止でき、更に
はワイヤボンド時の特性劣化を防止できる。
はワイヤボンド時の特性劣化を防止できる。
第１図イおよび第１図ロは本考案のホール素子
の断面図および平面図、第２図イおよび第２図ロ
は従来のホール素子の断面図および平面図であ
る。 １はホール素子、２は基板、３はＮ型の活性領
域、４はN+型のコンタクト領域、５は第１の絶
縁膜、６はコンタクト孔、７は第１の電極、８は
第２の絶縁膜、９はコンタクト孔、１０は第２の
電極、１１はフエライト、１２は金属細線であ
る。
の断面図および平面図、第２図イおよび第２図ロ
は従来のホール素子の断面図および平面図であ
る。 １はホール素子、２は基板、３はＮ型の活性領
域、４はN+型のコンタクト領域、５は第１の絶
縁膜、６はコンタクト孔、７は第１の電極、８は
第２の絶縁膜、９はコンタクト孔、１０は第２の
電極、１１はフエライト、１２は金属細線であ
る。
Claims (1)
- 半絶縁性GaAs基板と、該基板表面に形成した
十文字形状の活性領域と、該活性領域の端部４箇
所に形成した高不純物濃度のコンタクト領域と、
前記基板の表面を被覆する第１の絶縁膜と、前記
コンタクト領域の表面にオーミックコンタクトす
る第１の電極と、前記第１の絶縁膜上に形成した
シリコン窒化膜から成る第２の絶縁膜と、該第２
の絶縁膜に開口したコンタクトホールと、該コン
タクトホールを介して前記の電極とコンタクト
し、且つ前記第２の絶縁膜上を廷在するように拡
張した第２の電極とを具備し、前記GaAs基板の
表面における前記第１の電極間の距離より前記第
２の絶縁膜の表面における前記第２の電極間の距
離が接近して成ることを特徴とするホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986110842U JPH0311897Y2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986110842U JPH0311897Y2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316471U JPS6316471U (ja) | 1988-02-03 |
| JPH0311897Y2 true JPH0311897Y2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=30990218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986110842U Expired JPH0311897Y2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311897Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3485788B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2004-01-13 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオードアレイ及び光プリントヘッド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748854B2 (ja) * | 1973-03-09 | 1982-10-19 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP1986110842U patent/JPH0311897Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316471U (ja) | 1988-02-03 |
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