JPH031310A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）などに用い
られる薄膜磁気ヘッドに係り、特にヘッドチップをヘッ
ドベースなどに高精度に取付けるのに好適な薄膜磁気ヘ
ッドに関する。

［従来の技術］ ＶＴＲにおいて静止画像、スロー再生等の特殊機能を高
画質で行うために、１つのへラドベースにアジマスの異
なるヘッドチップを２個配置した所謂ダブルアジマス磁
気ヘッドが用いられている。

この２つのヘッドチップの磁気ギャップ間の間隔は、磁
気テープ上に記録されたビデオ信号の水平走査線の１本
分（ＩＨ）もしくは２本分（２Ｈ）に設定され、これは
数１００μｍの距離に相当する。また、２つの磁気ヘッ
ドは、互いのヘッドのトラック幅のセンターを数１０μ
ｍ以内の精度となるようにヘッドベースに取付けられて
いる。

第９図及び第１Ｏ図は、特開昭６２−６０１０４号公報
、特開昭６２−１１７１２３号公報に示された該種ダブ
ルアジマス磁気ヘッドを示しておリ、第９図は摺動面側
から平面図、第１０図は側面図である。同図において、
５１Ａ、５１Ｂは磁気ヘッドで、磁気コアをギャップボ
ンディングしたリングコア型のヘッドチップ５２の巻線
窓５３にそれぞれコイル５４を巻線してあり、フロント
部にはアジマスの異なる磁気ギャップ５５Ａ、５５Ｂが
形成されている。上記磁気ヘッド５１Ａ。

５１Ｂは、そのヘッドチップ５２．５２をヘッドベース
５６に接着剤によって貼着される。このヘッドチップの
貼付けに際し、特開昭６１−１８７１１５号公報に見ら
れるようなダブルアジマスヘッド組立装置が用いられる
。この装置は、ヘッドチップのギヤ、ツブ部、側面等を
顕微鏡で拡大し、互いのヘッドのギャップ間隔、突出し
、姿勢、貼付は位置を数μｍの精度で調整し得るように
なっており、比較的精度良く、ヘッドチップをヘッドベ
ースに固着することができる。

上述した第９，１０図の従来例は、所謂バルクタイプの
磁気ヘッドであるが、近時の記録媒体の高密度化や記録
／再生特性の高性能化等の要求により、バルクタイプ磁
気ヘッドに代替して、基板上にフォトリソ（フォトリソ
グラフィー）技術を用いて磁気コア、薄膜コイル等を形
成してなる薄膜磁気ヘッドが用いられつつある。該種薄
膜磁気ヘッドは、例えば特開昭６２−１５０５１１号公
報に見られる如く公知であって、金属軟磁性膜を磁気コ
アとしており、フォトリソ技術により磁気コアの極小化
が容易に図れ、また薄膜コイルの巻回半径も小さくでき
る。従って、ダブルアジマス磁気ヘッドにおいては、薄
膜磁気ヘッドを用いると、バルクタイプの磁気ヘッドよ
りクロストークの少い高性能の磁気ヘッドが得られると
いう優れた利点をもつ、そして、この薄膜磁気ヘッドを
ダブルアジマス磁気ヘッドに組立てる場合も、前記した
特開昭６１−１８７１１５号公報に見られるような装置
を用いて、！膜磁気ヘッドをヘッドベースに貼着し、ダ
ブルアジマス磁気ヘッドとして組立てることができる。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、前記した特開昭６１−１８７１１５号公報に
記載されているようなダブルアジマス磁気ヘッド組立装
置を用いて、ヘッドチップをヘッドベースに貼付ける場
合、ヘッドチップのアジマス角度精度の点については何
等配慮がなされていなかった。このため、磁気ギャップ
が所定のアジマス角度となるように機械加工したヘッド
チップの側面をヘッドベースに押付けることで得られる
ヘッドチップのアジマス角度精度が、装ぼ精度、接着剤
層の厚さのバラツキ、ヘッドチップの加工精度等の影響
を受け、その高精度化を達成することが極めて困難であ
った。

また、ヘッドベースに貼着されたヘッドチップのアジマ
ス精度を測定することが、測定精度の点から極めて困難
であった。すなわち、ヘッドチップの貼付は後のアジマ
ス角度は、第９図に示すように、ヘッドのトラック幅Ｔ
Ｖとギャップ部の両端の図示Ｘ方向の距離１１ｔとを測
定することによって。

θ＝　ｔ　ａ　ｎ”　　（Ｑ　Ｉ／Ｔｗ）として計算は
可能であるが、ｆｌ＋の測定にサブミクロンの測定精度
が要求され、また薄膜磁気ヘッドである場合にはＱ＋の
実距離が短かく測定誤差が大きく影響するため、正確な
アジマス角の算出は実質上困難である。また、ヘッドチ
ップの両端を結ぶ実距離ａ２とヘッドチップのチップ幅
ｔを測定してアジマスを計算することも可能であるが。

ヘッドチップの両端は加工による欠け、ダレ等があるた
めに高精度の測定ができないというｌ￥’ＩＭがある。

公知のように磁気ヘッドのアジマス角精度は、ヘッド性
能にアジマスロスとして影響し、記録波長が短かくなる
程その影響が大きくなる。このため、アジマス角精度の
影響でヘッド性能がバラツキ、歩留を低下させるという
問題があった。

本発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、例えばダブルアジマス磁気ヘッドに用いて
クロストークの少い高性能の磁気ヘッドが得られる薄膜
磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッドのへラドベースな
どへのアセンブリ工程時に、高精度のアジマス角の調整
が可能なＳ膜磁気ヘッドを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の上記した目的は、基板上に磁気コア。

絶ａ層、薄膜コイルなどを所定の形状に積店形成した薄
膜磁気ヘッドにおいて、摺動面側に、平面で見て磁気ギ
ャップと同一直線上に位置し且つヘッド幅方向の両端側
に位置するマーカをフォトリソ技術で設けることによっ
て達成される。

［作　用］ 上記したマーカは、薄膜磁気ヘッドの製造工程時にフォ
トリソ技術によって形成され、その位置精度は良好なも
のとなっている。そして、磁気ギャップと同一直線上に
位置し且つヘッド幅方向の両端側に位置する２つのマー
カを利用して、アジマス角算出（調整）に必要な距離を
容易に測定でき、マーカを基準として組立てを行うこと
ができる。また、２つのマーカ間の距離を比較的大きく
できるので、測定精度も向上する。よって、高精度のア
ジマス角を得ることができ、製造組立て歩留も向上する
。

［実施例］ 以下本発明を第１図〜第８図に示した実施例によって説
明する。第１図は本発明の第１実施例に係るダブルアジ
マス磁気ヘッドのテープ走行面から見た平面図である。

第１図において、ＩＡ、ＩＢは（薄膜磁気）ヘッドチッ
プ、２は該ヘッドチップＩＡ、ＩＢを取付けているヘッ
ドベース、３Ａ、３Ｂは磁気ギャップ、４Ａ、４Ａ、４
Ｂ、４Ｂは両薄膜ヘッド素子にそれぞれ１対設けたアジ
マスマーカである。

上記ヘッドチップＩＡ、ＩＢはアジマス角が十〇、−〇
と異ったものにされており、ＶＨＳシステムの場合、θ
は例えば６度に設定される。また、上記アジマスマーカ
４Ａ、４Ｂは、各ヘッドチップＬＡ、ＩＢの摺動面側に
おいて露呈しており、また、摺動面側から見て同図に示
すように磁気ギャップ３Ａ、３Ｂと同一直線上に位置し
、且つ、チップ幅方向の端部に近い部位にそれぞれ位置
付けられている。

上記したアジマス角度の異なるヘッドチップ１Ａ（アジ
マス角度十〇）とヘッドチップＩＢ（アジマス角度−〇
）は、そのギャップ中心間を距離Ｌｇだけ離間させてヘ
ッドベース２に貼付けられている。そして、このヘッド
チップ貼付は時に、それぞれのヘッドチップＬＡ、ＩＢ
のアジマスマーカ４Ａ、４Ｂを用いて、各ヘッドチップ
ＩＡ。

１Ｂのアジマス角度を調整するようにされる。つまりア
ジマス角度は、第１図の左側のヘッドチップＩＡにおい
て示したように、アジマスマーカ４Ａ、４Ａ間の同図に
おけるＸ方向の距ＨＱ　３とＹ方向の距離Ｑ鴫によって
、次式のように表わされる。

アジマス角度θ＝ｔ　ａｎ−’　（１３／１４）ここで
、フォトリソ技術により薄膜ヘッド素子にアジマスマー
カを形成した時に決定されるアジマスマーカ４Ａ、４Ａ
間の実直線距離Ｑｓ（第３図）は非常に精度が高く（例
えば０．５μｍ以内）、チップ形成時のアジマス角作成
のための機械加工の精度を考慮しても、１２５より若干
小さい値となる前記Ｑ４の値は、距離Ｑａ自体がかなり
長い距離をもつことと相俟って、極めて精度の良いもの
とすることができる。そこで、ヘッドチップＩＡ（もし
くはＩＢ）の貼付は時に、前記距離Ｑ３の値が所定の距
離となるようにヘッドチップＩＡの姿勢を調整してヘッ
ドベース２に貼付けることによって、高精度のアジマス
角度が得られる。この際、ヘッドチップを得るための機
械加工時における欠けやダレの影響を受けずアジマス調
整のための距離測定が行われるため、調整誤差を少くす
ることができる。なお、ヘッドチップＬＡ、ＩＢのへラ
ドベース２への貼付は後も、Ｑ３．　Ｑ４の値を測定す
ることによってアジマス角度を高精度に測定できること
は勿論である。

第２図は第１図のＡ−Ａ、ｉｌｌ矢視図、第３図は磁気
ギャップ部の拡大説明図、第４図は第２図のＢ−Ｂ線断
面図であり、第２図においては図示の都合上、簿膜コイ
ル埋込み用の（層間）絶縁層、保護膜などを割愛しであ
る。

同各回において、５は、ガラス、セラミックス等の磁気
テープとの摺動特性の良好な非磁性材よリなる基板で、
この実施例においては、Ｍｎ０−Ｎｉ０系のセラミック
スが用いられている。上記基板５上には溝６並びに小溝
７，７が形成されてお゛す、溝６内には磁性合金膜（こ
の実施例においては、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系の非晶質磁性
合金膜）よりなる下部磁気コア８が形成され、また、小
溝７．７には前記したアジマスマーカ４Ａ、４Ａが埋込
み形成されている。９は下部磁気コア８埋込み用の絶縁
層で、成膜後平面化処理をされており、該絶縁層９上に
、絶縁層ｌＯに埋設される形で薄膜コイル１１が形成さ
れている。１２は下部磁気コア８と同一磁性材料で形成
された上部磁気コアで、該上部磁気コア１２は、上記絶
縁層１０に穿設されたスルーホール部によって、フロン
ト側においては前記下部磁気コア８とギャップ規制薄膜
１３（第４図）を介して接合されて磁気ギャップ３Ａを
形成していると共に、リア側では下部磁気コア８と直接
接続されている。なお、１４は薄膜コイル１１の両端と
接続されたポンディングパッド（接続電極部）、１５は
保護膜であり、ＴｗＩはヘッドチップＩＡのトラック幅
を、Ｔ　Ｗ　２はヘッドチップＩＢのトラック幅を示し
ている。

ここで、他方のへラドチップＩＢについては図示してい
ないが、ヘッドチップＩＡと路間等の構造をとっており
、その説明は重複を避けるため割愛する。

次に上記した構成の薄膜磁気ヘッド（ヘッドチップＩＡ
もしくはＩＢ）の製造方法を説明する。

まず、前記基板５の母材となる基板母材１６（第５図）
上に、イオンミリングによって、前記下部磁気コア８を
埋込むための溝６並びに前記アジマスマーカ４Ａ、４Ａ
　（もしくは４Ｂ、４Ｂ）を埋込むための小溝７を、所
定部位に多数個形成し、然る後、ダイサー加工によって
溝６に所定幅のコアフロント部形成予定部位等を切削加
工する。次に、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系の非晶質磁性合金膜
を、前記溝６が埋まるまでスパッタリング等の手法で全
面に成膜形成しく例えば膜厚２０〜４０μｍ程度）９機
械研摩による平坦化処理を施こした後、イオンミリング
により所定の形状に整形して下部磁気コア８を形成する
。そして、この非晶質磁性合金膜のエツチングにより同
時に、各下部磁気コア８のギャップ形成面の両側にアジ
マスマーカ４Ａ（もしくは４Ｂ）が、前記小′ａ７に埋
設された形で非晶質磁性合金膜によって形成される。該
実施例においては、アジマスマーカ４Ａ、４Ａ間の実直
線距離ａＳは、０．６７０＋＋＋ｍとした。

次に、前記絶縁層（下部磁気コア埋込み絶縁層）９が、
Ｓ　ｉｏ２．ＡＩ　ｇｏ３．ＭｇＯ−５ｉｏ２等の絶縁
材料をスパッタリング等で成膜することによって形成さ
れ、これを機械研摩によって平坦化処理し、下部磁気コ
ア８の表面を露呈・平坦化する。この後、所定のギャッ
プ長を確保するため、Ｓ　ｉ　Ｏ２，Ａ　ｌ　２０３或
いはＣｒ等の非磁性材によって、前記ギャップ規制薄膜
１３を所定部分（下部磁気コア８のフロント部分）に１
例えば膜厚０．３μｍ程度に形成する。続いて、スパッ
タリング等の薄膜形成技術とフォトリソ技術によって、
例えばＣｕによる薄膜コイル１１を形成すると共に、絶
縁層ｌＯを形成して薄膜コイル！１と磁気コアとの電気
的絶縁を確保する。

次に、絶縁層１０の所定部位をエツチングによって除去
した後、下部磁気コア８と同一磁性材料をスパッタリン
グ等で成膜した後、イオンミリングによって所定形状に
整形して上部磁気コア１２を作成する。然る後、前記絶
縁層１０を選択的にエツチングして、前記薄膜コイル１
１と同時に形成された前記ポンディングパッド１４を露
呈させる。そしてこの後、磁気テープとの摺接性が良好
な１例えばＭ　ｇ　Ｏ−Ｓ　ｉ　０２系セラミツク等よ
りなる保護膜１５がポンディングパッド１４を除（所定
部位に形成され（例えば膜厚１０〜６０μｍ）、第５図
に示したように、１つの基板母材１６上に多数の薄膜磁
気ヘッド素子を形成したウェハーが得られることになる
。（なお、第５図においては、絶縁Ｊ！！ｙｌＯや保護
膜１５は図示の都合上割愛しである。） 個々のヘッドチップを得るには、第５図のウェハーを機
械加工によって切断し、薄膜磁気ヘッド素子が複数個横
に並設されたショート基板プロッり１７を切出す。そし
て、次にテープ走行面となる部分に、円筒研削或いはテ
ープ研摩によって半径Ｒの弧状面加工を施す。該実施例
においては、このＲを磁気テープとの摺動性の最もよい
８〜１５ＩＩＩ１１に設定してあり、この加工によって
第４図に示すギャップデプス零位（Ｇｄ＝Ｏ）が規定さ
れる。さらに、個々のヘッドチップの慴動面側に、第２
図に示したような所定の摺動幅Ｗをもつヘッド摺動部１
８を突出形成するために、角度α（第２図）をもつ台形
状溝１９を加工する。この時、台形状溝１９の底面は前
記したアジマスマーカ４Ａ（４Ｂ）に達するようにされ
て、これによりアジマスマーカ４Ａ（４Ｂ）が摺動面側
に露呈される。なお１台形状溝１９の角度αとしては３
０〜６０度が選定されている。（角度αが大きい方が薄
膜コイル１１の配設面積が大きくなり、コイルの電気抵
抗を小さくできてヘッドのインピーダンスノイズが低減
できるという効果がある。しかし、角度αが６０度を超
えて大きくなり過ぎると、ヘッドの摩耗に従いテープ摺
動幅Ｗが急激に大きくなり、安定したテープ摺動特性が
得られないという問題がある。） 次に、ワイヤーソー、ダイシングソー等の機械加工によ
り、磁気ギャップ３ＡＣ３Ｂ）が所定のアジマス角度子
〇（−〇）となるように、ショート基板ブロック１７を
、第６図のＣ−Ｃ線で切断し、例えば第２図に示したよ
うな磁気ヘッドチップＩＡが作製されることになる。こ
の加工で、ヘッドチップＩＡのチップ幅（チップｒｒｙ
、）ｔが決定されるが、このチップ幅ｔは、コイルの配
設面積。

ヘッド素子の量産性等を考慮して１．ｏｎｍ以内の値に
設定されており、また、アジマスマーカ４Ａがヘッドチ
ップの側面近傍に残るように加工が行われることは言う
までもない。なお、他方のヘッドチップＩＢも同様の工
程で作製される。

この後、ヘッドチップＩＡ、ＩＢの各々のポンディング
パッド１４に外部電極との接続用のリード線を接続した
後、前記へラドベース２に、対となるヘッドチップＩＡ
、ＩＢが治具を用いて互いの位はを調整して貼付けられ
る。ここで、位置合せ後の接着は１度の工程で行っても
よいが、シアノアクリレート系の瞬間接着剤または紫外
線硬化接着剤を用いて仮接着を行い、その後エポキシ系
またはアクリル系の接着剤で本接着を行うようにしても
よい。

上記した両ヘッドチップＩＡ、ＩＢの位置合せは、ギャ
ップ（センター）間隔ＬｇとトラックセンターずれＨｏ
（図示していないが、第１図における両磁気ギャップ３
Ａ、３ＢセンターのＹ方向のずれ）については、従来手
法と同様に磁気ギャップ３Ａ、３Ｂ部分を顕微鏡で拡大
して行う。実施例においては、Ｌｇの値はＩＨで０．３
６９ｍ＋＊とし、Ｈｏの値は０±ｌＯμｍとされている
。

また、ヘッドチップＩＡ、ＩＢのアジマス調整は、それ
ぞれの７ジマスマーカ４Ａ、４Ｂを用いてヘッドチップ
１Δ、ＩＢを回転させることにより行う、いま、実施例
においては、アジマスマーカ４Ａ、４Ａ　（４Ｂ、４Ｂ
）間の実直線距離は前記したようにパターニングにより
０．６７０ｍｍに設定され、アジマス角が６度であるこ
とから、切出されたヘッドチップＩＡ（ＩＢ）の前記Ｑ
４の値は０．６６６＋ｗｍとなる。従って、前記Ｑ３の
値は０．０７ｍｌ１１となる。いま、ヘッドチップＩＡ
をヘッドベース２にアジマス角度許容誤差６廣±１０分
で取付けようとした場合、Ｑ３対応する許容誤差幅は±
２μｍとなる。よって、ヘッドチップＬＡ（もしくはＩ
Ｂ）の貼付は時に、１２３の値を０．０７±０．００２
ｍｍとすることにより、アジマス角６度±１０分という
シビアな取付は精度が容易に得られ、また、ヘッドチッ
プＩＡ、ＩＢの貼付は後もアジマス角度を精度良く測定
できる。

なお、Ｑ３を測定するためのアジマスマーカ４Ａ（４Ｂ
）の端部は、イオンミリングによる加工面となっている
ため、欠け、ダレ等のないシャープエツジであり、測定
バラツキの少い正確な計測が可能であり、また、サブミ
クロンオーダの測定精度が要求されないため、アジマス
角度の測定・調整は容易・確実なものとなる。ここで、
Ｑ４の値はへラドチップ４Ａ（４Ｂ）を回転させること
により多少変化するが、その変化量はρ３の１／１０程
度であり実用上無視することができる。なおまた、その
ことから、０４を利用してアジマス角度の粗調整を、Ｑ
３を利用して微調整を行うことも可能である。

また、ヘッドチップのアジマス角度を変えた場合は、そ
れに応じてアジマスマーカ４Ａ、４Ａ（４Ｂ、４Ｂ）の
実間隔Ｑ５を変えることも可能であるが（例えば、角度
を１５度とした場合Ｑ５を０．７０４ｎ＋ｍとする）、
Ｑ５は０３の測定精度の点から０．５１１ＩＩ１１以上
であることが望ましい。

斯様にして、ヘッドチップＩＡ、ＩＢをヘッドベース２
に位置合せて貼付けた後、リード線を外部端子板と接続
して第１図に示すようなダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
が得られる。

上述の如く製作されたダブルアジマス薄膜磁気ヘッドに
おいては、クロストークが大幅に低減され、同一ギャッ
プ間隔で対比すると、従来のバルクタイプのダブルアジ
マス磁気ヘッドに較べて約１０ｄＢ以上の改善が見られ
、特性のよいダブルアジマス磁気ヘッドが実現できる。

また、ヘッドチップＩＡ、ＩＢのヘッドベース２へのア
センブリ時に、アジマスマーカ４Ａ（４Ｂ）によりヘッ
ド加工誤差等によるアジマス角度の補正が容易に行え１
組立て精度の良い、アジマスロスによる特性バラツキの
少いダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが得られる。

薄膜磁気ヘッドは、その構造並びに製造工程から高精度
の位置関係をもつマーカを形成することが容易であり、
上述したアジマスマーカ４Ａ、４Ｂ以外にも、ヘッドベ
ースへのアセンブル時に位置合せに用いることができる
マーカを薄膜ヘッド素子の各部に形成し、より一層の組
立て精度の向上を図ることが可能である。

第７図は、アジマスマーカ４Ａ、４Ｂを設けたヘッドチ
ップＬＡ、ＩＢに、他のマーカを付設した本発明の第２
実施例に係るダブルアジマス薄膜磁気ヘッドのヘッド摺
動部１８を示す要部平面図である。

第７図において、２０Δ、２０Ａ及び２０Ｂ。

２０Ｂは、各ヘッドチップＬＡ、ＩＢのヘッド慴動部（
摺動面側の突出加工部）１８に形成されたマーカで、各
ヘッドチップＩＡ、ＩＢの磁気ギャップ３Ａ、３Ｂと同
一直線上で且つヘッド摺動部１８の両側辺近傍にそれぞ
れ位置付けられている。

また、上記マーカ２ＯＡ、２０Ｂの端部はギャップ中心
（図示Ｄ−Ｄ線で示す）から距離Ｑ６だけ離間した位置
に設けられている。このマーカ２０Ａ（２０Ｂ）は、ヘ
ッド素子製造プロセスにおいて、前述したギャップ規制
薄膜１３の形成工程時にＣｒ膜を０．３μｍ厚にスパッ
タリングし、これをフォトリソ技術でエツチングするこ
とにより。

ギャップ規制薄膜１３と同時に形成される。この際、前
記Ｑ６の値は±１μｍの精度で設定することができる。

このことから、ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの組立て
時に、それぞれのヘッドチップＩＡ、ＩＢのマーカ２０
Ａ、２０Ｂの端部を位置合せすることにより、互いのヘ
ッドチップＩＡ、ＩＢのトラックセンターを容易に位置
合せすることができる。特に、トラック幅が異なるヘッ
ドチップＩＡ。

１Ｂ（トラック幅ＴＷ３＃　ＴＷ４）を用いてダブルア
ジマス薄膜磁気ヘッドを組立てる場合、該実施例は非常
に有効である。つまり１両ヘッドチップＩＡ、ＩＢのト
ラックセンターが揃った時にマーカ２ＯＡ、２０Ｂの端
部が一致する（−直線上にのる）ように、Ｑ６の距離を
設定しておけばよく、シかもマーカ２０Ａ、２０Ｂの端
部で位置合せを行うため、高精度のトラックセンター合
せが可能となる。また、このマーカ２ＯＡ、２０Ｂを用
いてギャップ間隔の調整も可能であり、互いのへラドチ
ップＩＡ、ＩＢのマーカ２ＯＡ、２０＋１端部間の間隔
Ｉ１７を調整することにより、所定のギャップ間ＨＬｇ
を得ることができる。このギャップ間隔の調整もマーカ
２０Ａ、２０Ｂの端部で行われるため、高精度の位置合
せが可能である。

この場合、Ｑ７の値は、トラックセンターからマーカ２
０Ａ、２０Ｂ端部までの距離Ｑ６を考慮して補正される
ことは口うまでもない、なお、マーカ２０Ａ、２０Ｂの
位置はヘッド摺動部（図示幅Ｗ）内であれば任意である
が、トラックずれを考慮した場合、作動ギャップ端部か
ら１μｍ以上にれだ部位に形成されるべきである。なお
また、プロセス歩留等からギヤツブ規制苺膜をＣｒ膜な
どの全屈非磁性材を用いて形成し、磁気ギャップ３Ａ、
３Ｂ部分が光学的測定では不明確に場合に。

該実施例は特に有効である。

第８図は本発明の第３実施例に係るダブルアジマス薄膜
磁気ヘッドの側面図である。該実施例においては、前記
アジマスマーカ４Ａ、４１３を設けた各ヘッドチップＬ
Ａ、ＩＢの側面に、ヘッドチップ突出し量調整用のマー
カ２１Ａ、２１Ｂがそれぞれ設けられている。このマー
カ２１Ａ、２１Ｂの形成は、例えば前記アジマスマーカ
４Ａ、４Ｂの形成時に同一材料で同一手法で行えばよく
、ヘッドチップの切出し・機械加工時にヘッドチップ側
面にマーカ２ＬＡ、２１．３が露呈するようにされる。

また、同図に示すように、各マーカ２１Ａ、２１Ｂは、
ギャップデプス零位（Ｇｄ＝Ｏ）の位置から所定の距離
Ｑ８のだけ下った部位にその端部がくるように設定され
ている。

斯様なマーカ２１Ａ、２１Ｂを設けることにより、ダブ
ルアジマス薄膜磁気ヘッドとしての組立て時に、両ヘッ
ドチップＩＡ、ＩＢの側面に設けたマーカ２１Ａ、２１
Ｂの端部を位置合せすることによって、ヘッドチップＩ
Ａ、ＩＢ間の突出し段差Ｉ【を±１ｍ以内の精度に容易
に収めることが可能となる。また、ギャップデプス零位
からマーカ２１Ａ（２１Ｂ）の端部までの距離Ｑ８は、
±０．５μｍ以内の精度を確保できるため、それぞれの
へラドチップＩＡ、ＩＢに施された前述したＲ研摩（第
６図）によるギャップデプス誤差も、このマーカ２１Ａ
、２１Ｂを合せることによって補正できる。

以上、本発明をダブルアジマス磁気ヘッドに適用した実
施例で説明してか、本発明はこれに限定されるものでは
なく、本発明の薄膜磁気ヘッドを回転シリンダ、磁気へ
ラドキャリッジ等々に取付ける際に、前記各マーカを利
用して高錆度の位置合せが行いうろこと勿論である。

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのへラド
ベースなどへのアセンブリ工程時に、高精度のアジマス
角の設定・調整が容易に可能で、アジマスロスの少い特
性の良好な磁気記録再生装置を提供できる。また、アジ
マスマーカはフォトリソ技術で極めて精度良く形成でき
、且つ、磁気コア等の整形時に同時に同一材料で作成で
きる。

さらに、実施例の如く、アジマス角の異なる２個の薄膜
磁気ヘッドを用いてダブルアジマス磁気ヘッドを構築す
る場合、両ヘッドチップのアジマス角度を極めて精度の
良好なものに設定でき、特性のよいタプルアジマス磁気
ヘッドを歩留よく提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明の第１実施例に係り。 第１図はダブルアジマス薄膜磁気ヘッドのテープ走行面
から見た平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線矢視図、第
３図は磁気ギャップ近傍の要部拡大説明図、第４図は第
２図のＢ−Ｂ線に沿う要部断面図、第５図及び第６図は
へラドチップの製造工程を示す説明図、第７図は本発明
の第２実施例に係るダブルアジマス磁気ヘッドの要部平
面図、第８図は本発明の第３実施例に係るダブルアジマ
ス磁気ヘッドの側面図、第９図は従来のダブルアジマス
磁気ヘッドの平面図、第１０図は同側面図である。 ＩＡ、ＩＢ・・・・・・ヘッドチップ、２・・・・・ヘ
ッドベース、３Ａ、３Ｉ３・・・・・・磁気ギャップ、
４Ａ、４Ｂ・・・・・・アジマスマーカ、５・・・・・
・基板、６・・・・・・溝、７・・・・・・小溝、８・
・・・・・下部磁気コア、９・・・・・・絶縁層、１０
・・・・・・絶ａ層、１１・旧・・薄膜コイル、１２・
旧・・上部磁気コア、１３・・・・・・ギャップ規制薄
膜、１４・・・・・・ポンディングパッド、１５・・・
・・・保３膜、１６・・・・・・基板母材、１７・・・
・・・ショーｉ−基板ブロック、１８・・・・・・ヘッ
ド摺動部、１９・・・・・・台形状）か、２゜Ａ、２０
Ｂ・・・・・・マーカ、２ＬＡ、２１Ｂ・・・・・・マ
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シマスマψ 第４ｖｌＪ ｄ−０ 第５ 区 第６ｖｌＪ 第２区 第３図 第７図 第８図 手続補正書 （自９り 第９区 Ｈｔｏ図 平成 １年 ７月１４日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に磁気コア、絶縁層、薄膜コイルなどを所定
   の形状に積層形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、摺動面
   側に、平面で見て磁気ギャップと同一直線上に位置し且
   つヘッド幅方向の両端近傍に位置するマーカをフオトリ
   ソ技術で設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、請求項１記載において、前記摺動面側にテープが摺
   動するヘッド摺動部を所定幅に突出形成し、該ヘッドト
   ラック部の表面側に、磁気ギャップと同一直線上に位置
   する別異のマーカを付設したことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッド。 ３、請求項１記載において、前記薄膜磁気ヘッドにおけ
   るヘッドベースへの貼付け面もしくは該貼付け面と対向
   する面に別異のマーカーを付設したことを特徴とする薄
   膜磁気ヘッド。