JPH03156944A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は評価用Ｃ以下、センス用と呼ぶ）パットを有
する半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、半導体チップ上のパット部はセンス部とワイヤー
ポンディング部などを共用していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような従来の半導体装置は第３図、第４図に示すよ
うに、半導体チップ上にはワイヤーボンディングをする
目的のみのパットしか備えていなかつ７’（ため、Ｖ−
ザートリミング工程やウェハテスト工程などでパットに
）１−ブ針当てをする際かなシハント部を傷付けて、パ
ット部表面のアルミぐずが飛び散＃）、メモリセルや周
辺回路をショートさせるなどして、ウェハテストや解析
に支障を来していた。また、ウェハテスト後、アセンブ
リをする際、ハント部が傷付いているため、ワイヤーボ
ンディングの信頼性を損ねてしまうという問題点があっ
た。

この発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので
、他のセンス用パット部を設けて解析やアセンブリ工程
に支障を来さないことを目的としている。

〔課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、半導・体チップ上ノハン
ト部をポンデイングバソト部トセンス用パット部に分け
て形成したものである。

〔作用〕

この発明における半導体チップ辷のハント部はボンディ
ングパット部とセンス用パット部に分けて形成したので
、レーザー）　ＩＪミングやウエハテストや、解析等で
グローブ針当てをする際、センス用パット部にのみプロ
ーブ針当てをすれば、センス用パット部を傷付ける次け
で、ワイヤーボンディングパット部は傷付かず、その後
のアセンフリ工程などワイヤーホンディングが正確に行
なわれ、ボンディング強度などの信頼性が影響を与える
事はない。

〔実施例〕

以Ｆ５この発明の一実施例を図について説明する。第１
図、第２図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示
す平面図および断面図である。

まず、第１図のようにパット部をボンディングバフｌ一
部（１１とセンス用−・ノド部（２）に分ける。

第２図は第１図の縦断面構造であるが、従来のものとの
相違はセンス用パット部分（２）の表面を形成するアル
ば（３）を取り除くことにより１表面にポリＳｉ　（４
）に形成する。これによってアルミぐずを出さずにすみ
、他の周辺回路やメモリセルをショトさせてチップ自体
を不良にさせることがなくなる。

なお５図中、（５）は第１のポリＳｉ、＋６）はｓ　ｉ
ｏ　ｇ　ｓ　（７）はフィールド酸化膜である。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、パット部をボンディン
グハント部とセンス用パット部に分けて形成し、しかも
センス用ハント部分の表面構造をアルミ以外で形成すれ
ば、Ｖ−ザートリミングやウェハテストでセンス用パッ
ト部にグローブ針当てしてもアルミぐずが出ないため、
周辺回路やメモリセルをショートさせてチップ自体を不
良にさせることがなくなシ解析などに支障をきたさない
などの効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の平面図
、第２図は第１図の縦断面図、第３図は従来の半導体装
置の平面図、第４図は第３図の縦断面図である。 図において、（１）はボンディングパン）ｆｆＢ、＋２
１はセンス用パット部、　＋３）はアルミ、　＋４）は
ポリＳｉ　、　＋５）は第１のポリＳｉ、＋６）は５ｔ
ｏ２ｂ　（７１はフィールド酸化膜を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体チップ上のパット部にボンディングパット部と評
   価用パット部を備え、かつ前記評価用パット部をアルミ
   以外の導電材料で形成したことを特徴とする半導体装置
   。