JPH031702A - 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器 - Google Patents
共振周波数の温度係数を調整可能な共振器Info
- Publication number
- JPH031702A JPH031702A JP1136678A JP13667889A JPH031702A JP H031702 A JPH031702 A JP H031702A JP 1136678 A JP1136678 A JP 1136678A JP 13667889 A JP13667889 A JP 13667889A JP H031702 A JPH031702 A JP H031702A
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- Japan
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- resonator
- temperature
- dielectric
- heat treatment
- dielectric ceramic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/008—Manufacturing resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、共振器に関し、特に温度特性を熱処理で制御
できる誘電体を用いた共振器に関する。
できる誘電体を用いた共振器に関する。
［従来の技術］
マイクロ波やミリ波等の高周波通信の発振部品やフィル
タ部には空胴共振器、リング共振器、誘電体共振器等が
用いられているが、共振周波数の温度安定性が高く、装
置の小形化が図れる等の長所から誘電体共振器がよく使
われている。この共振器は誘電体、ＦＥＴ、、筐体、ス
トリンプライン等から組み立てられているが、共振器全
体として共振周波数の温度安定性が求められる。
タ部には空胴共振器、リング共振器、誘電体共振器等が
用いられているが、共振周波数の温度安定性が高く、装
置の小形化が図れる等の長所から誘電体共振器がよく使
われている。この共振器は誘電体、ＦＥＴ、、筐体、ス
トリンプライン等から組み立てられているが、共振器全
体として共振周波数の温度安定性が求められる。
通常、誘電体の共振周波数の温度係数（τｆ）は、例え
ば磁器誘電体の場合にはその組成が決まるとそれに応じ
て大体誘導体自体のτ、は決まる。
ば磁器誘電体の場合にはその組成が決まるとそれに応じ
て大体誘導体自体のτ、は決まる。
そのため、組立て後の共振器全体として所望のτ、を得
るためには、種々のτ、値を有する誘電体磁器を多数予
め製造しておき、その中から適当なτ、を有する磁器を
、他の構成部品であるＦＥＴ、筐体、ストリップライン
等のτ、による形容を補償するように選択し、組立てる
ことが行われている。
るためには、種々のτ、値を有する誘電体磁器を多数予
め製造しておき、その中から適当なτ、を有する磁器を
、他の構成部品であるＦＥＴ、筐体、ストリップライン
等のτ、による形容を補償するように選択し、組立てる
ことが行われている。
しかし、上記の方法では、目的用途、−緒に用いる他の
構成部品の寸法、材料の種類等に応じて多数のτ、を有
する誘電体磁器を一つ一つ組成を変えて製造しておかな
ければならず、極めて煩雑であった。
構成部品の寸法、材料の種類等に応じて多数のτ、を有
する誘電体磁器を一つ一つ組成を変えて製造しておかな
ければならず、極めて煩雑であった。
本発明の目的は、上記問題点を解消するため、誘電体磁
器の組成を変更せずに、共振器を組み立てた後でも、単
に誘電体磁器に熱処理を施すだけで共振器全体の共振周
波数温度係数を補償することのできる共振器を提供する
ことにある。
器の組成を変更せずに、共振器を組み立てた後でも、単
に誘電体磁器に熱処理を施すだけで共振器全体の共振周
波数温度係数を補償することのできる共振器を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明は、熱処理により規
則−不規則型構造変化を起し得る誘電体磁器を搭載して
なる共振器を提供するものである。
則−不規則型構造変化を起し得る誘電体磁器を搭載して
なる共振器を提供するものである。
上記において、「規則−不規則型構造変化を起す」とは
、いわゆる物質が相転移点を有するために可逆的に規則
−不規則型転移を起こす場合のほかに、非平衡的に出現
した不規則相が熱処理により不可逆的に規則化する場合
をも意味する。
、いわゆる物質が相転移点を有するために可逆的に規則
−不規則型転移を起こす場合のほかに、非平衡的に出現
した不規則相が熱処理により不可逆的に規則化する場合
をも意味する。
本発明に用いられる誘電体磁器のうち、熱処理により規
則−不規則型転移を起すためにτ、を調節することがで
きる、好ましい例としては、原料を粉砕後仮焼して得ら
れた仮焼品を粉砕、整粒後成形し、得られた成形体を１
００〜１６００℃／分の速度で１ 、５００〜１ 、７
００℃の温度まで昇温後、該温度に１分間以上保持する
熱処理工程を経て製造され、かつ−形式（Ｉ）： Ｂａ、ＡｙＢ １−Ｘ−、Ｆ、Ｏ，（１）（ここで、Ａ
はＭｇ、 Ｚｎ、 Ｎｉ及びＣｏから選ばれる少くとも
１種であり、ＢはＴａ及びＮｂから選ばれる少くとも１
種であり、ｘ、ｙおよびＺは、それぞれ、０．４８≦ｘ
≦０．５２，０．１５≦ｙ≦０．１９ 、及び０、００
０２５≦Ｚ≦０．０５で表わされる数であり、ＷはＢａ
、 Ａ及びＢの陽イオンおよびＦの陰イオンの合計の電
荷を中和し、該磁器全体として電気的に中性となる数で
ある〕 で表される組成を有する複合ペロプスカイト型結晶構造
を有する誘電体磁器が挙げられる。
則−不規則型転移を起すためにτ、を調節することがで
きる、好ましい例としては、原料を粉砕後仮焼して得ら
れた仮焼品を粉砕、整粒後成形し、得られた成形体を１
００〜１６００℃／分の速度で１ 、５００〜１ 、７
００℃の温度まで昇温後、該温度に１分間以上保持する
熱処理工程を経て製造され、かつ−形式（Ｉ）： Ｂａ、ＡｙＢ １−Ｘ−、Ｆ、Ｏ，（１）（ここで、Ａ
はＭｇ、 Ｚｎ、 Ｎｉ及びＣｏから選ばれる少くとも
１種であり、ＢはＴａ及びＮｂから選ばれる少くとも１
種であり、ｘ、ｙおよびＺは、それぞれ、０．４８≦ｘ
≦０．５２，０．１５≦ｙ≦０．１９ 、及び０、００
０２５≦Ｚ≦０．０５で表わされる数であり、ＷはＢａ
、 Ａ及びＢの陽イオンおよびＦの陰イオンの合計の電
荷を中和し、該磁器全体として電気的に中性となる数で
ある〕 で表される組成を有する複合ペロプスカイト型結晶構造
を有する誘電体磁器が挙げられる。
−形式（Ｉ）において、Ｘは０．４８≦ｘ≦０．５２、
望ましくは０．４９≦ｘ≦０．５１の数であり、ｙは０
．１５≦ｙ≦０．１７、望ましくは０．１６≦ｙ≦０．
１８の数であり、２はＯ’、０００２５≦２≦０．０５
、望ましくは０．０００５≦Ｚ≦０．０１の数である。
望ましくは０．４９≦ｘ≦０．５１の数であり、ｙは０
．１５≦ｙ≦０．１７、望ましくは０．１６≦ｙ≦０．
１８の数であり、２はＯ’、０００２５≦２≦０．０５
、望ましくは０．０００５≦Ｚ≦０．０１の数である。
ＷはＢａ、 ＡおよびＢの陽イオンおよびＦの陰イオン
の合計の電荷を中和し、−形式（Ｉ）で表される磁器全
体として電気的に中性となる数であり、通常１．４９〜
１．５１の範囲の数である。
の合計の電荷を中和し、−形式（Ｉ）で表される磁器全
体として電気的に中性となる数であり、通常１．４９〜
１．５１の範囲の数である。
また、このような誘電体磁器の別の例としては、上の例
と同様に、原料を粉砕後仮焼して得られた仮焼品を粉砕
、整粒後成形し、得られた成形体を１００〜１６００℃
／分の速度で１ 、５００〜１ 、７００℃の温度まで
昇温後、該温度に１分間以上保持する熱処理工程を経て
製造され、かつ−形式（■）＝Ｂａ、ＡｙＢ 、−、−
ｙＯ，、（Ｕ ） 〔ここで、ＡはＭｇ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ及びＣＯから
選ばれる少なくとも１種であり、ＢはＴａ及びＮｂから
選ばれる少なくとも１種であり、ｘ、ｙおよびＺは、そ
れぞれ０．４８≦ｘ≦０．５２．０．１５≦ｙ≦０．１
９で表わされる数であり、ＷはＢａ、 Ａ及びＢの陽イ
オンの合計の電荷を中和し、該磁器全体として電気的に
中性となる数である〕 で表わされる組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体磁器が挙げられる。
と同様に、原料を粉砕後仮焼して得られた仮焼品を粉砕
、整粒後成形し、得られた成形体を１００〜１６００℃
／分の速度で１ 、５００〜１ 、７００℃の温度まで
昇温後、該温度に１分間以上保持する熱処理工程を経て
製造され、かつ−形式（■）＝Ｂａ、ＡｙＢ 、−、−
ｙＯ，、（Ｕ ） 〔ここで、ＡはＭｇ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ及びＣＯから
選ばれる少なくとも１種であり、ＢはＴａ及びＮｂから
選ばれる少なくとも１種であり、ｘ、ｙおよびＺは、そ
れぞれ０．４８≦ｘ≦０．５２．０．１５≦ｙ≦０．１
９で表わされる数であり、ＷはＢａ、 Ａ及びＢの陽イ
オンの合計の電荷を中和し、該磁器全体として電気的に
中性となる数である〕 で表わされる組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体磁器が挙げられる。
この−形式（ＩＩ）におけるｘ、ｙおよびＺの好ましい
範囲も前記−形式（Ｉ）について説明したとおりである
。Ｗは、通常１．４９〜１．５１の範囲の数である。
範囲も前記−形式（Ｉ）について説明したとおりである
。Ｗは、通常１．４９〜１．５１の範囲の数である。
上記−形式（ＩＩ）の磁器は、実質的に一般式（ＩＩ）
で表される組成を有することが必要であり、例えば前記
−形式（Ｔ）においてｚ ＜０．０００２５に当たる程
度のフッ素を含有していてもよい。
で表される組成を有することが必要であり、例えば前記
−形式（Ｔ）においてｚ ＜０．０００２５に当たる程
度のフッ素を含有していてもよい。
本発明の方法により、−形式（１）又は−形式（ｎ）で
表される複合ペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体
磁器を製造するには、目的組成に応じて構成金属成分の
原料粉末を秤量し、所要の割合に混合、乾燥の後、本発
明の方法に供すればよい。このとき、通常行われるよう
に、必要に応じ、成分の蒸発性の貿易を考慮して原料粉
末の配合を行えばよい。
表される複合ペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体
磁器を製造するには、目的組成に応じて構成金属成分の
原料粉末を秤量し、所要の割合に混合、乾燥の後、本発
明の方法に供すればよい。このとき、通常行われるよう
に、必要に応じ、成分の蒸発性の貿易を考慮して原料粉
末の配合を行えばよい。
また、非平衡的に出現した不規則相が熱処理により不可
逆的に規則化することにより、τ、を調節することがで
きる例としては、非平衡的に不規則相を含有するＢａ（
Ｍｇ＋ｚ：＋＋ Ｔａｚｚ３）Ｏ＋誘電体磁器が挙げら
れる。
逆的に規則化することにより、τ、を調節することがで
きる例としては、非平衡的に不規則相を含有するＢａ（
Ｍｇ＋ｚ：＋＋ Ｔａｚｚ３）Ｏ＋誘電体磁器が挙げら
れる。
Ｂａ（Ｍｇ＋／：＋＋ Ｔａ２／３）０３磁器は相転移
点を有しないか、あるいは相転移点が非常に高いので、
焼成工程等において、通常規則相が安定であるが、例え
ば、前記の組成の磁器を、ＢａＣＯ３，ＭｇＯ及びＴａ
ｚＯｓを出発原料として固相反応により合成した場合、
準安定相あるいは前駆体として、非平衡的に不規則相を
含有する前記の磁器が得られる。
点を有しないか、あるいは相転移点が非常に高いので、
焼成工程等において、通常規則相が安定であるが、例え
ば、前記の組成の磁器を、ＢａＣＯ３，ＭｇＯ及びＴａ
ｚＯｓを出発原料として固相反応により合成した場合、
準安定相あるいは前駆体として、非平衡的に不規則相を
含有する前記の磁器が得られる。
非平衡的に出現した不規則相が熱処理により不可逆的に
規則化することにより、τ、を調節することができるそ
の他の例としては、Ｂａ（ＺｎＩｙｚＴａｚｙ３）０＋
＋Ｓｒ（Ｍｇ＋ｚ＋、Ｔａｚｚ：＋）０：＋＋５ｒ（Ｚ
ｎ＋７３Ｔａｚ７：＋）０３等の誘電体磁器が挙げられ
る。
規則化することにより、τ、を調節することができるそ
の他の例としては、Ｂａ（ＺｎＩｙｚＴａｚｙ３）０＋
＋Ｓｒ（Ｍｇ＋ｚ＋、Ｔａｚｚ：＋）０：＋＋５ｒ（Ｚ
ｎ＋７３Ｔａｚ７：＋）０３等の誘電体磁器が挙げられ
る。
これらの規則−不規則型構造変化を起し得る誘電体磁器
は、熱処理によりそのτ、を変化させ、調節することが
できる。
は、熱処理によりそのτ、を変化させ、調節することが
できる。
前記の一般式（Ｉ）又は（Ｉｆ）で表わされる２種の誘
電体磁器は、好ましくは約１５００〜１７００″Ｃの温
度で１０分間以上、通常１０〜５０時間保持する熱処理
によりτ、を調節できる。
電体磁器は、好ましくは約１５００〜１７００″Ｃの温
度で１０分間以上、通常１０〜５０時間保持する熱処理
によりτ、を調節できる。
また、前記のＢａ（Ｍｇ＋／＋、 Ｔａｚｙ３）ＯｓＧ
ｆｌ器は、約１３００〜１７００℃で熱処理することに
より、τ、を変化させることができる。
ｆｌ器は、約１３００〜１７００℃で熱処理することに
より、τ、を変化させることができる。
したがって、本発明の共振器は、筐体に、前記の誘電体
磁器を筐体に他の部品とともにに搭載して共振器を組立
た後、共振周波数の温度係数を測定し、設計値に対して
ずれがある場合、該誘電体を一旦、外して、電気炉等の
加熱装置で、規則−不規則転移温度近辺で処理し、再び
共振器に組み込み該温度係数を再び測定する操作をによ
り、あるいは該操作を必要に応じて繰り返すことにより
所要の温度特性を有する共振器を得ることができる。
磁器を筐体に他の部品とともにに搭載して共振器を組立
た後、共振周波数の温度係数を測定し、設計値に対して
ずれがある場合、該誘電体を一旦、外して、電気炉等の
加熱装置で、規則−不規則転移温度近辺で処理し、再び
共振器に組み込み該温度係数を再び測定する操作をによ
り、あるいは該操作を必要に応じて繰り返すことにより
所要の温度特性を有する共振器を得ることができる。
〔実施例］
以下に、実施例に従って詳細に説明する。
製造±
規則−不規則型構造を有する物質の一例として複合ペロ
ブスカイト化合物であルＢａ（Ｚｎｏ、ａＮｉｏ、＋Ｃ
ｏｏ、 ＋）＋ｚｚ（Ｔａｏ、 ６Ｎｂｏ、 ４） ２
／３０：ｌなる組成を有する５、７７φＸ ２．９ Ｏ
Ｌの誘電体磁器を次のようにして製造した。
ブスカイト化合物であルＢａ（Ｚｎｏ、ａＮｉｏ、＋Ｃ
ｏｏ、 ＋）＋ｚｚ（Ｔａｏ、 ６Ｎｂｏ、 ４） ２
／３０：ｌなる組成を有する５、７７φＸ ２．９ Ｏ
Ｌの誘電体磁器を次のようにして製造した。
まず、純度９９．９％の炭酸バリウム、酸化亜鉛、酸化
ニッケル、酸化コバルト、酸化タンタル及び酸化ニオブ
を上記組成となるように秤量後、純水中１６時間ボール
ミル混合した。乾燥後、１０００℃１２時間仮焼した後
、粉砕した。この仮焼物を８φＸ４Ｌに成形し、１６０
０℃まで毎分６００℃で昇温後、５分間保持し磁器とし
た。これと上記寸法になるように加工して、目的の誘電
体磁器を得た。
ニッケル、酸化コバルト、酸化タンタル及び酸化ニオブ
を上記組成となるように秤量後、純水中１６時間ボール
ミル混合した。乾燥後、１０００℃１２時間仮焼した後
、粉砕した。この仮焼物を８φＸ４Ｌに成形し、１６０
０℃まで毎分６００℃で昇温後、５分間保持し磁器とし
た。これと上記寸法になるように加工して、目的の誘電
体磁器を得た。
実施炎上
図１に示すように、前記製造例で得た誘電体磁器１を２
９．８９φＸ ２４．６５胴の銅めっきを施したしんち
ゅう製の金属空胴２の中心部に、高さ、１０．８８ｎｒ
ｍの石英管３を支持台として固定した。
９．８９φＸ ２４．６５胴の銅めっきを施したしんち
ゅう製の金属空胴２の中心部に、高さ、１０．８８ｎｒ
ｍの石英管３を支持台として固定した。
これを金属空胴２の側面部より、先端を短絡したセミリ
ジットケーブル４をプローブとしてマイクロ波帯域で掃
引させると、ＴＥｏ＋ｉモードの共振点が約９．２ Ｇ
ｌ＋□に観察された。
ジットケーブル４をプローブとしてマイクロ波帯域で掃
引させると、ＴＥｏ＋ｉモードの共振点が約９．２ Ｇ
ｌ＋□に観察された。
次に、この誘電体共振器５を、恒温槽内に設置し、０℃
から６０″Ｃまで温度を変化させて、ＴＥＯＩ Ｉ＋の
共振の温度ドリフトを測定すると、図２に示す結果が得
られ、２０℃における温度係数は約２．２ｐｐｍ／’Ｃ
であった。そこで、この温度特性をさらに改良するため
に、この誘電体を１４００℃で５０時間熱処理し、再度
同様の温度ドリフトを測定したところ、図３に示す結果
が得られ、２０℃における温度係数が−０，８ｐｐｍ
／ ”Ｃとなった。この温度特性は、０℃から６０℃の
温度域で、５００ ＫＨ２以下のドリフトであり、極め
て、温度安定性の高い、共振器が得られた。
から６０″Ｃまで温度を変化させて、ＴＥＯＩ Ｉ＋の
共振の温度ドリフトを測定すると、図２に示す結果が得
られ、２０℃における温度係数は約２．２ｐｐｍ／’Ｃ
であった。そこで、この温度特性をさらに改良するため
に、この誘電体を１４００℃で５０時間熱処理し、再度
同様の温度ドリフトを測定したところ、図３に示す結果
が得られ、２０℃における温度係数が−０，８ｐｐｍ
／ ”Ｃとなった。この温度特性は、０℃から６０℃の
温度域で、５００ ＫＨ２以下のドリフトであり、極め
て、温度安定性の高い、共振器が得られた。
本発明の実施例の共振器を構成する前記熱処理前後の誘
電体磁器を粉砕して、Ｘ線回折により規則配列性に由来
する超格子線強度の測定を行ったところ、熱処理前の２
０℃におけるτ、が２．２ｐｐｍ／’Ｃであるもについ
ては図４に示すＸ線回折図が得られ、不規則型であるの
に対し、熱処理後の２０℃におけるτ、が−０，８ｐｐ
ｍ ／ ’Ｃであるものについては図５に示す回折図が
得られ、確かに規則型であった。
電体磁器を粉砕して、Ｘ線回折により規則配列性に由来
する超格子線強度の測定を行ったところ、熱処理前の２
０℃におけるτ、が２．２ｐｐｍ／’Ｃであるもについ
ては図４に示すＸ線回折図が得られ、不規則型であるの
に対し、熱処理後の２０℃におけるτ、が−０，８ｐｐ
ｍ ／ ’Ｃであるものについては図５に示す回折図が
得られ、確かに規則型であった。
本発明の共振器は、搭載された誘電体磁器の共振周波数
を熱処理のみによって調節することができるため、組み
立てた共振器の発振周波数の温度係数の補償を極めて容
易に行うことができる。
を熱処理のみによって調節することができるため、組み
立てた共振器の発振周波数の温度係数の補償を極めて容
易に行うことができる。
図１は、共振器の構造例を示す。
図２および図３は、それぞれ、実施例で製造した共振器
の、磁器を熱処理する前及び後における温度特性を示す
。 図４および図５は、それぞれ、前記熱処理の前後におけ
る磁器のＸ線回折図である。 代理人 弁理士 岩見谷 同志 温度（℃） 第２図 温度じＣ） 第３図
の、磁器を熱処理する前及び後における温度特性を示す
。 図４および図５は、それぞれ、前記熱処理の前後におけ
る磁器のＸ線回折図である。 代理人 弁理士 岩見谷 同志 温度（℃） 第２図 温度じＣ） 第３図
Claims (3)
- （１）熱処理により規則−不規則型構造変化を起し得る
誘電体磁器を搭載してなる共振器。 - （２）請求項１記載の共振器であって、前記誘電体磁器
が、原料を粉砕後仮焼して得られた仮焼品を粉砕、整粒
後成形し、得られた成形体を１００〜１６００℃／分の
速度で１，５００〜１，７００℃の温度まで昇温後、該
温度に１分間以上保持する熱処理工程を経て製造され、
かつ一般式（ I ）：Ｂａ＿ｘＡ＿ｙＢ＿１＿−＿ｘ＿
−＿ｙＦ＿ｚＯ＿ｗ（ I ）〔ここで、ＡはＭｇ，Ｚｎ
，Ｎｉ及びＣｏから選ばれる少くとも１種であり、Ｂは
Ｔａ及びＮｂから選ばれる少くとも１種であり、ｘ，ｙ
およびｚは、それぞれ、０．４８≦ｘ≦０．５２，０．
１５≦ｙ≦０．１９，及び０．０００２５≦ｚ≦０．０
５で表わされる数であり、ｗはＢａ，Ａ及びＢの陽イオ
ンおよびＦの陰イオンの合計の電荷を中和し、該磁器全
体として電気的に中性となる数である〕 で表される組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構造
を有する誘電体磁器である共振器。 - （３）請求項１記載の共振器であって、前記誘電体磁器
が、原料を粉砕後仮焼して得られた仮焼品を粉砕、整粒
後成形し、得られた成形体を１００〜１６００℃／分の
速度で１，５００〜１，７００℃の温度まで昇温後、該
温度に１分間以上保持する熱処理工程を経て製造され、
かつ一般式（II）：Ｂａ＿ｘＡ＿ｙＢ＿１＿−＿ｘ＿−
＿ｙＯ＿ｗ（II）〔ここで、ＡはＭｇ，Ｚｎ，Ｎｉ及び
Ｃｏから選ばれる少なくとも１種であり、ＢはＴａ及び
Ｎｂから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ，ｙおよび
ｚは、それぞれ０．４８≦ｘ≦０．５２、０．１５≦ｙ
≦０．１９で表わされる数であり、ｗはＢａ，Ａ及びＢ
の陽イオンの合計の電荷を中和し、該磁器全体として電
気的に中性となる数である］ で表わされる組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体磁器である共振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136678A JPH0732323B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器 |
| DE69030137T DE69030137T2 (de) | 1989-05-30 | 1990-05-29 | Hochfrequenz-Elementarresonanzvorrichtung mit kompensierbaren Frequenz-Temperaturcharakteristiken |
| EP90305826A EP0400963B1 (en) | 1989-05-30 | 1990-05-29 | Resonant frequency-temperature characteristics compensatable high frequency circuit elemental device |
| CA002017722A CA2017722C (en) | 1989-05-30 | 1990-05-29 | Resonant frequency-temperature characteristics compensable high frequency circuit elemental device |
| US07/530,284 US5087902A (en) | 1989-05-30 | 1990-05-30 | Resonant frequency-temperature characteristics compensable high frequency circuit elemental device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136678A JPH0732323B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031702A true JPH031702A (ja) | 1991-01-08 |
| JPH0732323B2 JPH0732323B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15180918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136678A Expired - Fee Related JPH0732323B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5087902A (ja) |
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