JPH03190086A - パネルの封止方法 - Google Patents
パネルの封止方法Info
- Publication number
- JPH03190086A JPH03190086A JP1328169A JP32816989A JPH03190086A JP H03190086 A JPH03190086 A JP H03190086A JP 1328169 A JP1328169 A JP 1328169A JP 32816989 A JP32816989 A JP 32816989A JP H03190086 A JPH03190086 A JP H03190086A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- panel
- insulating material
- sealing
- thin film
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は交流電界の印加によってEL(エレクトロルミ
ネッセンス)発光を呈する薄膜ELパネルの製造方法に
関するものであり、特にその封止方法に関するものであ
る。
ネッセンス)発光を呈する薄膜ELパネルの製造方法に
関するものであり、特にその封止方法に関するものであ
る。
(従来の技術)
一般に薄膜ELパネルは第2図に示すようにガラスなど
からなるEL基板1上に透明電極2を設け、該透明電極
2上にEL薄膜、背面電極6を積層した構造を有する薄
膜EL素子にガラスなどからなる背面基板8を貼り合わ
せ、該貼り合わせにより設けられた空隙部(パネル内部
)に絶縁性材料を封入する封止方法により得られている
。また上記EL薄膜としてはマンガンをドープした硫化
亜鉛やセレン化亜鉛などからなるEL発光層4を酸化ア
ルミニウムや酸化チタンなどからなる第一誘電体層3お
よび第二誘電体層5で挾んだ二重絶縁構造のものが開発
されており、このEL薄膜を用いて得た薄膜ELパネル
は絶縁耐圧、発光効率および動作の安定性に優れたもの
となる。
からなるEL基板1上に透明電極2を設け、該透明電極
2上にEL薄膜、背面電極6を積層した構造を有する薄
膜EL素子にガラスなどからなる背面基板8を貼り合わ
せ、該貼り合わせにより設けられた空隙部(パネル内部
)に絶縁性材料を封入する封止方法により得られている
。また上記EL薄膜としてはマンガンをドープした硫化
亜鉛やセレン化亜鉛などからなるEL発光層4を酸化ア
ルミニウムや酸化チタンなどからなる第一誘電体層3お
よび第二誘電体層5で挾んだ二重絶縁構造のものが開発
されており、このEL薄膜を用いて得た薄膜ELパネル
は絶縁耐圧、発光効率および動作の安定性に優れたもの
となる。
ところで、上記のような封止は薄膜EL素子を長時間に
わたり安定に動作させるために行なわれるが、従来のパ
ネルの封止は第2図に示すように絶縁性材料としてシリ
コンオイルなどの絶縁性流体13をパネル内部に封入す
ることにより行なわれており、該封入は絶縁性流体13
を背面基板8に設けた注入孔9から注入管を通してパネ
ル内部に注入した後に、柱状のアルミニウム片12を注
入孔9に挿入して仮封孔を行ない、次いでエポキシ樹脂
などからなる接着層10により注入孔を封孔板11で封
孔することにより行なわれていた。
わたり安定に動作させるために行なわれるが、従来のパ
ネルの封止は第2図に示すように絶縁性材料としてシリ
コンオイルなどの絶縁性流体13をパネル内部に封入す
ることにより行なわれており、該封入は絶縁性流体13
を背面基板8に設けた注入孔9から注入管を通してパネ
ル内部に注入した後に、柱状のアルミニウム片12を注
入孔9に挿入して仮封孔を行ない、次いでエポキシ樹脂
などからなる接着層10により注入孔を封孔板11で封
孔することにより行なわれていた。
しかしながら、この方法では絶縁性流体13が注入孔9
から溢れることあるいはこの絶縁性流体13中に気泡が
侵入することを防ぐためにアルミニウム片12を用いて
仮封孔を行なう必要があり、封止工程が繁雑になるとい
う問題点がある。
から溢れることあるいはこの絶縁性流体13中に気泡が
侵入することを防ぐためにアルミニウム片12を用いて
仮封孔を行なう必要があり、封止工程が繁雑になるとい
う問題点がある。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目
的は簡便なパネルの封止方法を提供することにある。
的は簡便なパネルの封止方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行
なった結果、パネル内部に封入する絶縁性材料として硬
化型絶縁性材料を用いることにより、簡便にパネルを封
止することができることを見出だし、更にこのうちある
特性を有する硬化型絶縁性材料を用いることにより、表
示品質に優れたパネルが得られることを見出だし本発明
を完成するに至った。すなわち本発明は、薄膜EL素子
と背面基板とを貼り合わせることにより設けられた空隙
部に硬化後の硬さが円錐ちょう度で800以上の硬化型
絶縁性材料を封入することを特徴とするパネルの封止方
法である。
なった結果、パネル内部に封入する絶縁性材料として硬
化型絶縁性材料を用いることにより、簡便にパネルを封
止することができることを見出だし、更にこのうちある
特性を有する硬化型絶縁性材料を用いることにより、表
示品質に優れたパネルが得られることを見出だし本発明
を完成するに至った。すなわち本発明は、薄膜EL素子
と背面基板とを貼り合わせることにより設けられた空隙
部に硬化後の硬さが円錐ちょう度で800以上の硬化型
絶縁性材料を封入することを特徴とするパネルの封止方
法である。
本発明において用いられる硬化型絶縁性材料とは、硬化
前はパネル内部に注入することのできる粘度を有し、パ
ネル内部に注入した後、加熱、光の照射などにより硬化
することができるものであり、例えばシリコン系、フッ
素系、ウレタン系、アクリルシリコン系、エポキシ系の
樹脂やブチルゴム、スチレンブタジェンゴム、クロロブ
レンゴムなどのゴムなどが挙げられる。このうち、絶縁
性、化学的安定性の点からシリコン系樹脂、フッ素系樹
脂を用いることが好ましい。また、本発明において用い
られる硬化型絶縁性材料の硬化後の円錐ちょう度は80
0以上であるが、これは例えば市販のものを選択したり
、硬化後の円錐ちょう度の低い硬化型絶縁性材料に絶縁
性流体を混合する方法などにより適宜調整することがで
きる。
前はパネル内部に注入することのできる粘度を有し、パ
ネル内部に注入した後、加熱、光の照射などにより硬化
することができるものであり、例えばシリコン系、フッ
素系、ウレタン系、アクリルシリコン系、エポキシ系の
樹脂やブチルゴム、スチレンブタジェンゴム、クロロブ
レンゴムなどのゴムなどが挙げられる。このうち、絶縁
性、化学的安定性の点からシリコン系樹脂、フッ素系樹
脂を用いることが好ましい。また、本発明において用い
られる硬化型絶縁性材料の硬化後の円錐ちょう度は80
0以上であるが、これは例えば市販のものを選択したり
、硬化後の円錐ちょう度の低い硬化型絶縁性材料に絶縁
性流体を混合する方法などにより適宜調整することがで
きる。
以下、図面に基づいて本発明を説明する。第1図は本発
明の封止方法により得られる薄膜ELパネルの一例を示
す断面図である。
明の封止方法により得られる薄膜ELパネルの一例を示
す断面図である。
本発明の封止方法は、パネル内部に硬化型絶縁性材料7
を封入して行なわれるが、この封入は例えば注入孔9か
ら硬化前の硬化型絶縁性材料7を注入し、注入後これを
硬化し、更に注入孔9にエポキシ樹脂などからなる接着
層10を用いて封孔板11を接着、封孔して行なうこと
ができる。
を封入して行なわれるが、この封入は例えば注入孔9か
ら硬化前の硬化型絶縁性材料7を注入し、注入後これを
硬化し、更に注入孔9にエポキシ樹脂などからなる接着
層10を用いて封孔板11を接着、封孔して行なうこと
ができる。
本発明の封止方法においては、封入する絶縁性材料とし
て硬化型絶縁性材料が用いられるため、この材料を注入
して硬化させることで注入孔からの材料の溢れだしある
いは気泡の侵入を防止することができる。従って従来の
封止方法のように絶縁性材料をパネル内部に注入した後
に注入孔の仮封孔を行なう必要なくなり、容易に封止を
行なうことができる。更に、本発明の封止方法において
用いられる絶縁性材料の硬化後の円錐ちょう度は800
以上と柔らかいため、この材料をパネル内部に封入して
得られる薄膜ELパネルにおいては、薄膜EL素子自体
の発熱および外部温度の変化に伴なう絶縁性材料のひび
割れあるいは絶縁性材料と基板との界面間での剥離が防
止され、表示品質の低下のない良好なパネルが得られる
。
て硬化型絶縁性材料が用いられるため、この材料を注入
して硬化させることで注入孔からの材料の溢れだしある
いは気泡の侵入を防止することができる。従って従来の
封止方法のように絶縁性材料をパネル内部に注入した後
に注入孔の仮封孔を行なう必要なくなり、容易に封止を
行なうことができる。更に、本発明の封止方法において
用いられる絶縁性材料の硬化後の円錐ちょう度は800
以上と柔らかいため、この材料をパネル内部に封入して
得られる薄膜ELパネルにおいては、薄膜EL素子自体
の発熱および外部温度の変化に伴なう絶縁性材料のひび
割れあるいは絶縁性材料と基板との界面間での剥離が防
止され、表示品質の低下のない良好なパネルが得られる
。
(実施例)
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明は何らこれらに限定されるものではない。
本発明は何らこれらに限定されるものではない。
第3図に示す薄膜ELパネルを次の順序で作製した。
はじめに、ガラスからなるEL基板1上に透明電極2を
帯状に多数平行配置し、次いで透明電極2上に酸化アル
ミニウムからなる第一誘電体層3を2000人、硫化マ
ンガンを含有する硫化亜鉛からなるEL発光層4を90
00人、酸化アルミニウムからなる第二誘電体層5を2
000人、順次スパッタリング法により形成し、更に第
二誘電体層5上にアルミニウム層を厚さ6000人蒸着
口重このアルミニウム層を透明電極2と直交する方向へ
帯状に成形配列することにより背面電極6を形成して薄
膜EL素子を得た。
帯状に多数平行配置し、次いで透明電極2上に酸化アル
ミニウムからなる第一誘電体層3を2000人、硫化マ
ンガンを含有する硫化亜鉛からなるEL発光層4を90
00人、酸化アルミニウムからなる第二誘電体層5を2
000人、順次スパッタリング法により形成し、更に第
二誘電体層5上にアルミニウム層を厚さ6000人蒸着
口重このアルミニウム層を透明電極2と直交する方向へ
帯状に成形配列することにより背面電極6を形成して薄
膜EL素子を得た。
次に注入孔9を有する背面基板8をエポキシ樹脂からな
る接着層10を介して得られた薄膜EL素子に貼り合わ
せた。
る接着層10を介して得られた薄膜EL素子に貼り合わ
せた。
その後、注入孔9に注入管を挿入し、硬化型絶縁性材料
14をパネル内部に注入した。硬化型絶縁性材料として
は熱硬化性シリコン系樹脂にシリコンオイルを混合して
円錐ちょう度を調整した材料ものを用い、注入は該材料
を入れた容器と共に真空乾燥器の中へ配置し、真空ポン
プを用いて真空乾燥器内部の空気、および樹脂中に溶解
している空気を除き、続いて乾燥器内部の圧力を大気圧
に戻すことにより行なった。
14をパネル内部に注入した。硬化型絶縁性材料として
は熱硬化性シリコン系樹脂にシリコンオイルを混合して
円錐ちょう度を調整した材料ものを用い、注入は該材料
を入れた容器と共に真空乾燥器の中へ配置し、真空ポン
プを用いて真空乾燥器内部の空気、および樹脂中に溶解
している空気を除き、続いて乾燥器内部の圧力を大気圧
に戻すことにより行なった。
絶縁性材料14の注入後注入管をはずし、パネルを取出
して清浄し、再び加熱槽内に入れ樹脂を加熱硬化した。
して清浄し、再び加熱槽内に入れ樹脂を加熱硬化した。
加熱後徐冷し、次いでパネルの注入孔9の周囲を清浄し
、封孔板11をエポキシ樹脂からなる接着層10によっ
て注入孔9を覆うように接着することによりパネルの封
止を行ない、薄膜ELパネルを作製した。
、封孔板11をエポキシ樹脂からなる接着層10によっ
て注入孔9を覆うように接着することによりパネルの封
止を行ない、薄膜ELパネルを作製した。
なお、本発明において用いた硬化型絶縁性材料は、その
硬さの影響を調べるために、硬化後の円錐ちょう度が2
86.586.830及び924の硬化型絶縁性材料を
用い、それぞれの硬さの材料ごとに10枚づつパネルを
作製した。なお、円錐ちょう度はJIS規格に従い測定
を行なった。
硬さの影響を調べるために、硬化後の円錐ちょう度が2
86.586.830及び924の硬化型絶縁性材料を
用い、それぞれの硬さの材料ごとに10枚づつパネルを
作製した。なお、円錐ちょう度はJIS規格に従い測定
を行なった。
上記の方法に従って作製したパネルを恒温恒湿槽中に入
れ、パネルを第4図に示される一20℃から80℃まで
の温度変化環境に20サイクル晒す冷熱サイクル試験に
供した。第5図にその結果を円錐ちょう度とパネルの表
示品質の低下による不良率の関係として示す。第5図に
示される結果から、円錐ちょう度と不良率の関係におい
ては円錐ちょう度が800以上になる点で不良率の急激
な低下が認められた。
れ、パネルを第4図に示される一20℃から80℃まで
の温度変化環境に20サイクル晒す冷熱サイクル試験に
供した。第5図にその結果を円錐ちょう度とパネルの表
示品質の低下による不良率の関係として示す。第5図に
示される結果から、円錐ちょう度と不良率の関係におい
ては円錐ちょう度が800以上になる点で不良率の急激
な低下が認められた。
(発明の効果)
以上述べたとおり、本発明の薄膜ELパネルの封止方法
によれば、従来の封止方法において行なわれていたパネ
ル内部への絶縁性材料の注入後の仮封孔を必要としない
ため、簡略化された方法で薄膜ELパネルを製造するこ
とができ、更に表示品質の低下のない薄膜ELパネルを
製造することができる。
によれば、従来の封止方法において行なわれていたパネ
ル内部への絶縁性材料の注入後の仮封孔を必要としない
ため、簡略化された方法で薄膜ELパネルを製造するこ
とができ、更に表示品質の低下のない薄膜ELパネルを
製造することができる。
3・・・第一誘電体層 4・・・EL発光層5・・
・第二誘電体層 6・・・背面電極7.14・・・
硬化型絶縁性材料 8・・・背面基板 9・・・注入孔10・・・
接着層 11・・・封孔板12・・・アルミニ
ウム片 13・・・絶縁性流体
・第二誘電体層 6・・・背面電極7.14・・・
硬化型絶縁性材料 8・・・背面基板 9・・・注入孔10・・・
接着層 11・・・封孔板12・・・アルミニ
ウム片 13・・・絶縁性流体
第1図、第3図は本発明の封止方法により得られた薄膜
ELパネルの一例を示す断面図である。 第2図は従来の封止方法により得られた薄膜ELパネル
の構造を示す断面図である。 第4図は実施例で行った冷熱サイクル試験の1サイクル
の温度変化を示す図である。 第5図は封止に用いた絶縁性材料の円錐ちょう度とパネ
ルの不良率の関係を示す図である。 図中、
ELパネルの一例を示す断面図である。 第2図は従来の封止方法により得られた薄膜ELパネル
の構造を示す断面図である。 第4図は実施例で行った冷熱サイクル試験の1サイクル
の温度変化を示す図である。 第5図は封止に用いた絶縁性材料の円錐ちょう度とパネ
ルの不良率の関係を示す図である。 図中、
Claims (1)
- (1) 薄膜EL素子と背面基板とを貼り合わせること
により設けられた空隙部に硬化後の硬さが円錐ちよう度
で800以上の硬化型絶縁性材料を封入することを特徴
とするパネルの封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328169A JPH03190086A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | パネルの封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328169A JPH03190086A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | パネルの封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190086A true JPH03190086A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18207255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1328169A Pending JPH03190086A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | パネルの封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190086A (ja) |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1328169A patent/JPH03190086A/ja active Pending
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