JPH03198356A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH03198356A
JPH03198356A JP1339699A JP33969989A JPH03198356A JP H03198356 A JPH03198356 A JP H03198356A JP 1339699 A JP1339699 A JP 1339699A JP 33969989 A JP33969989 A JP 33969989A JP H03198356 A JPH03198356 A JP H03198356A
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JP
Japan
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thin metal
metal wire
metal wires
semiconductor device
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JP1339699A
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Kenji Ooyauchi
賢治 大谷内
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に装置の構
造に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体素子搭載部のないリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置は、次のようになっていた。すな
わち、半導体素子と半導体素子搭載部のないリードフレ
ームの内部リードを接続する金属細線は、全て同一の太
さの２５〜３０μｍφのものを用いており該金属細線に
て半導体素子と内部リードを接続し、半導体素子及び内
部リードを封止用樹脂にて封止する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子
を保持するのが半導体素子と半導体素子搭載部のないリ
ードフレームの内部リードを接続する同一の太さの２５
〜３０μｍφの金属細線のみであるため、半導体素子及
びリードフレームの内部リードを封止用樹脂にて封止す
る際、半導体素子は樹脂に押し流されやすく、前記金属
細線が引っ張られ、切断したり、あるいは半導体素子の
上部角の部分に金属細線が触れ、電気的に短絡してしま
うなどの欠点がある。また金属細線が引っ張られた対辺
では、金属細線がたるみ金属細線どうし、あるいは金属
細線と該金属細線と絶縁されているべき内部リードが短
絡してしまうという欠点がある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の半導体素子搭載部のないリードフレーム
を用いた樹脂封止型半導体装置では、半導体素子と半導
体素子搭載部のないリードフレームの内部リードを接続
する金属細線は全て同一の太さの２５〜３０μｍφのも
のを用いており該金属細線にて半導体素子と内部リード
を接続し、半導体素子及び内部リードを封止用樹脂にて
封止する構造であるのに対し、本発明は半導体素子と半
導体素子搭載部のないリードフレームの内部リードを接
続する金属細線のうち少くとも１本を他の金属細線より
太いものを用い、また、最短経路で接続し、半導体素子
及び内部リードな封止用樹脂にて封止するという相違点
を有する。
〔課題を解決するための手段〕 本発明の樹脂封止型半導体装置は半導体素子搭載部のな
いリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置におい
て、半導体素子上の電極と半導体素子搭載部のないリー
ドフレームの内部リードを接続する金属細線のうち少な
くとも１本を他の金属細線より太く、また最短経路で接
続するという特徴を有するものである。
また、半導体素子基板と同電位である半導体素子上の電
極と他の金属細線より太く、また最短経路で接続するこ
とにより、封入時に半導体素子が移動し金属細線が半導
体素子の上部角の部分に触れ電気的に不良となることを
防止することができるという特徴をも有する。
〔実施例〕
次に、本発明につき図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明する説明図であり、第
１図（Ａ）は上面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ
−Ａ’部の断面図である。
半導体素子ｌは、第１図（Ａ）に示すように半導体素子
１上の電極６を介して半導体素子搭載部のないリードフ
レーム２の内部リード２″と金属細線３あるいは金属細
線３より１．５〜３倍程度太い金属細線４により接続さ
ｈている。なお、太い金属細線４は金属細線３より短い
経路で接続されている。本実施例においては半導体素子
１の同−辺にある２つの各部付近の電極６′及びその対
辺の中央部付近の電極６″について太い金属細線４によ
り接続されている。また電極６′及び６″は半導体素子
１の上部角部と同電位となっている。
このような構造とすることにより、封止用樹脂５により
封止する際に半導体素子１は、太い金属細線４により内
部リード２′に固定されているため移動することはなく
、金属細線３が変形することを防止することが可能とな
る。また、封止の際多少半導体素子１が移動して太い金
属細線４が変形しても金属細線３はあまり変形せず、短
絡したり切断することも防止できる。さらに太い金属細
線４が変形し、半導体素子１の上部角に接触しても電気
的に不良となることを防ぐことができる。
第２図は本発明の第２の実施例を説明する説明図であり
、第２図（Ａ）は上面図、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）
のＡ−Ａ’部の断面図である。半導体素子ｌは、第２図
（Ａ）に示すように半導体素子１上の電極６を介して半
導体素子搭載部のないリードフレーム２の内部リード２
′と金属細線３あるいは金属細線３より太い金属細線４
により接続されている。なお太い金属細線４は金属細線
３より短い経路で接続されている。本実施例においては
、半導体素子１の各辺の中央部付近の電極６″から太い
金属細線にて内部リードに接続されている。このような
構造とすることにより、半導体素子１はより強固に内部
リード２に固定され封入時の半導体素子１の周囲方向か
らかかる力により移動することはない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、半導体素子と半導
体素子搭載部のないリードフレームの内部リードを接続
する金属細線のうち少なくとも１本を他の金属細線より
太く、また最短経路で接続し、内部リードに半導体素子
を固定することにより、封止用樹脂にて封止する際、半
導体素子が封止用樹脂によって押し流されることを防止
し、しかも金属細線が引っ張られ、切断したり、あるい
は半導体素子上部角の部分に金属細線が触れ、電気的に
短絡したりあるいは金属細線どうし、あるいは金属細線
と該金属細線と絶縁されているべき内部リードが短絡し
てしまうことを防止できる効果がある。また、半導体素
子の上部角付近と同電位である半導体素子上の電極と内
部リードを他の金属細線より太い金属細線で接続するこ
とにより、多少半導体素子が封入時に移動して太い金属
細線が半導体素子の上部角に触れても電気的に不良にな
らないという効果も持つ。
ないリードフレーム、２′・・・・・・内部リード、３
・・・・・・金属細線、４・・・・・・太い金属細線、
５・・・・・・封止用樹脂、６・・・・・・電極、６′
・・・・・・角部付近の電極、６″・・・・・・中央部
付近の電極。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子搭載部のないリードフレームを用いた
    樹脂封止型半導体装置において、半導体素子上の電極と
    半導体素子搭載部のないリードフレームの内部リードと
    を接続する金属細線のうち少なくとも１本を、他の金属
    細線より太くまた最短経路で接続することを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置。
  2. （２）半導体素子基板と同電位である半導体素子上の電
    極が他の金属細線より太くまた最短経路で接続されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の
    樹脂封止型半導体装置。
JP1339699A 1989-12-26 1989-12-26 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH03198356A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474958A (en) * 1993-05-04 1995-12-12 Motorola, Inc. Method for making semiconductor device having no die supporting surface
US9147647B2 (en) 2012-11-05 2015-09-29 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same

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US9349675B2 (en) 2012-11-05 2016-05-24 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same

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