JPH03201433A - ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 - Google Patents
ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液Info
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- JPH03201433A JPH03201433A JP34030889A JP34030889A JPH03201433A JP H03201433 A JPH03201433 A JP H03201433A JP 34030889 A JP34030889 A JP 34030889A JP 34030889 A JP34030889 A JP 34030889A JP H03201433 A JPH03201433 A JP H03201433A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＳｉＧｅ混晶−Ｓｉ系あるいはＧｅ−Ｓｉ系
の選択エツチング液に関する。
の選択エツチング液に関する。
（従来の技術とその問題点）
近年、ＳｉｘＧｅ１−ｘ系へテロ・バイポーラ・トラン
ジスタの製造プロセス等への応用を目的として、ＳｉＧ
ｅ混晶のエツチング法がさかん研究されている。しかし
従来までのウェット・エツチング法では、Ｇｅ、ＳｉＧ
ｅ混晶はエツチングされずＳｉはエツチングされるとい
う選択エツチングのできるエツチング液がなかった。
ジスタの製造プロセス等への応用を目的として、ＳｉＧ
ｅ混晶のエツチング法がさかん研究されている。しかし
従来までのウェット・エツチング法では、Ｇｅ、ＳｉＧ
ｅ混晶はエツチングされずＳｉはエツチングされるとい
う選択エツチングのできるエツチング液がなかった。
（問題点を解決するための手段）
本発明ではＫＯＨ：に２Ｃｒ０７：イソプロビルアルコ
ール：Ｈ２Ｏを混合したエツチング液を使用する。
ール：Ｈ２Ｏを混合したエツチング液を使用する。
（作用）
本エッチンク液は、［ＯＨ］によってＳｉ、Ｇｅ、Ｓｉ
Ｇｅ混晶がエツチングされる。しかし、［ＯＨ］の濃度
によってＧｅ、ＳｉＧｅ混晶がエツチングされない領域
にある。この領域をに２Ｃｒ０７の［Ｋ］とＩＳＯＰｒ
ｏｐｉｌａｌｃｏｈｏｌの［Ｈ］の比率によって作って
やる。この領域を作ってやることにより、Ｇｅ、ＳｉＧ
ｅ混晶はエツチングされずＳｉのみエツチングされるよ
うになる。
Ｇｅ混晶がエツチングされる。しかし、［ＯＨ］の濃度
によってＧｅ、ＳｉＧｅ混晶がエツチングされない領域
にある。この領域をに２Ｃｒ０７の［Ｋ］とＩＳＯＰｒ
ｏｐｉｌａｌｃｏｈｏｌの［Ｈ］の比率によって作って
やる。この領域を作ってやることにより、Ｇｅ、ＳｉＧ
ｅ混晶はエツチングされずＳｉのみエツチングされるよ
うになる。
（実施例）
基板は、５ｉ（１００）基板上にＳｉを分子線エピタキ
シャル成長したものと、５ｉ（１００）基板上にＳｉ１
−ｘＧｅｘ混晶を分子線エピタキシャル成長したものと
、Ｇｅ（１１１）基板を使用した。この３種類の基板上
にＣＶＤにより酸化膜を堆積する。フォトリソグラフ技
術によりこの酸化膜をパターニングする。このようにし
て部分的に５ｉ０２膜におおわれた規範をＫＯＨ、Ｋ２
Ｃｒｏ７．イソプロピルアルコール、Ｈ２Ｏが混合した
エツチング液によりエツチングする。本実施例では混合
比率はＫＯＨ：３００ｇ、に２Ｃｒ０７：１２ｇ、イソ
プロピルアルコール：３００ｍ１．Ｈ２Ｏ：１２００ｍ
１とした。この後、バッフアートフッ酸（緩衝フッ酸）
により５ｉ０２膜を除去する。第１，２図は、維持用の
工程を行った基板を段差系によって測定した結果である
。第１，２図の結果を見るとＳｉはエツチングされ、Ｇ
ｅはエツチングされず、ＳｉＧｅ混晶はＳｉの１ノ２０
以下しかエツチングされないということが判る。
シャル成長したものと、５ｉ（１００）基板上にＳｉ１
−ｘＧｅｘ混晶を分子線エピタキシャル成長したものと
、Ｇｅ（１１１）基板を使用した。この３種類の基板上
にＣＶＤにより酸化膜を堆積する。フォトリソグラフ技
術によりこの酸化膜をパターニングする。このようにし
て部分的に５ｉ０２膜におおわれた規範をＫＯＨ、Ｋ２
Ｃｒｏ７．イソプロピルアルコール、Ｈ２Ｏが混合した
エツチング液によりエツチングする。本実施例では混合
比率はＫＯＨ：３００ｇ、に２Ｃｒ０７：１２ｇ、イソ
プロピルアルコール：３００ｍ１．Ｈ２Ｏ：１２００ｍ
１とした。この後、バッフアートフッ酸（緩衝フッ酸）
により５ｉ０２膜を除去する。第１，２図は、維持用の
工程を行った基板を段差系によって測定した結果である
。第１，２図の結果を見るとＳｉはエツチングされ、Ｇ
ｅはエツチングされず、ＳｉＧｅ混晶はＳｉの１ノ２０
以下しかエツチングされないということが判る。
第３図は、実際のＳｉ１−ｘＧｅｘ系へテロ・バイポー
ラ・トランジスタの製造プロセスである。まずＮ型Ｓｉ
基板１の上に戸のＳｉＧｅ混晶４を戒長し、その上に５
ｉ０２膜を堆積する。この５ｉ０２をパターニングしそ
れをマスクにＳｉの洗浄液として衆知のＮＨ４ＯＨ：Ｈ
２Ｏ２：Ｈ２０混合液に堆積するとＳｉＧｅ混晶４のみ
がエツチングされる。前述の５ｉ０２を除去し、新たに
ＣＶＤ法で５ｉ０２を形成しパターニングして５ｉ０２
２とする。その後Ｎ＋Ｓｉのエピタキシャル成長を行う
と５ｉ０２２の開口部は単結晶のＮ＋型Ｓｉ３が戒長し
、５ｉ０２２上はポリＳｉ６となる。そのあと、Ｎ＋型
Ｓｉ３を残したい領域上にフォトレジスト５を形成する
。（第３図Ａ）この状態で本発明のエツチング液により
エツチングする。
ラ・トランジスタの製造プロセスである。まずＮ型Ｓｉ
基板１の上に戸のＳｉＧｅ混晶４を戒長し、その上に５
ｉ０２膜を堆積する。この５ｉ０２をパターニングしそ
れをマスクにＳｉの洗浄液として衆知のＮＨ４ＯＨ：Ｈ
２Ｏ２：Ｈ２０混合液に堆積するとＳｉＧｅ混晶４のみ
がエツチングされる。前述の５ｉ０２を除去し、新たに
ＣＶＤ法で５ｉ０２を形成しパターニングして５ｉ０２
２とする。その後Ｎ＋Ｓｉのエピタキシャル成長を行う
と５ｉ０２２の開口部は単結晶のＮ＋型Ｓｉ３が戒長し
、５ｉ０２２上はポリＳｉ６となる。そのあと、Ｎ＋型
Ｓｉ３を残したい領域上にフォトレジスト５を形成する
。（第３図Ａ）この状態で本発明のエツチング液により
エツチングする。
エツチング後にホト・レジストを除去し、５ｉ０２７を
堆積した後にパターニングし、コンタクトとしてＡ１１
０をつけてトランジスタとして完成する。（第３図Ｂ）
この後、その構造を断面ＳＥＭ観察すると予想通りの構
造が得られていることが確認されたるまん、本製造プロ
セスを用いて作成したヘテロ・バイポーラ・トランジス
タは正常なエッミタ接地特性を示した。
堆積した後にパターニングし、コンタクトとしてＡ１１
０をつけてトランジスタとして完成する。（第３図Ｂ）
この後、その構造を断面ＳＥＭ観察すると予想通りの構
造が得られていることが確認されたるまん、本製造プロ
セスを用いて作成したヘテロ・バイポーラ・トランジス
タは正常なエッミタ接地特性を示した。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明のエツチング液を用
いたウェット・エツチング法を用いればＳｉＧｅ混晶や
ＧｅのＳｉに対する選択エツチングが可能である。
いたウェット・エツチング法を用いればＳｉＧｅ混晶や
ＧｅのＳｉに対する選択エツチングが可能である。
第１図は、Ｓｉのみの時とＧｅのみの時のエツチング量
の結果を示す図。 第２図は、エツチング時間を一定にしＧｅの混晶比を変
化させた時のエツチング量の結果を示す図。 第３図は、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ系へテロ・バイポーラ・ト
ランジスタを作るうえのプロセス工程を示す断面図。 １・・・Ｎ型Ｓｉ基板、２・・・５ｉ０２．３・・・Ｎ
＋型Ｓｉ、４・・・Ｐ＋型ＳｉＧｅ混晶、５・・・フォ
トレジスト、６・・・ポリ５ｉ１７−Ｓｉ０２．１Ｏ−
ＡＩＱ
の結果を示す図。 第２図は、エツチング時間を一定にしＧｅの混晶比を変
化させた時のエツチング量の結果を示す図。 第３図は、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ系へテロ・バイポーラ・ト
ランジスタを作るうえのプロセス工程を示す断面図。 １・・・Ｎ型Ｓｉ基板、２・・・５ｉ０２．３・・・Ｎ
＋型Ｓｉ、４・・・Ｐ＋型ＳｉＧｅ混晶、５・・・フォ
トレジスト、６・・・ポリ５ｉ１７−Ｓｉ０２．１Ｏ−
ＡＩＱ
Claims (1)
- ＫＯＨ、Ｋ＿２ＣｒＯ＿７、イソプロピルアルコール、
Ｈ＿２Ｏを混合したことを特徴とするＳｉＧｅ混晶−Ｓ
ｉ系あるいはＧｅ−Ｓｉ系の選択エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340308A JP2581241B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340308A JP2581241B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201433A true JPH03201433A (ja) | 1991-09-03 |
| JP2581241B2 JP2581241B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=18335704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340308A Expired - Fee Related JP2581241B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ＳｉＧｅ混晶／Ｓｉ系あるいはＧｅ／Ｓｉ系に対するＳｉの選択エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581241B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545682A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-03-29 | 复旦大学 | 基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212060A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Mefina Sa | Method of forming buttonhole with zigzag stitch sewing machine |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1340308A patent/JP2581241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212060A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Mefina Sa | Method of forming buttonhole with zigzag stitch sewing machine |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545682A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-03-29 | 复旦大学 | 基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 |
| CN109545682B (zh) * | 2018-11-14 | 2021-12-28 | 复旦大学 | 基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2581241B2 (ja) | 1997-02-12 |
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