JPH03215956A - 半導体素子の検査装置および検査方法 - Google Patents
半導体素子の検査装置および検査方法Info
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- JPH03215956A JPH03215956A JP2011414A JP1141490A JPH03215956A JP H03215956 A JPH03215956 A JP H03215956A JP 2011414 A JP2011414 A JP 2011414A JP 1141490 A JP1141490 A JP 1141490A JP H03215956 A JPH03215956 A JP H03215956A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子にコンタクト端子を接触させて半
導体素子の機能検査をする半導体素子の検査装置および
検査方法に関する。
導体素子の機能検査をする半導体素子の検査装置および
検査方法に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体素子の検査装置は、被測定用半導
体素子の各外部リードに１つのコンタクト端子を対応さ
せて配置し、コンタクト端子の外側からコンタクト駆動
装置によりコンタクト端子を押圧することにより、コン
タクト端子を位置決めされた、半導体素子の外部リード
に接触さぜ、半導体素子の機能検査を実施していた。
体素子の各外部リードに１つのコンタクト端子を対応さ
せて配置し、コンタクト端子の外側からコンタクト駆動
装置によりコンタクト端子を押圧することにより、コン
タクト端子を位置決めされた、半導体素子の外部リード
に接触さぜ、半導体素子の機能検査を実施していた。
しかしながら、従来、パワートランジスタ，ダイオード
，サイリスクなどでは外部り−１ぐの数も少なく、かつ
、各外部リード間の間隔も大きいこ２ とから、センスライン，フォースラインをおのおの個別
のコンタクト端子に接続して正確にケルヒン式測定を実
施していたが、ＤＩＬ（ＤｕａｌＩｎ Ｌｉｎｅ）パ
ッケーシを用いた半導体素子では外部リードも多いため
センスライン，フォースラインに対して別々のコンタク
１〜端子を用いるという上述の方法は採用されていなか
った。
，サイリスクなどでは外部り−１ぐの数も少なく、かつ
、各外部リード間の間隔も大きいこ２ とから、センスライン，フォースラインをおのおの個別
のコンタクト端子に接続して正確にケルヒン式測定を実
施していたが、ＤＩＬ（ＤｕａｌＩｎ Ｌｉｎｅ）パ
ッケーシを用いた半導体素子では外部リードも多いため
センスライン，フォースラインに対して別々のコンタク
１〜端子を用いるという上述の方法は採用されていなか
った。
以下に従来の半導体素子の検査装置および検査方法につ
いて第２図を参照して説明する。
いて第２図を参照して説明する。
第２図は従来の半導体素子の検査装置のコンタクト端子
部分を示すものである。第２図において、１は半導体測
定装置、２はフォースライン、３はセンスラインであり
、フォースライン２とセンスライン３は１組で半導体測
定装置の１端子を構成している。４ｃはコンタクト端子
を保持し、かつ、フォースライン２とセンスライン３を
結合しているコンタクト保持装置、５はコンタクト保持
装置４ｃで結合されたフォースライン２とセンスライン
３を被測定用の半導体素子に導通させるコンタクト端子
、６はコンタクト端子５を被測定用の半導体素子の外部
リードに接触さぜるコンタクｌ・駆動装置、７は被測定
用の半導体素子、８は被測定用の半導体素子を保持ずる
ソケッ１・（ハンドラー）の台座である。
部分を示すものである。第２図において、１は半導体測
定装置、２はフォースライン、３はセンスラインであり
、フォースライン２とセンスライン３は１組で半導体測
定装置の１端子を構成している。４ｃはコンタクト端子
を保持し、かつ、フォースライン２とセンスライン３を
結合しているコンタクト保持装置、５はコンタクト保持
装置４ｃで結合されたフォースライン２とセンスライン
３を被測定用の半導体素子に導通させるコンタクト端子
、６はコンタクト端子５を被測定用の半導体素子の外部
リードに接触さぜるコンタクｌ・駆動装置、７は被測定
用の半導体素子、８は被測定用の半導体素子を保持ずる
ソケッ１・（ハンドラー）の台座である。
以上のように構成された半導体素子の検査装置を用いた
、半導体検査方法について説明する。
、半導体検査方法について説明する。
まず、ソケット（ハントラー）の台座８上で位置決めさ
れた被測定用の半導体素子７に、コンタクト駆動装置６
の押圧動作により、コンタクト端子５が半導体素子７の
外部リード７ｃに接触される。このとき、被測定用の半
導体素子７の外部リード７ｃ，コンタクＩ・端子５，セ
ンスライン３，フォースライン２は電気的に導通され、
電気信号の授受が半導体測定装置１と被測定用の半導体
素子７との間で可能となる。これにより、被測定用の半
導体素子７の検査が実現できる。
れた被測定用の半導体素子７に、コンタクト駆動装置６
の押圧動作により、コンタクト端子５が半導体素子７の
外部リード７ｃに接触される。このとき、被測定用の半
導体素子７の外部リード７ｃ，コンタクＩ・端子５，セ
ンスライン３，フォースライン２は電気的に導通され、
電気信号の授受が半導体測定装置１と被測定用の半導体
素子７との間で可能となる。これにより、被測定用の半
導体素子７の検査が実現できる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記従来の構成では、コンタクト端子５が
被測定用の半導体素子７の外部リード７ｃと線接触する
ようになっているので、接触面積が少ないために接触抵
抗が太き《なり、高精度の測定が不可能となる。さらに
、フォースライン２とセンスライン３を半導体素子の外
部リード１対に対してコンタクト端子５を２対接触さぜ
るのは難しいとの理由からコンタクト保持装置４Ｃて結
合させており、さらにコンタクト保持装置４Ｃから被測
定用の半導体素子７の外部リード７Ｃ迄に若干の距離が
あることから、正確なケルビン式測定を実現できないと
いう課題を有していた。
被測定用の半導体素子７の外部リード７ｃと線接触する
ようになっているので、接触面積が少ないために接触抵
抗が太き《なり、高精度の測定が不可能となる。さらに
、フォースライン２とセンスライン３を半導体素子の外
部リード１対に対してコンタクト端子５を２対接触さぜ
るのは難しいとの理由からコンタクト保持装置４Ｃて結
合させており、さらにコンタクト保持装置４Ｃから被測
定用の半導体素子７の外部リード７Ｃ迄に若干の距離が
あることから、正確なケルビン式測定を実現できないと
いう課題を有していた。
本発明は前記従来の課題を解決するもので、接触抵抗を
低減して高精度の測定を可能とし、正確なケルビン式測
定を実現できる半導体素子の検査装置および検査方法を
提供することを目的とする。
低減して高精度の測定を可能とし、正確なケルビン式測
定を実現できる半導体素子の検査装置および検査方法を
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するため本発明の半導体素子の検査装置
は、被測定物である半導体素子を保持する保持部材と、
前記半導体素子の外部リードの両側に、その外部リード
を間に挟むように外部リードから離間して配置された第
１，第２のコンタク５ ト端子と、前記第１，第２のコンタクト端子を前記保持
部材側に抑圧する抑圧手段を備え、前記抑圧手段により
、前記第１，第２のコンタクト端子を前記保持部材側に
押圧したとき、前記外部リードが前記第１，第２のコン
タクト端子間に挟持された状態で、第１，第２のコンタ
クト端子に接触されるように構成したものである。
は、被測定物である半導体素子を保持する保持部材と、
前記半導体素子の外部リードの両側に、その外部リード
を間に挟むように外部リードから離間して配置された第
１，第２のコンタク５ ト端子と、前記第１，第２のコンタクト端子を前記保持
部材側に抑圧する抑圧手段を備え、前記抑圧手段により
、前記第１，第２のコンタクト端子を前記保持部材側に
押圧したとき、前記外部リードが前記第１，第２のコン
タクト端子間に挟持された状態で、第１，第２のコンタ
クト端子に接触されるように構成したものである。
また本発明の半導体素子の検査方法は被測定物である半
導体素子を保持部材に保持し、前記半導体素子の外部リ
ードの両側に、第１，第２のコンタクト端子を両端子間
に前記外部リードが挟持されるように接触させ、これら
第１，第２のコンタクト端子を介して、前記半導体素子
を半導体測定装置に電気的に連結して前記半導体素子の
測定を行なうようにしたものである。
導体素子を保持部材に保持し、前記半導体素子の外部リ
ードの両側に、第１，第２のコンタクト端子を両端子間
に前記外部リードが挟持されるように接触させ、これら
第１，第２のコンタクト端子を介して、前記半導体素子
を半導体測定装置に電気的に連結して前記半導体素子の
測定を行なうようにしたものである。
作用
この構成によって被測定用の半導体素子の外部リードに
２つのコンタクト端子が接触されることになり、コンタ
クトの接触面積が大きくなる。さらに半導体測定装置か
ら被測定物である半導体素６ 子の外部リード上までフォースラインとセンスラインを
別々に配設することができるので、被測定物である半導
体素子の外部リード上で正確なゲルビン式測定を実現で
きる。
２つのコンタクト端子が接触されることになり、コンタ
クトの接触面積が大きくなる。さらに半導体測定装置か
ら被測定物である半導体素６ 子の外部リード上までフォースラインとセンスラインを
別々に配設することができるので、被測定物である半導
体素子の外部リード上で正確なゲルビン式測定を実現で
きる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体素子の検査装
置の全体図を示すものである。第１図において、］は半
導体測定装置、２はフォースライン、３はセンスライン
であり、これらは第２図に示す従来例の構成と同しであ
る。４ａはフォースライン２とセンスライン３をコンタ
クト端子に接続し、コンタクト端子を保持するコンタク
ト保持装置、５ａはフォースライン２に接続されたフォ
ースコンタクト端子、５ｂはセンスライン３に接続され
たセンスコンタクト端子、６はコンタクト駆動装置、７
は被測定物である半導体素子、８は被測定用の半導体素
子を保持するソケッｌ− （ハンドラー）の台座である
。コンタクト端子５ａ，５ｂは外部リード７ａを間に挟
むように外部リード７ａから離間して配置されている。
置の全体図を示すものである。第１図において、］は半
導体測定装置、２はフォースライン、３はセンスライン
であり、これらは第２図に示す従来例の構成と同しであ
る。４ａはフォースライン２とセンスライン３をコンタ
クト端子に接続し、コンタクト端子を保持するコンタク
ト保持装置、５ａはフォースライン２に接続されたフォ
ースコンタクト端子、５ｂはセンスライン３に接続され
たセンスコンタクト端子、６はコンタクト駆動装置、７
は被測定物である半導体素子、８は被測定用の半導体素
子を保持するソケッｌ− （ハンドラー）の台座である
。コンタクト端子５ａ，５ｂは外部リード７ａを間に挟
むように外部リード７ａから離間して配置されている。
以上のように構成された本実施例の半導体素子の検査装
置を用いた検査方法について説明する。
置を用いた検査方法について説明する。
まず、被測定物である半導体素子７がソノｒツ１・（ハ
ントラー）の台座８に送られてきてこの台座８に位置決
めされる。次にコンタクト駆動装置６がフォースコンタ
クｌ一端子５ａの外側より被測定用の半導体素子７の外
部リード７ａに向って押圧する。このとき、被測定用の
半導体素子７の外部リード７ａには、フォースコンタク
ト端子５ａとセンスコンタクｌ・端子５ｂが外部リード
７ａを間に挟持するように接触され、被測定用の半導体
素子７と半導体測定装置１は電気的に導通される。
ントラー）の台座８に送られてきてこの台座８に位置決
めされる。次にコンタクト駆動装置６がフォースコンタ
クｌ一端子５ａの外側より被測定用の半導体素子７の外
部リード７ａに向って押圧する。このとき、被測定用の
半導体素子７の外部リード７ａには、フォースコンタク
ト端子５ａとセンスコンタクｌ・端子５ｂが外部リード
７ａを間に挟持するように接触され、被測定用の半導体
素子７と半導体測定装置１は電気的に導通される。
さらに、センスコンタクト端子５ｂは先端がＵ字状に弯
曲さぜてあるのて、このＵ字状部がスプリングの役目を
はたし、被測定用の半導体素子７の外部リードへの抑圧
負荷を柔げ、センスコンタクト端子５ｂの被測定用の半
導体素子７の外部リードに対する接触面積を増大させて
いる。
曲さぜてあるのて、このＵ字状部がスプリングの役目を
はたし、被測定用の半導体素子７の外部リードへの抑圧
負荷を柔げ、センスコンタクト端子５ｂの被測定用の半
導体素子７の外部リードに対する接触面積を増大させて
いる。
以上のように本実施例によれば、フォースコンタクト端
子５ａとセンスコンタクト端子５ｂをおのおの個別に設
けているために、被測定用の半導体素子７の外部リード
７ａと接触ずる面積が大きくなり、接触抵抗を低減する
ことができ、高精度の測定が可能となる。さらに、被測
定用の半導体素子７の外部リード７ａ部分までフォース
ラインとセンスラインを別々にしているために、リード
とフォースラインとの間の接触抵抗によって電圧降下が
発生しても正確なケルヒン式測定を実現できる。
子５ａとセンスコンタクト端子５ｂをおのおの個別に設
けているために、被測定用の半導体素子７の外部リード
７ａと接触ずる面積が大きくなり、接触抵抗を低減する
ことができ、高精度の測定が可能となる。さらに、被測
定用の半導体素子７の外部リード７ａ部分までフォース
ラインとセンスラインを別々にしているために、リード
とフォースラインとの間の接触抵抗によって電圧降下が
発生しても正確なケルヒン式測定を実現できる。
なお、本実施例ではフォースコンタクト端子５ａとセン
スコンタクト端子５ｂを被測定用の半導体素子７のリー
ドに対して左右に配したが、フラットパッケージのよう
に左右配置が難しい場合には上下に配しても良いことは
いうまでもない。
スコンタクト端子５ｂを被測定用の半導体素子７のリー
ドに対して左右に配したが、フラットパッケージのよう
に左右配置が難しい場合には上下に配しても良いことは
いうまでもない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、フォースコンタクト端子
とセンスコンタクト端子ををおのおの個別に設けている
ので、接触抵抗を低減することの９ できる優れた半導体素子の検査装置および検査方法を実
現できる。
とセンスコンタクト端子ををおのおの個別に設けている
ので、接触抵抗を低減することの９ できる優れた半導体素子の検査装置および検査方法を実
現できる。
第１図は本発明の一実施例における半導体素子の検査装
置を示す構成図、第２図は従来の半導体素子の検査装置
を示す構成図である。 １・・・・・・半導体測定装置、２・・・・・・フォー
スライン、３・・・・・・センスライン、４ａ・・・・
・・コンタクト保持装置、５ａ・・・・・・フォースコ
ンタクト端子、５ｂ・・・・・・センスコンタクト端子
、６・・・・・・コンタクト駆動装置、７・・・・・・
被測定用の半導体素子、７ａ・・・・・・被測定用の半
導体素子の外部リード、８・・・・・・ソケット（ハン
１・ラー）の台座。
置を示す構成図、第２図は従来の半導体素子の検査装置
を示す構成図である。 １・・・・・・半導体測定装置、２・・・・・・フォー
スライン、３・・・・・・センスライン、４ａ・・・・
・・コンタクト保持装置、５ａ・・・・・・フォースコ
ンタクト端子、５ｂ・・・・・・センスコンタクト端子
、６・・・・・・コンタクト駆動装置、７・・・・・・
被測定用の半導体素子、７ａ・・・・・・被測定用の半
導体素子の外部リード、８・・・・・・ソケット（ハン
１・ラー）の台座。
Claims (2)
- （１）被測定物である半導体素子を保持する保持部材と
、前記半導体素子の外部リードの両側に、その外部リー
ドを間に挟むように外部リードから離間して配置された
第１、第２のコンタクト端子と、前記第１、第２のコン
タクト端子を前記保持部材側に押圧する押圧手段を備え
、前記押圧手段により、前記第１、第２のコンタクト端
子を前記保持部材側に押圧したとき、前記外部リードが
前記第１、第２のコンタクト端子間に挟持された状態で
、第１、第２のコンタクト端子に接触されるように構成
した半導体素子の検査装置。 - （２）被測定物である半導体素子を保持部材に保持し、
前記半導体素子の外部リードの両側に、第１、第２のコ
ンタクト端子を両端子間に前記外部リードが挟持される
ように接触させ、これら第１、第２のコンタクト端子を
介して、前記半導体素子を半導体測定装置に電気的に連
結して前記半導体素子の測定を行なうようにした半導体
素子の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011414A JPH03215956A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体素子の検査装置および検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011414A JPH03215956A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体素子の検査装置および検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215956A true JPH03215956A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11777380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011414A Pending JPH03215956A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体素子の検査装置および検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215956A (ja) |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011414A patent/JPH03215956A/ja active Pending
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