JPH03218630A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
高耐圧半導体装置Info
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- JPH03218630A JPH03218630A JP1397490A JP1397490A JPH03218630A JP H03218630 A JPH03218630 A JP H03218630A JP 1397490 A JP1397490 A JP 1397490A JP 1397490 A JP1397490 A JP 1397490A JP H03218630 A JPH03218630 A JP H03218630A
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- polyimide film
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ポリイミド膜を表面保護膜として用いる高耐
圧半導体装置に関する。
圧半導体装置に関する。
［従来の技術］
高耐圧半導体装置の一構造としてガードリング構造があ
る。第２図及び第３図はかかる半導体装置の基本構成を
示すものである。
る。第２図及び第３図はかかる半導体装置の基本構成を
示すものである。
第２図は全体図を示すもので、活性領域部Ａとガードリ
ング部（ＥＱＲ部含む）Ｂから成り、第３図は前記ガー
ドリング部ＢにおけるＥＱＲ部分から半導体装置周辺に
かけての断面図で、半導体基板ｌ、熱酸化膜２、ＣＶＤ
酸化膜３、ＥＱＲ部（１！）４、ポリイミド膜５、スク
ライブレーン７より成る。また、周辺部は熱酸化膜２、
ＣＶＤ酸化膜３、ポリイミド膜５とも端部は揃えている
が、ポリイミド膜５が熱酸化膜２とＣＶＤ酸化膜３を覆
うようにスクライブレーン７側に張り出している。
ング部（ＥＱＲ部含む）Ｂから成り、第３図は前記ガー
ドリング部ＢにおけるＥＱＲ部分から半導体装置周辺に
かけての断面図で、半導体基板ｌ、熱酸化膜２、ＣＶＤ
酸化膜３、ＥＱＲ部（１！）４、ポリイミド膜５、スク
ライブレーン７より成る。また、周辺部は熱酸化膜２、
ＣＶＤ酸化膜３、ポリイミド膜５とも端部は揃えている
が、ポリイミド膜５が熱酸化膜２とＣＶＤ酸化膜３を覆
うようにスクライブレーン７側に張り出している。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
ところで、前述の如き半導体装置においては、ポリイミ
ド膜５と下地、例えばシリコン基板１やシリコン酸化膜
２との密着性に問題があり、次工程で、例えばフッ酸系
の薬品処理を行った場合、薬液がポリイミド膜５と下地
の間に侵入し、ポリイミド膜５自体の剥離を生じ、信顧
性を悪化させるという問題があった。
ド膜５と下地、例えばシリコン基板１やシリコン酸化膜
２との密着性に問題があり、次工程で、例えばフッ酸系
の薬品処理を行った場合、薬液がポリイミド膜５と下地
の間に侵入し、ポリイミド膜５自体の剥離を生じ、信顧
性を悪化させるという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、その目的
とするところは、信顛性の高い高耐圧半導体装置を提供
するにある。
とするところは、信顛性の高い高耐圧半導体装置を提供
するにある。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するため本発明は、表面保護膜にポリイ
ミド膜を用いた高耐圧の半導体装置において、素子周辺
部（スクライブレーン部分）にポリイミド膜と密着性の
良いアルミ（Ａ１）の層を設けるとともに、前記ポリイ
ミド膜を形成する際に、ポリイミド膜の端部を前記アル
ミ層の最外側端部若しくはアルミ層を覆うように形成し
たことを特徴とするものである。
ミド膜を用いた高耐圧の半導体装置において、素子周辺
部（スクライブレーン部分）にポリイミド膜と密着性の
良いアルミ（Ａ１）の層を設けるとともに、前記ポリイ
ミド膜を形成する際に、ポリイミド膜の端部を前記アル
ミ層の最外側端部若しくはアルミ層を覆うように形成し
たことを特徴とするものである。
［作 用］
上記のように、素子周辺部（スクライブレーン部分）に
ポリイミド膜と密着性の良いアルミ層を設け、ポリイミ
ド膜をアルミ層と接するように形成したことにより、ポ
リイミド膜と下地との密着性が向上し、半導体装置の信
顛性を高めることができる。
ポリイミド膜と密着性の良いアルミ層を設け、ポリイミ
ド膜をアルミ層と接するように形成したことにより、ポ
リイミド膜と下地との密着性が向上し、半導体装置の信
顛性を高めることができる。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示すもので、半導体装置の
周辺部（スクライブレーン部分）の断面を示すものであ
る。
周辺部（スクライブレーン部分）の断面を示すものであ
る。
この半導体装置は、半導体基板ｌの表面に高耐圧安定化
のためのＥＱＲ部（／ｌ）４を設けており、同時にスク
ライブレーン７側に張り出したアルミ層６を設け、その
上に表面保護膜としてＣ■Ｄ酸化膜３、ポリイミド膜５
を設けている。
のためのＥＱＲ部（／ｌ）４を設けており、同時にスク
ライブレーン７側に張り出したアルミ層６を設け、その
上に表面保護膜としてＣ■Ｄ酸化膜３、ポリイミド膜５
を設けている。
このように構成された半導体装置では、周辺部（スクラ
イブレーン部分）７においてポリイミド膜５とアルミ層
６が接するので、周辺部７におけるポリイミド膜５と下
地との密着性が向上し、外的要因、例えば水分等の侵入
を防ぐとともに、次工程での薬液（例えばフッ酸）洗浄
に対するマスキング効果も高くなり、半導体装置の信頼
性を高くすることができる。
イブレーン部分）７においてポリイミド膜５とアルミ層
６が接するので、周辺部７におけるポリイミド膜５と下
地との密着性が向上し、外的要因、例えば水分等の侵入
を防ぐとともに、次工程での薬液（例えばフッ酸）洗浄
に対するマスキング効果も高くなり、半導体装置の信頼
性を高くすることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
ポリイミド膜がスクライブレーン部分のアルミを全て覆
う構成でもよく、また、電極材料もアルミに限らず、ア
ルミ・シリコン等、ポリイミド膜と密着性の良い材料な
らよい。さらに、ガードリング構造以外の高耐圧構造で
もよい。
ポリイミド膜がスクライブレーン部分のアルミを全て覆
う構成でもよく、また、電極材料もアルミに限らず、ア
ルミ・シリコン等、ポリイミド膜と密着性の良い材料な
らよい。さらに、ガードリング構造以外の高耐圧構造で
もよい。
［発明の効果］
本発明は上記のように、半導体装置の周辺部にポリイミ
ド膜と密着性の良いアルミ層を設け、ポリイミド膜をア
ルミ層と接するか又は覆うように構成したことにより、
ポリイミド膜と下地との密着性が向上し、信鎖性を高い
半導体装置を提供することができた。
ド膜と密着性の良いアルミ層を設け、ポリイミド膜をア
ルミ層と接するか又は覆うように構成したことにより、
ポリイミド膜と下地との密着性が向上し、信鎖性を高い
半導体装置を提供することができた。
第１図は本発明の一実施例を示す要部断面図、第２図及
び第３図は従来例を示す断面図で、第２図は全体を示し
、第３図は素子周辺部を示す。 １・・・半導体基板、２・・・悲酸化膜、３・・・ＣＶ
Ｄ酸化膜、４・・・ＥＱＲ部、５・・・ポリイミド膜、
６・・・アルミ層、７・・・スクライブレーン。
び第３図は従来例を示す断面図で、第２図は全体を示し
、第３図は素子周辺部を示す。 １・・・半導体基板、２・・・悲酸化膜、３・・・ＣＶ
Ｄ酸化膜、４・・・ＥＱＲ部、５・・・ポリイミド膜、
６・・・アルミ層、７・・・スクライブレーン。
Claims (1)
- （１）表面保護膜にポリイミド膜を用いた高耐圧の半導
体装置において、素子周辺部（スクライブレーン部分）
にアルミ（Ａｌ）の層を設けるとともに、前記ポリイミ
ド膜の端部を前記アルミ層の最外側端部若しくはアルミ
層を覆うように形成したことを特徴とする高耐圧半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1397490A JPH03218630A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1397490A JPH03218630A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 高耐圧半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218630A true JPH03218630A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11848198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1397490A Pending JPH03218630A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 高耐圧半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613778A3 (en) * | 1993-03-01 | 1995-04-05 | Scitex Digital Printing Inc | Passivation layer for ceramic-based charge electrodes. |
| US7970605B2 (en) | 2005-01-12 | 2011-06-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method, apparatus, program and recording medium for long-term prediction coding and long-term prediction decoding |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1397490A patent/JPH03218630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613778A3 (en) * | 1993-03-01 | 1995-04-05 | Scitex Digital Printing Inc | Passivation layer for ceramic-based charge electrodes. |
| US7970605B2 (en) | 2005-01-12 | 2011-06-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method, apparatus, program and recording medium for long-term prediction coding and long-term prediction decoding |
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