JPH03263340A

JPH03263340A - ２層ｔａｂの製造方法

Info

Publication number: JPH03263340A
Application number: JP2223405A
Authority: JP
Inventors: Akio Takatsu; 明郎高津
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1989-09-01
Filing date: 1990-08-24
Publication date: 1991-11-22
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH0787205B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電子部品に実装されるＴＡＢ　　（Ｔａｌ）ｅ
Ａｕ−ｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ　）の製造方法
に係り、さらに詳しくは基板の両面に金属層を有する２
層ＴＡＢの製造方法に関するものである。

１（従来の技術〉近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特に
ＩＣパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ＩＣパッケージにおける多ピン化の
要求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。

ＴＡＢはポリイミド等のテープ状合成樹脂フィルム基板
上に多数のボンディング用金属細密リードパターンを施
したものであり、その特徴としては、テストパッドを有
しているので、ボンディング後にボンディング不良やチ
ップ不良を基板実装前に発見でき、またワイヤーボンデ
ィングに比しＩＣパッドの大きさが小さくてよく、−層
の多ビン化が↑２可能であるなどその利点が多い。

ＴＡＢはその構造上から１層ＴＡＢ　、２層ＴＡＢ及び
３層ＴＡＢの３種類に大別される。１層ＴＡＢはパター
ニング処理を施した銅箔等の金属テープのみによって構
成されるものを云うが、金属層自体の厚みがせいぜい数
十μｍ程度であるために機械的強度に乏しく、施し得る
ピン数に限界があるので高密度化に適さない。この１層
ＴＡＢの欠点を補うためにプラスチックフィルム基板上
に接着剤を用いて金属箔を張り合せた後、金属箔にパタ
ーニング処理を施した３層ＴＡＢが開発されたが、この
３層ＴＡＢにおいては中間層として使用する接着剤の影
響によって、基板にポリイミド樹脂のような絶縁性の高
いプラスチックフィルムを使用していても、ピン間の絶
縁性を十分に確保することができないと云う欠点を有す
る。

２層ＴＡＢは、プラスチックフィルム基板表面に接着剤
によらず、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によっ
て直接金属層を形成させて、これにパターニング処理を
施したものであって、接着剤３を使用しないので、電気絶縁性についての問題を生ずる
ことなく安定的に使用することができるので将来性が期
待されている。

２層ＴＡＢの製造法の概略を述べると、先ずプラスチッ
クフィルム基板表面に前述したようなスパッタ法、真空
蒸着法の如き乾式表面処理法、または無電解めっき法の
如き湿式表面処理法を用いて金属層を被着させる。通常
、この場合プラスチックフィルムとしては電気絶縁性が
高くまた熱安定性に優れたポリイミド樹脂が使用され、
また被着金属層には銅が使用される。次に金属層表面に
パターニング処理を施すのであるが、これには形成させ
るリードの厚さ以上の厚みに感光レジストを塗布してお
き、所望のリードパターンを有するマスキングを施して
レジストの光照射を行なうことにより、レジスト上に露
光部と非露光部によるパターンを形成し、その後これに
現像を施すことによって、非露光部または露光部を選択
的に溶解除去することによって金属層上にレジストパタ
ーンを形成する。現像によってレジストが除去された４部分、即ち金属層が露出した部分に電気めっきでレジス
トの厚みかまたはそれ以下の厚みまで金属を析出させ、
最後に残存レジストを溶解除去することによって所望の
リードパターンを有する２ＭＴＡＢを得ることが出来る
。

このようにして得られた２層ＴＡＢをＩＣチップの連続
ボンディングを行なうためには、テープ送り用のスプロ
ケットホール、リード先端を露出させてＩＣチップと接
合させるためのデバイスホール、リード後端部を外部回
路に接続するためのＯＬ８ホールを化学的エツチングに
より設ける必要がある。

これらの各ホールはポリイミド樹脂テープ上にレジスト
パターンを施した後に樹脂を溶解することによって形成
される。

（発明が解決しようとする課題）以上のようにして製造された２層ＴＡＢは中間層として
接着剤層を存在させることなくリードの多ビン化を行な
うことができるので、電気的特性に優れ、また熱的、機
械的性質も安定したものが得られるが、これを実際にＩ
Ｃチップにボンディング５して電子計算機等に組み込んで使用した場合に、処理速
度の増大に伴い往々にしてＴＡＢに形成された一部のリ
ードに高周波電流が流れ、雑音を発生せしめるのでこれ
に対する対応策を講する必要がある。この欠点を改善す
るためには、２１ＴＡＢの裏面にさらに金属層をグラウ
ンドとして設け、また表面に形成されたリードの一部を
ポリイミド樹脂基板に穿った導通用のビアホールを穿っ
て、表面に形成されたリードの一部をこのビアホールを
介して裏面のグラウンド金属層に導通させることによっ
て、高周波による雑音を低減させることが考えられるが
、未だその具体的製造方法については確立されていない
。

本発明は、上記した知見に基き高周波による雑音発生の
少ない２層ＴＡＢを得るための新規な製造方法を提供す
ることを目的としたものである。

（課題を解決するための手段〉上記目的を遠戚するための本発明は次の三つの基本的実
施態様からなる。

即ち、本発明の２層ＴＡＢの製造方法における第６１の実施態様は、ポリイミドフィルムの上面に接着剤を
用いることなく金属層を形成したものを基体とし、該基
体の上下各面に感光性レジスト層を形成しｆｓ　＠、基
体上面におけるレジスト層には主として所定のリードパ
ターンを有するフォトマスクを、また基体下面における
レジスト層には主として所定の各種ホールパターンを有
するフォトマスクを施して、光を照射した後上下各面の
レジストを現像し、該基体の上下各面にそれぞれの形状
のレジストパターンを形成せしめる工程、基体上面に形
成したレジストパターンに従って基体上面にリード前形
体を形戒する工程、基体下面に形成したレジストパター
ンに従ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定の各種ホ
ール部を形成し、次いで各種ホール部形成後の基体下面
に金属薄膜層を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層上にビアホール
を除く所定の各種ホールパターンを有するフォトマスク
を施して光を照射した後現像し基体下面にレジストパタ
ーンを形成し、該レジストパターンに７従って基体下面にビアホール以外の所定の各種ホール部
を除く基体下面全体に亘ってグラウンド金属層を形成す
る工程およびリード前形体におけるリード間に存在する
金属層を溶解除去してリードを形成する工程とよりなる
ことを基本的工程とするものである。

また第２の実施態様は、ポリイミド樹脂フィルムの上面
に接着剤を用いることなく金属層を形成したものを基体
とし、該基体の上下各面に感光性レジスト層を形成した
後、基体上面におけるレジスト層には主として所定のリ
ードパターンを有するフォトマスクを、また基体下面に
おけるレジスト層には主として所定のビアホールパター
ンを有するフォトマスクを施し、光を照射した後上下各
面のレジストを現像し、該基体の上下各面にそれぞれの
形状のレジストパターンを形成せしめる工程、基体上面
に形成したレジストパターンに従って基体上面にリード
前形体を形成する工程、基体下面に形戒したレジストパ
ターンに従ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビ
アホールを形成８し、次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を
形成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジストを
形成し、該レジスト層上にビアホールを除く所定の各種
ホールパターンを有するフォトマスクを施して光を照射
した後現像して基体下面にレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに従って基体下面にビアホール以外
の所定の各種ホールに相当する部分のポリイミド樹脂が
露出するように基体下面全体に亘ってグラウンド金属層
を形成する工程、露出したポリイミド樹脂を溶解除去す
ることによりビアホールを除く所定の各種ホールを形成
する工程およびリード前形体のリード間に存在する金属
層を溶解除去することによりリードを形成する工程とよ
りなることを基本的工程とするものである。

またさらに第３の実施態様は、ポリイミド樹脂フィルム
の上面に接着剤を用いることなく金属層を形成したもの
を基体とし、該基体の上下各面に感光性レジスト層を形
成しｆＳ後、基体上面におけるレジスト層には主として
所定のリードパターン↑９を有す“るフォトマスクを、また基体下面におけるレジ
スト層には主として所定のビアホ・−ルパターンを有す
るフォトマスクを施して、光を照射した後上下各面のレ
ジストを現像し、該基体の上下各面０こそれぞれの形状
のレジストパターンを形成せしめる工程、基体上面に形
成したレジストパターンに従って基体上面にリードを形
成し、しかる後基体上面全体に亘って有機樹脂被膜を形
成する工程、基体下面に形成したレジストパターンに従
ってポリイミド樹脂の所定の部分に所定のビアホールを
形成し、次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜
層を形成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジス
トを形成し、該レジスト上にビアホールを除く所定の各
種ボールパターンを有するフォトマスクを施して光を照
射した後現像して基体下面にレジストパターンを形成し
、該レジストパターンに従って基体下面にビアホール以
外の所定の各種ホール部に相当する部分のポリイミド樹
脂が露出するように基体下面全体に亘ってグラウンド金
属層を形成する工程、露出したボリイミ０ド樹脂を溶解除去することによりビアホールを除く所定
の各種ホールを形成する工程および基体上面に施された
有機樹脂被膜を除去する工程とよりなることを基本的工
程とするものである。

本発明は上記した三つの実施態様に基づく基本工程に分
けられるが、それぞれに共通していることはポリイミド
樹脂フィルムの上面、即ち片面にのみ金属層を接着剤を
使用することなく被着させたものを基体として使用する
ことである。

その上で第↑および第２の実施態様においては基体上面
のリードの形成は、上面のレジストパターンに従って先
ずリード前形体を形成した後、直ちに基体上面の金属層
を溶解除去して各リードを電気的に独立した状態にする
のでなく、ポリイミド樹脂の所定部分に所定の各種ホー
ルを形成し、また基体下面のビアホールを除く各種ホー
ルの形成部分以外の全域にグラウンド金属層を形成した
後に基体上面に存在する金属層を溶解除去してリードの
形成を行なうものであり、また第３の実施態様において
はレジストパターン形成後直ちに基２↑ 体上面の金属層露出部分を溶解除去するか、リード前形
体を形成せしめた場合においても該リード前形体の形成
後直ちに基体上面の金属層の溶解除去を行なう。この場
合においてはその後の工程においての上面のポリイミド
露出部分の保護を行なうために基体上面全体に亘って有
機樹脂被膜を被覆することが必要である。

また第↑および第２の実施態様におけるリード前形体の
形成は、基体上面に形成したレジストパターンに従って
露出した金属層上に、電気めっきにより金属めっき層を
積層する所謂セミアデイティブ法のみが適用されるが、
第３実施態様においてはこの化レジストパターンに従っ
て露出した金属層をエツチング後、単に非エツチング金
属層上のレジストを溶解除去することによってリード形
成を行なうサブトラクティブ法を適用することも可能で
ある。そしてこの何れの方法を採用するかは、ポリイミ
ド樹脂基体上面に形成する金属層の厚さによって定まり
、金属層の厚さを薄くした場合にはセミアデイティブ法
がまた厚くした場合に２はサブトラクティブ法が採用される。

また、ポリイミド樹脂基体に対する各種ホールの形成は
第１の実施態様においては基体下面において最初に形成
するレジストパターンを所定の全ホールパターンによっ
て形成して、これに従って所定の位置に露出したポリイ
ミド樹脂を溶解除去する■段形成法によって行なわれる
が、第２および第３の実施態様においては基体下面に最
初に形成されたレジストパターンからはビアホールの形
成のみを行ない、その他の各種ホールの形成は、次に述
べるグラウンド金属層の形成に際して再度形成されるレ
ジストパターンに従って行なう２段形成手段が採られる
。

また、基体下面におけるグラウンド金属層の形成は、第
１の実施態様においては全ホールの、また第２および第
３の実施態様においてはビアホール形成後の基体下面に
金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に再度感光性レジ
スト層を形成し、該レジスト上にビアホール以外の所定
のホールパターンを有するフォトマスクを施して露光、
現像を３行なうことによってレジストパターンを形成し、このよ
うにして再度形成したレジストパターンに従って露出し
た金属薄膜層上に電気めっきにより金属めっき層を積層
した後レジストを溶解除去し、これによって露出したレ
ジスト下の金属薄膜層を溶解除去するセミアデイティブ
法による方法か、または全ホール若しくはビアホール形
成後の基体下面に形成した金属薄膜層上に直ちに電気め
っきによる金属めっき層を積層させて積層金属層を形成
し、しかる後上記と同様の手順で再度レジストパターン
を形成し、該レジストパターンに従って露出した積層金
属層及びその下の金属薄膜層を溶解除去し、さらに残存
するレジストを除去するサブトラクティブ法による方法
とがあり、これらの何れかの方法をも適宜採用すること
ができる。

（作用〉次に本発明による２層ＴＡＢの製造方法の詳細とその作
用について、図示するものに基づいて説明する。

第１図乃至第３図は、それぞれ第１乃至第３実４施態様による２層ＴＡＢの製造法についての工程図を示
したものである。

第１図において示したように、第１の実施態様において
は、ポリイミド樹脂基体の上面に金属層（下地金属層）
を形成し、さらに上下面にレジストパターンを形成する
工程、上面のレジストパターンに従ってリード前形体を
形成する工程、下面のレジストパターンに従って所定の
各種ホールを形成した後、下面全体に亘って金属薄膜層
を形成する工程、グラウンド金属層を形成する工程及び
リード前形体間に存在する金属層を溶解除去してリード
を形成する工程とよりなるものであり、また第２の実施
態様においては、第２図に示したようにポリイミド樹脂
基体の上面に金属層（下地金属層）を形成し、さらに上
下面にレジストパターンを形成する工程、上面のレジス
トパターンに従ってリード前形体を形成する工程、下面
のレジストパターンに従って所定のビアホールを形成し
た後、下面全体に亘って金属薄膜層を形成する工程、グ
ラウンド金属層を形成する工程、下面における５再度のレジストパターンに従ってビアホールを除く残り
の所定ホールを形成する工程およびリード前形体間に存
在する金属層を溶解除去してリードを形成する工程とよ
りなるものであり、またさらに第３の実施態様において
は、第３図に示したように、ポリイミド樹脂基体の上面
に金属層（下地金属層〉を形成し、さらに上下面にレジ
ストパターンを形成する工程、上面のレジストパターン
に従ってリードを形成する工程、下面のレジストパター
ンに従って所定のビアホールを形成する工程、グラウン
ド金属層を形成する工程、下面に再度形成されたレジス
トパターンに従ってビアホールを除く残りの所定ホール
を形成する工程とよりなるものである。

第４図乃至第６図はそれぞれ第１乃至第３の実施態様に
よる２層ＴＡＢの製造工程の概略を順を追って図示した
工程説明図である。なお第６図（ｉ）はリード形成法に
セミアデイティブ法を採用した場合のもの、第６図（ｉ
ｉ）はサブトラクティブ法を採用した場合のものを示す
。

６第７図はこれらの工程を経ることによって得られｆＳ２
層ＴＡＢの１例を示すものの外観を示す部分平面図であ
る。

また、第４図乃至第６図における（ａ）は第７図におけ
るＸ−Ｙ断面に、また（ｂ）はＸ“−Ｙ゛断面相当する
部分の断面図である。また第４図乃至第６図における（
ａ）および（ｂ）の左右同列に示される図面（イ）乃至
（ト）は工程順に各工程での材料の断面状態を表わした
ものである。

なお、工程説明図中第５段目および第６段目における（
ホ）および（へ）はグラウンド金属層およびビアホール
以タトの各種ホールの形成をセミアデイティブ法で行な
った場合の、また（ホ゛）および（へ“）はサブトラク
ティブ法で行なった場合の断面を示す。

第８図は本発明において使用されるリードパターン形成
用のマスクの一例を、また第９図および第１０図はそれ
ぞれ第１実施態様に使用されるホールパターン形成用の
フォトマスクの一例を、また第１１図および第１２図は
第２および第３の実施態様７に使用されるビアホールパターン形成用のフォトマスク
の一例を示したものである。また第１３図および第１４
図は本発明において再度行なわれるレジストパターン形
成に際して使用されるビアホール以外のホールパターン
を有するフォトマスクである。

第４図乃至第６図において１は上面金属層、２はポリイ
ミド樹脂基体、３および４はそれぞれ上面金属層ｌおよ
びポリイミド樹脂基体２の下面に形成された感光性レジ
スト層である。

５および６は、それぞれ上下面のレジスト層３および４
上に所定の目的に従ってマスキングを施して露光現像す
ることにより形成した各種のレジストパターンである。

７は上面のレジストパターン６に従って形成したリード
であって、第４図および第５図において示されるように
、第↑および第２実施態様においてはこれらのリード７
は金属層ｌとともにリード前形体を形成している。また
第６図における１６はリード７を形成した後の上面全体
に亘って被覆さ８れた有機樹脂被膜層である。

８．９．１０および１１はそれぞれポリイミド樹脂下面
に形成されたレジストパターンに従ってポリイミド樹脂
露出部を溶解して形成されたビアホール、デバイスホー
ル、ＯＬ８ホールおよびスプロケットホールである。第
４図に示されるように、第１の実施態様においてはこれ
らのホールは全て最初に形成されたレジストパターン６
によって形成されるが、第５図および第６図に示される
ように第２および第３の実施態様においては最初のレジ
ストパターン６ではビアホール８のみを形成し、残余の
ホールは再度形成されるレジストパターン１３によって
形成する２段形成の手段がとられる。

１２は全ホールまたはビアホール形成後、の基体下面全
面に亘って被着させた金属薄膜層である。

１３は基体下面に再度形成したレジスト層、１４はレジ
スト層１３を露光、現像して再度形成されたレジストパ
ターンである。

また１５は基体下面において、ビアホール８を介して上
面のり一ド７と電気的な導通が図られるよ９うに形成されたグラウンド金属層である。

つぎに本発明の２層ＴＡＢの製造方法についてその詳細
をそれぞれの工程別に説明する。

なお第１図乃至第３図の工程図に見られるように、第２
および第３の実施態様は、ポリイミド樹脂基体に対する
各種ホールの形成を第１の実施態様において１段で行な
うのに対し２段に分けて行なう以外は基体上面の金属層
形成、リード前形体を形成する工程、金属薄膜層の形成
工程、グラウンド金属層の形成工程およびリード前形体
から独立リードを形成する工程を同様に行なうものであ
り、また第３の実施態様はリードの形成をリード前形体
の形成を行なうことなく直ちに行なうサブトラクティブ
法およびリードを形成するセミアデイティブ法を使用す
る以外は第２の実施態様と同様の工程で行なうものであ
る。従って説明の簡略化のために各実施態様における重
複部分の説明については省略する。

（１）第１実施態様金　　およびレジストパターン　　　　・０本発明においては基本的に上面にのみ金属層上を接着剤
によらずに被着形成させたテープ状のポリイミド樹脂フ
ィルムを基体２として用いる。

ポリイミド樹脂フィルム基体２の上面に形成する金属層
１は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法、または無電
解めっき法によるか或いはこれらの方法を組み合わせて
金属層を形成させるか、これらの方法にさらに電解めっ
き法を組み合わせてもよく、要はポリイミド樹脂基体２
上に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成せしめ
る方法ならば何れの方法によるものも採用することがで
きる。ポリイミド樹脂基体２上に形成する金属層１は電
気的性能およびコスト面から一般には銅が採用されるが
、基体２と銅との間にクロム、ニッケル等の薄膜層が存
在しても何ら差し支えない。

基体上面に形成する金属層１の厚みは本発明においては
リード７の形成がセミアデイティブ法によって行なわれ
るので、リード７の形成に際して行なわれる電気めっき
における前処理でのソフトエツチングに耐え得る厚みで
あればよく、特に制１限はないがさらに後述するようなリード独立のための上
面金属層１の部分的な溶解工程の作業性に鑑みて０．５
〜２μｍの範囲にあることが望ましい。

金属層１上に形成するレジスト層３の厚みは、リードの
厚さが３５μｍ以上であることが要求されていることか
らそれ以上の厚さとする必要がある。

レジストの種類は上記の厚さに塗布し得るものであって
、且つ上面におけるリード７の形成に際して行なわれる
電気めっき液に耐え得るものであれば一般市販のもので
十分であり、アクリル樹脂等に感光性の官能基を付与す
ることによって、光照射部分が現像時に未溶解部として
残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に感光性の官能
基を付与することによって光照射部分が現像時に溶解す
るポジ型レジストがあるが、フォトマスクのパターンを
反転することによって何れの型のレジストでも使用可能
である。

また状態としては液状のものでも固形化してドライフィ
ルムとしたものでもその何れをも使用できる。

２液状レジストを使用する場合には基体の金属層上への塗
布はバーコード法、デイツプコート法、スピンコード法
等の一般的塗布方法のほか、レジスト液を帯電させ噴霧
状に塗布する静電塗布法を採用してもよい。

またポリイミド樹脂基体２の下面に形成するレジスト層
４はホール形成に際して用いられるポリイミド樹脂溶解
液に耐え得るものであれば何れでもよく、一般的にはポ
リイミド樹脂の溶解液には強アルカリ液が使用されるこ
とからゴム系レジストの採用が望ましい。ポリイミド基
体２の下面に形成されるレジスト層４の厚さには特に制
限はないが、ポリイミド樹脂溶解後のビアホールのパタ
ーン精度を考慮すれば２〜１０μｍ程度とするのがよい
。

一般的にレジストによってパターンを形成するにはレジ
ストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除去する必要が
ある。これはレジスト自体の強度を向上させると同時に
レジストと金属層との密着性を高めるために行なわれる
ものであり、溶剤の３除去は通常乾燥処理によって行なわれるが、この際にお
ける処理温度はレジストの解像度を低下させない範囲で
高めにするのがよい。

また、露光、現像後に形成したパターンをより強固にす
るために加熱処理を行なうこともあるがこの場合には前
述の溶剤除去処理のときの温度よりも高い温度が採用さ
れる。

次に、金属層１およびポリイミド樹脂基体２上に形成し
たレジスト層３および４に対して所望のパターンのフォ
トマスクを施して、それぞれに適量の光を照射し、これ
を現像して、金属層１上にレジストパターン５を、また
ポリイミド樹脂基体２上にレジストパターン６を形成す
るが、基体上面のレジスト層３には主としてリード形成
のためのフォトマスクを、また下面のレジスト層４には
主として所定の各種ホール形成のためのフォトマスクが
使用される。基体上面のレジストパターンを形成するた
めのフォトマスクは例えば第８図に示すようなものが挙
げられるが、この化スプロケットホールの如きホールパ
ターンを併有してもよ４いまた基体下面のレジストパターン形成のためのフォトマ
スクは、例えば第９図および第１０図に示されるような
ものを例として挙げることができ、主として、スプロケ
ットホール、ＯＬ８ホール、デバイスホールおよびビア
ホール等のホール形成のためのレジストパターンを形成
することができるものである。

レジストの感光のために照射する光の波長等はレジスト
の特性によって決定されるが、一般的には紫外線が使用
される。またここで云うフォトマスクとはガラスや透光
性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳剤やクロム等
の金属を焼き付けたものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て行なう密着露光法と、レジスト面とフォートマスクを
一定の距離を隔てて平行に並べて行なう投影露光法とが
あるが、本発明においては何れの方法を採用してもよい
。

なお、上下面のレジスト層の現像は上面レジス５膜層３の現像後、次項に示すリード前形体形成工程を行
なってから下面のレジスト層４の現像を行なってもよく
、またリード前形体の形成前に両面のレジスト層の現像
を連続して行なってもよい。

（第４図（イ）、（ロ）参照〉リード″′ｉ〉　の〉　工　：第１の実施態様においてはリード前形体の形成はセミア
デイティブ法によって行なう。リード前形体の形成をセ
ミアデイティブ法で行なうには基体上面に形成したレジ
ストパターン５に従って生じた金属層ｌの露出部分に、
電気めっきによって積層後の金属層が所望のリード厚み
、つまり３５μｍ以上の厚みになるように金属めっき層
を積層した後、基体上面に存在するレジストパターン５
を溶解除去する。

二のようにしてレジストパターン５を除去した後のリー
ド７間には金属層１が残留し、リード７とともにリード
前形体を形成する。

（以上第４図（ロ）、（ハ）参照）ホールおよび金６第１の実施態様においては、各種ホール形成はポリイミ
ド樹脂下面に最初に形成したレジストパターン６に従っ
て全てのホールの溶解を一挙に行なう。即ち、基体下面
に形成したレジストパターン６に従って露出したポリイ
ミド樹脂を溶解することによって、この部分の樹脂を開
孔してビアホール８、デバイスホール９、ＯＬ８ホール
１０およびスプロケットホール１１を形成する。

この場合において、ポリイミド樹脂の溶解には抱水しド
ラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性溶液を単独も
しくは混合し、さらにはメチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール等を混合した溶液を用いる
とよい。

またこの工程において形成されるビアホール８の形状は
真円、楕円、正方形、長方形等の形状が考７られるが、
このビアホールは基体上面に形成されたリードと下面側
に形成されるグラウンド金属層との電気的導通をはかる
ことが目的であるから特にその形状にこだわるものでな
い。

次に基体下面に残存するレジストを除去後、導７型処理法を用いてビアホール８、デバイスホール９、Ｏ
ＬＢホール１０およびスプロケットホール１１の側面の
ポリイミド樹脂露出部をメタライズしつつ、下面全体に
亘って金属薄膜層１２を形成する。この金属薄膜層１２
の形成は次のグラウンド金属層形成のために重要な役割
をもつものである。金属薄膜層１２の形成に際してはス
パッタ法、真空蒸着法等の乾式金属被着法や無電解めっ
き法等の湿式金属被着法の何れをも採用することができ
る。

（第４図（ハ）および（ニ）参照〉グラウンド金　Ｐの多　工、ニグラウンド金属層１５の形成には、セミアデイティブ法
かまたはサブトラクティブ法の何れかが採用される。グ
ラウンド金属層１５の形成をセミアデイティブ法によっ
て行なうには、金属薄膜層１２の上に再度レジスト層１
３を形成し、ビアホール以外のホールパターンを有する
フォトマスクを施して露光、現像することによってデバ
イスホール９、ＯＬ３ホール１０、スプロケットホール
１１上にレジストが残るようにレジストパターン１４を
形成する。

８該フォトマスクの例としては、例えば第１３図またはこ
れを反転して得られる第１４図に示すようなパターンを
挙げることができる。

上記の如くしてレジストパターン１４を形成することに
よって生じた金属薄膜層１２の露出部分上に金属めっき
層を積層することによってグラウンド金属層１５を形成
し、次にレジストパターン１４によるレジストを除去し
、次いでその下に存在する金属薄膜［１２の露出部分を
溶解除去することによって、基体下面におけるビアボー
ル以外の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド
金属層１５を形成した基体を得ることができる。なお、
電解めっきによって金属薄膜層１２上に積層してグラウ
ンド金属層１５を形成する金属めっき層の厚さは５〜３
０μｍ程度とするのがよい。

また、グラウンド金属層１５の形成をサブトラクティブ
法によって行なうには、先ず金属薄膜層１２上に電気め
っきによって金属めっき層を積層しグラウンド金属層１
５を形成する。この厚さは前記したように５〜３０μｍ
が適当である。次に、上記グ９ラウンド金属１１５上にレジスト層１３を形成して、こ
れにビアホール以外のホールパターンを有するフォトマ
スクを施して露光、現像してデバイスホール９、ＯＬ８
ホール１０およびスプロケットホール１１上にレジスト
が残らないようにしてレジストパターン１４を形成する
。レジストパターン１４の形成によって露出したグラウ
ンド金属層１５の露出部分およびその下に存在する金属
薄膜層１２を溶解除去することによってビアホール以外
の所定の各種ホールを貫通させるとともにビアホールを
除く部分全体に亘ってグラウンド金属層１５を形成した
基体を得ることができる。

この工程において使用されるレジストも始めにレジスト
層３の形成に使用したレジストと同等のものが使用可能
であり、レジストパターン１４形成のための露光、現像
の手順も最初に行なわれたレジストパターン５形成に際
して行なわれた手順に準じて行なえばよい。

なお、上記した金属層の溶解に際しては、その溶液とし
ては、一般的には塩酸、硫酸、硝酸等の０酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液等の金属塩化物溶液
、過硫酸アンモニウム溶液等の過酸化物溶液等が用いら
れるのであるから、上記レジストはこれら溶液に耐え得
るものであればよいということになる。またこのときに
は溶解液としてアルカリ性溶液を使用することもあるが
、この場合には耐アルカリ性のレジストを用いればよい
。

（以上第４図（ホ）、（ボ）、（へ）、（へ゛）および
（ト）参照）丈＝圀廻迂基最後に、リード７間に存在する金属層ｌを溶解除去する
ことによってリードを電気的に独立した状態にする。

（以上第４図（ト）参照〉（２）第２実施態様金　　およびレジストパターン　　　　・本発明におい
ては第１実施態様と同様上面にのみ金属層１を接着剤に
よらずに被着形成させたテープ状のポリイミド樹脂フィ
ルムを基体２として用いる。ポリイミド樹脂フィルム基
体２上面にお１ける金属層１の形成手段、形成する金属の種類およびそ
の厚みは第１の実施態様の場合と同様である。

また、基体の上下面に形成するレジスト層３の厚さ、レ
ジスト層の種類、形成後の乾燥温度、レジストパターン
の形成手順についても変りがないが、第２の実施態様に
おいてはポリイミド樹脂の形成を２段に分けて行ない、
第１段目ではビアホールのみの形成を行なうものである
から、基体下面のレジストパターンの形成においては、
フォトマスクとして第１１図および第１２図に例示され
るようなビアホール形成用のホールパターンを有するも
のが使用される。

レジストの露光、現像の手順については第１の実施態様
のそれと変わることがない。

二以上第５図（イ）、（ロ）参照〉ｕｌ、；＝：：：：１Ｆ−ｈｊ（１１３］［１１１）；
］（１；：；）！３．１］１１；；二第１の実施態様と
同様の手順で行なう。

（以上第５図（ロ）、（ハ）参照）ビアホールおよび金　　膜層の　戒：２基体下面に形成したレジストパターン７に従って露出し
たポリイミド樹脂を溶解してビアホール９を形成する。

ポリイミド樹脂溶解の手順は第１実施態様のそれに準じ
て行なう。ビアホール８を形成したポリイミド樹脂基体
２の下面全体に亘って金属薄膜Ｊｉｌ１２の被着形成を
行なう。被着する金属の種類およびその手順は第１の実
施態様と同様である。

第１の実施態様と同様にグラウンド金属層１５の形成に
はセミアデイティブ法かまたはサブトラクティブ法の何
れかが採用され、その手順は第１の実施態様と同様にし
て行なわれる。

即ち、グラウンド金属層１５の形成をセミアデイティブ
法によって行なうには、金属薄膜層１２の上に再政レジ
スト層１３を形成し、ビアホール以外のホールパターン
を有するフォトマスクを施して露光、現像してデバイス
ホール９．０１８ホール１０、スプロケットホール１１
上にレジストが残るように３レジストパターン１４を形成する。

該フォトマスクの例は第１の実施態様に掲げたものと同
様のものが使用される。

上記の如くしてレジストパターン１４を形成することに
よって生じた金属薄膜層１２の露出部分上に金属めっき
層を積層することによってグラウンド金属層１５を形成
し、次にレジストパターン１４によるレジストを除去し
、次いでその下に存在する金属薄膜層１２の露出部分を
除去し、これによって露出したポリイミド樹脂の露出部
を溶解除去することによって、基体下面のビアホール以
外の所定の各種ホールを形成するとともにビアホール以
外の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属
層１５を形成した基体を得ることができる。なお、電解
めっきによって金属薄膜層１２上に積層してグラウンド
金属層１５を形成する金属めっき層の厚さは第１の実施
態様と同様５〜３０μｍ程度とするのがよい。

また、グラウンド金属層１５の形成をサブトラクティブ
法によって行なうには、先ず金属薄膜層１２４上に電気めっきによって金属めっき層を積層しグラウン
ド金属層１５を形成する。この厚さは前記したように５
〜３０μｍが適当である。次に、上記グラウンド金属層
１５上にレジスト層１３を形成して、これにビアホール
以外のホールパターンを有するフォトマスクを施して露
光、現像してデバイスホール９、ＯＬ８ホール１０およ
びスプロケットホール１１上にレジストが残らないよう
にしてレジストパターン１４を形成する。レジストパタ
ーン１４の形成によって露出したグラウンド金属層１５
の露出部分およびその下に存在する金属薄膜層１２を溶
解除去することによってポリイミド樹脂を露出させ、こ
のポリイミド樹脂露出部を溶解除去することによってポ
リイミド樹脂の所定の部分にビアホール以外の所定の各
種ホールを貫通させるとともにビアホーｌし以外の所定
の各種ホールを除く部分全体に亘ってグラウンド金属層
１５を形成した基体を得ることができる。

この工程において使用されるレジストは始めにレジスト
層３の形成に使用したレジストと同等の５ものが使用可能であり、レジストパターン１５形成のた
めの露光、現像およびポリイミド樹脂や金属層の溶解等
の手順も前述した手順に準じて行なえばよい。

反ニ七影底雲程第１の実施態様と同様にして行なう。

〈以上第５図（ト）参照〉（３）第３実施態様金　　　　　およびレジストパターン底圭丘：第３実施態様においても上面にのみ金属層■を接着剤に
よらずに被着形成させたテープ状のポリイミド樹脂フィ
ルムを基体２として用いることは基本的に変りはない。

従って金属層１の形成方法、形成する金属の種類に関し
ては先の二つの実施態様と同様である。また形成する金
属１の厚さに関しても、リード７をセミアデイティブ法
によって形成する場合には先の二つの実施態様と同様の
厚さ、即ち０．５〜２μｍの厚さとすることが望ましい
。しかしながら、第３の実施態様においては６リード７の形成はサブトラクティブ法によって行なうこ
ともできる。リード７の形成がサブトラクティブ法によ
って行なわれる場合には、基体上面にレジスト層４が形
成される前に、金属層ｌを所望のリード厚さと同等の厚
さにしておく必要がある。従って金属層１は前述したス
パッタ法等で、絶縁樹脂基体上面に先ず金属薄膜を形成
した後、さらにその上面に電気めっきによって所定の厚
さまでめっき金属を被着させるのがよい。通常要求され
るリードの厚さは約３５μｍまでである。

また金属層ｌ上に形成するレジスト層３の厚みはリード
形成がセミアデイティブ法で行なわれる場合には、要求
されるリードの厚さの３５μｍ以上であることが要求さ
れることは先の実施態様と同様である。リード形成がサ
ブトラクティブ法で行なわれる場合には特に厚さの制約
はないが、レジストパターン５形成後の金属層１の溶解
に際しての溶解後のパターン精度を考慮すると１〜１０
μｍ程度が適当である。

金属層↑およびポリイミド樹脂２上に形成すベアきレジストの種類、レジストの乾燥条件およびレジスト
パターンの形成手順に関しては第２実施態様のそれと同
様にして行なえばよい。

（以上第６図（ｉ）　（ｉｉ）　（イ）、（ロ）参照）
ｖ−ｙｚｘｊ（［（ｊｌ（二第３の実施態様においてはリードの形成はレジストパタ
ーン５に従って形成されるリード７および基体上面に存
在する金属Ｎ１によって構成されるリード前形体を最終
工程まで保持し最終工程においてリードの形成を行なう
前記第２の実施態様と異なり、レジストパターン５に従
って形成されるリード７間に存在する金属層１の露出部
分を直ちに溶解除去してリード形成を行なう。しかして
、第３実施態様においてはり−ド７の形成は前の二つの
実施態様においてはセミアデイティブ法のみによって行
なうのに対して、サブトラクティブ法の採用も可能であ
る。

リードの形成をセミアデイティブ法で行なう場合の手順
はレジストパターン５によって生じた金属層１の露出部
分に、電気めっきによって積層後８の金属層が所望のリード厚み、つまり３５μｍ以上の厚
みになるように金属めっき層を積層してリード前形体を
形成した後、レジストパターン５およびリード７間に存
在する金属層１を溶解除去することによってリード７を
形成する。またリード形成をサブトラクティブ法によっ
て行なう場合には、単に基体上面に形成したレジストパ
ターン５に従って生ずる金属層１の露出部分を溶解する
ことによってリード７を形成する。この場合金属層１の
溶解には浸漬法、スプレー法いずれを使用してもよく、
またこれらの方法を組合わせて行なってもよい。

なお、金属層１の溶解液については前述のものを使用す
ればよい。

また第３の実施態様においては、リード形成を行なった
後、直ちに基体上面全体に亘って有機樹脂液ＷＡ１６を
被覆する。この有機樹脂被膜１６による被覆は、その後
のポリイミド樹脂の溶解によるホール形成工程を行なう
に際して、基体上面に露出したポリイミド樹脂２の溶解
を防止しその保護を９する役割を有する。これに用いられる有機樹脂はポリイ
ミド樹脂の溶解液に耐え得るものであればよく、その溶
解液には強アルカリ性溶液が使用されるのでゴム系、エ
ポキシ系、シリコン系の有機樹脂等を使用すればよい。

（以上第６図（ｉ）　（ｉｉ）　（ハ）参照〉第２実施
態様と同様の手順で行なう。

（以上第６図（ｉ）　（ｉｉ）　（ホ）（へ）（ト）参
照）２被　の除　工　ニゲラランド金属層の形成および各種ホールの形成を終っ
た基体はその上面に被覆した有機樹脂被膜の除去を行な
う。

有ｇ脂被膜の除去に際しては市販の有機樹脂剥離液を使
用すればよい。

〈以上第６図（ｉ）　（ｉｉ）　（ト）参照）以上述べ
たように本発明の方法によるときは、各工程において状
況に応じ、種々の手段を活用す０ることによって的確に基体上面のリードの形成、ポリイ
ミド樹脂基体に対する各種ホールの形成および基体下面
のグラウンド金属層の形成を行なうことができ、また基
体上面のリードと下面のグラウンド金属とをビアホール
を介して確実に導通させることができる。

なお本発明によって得られた２層ＴＡＢは用途に応じ、
金属露出部をさらに金めつきまたは錫めっき等で全面的
Ｇこ或いは部分的に被覆して実用に供される。

実施例１１５ｃｍＸ１５（１）゛の大きさのポリイミド樹脂フィ
ルム状基体（東し・デュポン社製、カプトン２００Ｈ１
厚さ５０μｍ）の上面に対し、硫酸銅１０ｇ／、Ｑ　、
　ＥＤＴ八６へｇ／ｌＱ　、ホルマリン６ｎ＋ｅ／、１
！、ジピリジル３０ＩＴＩｇ／ｌ、゛ポリエチレングリ
コール０．５　ｇ／ｊの組成を有する無電解銅めっき液
を用いてｐＨ１２，５として７０℃で１０分間の浸漬処
理を行ない、無電解銅めっき被膜を形成した後、さらに
硫酸銅１００　ｇ／、１）、硫酸１８０　ｇ／ｆｌの組
成を有する電気銅めっき液を１用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解を行ない、上面に厚
さ１μｍの下地銅層を形成した。

次に基体上面にＰＨＥＲ・ＨＣ６００（東京応化社製、
ネガ型フォトレジスト〉を約４０μｍの厚さに、また基
体下面にＦＳＲ（富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト
〉を約７μｍの厚さにそれぞれバーコーターを用いて塗
布し、それぞれ７０℃で３０分乾燥処理した後、上面の
レジスト層には４８ｍｍ　Ｘ　４８ｍｍの大きさで、イ
ンナーリードピッチ１６０μｍ、インナーリード幅７０
μｍ、リード数２４４本のＴＡＢパターンを田の字型に
配列して形成したガラス製のフォトマスクを、レジスト
面に密着させて９００ｍＪの紫外線を照射し、下面のレ
ジストには上面のＴＡＢパターンに対応したデバイスホ
ール１個、ＯＬＢホール４個、スプロケットホール１６
個、ビアホール８個を有するフォトマスクを密着させて
の１００ｍＪの紫外線を照射して露光を行なった。

なお紫外線の照射は超高圧水銀燈（オーク製作所社製〉
を使用した。

次に上面のレジスト層をＰＨＥＲ現像液（東京応化２社製〉を用いて２５℃で５分間現像して所定のレジスト
パターンを得た後、１１０℃で３０分間乾燥処理を行な
った。

続いて基体上面の露出した下地銅層上に前述の電気銅め
っき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で５０分間、電解
を行ない、厚さ約３５μｍの銅によるリード前形体を形
成した。

次に下面のレジスト層をＦＳＲ−Ｄ　　（富士薬品社製
〉を用いて、２５℃で５０秒間現像して所定のレジスト
パターンを得た後、１３０℃で３０分間乾燥し、続いて
上面のレジストを水酸化ナトリウム４％溶液を用いて、
５０℃で１分間処理して除去した。

次にエチルアルコールと水酸化カリウム１規定溶液を容
量比で１：↑に混合した液を使用して５０°Ｃで４分間
露出したポリイミドの溶解を行ないビアホール、デバイ
スホール、ＯＬＢホール、スプロケットホールの各ホー
ルを形成し、残留するレジストをＦＳＲ剥離液（富士薬
品社製〉を用いて、７０°Ｃで１５分間処理することに
より除去した。

次に前述の無電解銅めっきで、下面全体に銅薄３膜層を形成し、この上にＰＭＥＲ・ＩＩＣ６００を約２
０μｍの厚さにバーコーターによって塗布し、７０℃で
３０分間乾燥処理後ビアホールを除くホールパターンの
みを透光するように形成したガラス製のフォトマスクを
レジスト面に密着させて紫外線を４００ｍＪ照射して、
前述の現像液を用いて２５℃で３分間処理して所定のレ
ジストパターンを形成した後、１１０℃で３０分間乾燥
処理を施した。

次に前述の電気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ
２で２０分間電解を行ない、下面の露出した銅薄膜層上
に約１８μｍの銅グラウンド層を形成してから下面に残
留するレジストを前述のレジスト剥離液を用いて５０℃
で１分間処理して溶解除去した。

次にデバイスホール、ＯＬＢホール、スプロケットホー
ル部の銅薄膜層及び基体上面の下地銅層を塩化銅２００
　ｇ／、１！溶液を用いて５０℃で１分間処理して、ｇ
下面の銅薄膜層を溶解除去するとともに、基体上面の各
リードを独立の状態にし、リードの一部と下面の銅のグ
ラウンド層とがビアホールを介して電気的に導通する２
層ＴＡＢを得ること４ができた。

このようにして得られた２層ＴＡＢは下面の銅グラウン
ド層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた。

実施例２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面にスパッタ法により０，
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで
厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例↑と同様の
手順で各処理を行なったところ、実施例１と同様に２７
’１ＴＡＢを得ることができた。

実施例３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上下面に形成したそれぞれのレジスト層に対
する露光までを実施例１と同様に行なった。

次に上下面のレジスト層を現像して所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

５続いて上面は前述の電気銅めっきで厚さ約３５μｍのリ
ード前形体を形成し、上面の残留レジストを除去した。

次に基体下面におけるポリイミド露出部の溶解による所
定の各種ホールの形成から、下面における銅薄膜層の除
去及び上面における各リードの独立までを実施例１と同
様に行ない、リードの一部と下面の銅のグラウンド層と
がビアホールを介して電気的に導通する２７ＷｔＴＡＢ
を得ることができた。

このようにして得られた２１ＴＡＢは下面の銅グラウン
ド層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた。

実施例４出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで
厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例３と同様の
手順で各処理を行なったところ、実施例３と同様に２層
ＴＡＢを得ることができた。

６実施例５出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面全体に亘る銅薄膜層の形成までを実施例
１と同様に行なった。

次に前述の電気銅めっき液を用いて、電流密度２Ａ／ｄ
ｍ２で４０分間電解を行ない、基体下面全体に亘り約２
０μｍの銅のグラウンド層を形成した。

この上にＰＭＥＲ−ＨＣ４０を約５μｍの厚さに塗布し
、乾燥処理後、実施例１で用いたビアホールを除くホー
ルパターンの白黒を反転したフォトマスクをレジスト面
に密着させて紫外線を２００　ｍＪ照射後、前述の現像
液を用いて２５℃で３分間処理して現像を行ない、所定
のレジストパターンを得た後、１１０℃で３０分間乾燥
処理した。

次に塩（ヒ銅２００　ｇ／Ｊ！溶液を用いて５０℃で１
５分間下面の露出した銅層を溶解してビアホール以外の
ホール上に存在する銅層を除去した。

次に基体上面の下地銅層を溶解除去して各リードを独立
の状態Ｇこした後に、下面に残存するレジ７ストを前述の剥離液を用いて５０℃で１分間処理して除
去し、リードの一部と下面の銅のグラウンド層とがビア
ホールを介して電気的に導通する２ＮＴＡＢを得ること
ができた。

実施例６出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで
厚さを３５μ…に調整した基体を用い、実施例７と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例７と同様に２
層ＴＡＢを得ることができた。

実施例７出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例３
と同様に行なった。

８さらに基体下面全体に亘る銅グラウンド層の形成から、
基体下面における銅層の溶解及び上面における各リード
の独立までを実施例５と同様に行ない、リードの一部と
下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介して電気的
に導通する２層ＴＡＢを得ることができた。

このようにして得られた２、１ｉｉｉＴＡＢは下面の銅
グラウンド層と上面リードとの導通が確実に行なわれて
いた。

実施例８出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例７と
同様の手順で各処理を行なったところ、実施例７と同様
に２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例９出発材料として実施例■と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における９下地銅層の形成を実施例１と同様に行なった。

次に基体上面にＰＨＥＲ・ＨＣ６００を約４０μｍの厚
さに、またポリイミド基体下面にＦＳＲを約７μｍの厚
さに塗布し、乾燥処理した後、上面のレジスト層には実
施例１で用いたリードパターンを有するフォトマスクを
レジスト面に密着させて９００　ｍＪの紫外線を照射し
、下面のレジストには上面のＴＡＢパターンに対応した
ビアホール８個を有するフォトマスクを密着させてのｉ
ｏｏ　ｍＪの紫外線を照射して露光を行なった。

次に上面のレジスト層を現像して所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

続いて上面の露出した下地銅層上に前述の電気銅めっき
で厚さ約３５μｍのリード前形体を形成し、下面のレジ
スト層を現像して、所定のレジストパターンを得た後、
乾燥処理をし、続いて上面のレジストを除去した。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて下面の露出したポ
リイミドの溶解を行ないビアホールを形成し、基体下面
に残留するレジストを除去した。

０次に前述の無電解銅めっきで、下面全体に銅薄膜層を形
成し、この上にＰ）ｆＥ　Ｒ・ＨＣ６００を約２０μｍ
の厚さに塗布し、乾燥処理後、実施例１で用いたビアホ
ールを除くホールパターンを有するフォトマスクを介し
て紫外線を４００　ｍＪ照射後、現像して所定のレジス
トパターンを得た後、乾燥した。

次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅薄膜層上に
約１８μｍの銅グラウンド層を形成してから下面に残留
するレジストを除去し、基体下面の露出した銅薄膜層を
前述の塩化銅溶液を用いて５０℃で３０秒間処理してポ
リイミドを露出させた。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて露出したポリイミ
ドを溶解してデバイスホール、ＯＬ８ホール、スプロケ
ットホールを形成した。

次に上面の下地銅層を前述の塩化銅溶液で除去して、各
リードを独立の状態にし、リードの一部と下面の銅のグ
ラウンド層とがビアホールを介して電気的に導通する２
層ＴＡＢを得ることができた。

このようにして得られた２層ＴＡＢは下面の銅グラウン
ド層と上面リードとの導通が確実に行なわ１れていた。

実施例１０出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０，
２５μ…の厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで
厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例つと同様の
手順で各処理を行なったところ、実施例９と同様に２層
ＴＡＢを得ることができた。

実施例１１出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上下面に形成したそれぞれのレジスト層に対
する露光までを実施例つと同様に行なった。

続いて上面は前述の電気銅めっきでリード前形体を形成
し、上面の残留レジストを除去した。

次に基体下面におけるポリイミド露出部の溶解２による所定の各種ホールの形成から、基体上面における
各リードの独立までを実施例９と同様に行ない、リード
の一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介し
て電気的に導通する２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例１２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０，
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきで
厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例１１と同様
の手順で各処理を行なったところ、実施例１１と同様に
２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例１３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、下面全体に亘る銅薄膜層ま３でを実施例つと同様に行なった。

この上にＰＭＥｆ？・１−ＩＣ４０を約５μｍの厚さに
塗布し、乾燥処理後、実施例５で用いたビアホールを除
くホールパターンを有するフォトマスクをレジスト面に
密着させて紫外線を２００　ｍＪ照射後、現像して、所
定のレジストパターンを得た後、乾燥した。

次に前述の塩化銅溶液を用いて下面の露出した銅層を溶
解して、ビアホール以外の各ホール上に存在する銅層を
除去してポリイミドを露出させた後、下面に残存するレ
ジストを前述の剥離液を用いて５０℃で１分間処理して
除去した。

次に上面の下地銅層を前述の塩化銅溶液で除去して、各
リードを独立の状態にし、リードの一部４と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介して電気
的に導通する２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例１４出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例１３
と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１３と
同様に２層ＴＡＩ３を得ることができた。

実施例１５出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
３を基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、下面全体に亘る銅薄膜層までを実施例１と同様に
行なった。

さらに基体下面における銅グラウンド層の形成から、基
体下面における各リードの独立までを実５雄側１３と同様に行ない、リードの一部と下面の銅のグ
ラウンド層とがビアホールを介して電気的に導通する２
層ＴＡＢを得ることができた。

このようにして得られｆＳ２層ＴＡＢは下面の銅グラウ
ンド層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた。

実施例１６出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例１５
と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１５と
同様に２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例１７出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上面における電気銅めっきによるリード前形
体の形成までを実施例つと同様に行なった。

６次に下面のレジスト層を現像して、所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

しかる後に基体上面のレジストを除去し、さらに上面の
下地銅層を塩化銅１００ｇ／！Ｊ、塩化アンモニウム１
ｏｏ　ｇ／追、炭酸アンモニウム２０ｇ／、ＩＪ、アン
モニア水４００　ｍ１２／−Ｑの組成からなる溶解液を
用いて５０℃で１分間処理して、各リードを独立させ、
次いで有機樹脂膜としてＦＳＲ（富士薬品社製〉を使用
して基体上面全体に亘り約１０μｍの厚さに塗布し、１
３０℃で３０分間乾燥することによって被覆した。

次に前述のポリイミド溶解液を用いて基体下面の露出し
たポリイミドを溶解してビアホールを形成し、残留する
レジストを除去した。

次に前述の無電解銅めっきで下面全体に銅薄膜層を形成
し、この上にＰＭＥＲ、ＨＣ６００を約２０μｍの厚さ
に塗布し、乾燥処理後、実施例１で用いたビアホールを
除くホールパターンを有するフォトマスクを介して紫外
線を４００　ｍＪ照射後、現像して所定のレジストパタ
ーンを得た後、乾燥した。

７次に前述の電気銅めっきで下面の露出した銅薄膜層上に
約１８μｍの銅グラウンド層を形成してからレジスト層
を溶解除去し、デバイスホール、ＯＬ８ホール、スプロ
ケットホール部の銅薄膜層を前述の塩化銅溶液を用いて
除去した。

露出したポリイミド層を前述した溶解液を用いて溶解し
、デバイスホール、０１８ボール、スプロケットホール
を形成した。

最後に上面の有機樹脂膜をＦＳＲ剥離液（富士薬品社製
〉を用いて、７０℃で１５分間処理して剥離除去し、リ
ードの一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを
介して電気的に導通する２層ＴＡＢを得ることができた
。

このようにして得られた２層ＴＡ１３は下面の銅グラウ
ンド層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた。

実施例１８出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さら８に電気銅めっきによって厚さを１μｍに調整した基体を
用い、実施例１７と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例１７と同様に２層ＴＡＢを得ることができた
。

実施例１９出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体上面における電気銅めっきによるリード前形
体の形成までを実施例１１と同様に行なった。

次に基体上面のレジストを除去し、さらに基体上面の下
地鋼層を溶解して各リードを独立させてから、基体上面
全体にＦＳＲから成る有機樹脂膜を形成した。

次に基体下面の露出したポリイミドを溶解によるビアホ
ールの形成から、基体上面における有機樹脂膜の除去、
までを実施例１７と同様の手順で行ない、リードの一部
と下面の銅によるグラウンド層とがビアホールを介して
電気的に導通する２ＮＴＡＢを得ることができた。

６つこのようにして得られた２層ＴＡＢは下面の釧グラウン
ド層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた。

実施例２０出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを↑μｍに調整した基体を用い、実施例１９
と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１９と
同様に２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例２１出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面全体に亘る銅薄膜層の形成までを実施例
１７と同様に行なった。

次に前述（ｙＨｆ、系鋼めっきで下面の銅薄膜層上に約
１８μｍの銅グラウンド層を形成し、その上にＰＨＥＲ
、ＨＣ４０を約５μｍの厚さに塗布し、乾燥処理後、実
施例５で用いたビアホールを除くホール０パターンを有するフォトマスクを介して紫外線を２００
　ｍＪ照射後、現像して所定のレジストパターンを得た
後、乾燥した。

次に下面の露出した銅グラウンド層を前述の塩化銅溶液
で除去してポリイミドを露出させた。

露出したポリイミド層を前述した溶解液を用いて溶解し
、デバイスホール、０１８ホール、スプロケットホール
を形成した。

最後に上面の有機樹脂膜をＦＳＲ剥離液で除去し、リー
ドの一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホールを介
して電気的に導通する２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例２２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを１μｍに調整した１基体を用い、実施例２１と同様の手順で各処理を行なっ
たところ、実施例２１と同様に２層ＴＡＢを得ることが
できた。

実施例２３出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における下地銅層の形成
から、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例１
９と同様に行なった。

次に基体下面における銅グラウンド層の形成から、基体
上面における有機樹脂膜の除去までを実施例２１と同様
の手順で行ない、リードの一部と下面の銅によるグラウ
ンド層とがビアホールを介して電気的に導通する２７ｉ
ＴＡＢを得ることができた。

実施例２４出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さら２に電気銅めっきによって厚さを１μｍに調整した基体を
用い、実施例２３と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例２３と同様に２層ＴＡＢを得ることができた
。

実施例２５出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面に対して、前述の無電解
銅めっき液を用いてｐＨ１２，５として７０℃で１０分
間の浸漬処理を行ない、厚さ約０．２μｍ無電解銅めっ
き被膜を形成した後、さらに前述の電気銅めっき液を用
いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で１２０分間電解を行ない基
体上面に厚さ３５μｍの銅層を形成した。

次に基体上面にＰＭＥＲ−ＨＣ４０を約５μｍの厚さに
、また基体下面にＦＳＲを約７μｍの厚さにそれぞれバ
ーコーターを用いて塗布し、それぞれ７０℃で３０分乾
燥処魁した後、上面のレジスト層には実施例１で用いた
リードパターンを有するフォトマスクをレジスト面に密
着させて２００　ｍＪの紫外線を照射し、下面のレジス
トには実施例１で用いたビ３アホールパターンを有するフォトマスクを密着させての
１００　ｍＪの紫外線を照射して露光を行なった。

次に上面のレジスト層をＰ）ＩＥＲ現像液を用いて２５
℃で２分間現像して所定のパターンを得た後、１１０℃
で３０分間乾燥処理を行なった。

続いて上面の露出した銅層を前述の塩化銅溶液を用いて
５０℃で１５分間処理して上面に厚さ約３５μｍのリー
ドを形成した。

次に下面のレジスト層を現像して所定のレジストパター
ンを得た後、乾燥した。

しかる後に上面のレジストを除去し、次に基体上面をＦ
ＳＲより戒る有機樹脂膜で被覆した。

続いて基体下面におけるビアホールの形成から、上面に
おける有機樹脂膜の除去までを実施例１７と同様に行な
い、リードの一部と下面の銅のグラウンド層とがビアホ
ールを介して電気的に導通する２層ＴＡＢを得ることが
できた。

４実施例２６出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０２
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施例２
５と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例２５
と同様に２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例２７出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における金属層の形成か
ら、上下面におけるレジストの露光までを実施例２５と
同様の手順で行なった。

次に上下面のレジスト層を現像して所定のパターンを得
た後、乾燥した。

その後上面の露出した銅層を溶解してリードを形成し、
上面いレジス１〜を除去した。

続いて基体上面に有機樹脂膜の形成から、上面の有機樹
脂膜の除去までを実施例２５と同様の手順で行ない、リ
ードの一部と下面の銅のグラウンド５層とがビアホールを介して電気的に導通する２層ＴＡＢ
を得ることがて゛きた。

このようにして得られた２Ｊ’！ＴＡＢは下面の銅グラ
ウンド層と上面リードとの導通が確実に行なわれていた
。

実施例２８出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施例２
７と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例２７
と同様に２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例２９出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における銅層の形成から
、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例２５と
同様な手順で行なった。

次に基体下面の銅グラウンド層の形成から、上面におけ
る有機樹脂膜の除去までを実施例２１と同６様に行ない、リードの一部と下面の銅のグラウンド層と
がビアホールを介して電気的に導通ずる２ｍＴ八８へ得
ることがて゛きた。

実施例３０出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施例２
９と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例２９
と同様に２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例３１出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し基体上面における銅層の形成から
、基体下面における銅薄膜層の形成までを実施例２１と
同様に行なった。

次に基体下面における銅グラウンド層の形成か７ら、基体上面における有機樹脂膜の除去までを実施例２
９と同様な手順で行ない、リードの一部と下面の銅のグ
ラウンド層とがビアホールを介して電気的に導通する２
層ＴＡＢを得ることができた。

実施例３２出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用しその上面にスパッタ法により０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって厚さを３５μｍに調整した基体を用い、実施例３
１と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例３１
と同様に２層ＴＡＢを得ることができた。

（発明の効果〉本発明の２層ＴＡＢの製造方法によるときは、２層ＴＡ
Ｂ本来の性能を損なうことなく、確実にリードの反対側
に該リードと電気的に導通するグラウンド金属層を形成
させることができるので、工業８的に優れた発明であると言える。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図はそれぞれ第１実施態様乃至第３実施
態様の２層ＴＡＢの製造方法における工程を示す工程図
、第４図（ａ）　、（ｂ）乃至第６図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ第１実施態様乃至第３実施態様の２層ＴＡＢの
製造工程における基体の概略状況を工程順に示した説明
図、第７図は本発明によって得られた２層ＴＡＢの外観
平面図、第８図は基体上面に施されるリードパターンを
有するフォトマスクの一例を示す平面図、第９図および
第１０図は、それぞれ第１実施態様において基体下面に
施されるホールパターンを有するフォトマスクの一例お
よびその反転状態を示すフォトマスクの平面図、第１１
図および第１２図は、それぞれ第２実施態様および第３
実施態様において基体下面に施されるビア反転状態を示
すフォトマスクの平面図である。１・・・上面金属層、２・・・ポリイミド樹脂基体、３
・・・上面レジスト層、４・・・下面レジスト層、５・
・・上面レジストパターン、６・・・下面レジストパタ
ーン、７・・・リード、８・・・ビアホール、９・・・
デバイスホール、１０・・・ＯＬ８ホール、１１・・・
スプロケットホール、１２・・・金属薄膜層、１３・・
・下面レジスト層、１４・・下面レジストパターン、１
５・・・グラウンド金属層、１６・・・有機樹脂被膜。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を用いる
ことなく金属層を形成したものを基体とし、該基体の上
下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上面にお
けるレジスト層には主として所定のリードパターンを有
するフォトマスクを、また基体下面におけるレジスト層
には主として所定の各種ホールパターンを有するフォト
マスクを施し、光を照射した後上下各面のレジストを現
像して該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジストパ
ターンを形成せしめる工程、基体上面に形成したレジス
トパターンに従って基体上面にリード前形体を形成する
工程、基体下面に形成したレジストパターンに従ってポ
リイミド樹脂の所定の部分に所定の各種ホールを形成し
、次いで各種ホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形
成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジスト層を
形成し、該レジスト層上にビアホールを除く所定の各種
ホールパターンを有するフォトマスクを施して光を照射
した後現像し、基体下面にレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに従って基体下面にビアホール以外
の所定の各種ホール部を除く基体下面全体に亘ってグラ
ウンド金属層を形成する工程およびリード前形体におけ
るリード間に存在する金属層を溶解除去してリードを形
成する工程よりなる２層ＴＡＢの製造方法。
（２）基体上面のリード前形体の形成は、基体上面に形
成したレジストパターンに従って露出した金属層上に電
気めっきにより金属めっき層を積層後、基体上面のレジ
ストを溶解除去することによって行なう請求項１記載の
２層ＴＡＢの製造方法。
（３）リード前形体形成後のリード間に存在する金属層
の溶解除去によるリードの形成は基体下面の各種ホール
の形成およびビアホール以外の各種ホールを除く箇所に
グラウンド金属層を形成させた後行なう請求項１または
請求項２記載の２層ＴＡＢの製造方法。
（４）ポリイミド樹脂基体に対する所定の各種ホールの
形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って露
出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって行な
う請求項１乃至３のいずれか１項記載の２層ＴＡＢの製
造方法。
（５）基体下面の金属薄膜層の形成は各種ホール形成後
、基体下面に残存するレジストを除去した後に行なう請
求項１乃至４のいずれか１項記載の２層ＴＡＢの製造方
法。
（６）基体下面におけるビアホール以外の各種ホールを
除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成は、基
体下面に再度形成したレジストパターンに従って露出し
た金属薄膜層上に電気めっきにより金属めっき層を積層
し、次いでレジストを溶解除去し、さらにレジスト下に
あった金属薄膜層を溶解除去することによって行なう請
求項１乃至５のいずれか１項記載の２層ＴＡＢの製造方
法。
（７）基体下面におけるビアホール以外の各種ホールを
除く部分全体に亘つてのグラウンド金属層の形成は、基
体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属めっき層
を積層した後、基体下面に再度形成したレジストパター
ンに従って露出した金属めっき層とその下に存在する金
属薄膜層を溶解除去し、さらに残存するレジストを除去
することによって行なう請求項１乃至５のいずれか１項
記載の２層ＴＡＢの製造方法。
（８）ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を用いる
ことなく金属層を形成したものを基体とし、該基体の上
下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上面にお
けるレジスト層には主として所定のリードパターンを有
するフォトマスクを、また基体下面におけるレジスト層
には主として所定のビアホールパターンを有するフォト
マスクを施し、光を照射した後上下各面のレジストを現
像し、該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジストパ
ターンを形成せしめる工程、基体上面に形成したレジス
トパターンに従って基体上面にリード前形体を形成する
工程、基体下面に形成したレジストパターンに従ってポ
リイミド樹脂の所定の部分に所定のビアホールを形成し
、次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形
成する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジストを形
成し、該レジスト層上にビアホールを除く所定の各種ホ
ールパターンを有するフォトマスクを施して光を照射し
た後、現像して基体下面にレジストパターンを形成し、
該レジストパターンに従って基体下面にビアホール以外
の所定の各種ホール部に相当する部分のポリイミド樹脂
が露出するように基体下面全体に亘つてグラウンド金属
層を形成する工程、露出したポリイミド樹脂を溶解除去
することによりビアホールを除く所定の各種ホールを形
成する工程およびリード前形体のリード間に存在する金
属層を溶解除去することによってリードを形成する工程
とよりなる２層ＴＡＢの製造方法。
（９）基体上面のリード前形体の形成は基体上面に形成
したレジストパターンに従って露出した金属層上に電気
めっきにより金属めっき層を積層後、基体上面のレジス
トを溶解除去することによって行なう請求項８記載の２
層ＴＡＢの製造方法。
（１０）リード前形体形成後のリード間に存在する金属
層の溶解除去によるリードの形成は、基体下面のビアホ
ールの形成およびビアホール以外の各種ホールを除く箇
所のグラウンド金属層の形成を完了し、さらにグラウン
ド金属層の形成により露出したポリイミド樹脂を溶解除
去して、ビアホール以外の各種ホールを形成した後に行
なう請求項８または９記載の２層ＴＡＢの製造方法。
（１１）ポリイミド樹脂基体に対する所定のビアホール
の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって行
なう請求項８乃至１０のいずれか１項記載の２層ＴＡＢ
の製造方法。
（１２）基体下面の金属薄膜層の形成は、ビアホール形
成後、基体下面に残存するレジストの除去後に行なう請
求項８乃至１１のいずれか１項記載の２層ＴＡＢの製造
方法。
（１３）基体下面におけるビアホール以外の各種ホール
を除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成は、
基体下面に再度形成したレジストパターンに従って露出
した金属薄膜層上に、電気めっきにより金属めっき層を
積層し、次いでレジストを溶解除去しさらにレジスト下
にあった金属薄膜層を溶解除去することによって行なう
請求項８乃至１２のいずれか１項記載の２層ＴＡＢの製
造方法。
（１４）基体下面におけるビアホール以外の各種ホール
を除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成は、
基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属めっき
層を積層した後、基体下面に再度形成したレジストパタ
ーンに従って露出した金属めっき層とその下に存在する
金属薄膜層を溶解除去し、さらに残存するレジストを除
去することによって行なう請求項８乃至１２のいずれか
１項記載の２層ＴＡＢの製造方法。
（１５）基体下面におけるビアホール以外の各種ホール
の形成は、基体下面に形成したグラウンド金属層に従っ
て露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって
行なう請求項８乃至１４のいずれか１項記載の２層ＴＡ
Ｂの製造方法。
（１６）ポリイミド樹脂フィルムの上面に接着剤を用い
ることなく金属層を形成したものを基体とし、該基体の
上下各面に感光性レジスト層を形成した後、基体上面に
おけるレジスト層には主として所定のリードパターンを
有するフォトマスクを、また基体下面におけるレジスト
層には主として所定のビアホールパターンを有するフォ
トマスクを施して、光を照射した後上下各面のレジスト
を現像し、該基体の上下各面にそれぞれの形状のレジス
トパターンを形成せしめる工程、基体上面に形成したレ
ジストパターンに従って基体上面にリードを形成し、し
かる後基体上面全体に亘って有機樹脂被膜を形成する工
程、基体下面に形成したレジストパターンに従ってポリ
イミド樹脂の所定の部分に所定のビアホールを形成し、
次いでビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形成
する工程、該金属薄膜層上に再び感光性レジストを形成
し、該レジスト上にビアホールを除く所定の各種ホール
パターンを有するフォトマスクを施して光を照射した後
現像して基体下面にレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンに従って基体下面にビアホール以外の所定
の各種ホール部に相当する部分のポリイミド樹脂が露出
するように基体下面全体に亘つてグラウンド金属層を形
成する工程、露出したポリイミド樹脂を溶解除去するこ
とによりビアホールを除く所定の各種ホールを形成する
工程、基体上面の有機樹脂被膜を除去する工程とよりな
る２層ＴＡＢの製造方法。
（１７）基体上面のリードの形成は基体上面に形成した
レジストパターンに従って露出した金属層上に電気めっ
きにより金属めっき層を積層させてリード前形体を形成
した後、基体上面のレジストおよびレジスト下に残存す
る金属層を溶解除去することによって行なう請求項１６
記載の２層ＴＡＢの製造方法。
（１８）基体上面のリードの形成は基体上面に形成した
レジストパターンに従って露出した金属層をエッチング
した後、非エッチング金属層上のレジストを溶解除去す
ることによって行なう請求項１６記載の２層ＴＡＢの製
造方法。
（１９）ポリイミド樹脂基体に対する所定のビアホール
の形成は基体下面に形成したレジストパターンに従って
露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって行
なう請求項１６乃至１８のいずれか１項記載の２層ＴＡ
Ｂの製造方法。
（２０）基体下面の金属薄膜層の形成は、ビアホール形
成後、基体下面に残存するレジストの除去後に行なう請
求項１６乃至１９のいずれか１項記載の２層ＴＡＢの製
造方法。
（２１）基体下面におけるビアホール以外の各種ホール
を除く部分全体に亘ってのグラウンド金属層の形成は、
基体下面に再度形成したレジストパターンに従って露出
した金属薄膜層上に、電気めっきにより金属めっき層を
積層し、次いでレジストを溶解除去し、さらにレジスト
下にあった金属薄膜層を溶解除去することによって行な
う請求項１６乃至２０のいずれか１項記載の２層ＴＡＢ
の製造方法。
（２２）基体下面におけるビアホール以外の各種ホール
を除く部分全体に亘つてのグラウンド金属層の形成は、
基体下面の金属薄膜層上に電気めっきによる金属めっき
層を積層した後、基体下面に再度形成したレジストパタ
ーンに従って露出した金属めっき層とその下に存在する
金属薄膜層を溶解除去し、さらに残存するレジストを除
去することによって行なう請求項１６乃至２０のいずれ
か１項記載の２層ＴＡＢの製造方法。
（２３）基体下面におけるビアホール以外の各種ホール
の形成は、基体下面に形成したグラウンド金属層に従っ
て露出したポリイミド樹脂を溶解除去することによって
行なう請求項１６乃至２２のいずれか１項記載の２層Ｔ
ＡＢの製造方法。
（２４）リード形成後に基体上面に施した有機樹脂被膜
の除去はポリイミド樹脂の所定部分に所定のホールを全
て形成した後に行なう請求項１６乃至２３項のいずれか
１項記載の２層ＴＡＢの製造方法。