JPH0331184B2 - - Google Patents
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- JPH0331184B2 JPH0331184B2 JP1524883A JP1524883A JPH0331184B2 JP H0331184 B2 JPH0331184 B2 JP H0331184B2 JP 1524883 A JP1524883 A JP 1524883A JP 1524883 A JP1524883 A JP 1524883A JP H0331184 B2 JPH0331184 B2 JP H0331184B2
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を有する新規液晶性物
質及びそれを含有する液晶組成物に関する。
質及びそれを含有する液晶組成物に関する。
液晶を使用した表示素子は時計、電卓などに広
く使用される様になつて来た。この液晶表示素子
は液晶物質の光学異方性及び誘電異方性という性
質を利用したものであるが、液晶相にはネマチツ
ク液晶相、スメクチツク液晶相、コレステリツク
液晶相があり、そのうちネマチツク液晶を利用し
たものが最も広く実用化されている。更にそれら
にはTN(ねじれネマチツク)型、DS型(動的散
乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型などがあり、
それぞれに使用される液晶物質に要求される性質
は異る。しかし、いずれにしても、これら表示素
子に使用される液晶物質は自然界のなるべく広い
範囲で液晶相を示すものが望ましいが、現在のと
ころ単一物質でその様な条件をみたす様な物質は
なく、数種の液晶物質又は非液晶物質を混合して
一応実用に耐える様な物を得ているのが現状であ
る。又、これらの物質は水分、熱、空気等に対し
ても安定でなければならないのは勿論であり、更
に表示素子を駆動させる必要なしきい電圧、飽和
電圧がなるべく低いこと、又応答速度を早くする
ためには粘度が出来るだけ低いことが望ましい。
特に最近は低電圧で駆動できる液晶表示素子が要
求されてきている。これをみたすためには一般的
には誘電異方性の大きな物質を構成成分とするこ
とが有効であるが、本発明の化合物はそれ程誘電
異方性が大きくなくても、それを構成成分として
加えることにより、液晶の駆動電圧を低下させる
ことができる化合物である。すなわち本発明の化
合物は一般式 (上式中Rは水素又は炭素数1〜10のアルキル
基を示し、XはF又はClのいずれかを示す) で表わされる2−置換−6−(4−ハロゲノフエ
ニル)オクタヒドロナフタリン及びそれを含有す
る液晶組成物である。
く使用される様になつて来た。この液晶表示素子
は液晶物質の光学異方性及び誘電異方性という性
質を利用したものであるが、液晶相にはネマチツ
ク液晶相、スメクチツク液晶相、コレステリツク
液晶相があり、そのうちネマチツク液晶を利用し
たものが最も広く実用化されている。更にそれら
にはTN(ねじれネマチツク)型、DS型(動的散
乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型などがあり、
それぞれに使用される液晶物質に要求される性質
は異る。しかし、いずれにしても、これら表示素
子に使用される液晶物質は自然界のなるべく広い
範囲で液晶相を示すものが望ましいが、現在のと
ころ単一物質でその様な条件をみたす様な物質は
なく、数種の液晶物質又は非液晶物質を混合して
一応実用に耐える様な物を得ているのが現状であ
る。又、これらの物質は水分、熱、空気等に対し
ても安定でなければならないのは勿論であり、更
に表示素子を駆動させる必要なしきい電圧、飽和
電圧がなるべく低いこと、又応答速度を早くする
ためには粘度が出来るだけ低いことが望ましい。
特に最近は低電圧で駆動できる液晶表示素子が要
求されてきている。これをみたすためには一般的
には誘電異方性の大きな物質を構成成分とするこ
とが有効であるが、本発明の化合物はそれ程誘電
異方性が大きくなくても、それを構成成分として
加えることにより、液晶の駆動電圧を低下させる
ことができる化合物である。すなわち本発明の化
合物は一般式 (上式中Rは水素又は炭素数1〜10のアルキル
基を示し、XはF又はClのいずれかを示す) で表わされる2−置換−6−(4−ハロゲノフエ
ニル)オクタヒドロナフタリン及びそれを含有す
る液晶組成物である。
本発明の化合物は液晶相を示すものと示さない
ものとがあるが、いずれにしてもその融点又は透
明点は比較的高く、例えば本発明の化合物の一つ
である2−ヘキシル−6−(4−クロロフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒ
ドロナフタリンは62.7℃から93.4℃でネマチツク
相を示す化合物であり、これらの化合物を用いて
低電圧で駆動できる表示素子ができる。又本発明
の化合物の光学異方性値△nが小さく、その性質
を生かした表示用セルへ応用される。
ものとがあるが、いずれにしてもその融点又は透
明点は比較的高く、例えば本発明の化合物の一つ
である2−ヘキシル−6−(4−クロロフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒ
ドロナフタリンは62.7℃から93.4℃でネマチツク
相を示す化合物であり、これらの化合物を用いて
低電圧で駆動できる表示素子ができる。又本発明
の化合物の光学異方性値△nが小さく、その性質
を生かした表示用セルへ応用される。
次に本発明の化合物の製造法を示すと、既知の
方法で製造した2−置換−デカリン−6−オンと
4−ハロゲノフエニルマグネシウムブロミドと反
応して2−置換−6−(4−ハロゲノフエニル)
デカリン−6−オールとする。このものを硫酸水
素カリウムを触媒として、脱水反応を行い、2−
置換−6−(4−ハロゲノフエニル)−1,1a,
2,3,4,4a,5,8−オクタヒドロナフタ
リン及び2−置換−6−(4−ハロゲノフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,7,8−オクタヒ
ドロナフタリンの混合物を得る。この混合物を再
結晶して各成分を得た。
方法で製造した2−置換−デカリン−6−オンと
4−ハロゲノフエニルマグネシウムブロミドと反
応して2−置換−6−(4−ハロゲノフエニル)
デカリン−6−オールとする。このものを硫酸水
素カリウムを触媒として、脱水反応を行い、2−
置換−6−(4−ハロゲノフエニル)−1,1a,
2,3,4,4a,5,8−オクタヒドロナフタ
リン及び2−置換−6−(4−ハロゲノフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,7,8−オクタヒ
ドロナフタリンの混合物を得る。この混合物を再
結晶して各成分を得た。
以上を化学式で示すと、
(R,Xは前記に同じ)
以下実施例により本発明を更に説明する。
実施例 1
〔2−プロピル−6−(4−フルオロフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,7,8−オクタ
ヒドロナフタリンの製造〕 既知の方法で製造した2−プロピルデカリン−
2−オン42gをテトラヒドロフラン100mlにとか
したものに4−フルオロブロモベンゼン45.6gと
金属マグネシウム6.3gからつくつた4−フルオ
ロフエニルマグネシウムブロミドを窒素雰囲下30
℃に保ちながら滴下する。つぎにこの反応液を2
時間還流した後冷却する。3N塩酸200mlををゆつ
くり加える。つぎに200mlのトルエンで油層を抽
出した後、トルエン層を洗液が中性になるまで水
洗する。トルエン層を減圧にてトルエンを留去
し、残つた油状物に硫酸水素カリウム7gを加
え、窒素雰囲気下150℃,2時間加熱,脱水を行
う。反応終了後トルエン200mlを加え、不溶物を
別し、トルエン層を水で洗滌する。中性にした
後、トルエン層を減圧にて留去し、残つた油状物
をアセトン−エタノール1:1の溶媒で数回再結
晶する。このようにして得られた化合物のNMR
スペクトル及びIRスペクトルから、このものが
2−プロピル−6−(4−フルオロフエニル)−
1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒド
ロナフタリンであることが確認された。収量42
g,融点44.0〜44.3℃であつた。
−1,1a,2,3,4,4a,7,8−オクタ
ヒドロナフタリンの製造〕 既知の方法で製造した2−プロピルデカリン−
2−オン42gをテトラヒドロフラン100mlにとか
したものに4−フルオロブロモベンゼン45.6gと
金属マグネシウム6.3gからつくつた4−フルオ
ロフエニルマグネシウムブロミドを窒素雰囲下30
℃に保ちながら滴下する。つぎにこの反応液を2
時間還流した後冷却する。3N塩酸200mlををゆつ
くり加える。つぎに200mlのトルエンで油層を抽
出した後、トルエン層を洗液が中性になるまで水
洗する。トルエン層を減圧にてトルエンを留去
し、残つた油状物に硫酸水素カリウム7gを加
え、窒素雰囲気下150℃,2時間加熱,脱水を行
う。反応終了後トルエン200mlを加え、不溶物を
別し、トルエン層を水で洗滌する。中性にした
後、トルエン層を減圧にて留去し、残つた油状物
をアセトン−エタノール1:1の溶媒で数回再結
晶する。このようにして得られた化合物のNMR
スペクトル及びIRスペクトルから、このものが
2−プロピル−6−(4−フルオロフエニル)−
1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒド
ロナフタリンであることが確認された。収量42
g,融点44.0〜44.3℃であつた。
又、母液より2−プロピル−6−(4−フルオ
ロフエニル)−1,1a,2,3,4,4a,7,8
−オクタヒドロナフタリンが得られた。
ロフエニル)−1,1a,2,3,4,4a,7,8
−オクタヒドロナフタリンが得られた。
実施例 2,3
同様にして実施例1における2−プロピルデカ
リン−2−オンの代りにそれぞれに対応する2−
アルキルデカリン−2−オンを、又4−フルオロ
ブロモベンゼンの代りに4−クロロブロモベンゼ
ンを用いてつぎに示す化合物を製造した。
リン−2−オンの代りにそれぞれに対応する2−
アルキルデカリン−2−オンを、又4−フルオロ
ブロモベンゼンの代りに4−クロロブロモベンゼ
ンを用いてつぎに示す化合物を製造した。
2−プロピル−6−(4−クロロフエニル)−
1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒド
ロナフタリン融点83.0〜83.7℃。
1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒド
ロナフタリン融点83.0〜83.7℃。
2−ヘキシル−6−(4−クロロフエニル)−
1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒド
ロナフタリンC−N点62.7〜63.5℃,N−I点
93.4℃。
1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒド
ロナフタリンC−N点62.7〜63.5℃,N−I点
93.4℃。
実施例4(使用例)
トランス−4−プロピル−(4′−シアノフエ
ニル)シクロヘキサン 24% トランス−4−ペンチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 36% トランス−4−ヘプチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 25% トランス−4−ペンチル−(4″−シアノビヘエ
ニル)シクロヘキサン 15% からなる液晶組成物のN−I点は72℃であり20℃
における粘度は28cp、厚さ10μmのTNセルに封
入したもののしきい値電圧は1.7V、飽和電圧は
2.1Vであつた。
ニル)シクロヘキサン 24% トランス−4−ペンチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 36% トランス−4−ヘプチル−(4′−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 25% トランス−4−ペンチル−(4″−シアノビヘエ
ニル)シクロヘキサン 15% からなる液晶組成物のN−I点は72℃であり20℃
における粘度は28cp、厚さ10μmのTNセルに封
入したもののしきい値電圧は1.7V、飽和電圧は
2.1Vであつた。
この液晶組成物90部に本発明の実施例1で製造
した2−プロピル−6−(4−フルオロフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒ
ドロナフタリン10部を加えた液晶組成物のN−I
点は36.1℃となり、20℃における粘度は51cpとな
つたが、上記セルに封入したもののしきい値電圧
は1.1V、飽和電圧は1.6Vと低減することができ
た。
した2−プロピル−6−(4−フルオロフエニル)
−1,1a,2,3,4,4a,5,8−オクタヒ
ドロナフタリン10部を加えた液晶組成物のN−I
点は36.1℃となり、20℃における粘度は51cpとな
つたが、上記セルに封入したもののしきい値電圧
は1.1V、飽和電圧は1.6Vと低減することができ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアル
キル基を示し、XはF又はClを示す) で表わされる2−置換−6−(4−ハロゲノフエ
ニル)オクタヒドロナフタリン。 2 一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアル
キル基を示し、XはF又はClを示す) で表わされる2−置換−6−(4−ハロゲノフエ
ニル)−1,1a,2,3,4,4a,5,8−オク
タヒドロナフタリンである特許請求の範囲第1項
記載の化合物。 3 一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアル
キル基を示し、XはF又はClを示す) で表わされる特許請求の範囲第1項記載の2−置
換−6−(4−ハロゲフエニル)−1,1a,2,
3,4,4a,7,8−オクタヒドロナフタリン
である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 4 一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアル
キル基を示し、XはF又はClを示す) で表わされる2−置換−6−(4−ハロゲノフエ
ニル)オクタヒドロナフタリンを少なくとも一種
含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1524883A JPS59141527A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 部分還元されたナフタリン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1524883A JPS59141527A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 部分還元されたナフタリン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141527A JPS59141527A (ja) | 1984-08-14 |
| JPH0331184B2 true JPH0331184B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=11883548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1524883A Granted JPS59141527A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 部分還元されたナフタリン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141527A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252253A (en) * | 1989-01-16 | 1993-10-12 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Phenyl naphthalenes having liquid crystalline properties |
| CN100448824C (zh) | 1998-08-24 | 2009-01-07 | 大日本油墨化学工业株式会社 | 十氢萘衍生物 |
| CN100351342C (zh) * | 1998-09-21 | 2007-11-28 | 大日本油墨化学工业株式会社 | 向列液晶组合物及使用它的液晶显示装置 |
| JP4779182B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2011-09-28 | Dic株式会社 | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP4759778B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2011-08-31 | Dic株式会社 | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP4696329B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2011-06-08 | Dic株式会社 | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-02-01 JP JP1524883A patent/JPS59141527A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59141527A (ja) | 1984-08-14 |
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