JPS58100231A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58100231A JPS58100231A JP56199271A JP19927181A JPS58100231A JP S58100231 A JPS58100231 A JP S58100231A JP 56199271 A JP56199271 A JP 56199271A JP 19927181 A JP19927181 A JP 19927181A JP S58100231 A JPS58100231 A JP S58100231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- angle
- mask
- substrate
- coercive force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜を記録層とする磁気記録媒体
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
磁気記鐙の高密度化の要求に対して、これまで磁気記録
媒体の抗磁力を大きくすることで対応してきたが、より
短波長化が進むに従って、磁化されるのは、媒体の表面
近くだけになるため、抗磁力の増大のみでは出力を大き
くできず、飽和磁束密度の大きい材料が使用されるよう
になって来ている。そのひとつは、従来の塗布形の延長
上で、２ 、 バインダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的に
飽和磁束密度の大きい、鉄等の強磁性金属または合金の
微粒子を、酸化鉄の代りに用いる磁気記録媒体で、池の
一つは、バインダを用いない、強磁性金属薄膜を磁気記
録層とする媒体で、前記薄膜の形成に真空蒸着を用いる
ことから蒸着テープという名称で一部実用に供されるに
至っている。
媒体の抗磁力を大きくすることで対応してきたが、より
短波長化が進むに従って、磁化されるのは、媒体の表面
近くだけになるため、抗磁力の増大のみでは出力を大き
くできず、飽和磁束密度の大きい材料が使用されるよう
になって来ている。そのひとつは、従来の塗布形の延長
上で、２ 、 バインダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本質的に
飽和磁束密度の大きい、鉄等の強磁性金属または合金の
微粒子を、酸化鉄の代りに用いる磁気記録媒体で、池の
一つは、バインダを用いない、強磁性金属薄膜を磁気記
録層とする媒体で、前記薄膜の形成に真空蒸着を用いる
ことから蒸着テープという名称で一部実用に供されるに
至っている。
この蒸着テープは、歴史も浅く、工業規模での検荊改良
を今後に待つ課題も多くある。
を今後に待つ課題も多くある。
そのひとつは抗磁力の制御である。特に大きい抗磁力を
安定に制御する技術開発は重要なテーマである。
安定に制御する技術開発は重要なテーマである。
蒸着法で安定に抗磁力を制御できる可能性のあるのは特
公昭４１−１９３８９号公報に開示されているいわゆる
斜方蒸着法である。
公昭４１−１９３８９号公報に開示されているいわゆる
斜方蒸着法である。
しかし、この方法を実施するにあたっての幡点け、蒸着
効率が低いことと、入射角が変化すると抗磁力が変化す
るという現象が起こり、抗磁力が大きくなるほど、この
現象が顕著になることである。
効率が低いことと、入射角が変化すると抗磁力が変化す
るという現象が起こり、抗磁力が大きくなるほど、この
現象が顕著になることである。
３・
本発明は、入射角変化により生ずる抗磁力変化を実用レ
ベルに抑えることができる方法を提供するものであり、
以下、図面を用いて詳述する。
ベルに抑えることができる方法を提供するものであり、
以下、図面を用いて詳述する。
第１図は本発明の方法を実施するための蒸着装置の要部
断面を示すものである。ここでは二基構成の例を示して
いるが、本発明の方法を実施する上でこれにこだわるこ
と々く、以下に述べる要件を満たす装置であれば使用す
ることができる。
断面を示すものである。ここでは二基構成の例を示して
いるが、本発明の方法を実施する上でこれにこだわるこ
と々く、以下に述べる要件を満たす装置であれば使用す
ることができる。
高分子成形基板（以下単に基板という）１は送り出し軸
２より回転キャン３に沿って移動し、巻取軸４にて巻き
あげられるように構成されている。
２より回転キャン３に沿って移動し、巻取軸４にて巻き
あげられるように構成されている。
この図では、巻取系の他の要素であるフローローラやエ
キスパンダローラ等については省略されているが、必要
に応じて構成要素となるのはいうまでもない。
キスパンダローラ等については省略されているが、必要
に応じて構成要素となるのはいうまでもない。
回転キャン３は機能として冷却支持を兼ねるもので、そ
れに代えて、たとえば５ＵＳ３０４のステルス＃ｌ薄板
で構成したエンドレスベルトを用いてもよい。熱論、こ
のベルトも冷却して使用する。
れに代えて、たとえば５ＵＳ３０４のステルス＃ｌ薄板
で構成したエンドレスベルトを用いてもよい。熱論、こ
のベルトも冷却して使用する。
また１繰り返し蒸着を行うために複数個のキャンを用い
ることもできる。
ることもできる。
回転キャン３と対向して配設される蒸発源６は、公知の
ものを使用することができるけれども、発明者らの実験
によれば電子ビーム加熱がもっとも好捷しい。図では、
蒸発源５を容器６と蒸着相利７で模式的に示してあり、
電子源については図示を省略している。
ものを使用することができるけれども、発明者らの実験
によれば電子ビーム加熱がもっとも好捷しい。図では、
蒸発源５を容器６と蒸着相利７で模式的に示してあり、
電子源については図示を省略している。
真空槽８内は、仕切板９によって」二基１ｏと下室１１
とに二分されている。王室１０と下室１１は通常独立し
た排気装置１２．１３でそれぞれ排気される。マスク１
４は基板１への蒸気の入射角度を制限するだめのもので
あるが、蒸発源６の中心をＰとし、マスク１４の先端を
Ｍとしたとき。
とに二分されている。王室１０と下室１１は通常独立し
た排気装置１２．１３でそれぞれ排気される。マスク１
４は基板１への蒸気の入射角度を制限するだめのもので
あるが、蒸発源６の中心をＰとし、マスク１４の先端を
Ｍとしたとき。
ＰＭの延長がキャン３の周側面一にの基板１と交わる点
にたてた法線とＰＭとのなす角θ１ が蒸気の入射角を
表わすものである。
にたてた法線とＰＭとのなす角θ１ が蒸気の入射角を
表わすものである。
また、マスク１４の先端のＭ点にたてた法線とのなす角
度θＭが、マスク１４へ蒸着される蒸気の入射角である
。θｌとθＭとはθ１＜１９Ｍなる関係にあることが本
発明の要件であり、これを満足すれば、マスク１４の形
状について特に制約がなく１円弧の一部であってもよい
し、直線の組み合わせであってもよい。
度θＭが、マスク１４へ蒸着される蒸気の入射角である
。θｌとθＭとはθ１＜１９Ｍなる関係にあることが本
発明の要件であり、これを満足すれば、マスク１４の形
状について特に制約がなく１円弧の一部であってもよい
し、直線の組み合わせであってもよい。
以下、本発明の実施例について詳述する。
〔実施例１〕
↓
基板として幅５００ｍｍ、厚さ１０．６μｍポリエチ１
− レンテレフタレートフイルムを使用し、第１図の・装置
にて入射角θ１＝７００．θＭ−８０°（第１図参照）
で、Ｃ１Ｑ８０％−Ｎ１２０％の合金層を前記基↓ 板上に０．１μｍの厚さ形成した。下室の真空度は、２
Ｘ１０ Ｔｏｒｒであった。得られた磁性層の抗［力
１’ｉ：１０５０エルステッドで、Ｂ−Ｈ曲線の角形比
は０．９６であった。
− レンテレフタレートフイルムを使用し、第１図の・装置
にて入射角θ１＝７００．θＭ−８０°（第１図参照）
で、Ｃ１Ｑ８０％−Ｎ１２０％の合金層を前記基↓ 板上に０．１μｍの厚さ形成した。下室の真空度は、２
Ｘ１０ Ｔｏｒｒであった。得られた磁性層の抗［力
１’ｉ：１０５０エルステッドで、Ｂ−Ｈ曲線の角形比
は０．９６であった。
そして、比較のだめ０Ｍ−３０°としたとと以外は、本
実施例と同じ条件で磁性層を形成した。
実施例と同じ条件で磁性層を形成した。
第２図に本実施例で作製した試料と比較例で作製した試
料について、長手方向にサンプリングをするとともに、
その幅方向の抗磁力分布をエラーバーの形で示した。
料について、長手方向にサンプリングをするとともに、
その幅方向の抗磁力分布をエラーバーの形で示した。
これより明らかなように、本発明の方法によれ６・、−
′ ば、抗磁力が一定しており、その幅方向のばらつきも非
常に小さい。ところが、比較例によれば１抗磁力が大き
くなるとともに、その幅方向のばらつきも大きくなる。
′ ば、抗磁力が一定しており、その幅方向のばらつきも非
常に小さい。ところが、比較例によれば１抗磁力が大き
くなるとともに、その幅方向のばらつきも大きくなる。
以下の実施例についても同様の比較をしたが１１０００
ｍ蒸着時点とスタート直後の抗磁力の対比で示す。
ｍ蒸着時点とスタート直後の抗磁力の対比で示す。
〔実施例２〕
長さ２０５０ｍ、幅５００ｍｍ、厚さ１５μｍのポリエ
チレンテレフタレートフィルム上ニ、蒸気の入射角θ１
−７３°で００１００％からなる磁性層を０．２μｍの
厚さに形成した。マスクの先端の角度はθＭ ＝ ８０
’で、王室の真空度は１ 、７ Ｘ ’Ｋ）”ｒｏｒｒ
であった。得られた抗磁力は初期、１０００ｍ。
チレンテレフタレートフィルム上ニ、蒸気の入射角θ１
−７３°で００１００％からなる磁性層を０．２μｍの
厚さに形成した。マスクの先端の角度はθＭ ＝ ８０
’で、王室の真空度は１ 、７ Ｘ ’Ｋ）”ｒｏｒｒ
であった。得られた抗磁力は初期、１０００ｍ。
２０ｏｏｍ時点でそれぞれ１２００エルステツドであり
、Ｂ−Ｈ曲線の角形比はｏ、９７で、幅方向の均一性も
変化しなかった。
、Ｂ−Ｈ曲線の角形比はｏ、９７で、幅方向の均一性も
変化しなかった。
一方、比較のため、０Ｍ−２００で形成したところ、１
０ｏａｍ時点では抗磁力は１２２０〜１４１ｏエルステ
ツドにばらついた。このとき、マスク先端に堆積したＣ
Ｏの厚みは１９ｍｍとなり、入射角が実質的に変化して
いた。
０ｏａｍ時点では抗磁力は１２２０〜１４１ｏエルステ
ツドにばらついた。このとき、マスク先端に堆積したＣ
Ｏの厚みは１９ｍｍとなり、入射角が実質的に変化して
いた。
〔実施例３〕
幅６ｏｏｍｍ、厚さ１１．６μｍのポリエチレンテレフ
タレートフイルムトに、入射角θ１＝６００でＧｏ８５
％−０ｒ１６％からなる磁性層を形成した。真空度を１
×１０ ＴＯｒｒとし、θ、 ＝ ８５゜０Ｍ−７６°
の場合について比較検旧した。１０００ｍ時点と初期値
は抗磁力９８０エルステツド、Ｂ−Ｈ曲線の角形比０．
９８で、幅方向の抗磁力分：／Ｉｊはいずれも均一であ
った。
タレートフイルムトに、入射角θ１＝６００でＧｏ８５
％−０ｒ１６％からなる磁性層を形成した。真空度を１
×１０ ＴＯｒｒとし、θ、 ＝ ８５゜０Ｍ−７６°
の場合について比較検旧した。１０００ｍ時点と初期値
は抗磁力９８０エルステツド、Ｂ−Ｈ曲線の角形比０．
９８で、幅方向の抗磁力分：／Ｉｊはいずれも均一であ
った。
この二側についてさらに詳細に検旧したところ、２００
０ｍ、３０００ｍと長尺化するにつれてθ、＝８６°の
場合に化べて０１−７６°の場合では若干抗磁力が変化
する傾向が見受けられた。このことからも、θｌ〈θ証
の関係を保持するのはもちろんのことであ乙が、θＶを
できる限り大きくするのが好ましい。しかし、蒸発湯面
の低下により蒸発位置がずれると、入射角が変化しやす
いことから１ θ１−７５〜８６０とするのが実際的で
ある。
０ｍ、３０００ｍと長尺化するにつれてθ、＝８６°の
場合に化べて０１−７６°の場合では若干抗磁力が変化
する傾向が見受けられた。このことからも、θｌ〈θ証
の関係を保持するのはもちろんのことであ乙が、θＶを
できる限り大きくするのが好ましい。しかし、蒸発湯面
の低下により蒸発位置がずれると、入射角が変化しやす
いことから１ θ１−７５〜８６０とするのが実際的で
ある。
し７かし、フィーダを配設して蒸発源に蒸発材料を補給
し、基板の長尺化に対応させることにより、蒸発源の湯
面位置を一定に保つようにすればこの限りではない。
し、基板の長尺化に対応させることにより、蒸発源の湯
面位置を一定に保つようにすればこの限りではない。
［実施例４〕
厚さ８．５μｍのポリアミド基板上に、００８０％−Ｎ
ｉ２０％からなる磁性層を０．１６μｍの厚さに形成し
た。王室には酸素を導入し、真空度４．６ Ｘ １０
Ｔｏｒｒの真空度に保持して蒸着した。
ｉ２０％からなる磁性層を０．１６μｍの厚さに形成し
た。王室には酸素を導入し、真空度４．６ Ｘ １０
Ｔｏｒｒの真空度に保持して蒸着した。
なお、θ１＝４６°、θＭ＝８０°とした。
得られた磁性層の抗磁力は９２０で、Ｂ−Ｈ曲線の角形
化が０．８８であった。そして、基板の４０００ｍ長に
わたって１１ｖｉ′ｌ力向、長手ノフ向ともその値は実
質的に均一であった。ＩＪＺ軟のため、θＭ＝２００と
した場合、１０００７７１で抗磁力が約１５％増加し、
２０００ｍでは３４％増＃ｌｌＬだ。ぞして、３ＱＯＯ
ｍではＡ着膜厚を制御するのに、フィルム移動速度を４
０％蕎すか、投入する電ｒビームの電力を３０％増加さ
せる必要が／−１−じた。これからも本発明は設定条件
を維持できるもので、膜１ｖ制御性に優れていることが
わかる。
化が０．８８であった。そして、基板の４０００ｍ長に
わたって１１ｖｉ′ｌ力向、長手ノフ向ともその値は実
質的に均一であった。ＩＪＺ軟のため、θＭ＝２００と
した場合、１０００７７１で抗磁力が約１５％増加し、
２０００ｍでは３４％増＃ｌｌＬだ。ぞして、３ＱＯＯ
ｍではＡ着膜厚を制御するのに、フィルム移動速度を４
０％蕎すか、投入する電ｒビームの電力を３０％増加さ
せる必要が／−１−じた。これからも本発明は設定条件
を維持できるもので、膜１ｖ制御性に優れていることが
わかる。
これら実施例で使用した第１の装置以外にも基板として
のフィルムと蒸発源との間に高周波電極を配設し、 １
３．５６ Ｍｌ（ｚの高周波でイオンブレーティングを
行なっても、本発明の効果が得られることをＮ認した。
のフィルムと蒸発源との間に高周波電極を配設し、 １
３．５６ Ｍｌ（ｚの高周波でイオンブレーティングを
行なっても、本発明の効果が得られることをＮ認した。
そして、蒸発桐利として、 Ｆ６゜Ｇｏ −Ｖ 、
Ｇｏ−Ｗ 、 Ｇｏ−Ｍｎ、Ｇｏ−Ｔｉ、Ｃ１ｏ−８ｉ
。
Ｇｏ−Ｗ 、 Ｇｏ−Ｍｎ、Ｇｏ−Ｔｉ、Ｃ１ｏ−８ｉ
。
Ｇｏ−Ｎ１−Ｏｒ、Ｇｏ−Ｐｔ等を使用しても、本発明
の効果が得られることを確認した。
の効果が得られることを確認した。
以上のように、本発明の方法は、マスクの、磁性層形成
の蒸気入射角度を規制する部分への蒸気入射角度を、基
板への蒸気入射角度よりも大きく設定しているので、長
尺の基板に連続して磁性材料を蒸着しても、磁性層の抗
磁力、Ｂ−Ｈ曲線の角形比を一定化することができ、そ
のため品質の安定した磁気記録再生用の蒸着テープを提
供することができる。
の蒸気入射角度を規制する部分への蒸気入射角度を、基
板への蒸気入射角度よりも大きく設定しているので、長
尺の基板に連続して磁性材料を蒸着しても、磁性層の抗
磁力、Ｂ−Ｈ曲線の角形比を一定化することができ、そ
のため品質の安定した磁気記録再生用の蒸着テープを提
供することができる。
第１図は本発明の方法を実施するだめの装置の一例を示
す断面図、第２図は本発明の方法により１０ 、 、・ 製造また磁気テープと止較例による特性ならびにそのば
らつきを肘用させて示す図である。 １・・・・高分子成形基板、３・・回転キャン、６・・
・・・・蒸発源、９・・・・・・仕切板、８・・・・・
良空槽、１０・・・・・上室、１１・・・・・・下室、
１２．１３ ・・・排気装置、１４・・・・・マスク
。
す断面図、第２図は本発明の方法により１０ 、 、・ 製造また磁気テープと止較例による特性ならびにそのば
らつきを肘用させて示す図である。 １・・・・高分子成形基板、３・・回転キャン、６・・
・・・・蒸発源、９・・・・・・仕切板、８・・・・・
良空槽、１０・・・・・上室、１１・・・・・・下室、
１２．１３ ・・・排気装置、１４・・・・・マスク
。
Claims (1)
- 冷却支持体に沿って移動する高分子成形物基板に強磁性
材料を連続して蒸着する際、磁性層形成の蒸気入射角を
限定するマスクの、角度限定にかかわる部位近傍への蒸
気の入射角を、前記磁性層形成の入射角より大となすこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199271A JPS58100231A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199271A JPS58100231A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100231A true JPS58100231A (ja) | 1983-06-14 |
| JPH0334130B2 JPH0334130B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=16405006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199271A Granted JPS58100231A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100231A (ja) |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56199271A patent/JPS58100231A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334130B2 (ja) | 1991-05-21 |
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