JPH0341470Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔概要〕 フルカツト用のダイシングテープルの上面に貼
付けられた半導体素子を、ダイシングテープの下
から支える支持ピンと、支持ピンの周囲のダイシ
ングテープを、その表面のすりばち状の凹面に真
空吸着して半導体素子をダイシングテープから剥
離させる真空吸着板とを備えた半導体素子剥離装
置。

〔産業上の利用分野〕

本考案は、半導体素子付け機に係り、特にフル
カツト用のダイシングテープ上面に貼付けられた
半導体素子をダイシングテープから剥離する装置
の改良に関するものである。

半導体装置製造のアセンブリ工程の半導体素子
付け機において、フルカツト用のダイシングテー
プの上面に貼付けられた半導体素子を安定した状
態で剥離し、コレツトに吸着させることは非常に
重要なことであり、これが不安定な場合には半導
体素子付け機の安定した稼動に支障をきたすの
で、ダイシングテープ上面に貼付けられた半導体
素子を安定して剥離できる装置の考案が要求され
ている。

〔従来の技術〕

従来の半導体素子剥離装置は、第３図に示すよ
うな本体１６の周囲に柔軟な材料からなる吸盤状
の隔壁７の一端を固定したものであり、本体１６
の中心部には半導体素子１を突き上げる支持ピン
３が４本内蔵されている。

半導体素子１を剥離する工程は、第３図ａに示
すように先ず半導体素子１の位置を認識し、半導
体素子１を支持ピン３の真上に位置決めする。

次に第３図ｂに示すように支持ピン３を上昇さ
せてダイシングテープ２を介して半導体素子１に
当てる。その状態で本体１６に設けた孔１６ａか
ら真空排気して、第３図ｃに示すように隔壁７が
外方に倒れダイシングテープ２が本体１６に吸着
されるようにする。この際にはコレツト５は半導
体素子１のすぐ上方の所定の位置まで降下して半
導体素子１を吸着できるようになつている。

次いで第３図ｄに示すように隔壁７が広がり、
ダイシングテープ２を本体１６の上面近くに吸着
させて半導体素子１をダイシングテープ２から剥
離し、コレツト５の真空吸引を行い半導体素子１
を吸着する。この際に支持ピン３の先端部がダイ
シングテープ２を突き破るが直径が0.1〜0.2mm程
度の微小な孔の場合は元通りになり、その後に空
気がリークすることはない。

その後支持ピン３を降下し、第３図ｅに示すよ
うに本体１６からの真空吸引を止めて初期状態に
戻し、ダイシングテープ２を半導体素子１の１個
分移動し、次の半導体素子１の位置認識を行い、
作業を続行する。

〔考案が解決しようとする問題点〕

以上説明の従来の半導体素子剥離装置で問題と
なるのは、 (1) 柔軟な材質からなる吸盤状の隔壁７を用いて
ダイシングテープ２を支持しているために、小
さい半導体素子（１〜２mm角）の場合にチツプ
位置認識が安定しない。

(2) 半導体素子吸着時のコレツト５の位置と半導
体素子１の位置の精度が要求されるが、柔軟な
材質からなる吸盤状の隔壁７のために半導体素
子１の位置が不安定になることである。

特にダイシングテープ２の周辺部においては、
ダイシングテープ２の引つ張り力の左右のアンバ
ランスのために一層不安定さが増幅されるように
なつている。

本考案は以上のような状況を改良し、支持され
た半導体素子１とコレツト５の位置の精度を向上
させる手段の提供を目的としたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、フルカツト用のダイシングテー
プの上面に貼付けられた半導体素子を、ダイシン
グテープを介して下面側から支える支持ピンと、 支持ピンの周囲のダイシングテープを、その表
面のすりばち状の凹面に真空で吸引して引き下
げ、半導体素子をダイシングテープから剥離させ
る本考案による真空吸着板とを備えた半導体素子
剥離装置によつて解決される。

〔作用〕

即ち本考案においては、従来の隔壁に変わるも
のとして、非常に浅いすりばち状の吸着面を持つ
真空吸着板を用いるので、ダイシングテープをこ
の真空吸着板の浅いすりばち状の吸着面に吸着し
た場合にも、ダイシングテープが平面度を維持し
ているので、隣接する半導体素子が干渉して半導
体素子の上面側が衝突し合うこともなく、半導体
素子が支持ピンによつて確実に精度の高い位置に
支持されて、コレツトに安定して吸引させること
が可能となる。

〔実施例〕

以下第１図〜第２図について本考案の一実施例
を説明する。

第１図に本考案の真空吸着板４の詳細図を示
す。外形は32mmであり、すりばち状の吸着面の中
央部のへこみ量を1.2mm以下にすることにより、
吸着時にも半導体素子１が隣と互いに干渉しな
い。

中央部の十字形孔４ａはピツチの異なる支持ピ
ン３でも通るようになつている。ダイシングテー
プ２を吸着させる時の空気の排気もこの孔４ａに
より行つている。

第２図ａにおいて、半導体素子１を貼付けたダ
イシングテープ２が、本体６と結合した真空吸着
板４の上に、半導体素子１が支持ピン３の真上に
くるように位置を認識されて置かれ、支持ピン３
は本体６の内部に配設されている。

次に第２図ｂに示すように支持ピン３が上昇し
てダイシングテープ２に当たり半導体素子１の四
隅の近傍で支持し、初期の位置より少し高い位置
に突き上げる。

次いで第２図ｃに示すようにコレツト５が半導
体素子１を吸着すべき位置まで降下する。

次いで、第２図ｄに示すように本体６の側壁に
設けた孔６ａから真空排気すると、第１図に示す
真空吸着板の詳細図の支持ピン３が通る十字形孔
４ａを通つて真空吸着板４とダイシングテープ２
の間の空気が排気され、ダイシングテープ２が真
空吸着板４のすりばち状の吸着面に密着する。こ
の時支持ピン３が更に上昇して半導体素子１をダ
イシングテープ２から剥離し、半導体素子１をコ
レツト５に吸着させる。

半導体素子１がコレツト５に吸着されて次工程
に移動すると、第２図ｅに示すように本体６の真
空排気を停止し、支持ピン３が元の位置に降下す
る。その後は従来通り次の半導体素子１の位置認
識を行い作業を続行する。

このように真空吸着板４にダイシングテープ２
を吸着した状態で半導体素子１を支持ピン３で突
き上げるから、ダイシングテープ２に加わる引つ
張り力のアンバランスな状態の影響を受けずに半
導体素子１を定位置に突き上げ得るので、コレツ
ト５の降下位置との関係が一定になり、半導体素
子１の安定したコレツト５への吸着が可能とな
る。

〔考案の効果〕

以上説明したように本考案によれば、極めて簡
単な構造の真空吸着板を用いることにより、半導
体素子の位置認識精度が向上し、半導体素子を精
度の高い位置に安定して支持ピンにより突き上げ
得るから、コレツトによる安定した吸着が可能と
なるので、半導体装置の製造工程における実用的
効果は著しい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による一実施例の真空吸着板の
詳細図、第２図は本考案による一実施例の半導体
素子吸着の工程順の側断面図、第３図は従来の半
導体素子吸着の工程順の側断面図、である。 図において、１は半導体素子、２はダイシング
テープ、３は支持ピン、４は真空吸着板、４ａは
十字形孔、５はコレツト、６は本体、６ａは孔、
を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 フルカツト用のダイシングテープ２の上面に貼
   付けられた半導体素子１を、前記ダイシングテー
   プ２を介して下面側から支える支持ピン３と、 前記支持ピン３の周囲のダイシングテープ２
   を、その表面のすりばち状の凹面に真空で吸引し
   て引き下げ、前記半導体素子１を前記ダイシング
   テープ２から剥離させる真空吸着板４とを有する
   ことを特徴とする半導体素子剥離装置。