JPH0342687Y2 - - Google Patents

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JPH0342687Y2
JPH0342687Y2 JP19508485U JP19508485U JPH0342687Y2 JP H0342687 Y2 JPH0342687 Y2 JP H0342687Y2 JP 19508485 U JP19508485 U JP 19508485U JP 19508485 U JP19508485 U JP 19508485U JP H0342687 Y2 JPH0342687 Y2 JP H0342687Y2
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cutting
duct
lead frame
semiconductor element
element mounting
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、樹脂封止済みの半導体素子をリード
フレームから分離する装置に関する。
〔従来技術〕
従来のこの種の分離装置は、第2図に示すよう
に構成されている。1は切断用上型、2は切断用
下型であり、その下型2の素子載置部21,22
の上にリードフレーム3に樹脂封止された半導体
素子4を載せて、上型1の凸形状の切断部11〜
13の降下により、そのリードフレーム3に予め
第3図に示すように切込みaで形成されたノツチ
部31〜34を押し切るようにしたものである。
なお、リードフレームのダイアイランドに臨む
複数のリードの部分の切断は上記工程の以前の工
程で既に行われている。ここでの分離切断はダイ
アイランドそのものを分離する工程である。
そして、このようにして分離された後のリード
フレーム3の切り屑は、下型2の下方に落下する
と共に、その下型2の周囲、すなわち素子載置部
21,22の相互間の間〓、およびそれら素子載
置部21,22と外枠部分との間の間〓のすべて
を囲むように、結合されたダクト5から負圧吸引
されて除去される。
ところが、この吸引機構は、その吸引力を強め
ると分離された素子4そのものが吸引される恐れ
があり、また弱くすると素子載置部21,22の
上に切屑が残つて、次にその載置部21,22に
送りこまれてくる素子に傷を付ける恐れがある。
そこで従来では、エアーブローをかけて、型内
に残留した切屑を下型2からダクト5内に落下さ
せて除去していたが、これによれば切屑ガ飛散し
た場合に別の問題を引き起こす要因となつてい
た。
〔考案の目的〕
本考案の目的は、上記したようなエアブローを
かけなくても、切屑を完全に除去できようにした
分離装置を提供することである。
〔考案の構成〕
このために本考案は、リードフレームに一体的
に連結された複数の樹脂封止済みの半導体素子の
各々を載置するための複数の素子載置部を有する
切断用下型と、該切断用下型の枠部と上記素子載
置部との間の間〓および上記素子載置部の相互間
の間〓に対向する凸形状の複数の切断部を有する
切断用上型と、上記切断用下型の上記複数の間〓
の全てを囲むように設けた負圧吸引用の外側ダク
トとを具備し、上記半導体素子を上記素子載置部
に載せ、上記切断用上型を上記切断用下型に対し
て相対的に移動させ、上記切断部により上記リー
ドフレームの上記半導体素子縁部を切断して、上
記半導体素子をリードフレームから分離する装置
において、上記切断用下型の上記複数の素子載置
部の相互間の間〓を負圧吸引する内側ダクトを設
け、該内側ダクトの吸引力を上記外側ダクトのそ
れよりも強くしたものである。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例について説明する。第1
図はその一実施例を示す図であり、上記した第2
図におけるものと同一のものには同一の符号を附
した。
本実施例では、下型2における素子載置台2
1,22の相互間の間〓23に連続するように、
小口径のダクト6の先端を結合し、そのダクト6
をダクト5の内部に設けて、両ダクト5,6を同
一吸引装置に接続している。
従つて、ダクトは二重構造となるので、外側の
ダクト5と内側のダクト6との間、つまり外側の
ダクト5に絞り7を設ければ、この絞り7制御す
ることにより、両ダクト5,6の吸引力に差をつ
けて、内側のダクト6の吸引力を強くすることが
できる。
内側のダクト6が結合する間〓23は素子4よ
りも小さく、従つて素子4がそこから吸引される
恐れがなく、しかも従来ではこの部分に残る切屑
が問題となつていたので、その間〓23を吸引す
る吸引力を強くすることにより、残留切屑を完全
に無くすることかできる。
外側のダクト5が吸引する間〓24,25につ
いては、あまり吸引力を強くすると素子4そのも
のが吸引される恐れがあるので、従来程度とす
る。
〔考案の効果〕
以上から本考案によれば、吸引ダクトを二重構
造として内側ダクトの吸引力を大きくしたので、
その内側ダクトにより切屑が残留し易い局所の吸
引を行うことができ、切屑除去能率を向上させる
ことができる。また、ダクトを切断型の各々の間
〓に設ける場合に比較して、外径が小型化すると
共に扱いが単純化される。更に、エアブローをか
ける必要がなくなるので、切屑飛散による問題も
生じることはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の分離装置の説明図、第2図は
従来の分離装置の説明図、第3図はリードフレー
ムの分離すべき部分に形成した切込みを示す図で
ある。 1……切断上型、2……切断下型、3……リー
ドフレーム、4……半導体素子、5……外側のダ
クト、6……内側のダクト、7……絞り。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) リードフレームに一体的に連結された複数の
    樹脂封止済みの半導体素子の各々を載置するた
    めの複数の素子載置部を有する切断用下型と、
    該切断用下型の枠部と上記素子載置部との間の
    間〓および上記素子載置部の相互間の上記半導
    体素子より小さい間〓に対向する凸形状の複数
    の切断部を有する切断用上型と、上記切断用下
    型の上記複数の間〓の全てを囲むように設けた
    負圧吸引用の外側ダクトとを具備し、上記半導
    体素子を上記素子載置部に載せ、上記切断用上
    型を上記切断用下型に対して相対的に移動さ
    せ、上記切断部により上記リードフレームの上
    記半導体素子縁部を切断して、上記半導体素子
    をリードフレームから分離する装置において、 上記切断用下型の上記複数の素子載置部の相
    互間の間〓を負圧吸引するための内側ダクトを
    設け、該内側ダクトの吸引力を上記外側のダク
    トのそれよりも強くしたことを特徴とする半導
    体素子の分離装置。 (2) 上記外側ダクトと上記内側ダクトを同一吸引
    装置に接続し、且つ上記外側ダクトと上記内側
    ダクトとの間に絞りを設けたことを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体素
    子の分離装置。
JP19508485U 1985-12-20 1985-12-20 Expired JPH0342687Y2 (ja)

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JP19508485U JPH0342687Y2 (ja) 1985-12-20 1985-12-20

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JP19508485U JPH0342687Y2 (ja) 1985-12-20 1985-12-20

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JPS62103253U JPS62103253U (ja) 1987-07-01
JPH0342687Y2 true JPH0342687Y2 (ja) 1991-09-06

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