JPH0342885A - 非線形素子の製造方法 - Google Patents
非線形素子の製造方法Info
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- JPH0342885A JPH0342885A JP1177040A JP17704089A JPH0342885A JP H0342885 A JPH0342885 A JP H0342885A JP 1177040 A JP1177040 A JP 1177040A JP 17704089 A JP17704089 A JP 17704089A JP H0342885 A JPH0342885 A JP H0342885A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリックス方式液晶表示パネル
において液晶スイッチング素子に用いられる金属−絶縁
体−金属構造を有する非線形素子（以下、ＭＩＭと記す
）の製造方法に関する。
において液晶スイッチング素子に用いられる金属−絶縁
体−金属構造を有する非線形素子（以下、ＭＩＭと記す
）の製造方法に関する。
液晶表示パネルは実用化が進み、現在では高品質高密度
化が望まれている。これは、ＭＩＭ素子を用いたアクテ
ィブマトリックス方式において可能である。
化が望まれている。これは、ＭＩＭ素子を用いたアクテ
ィブマトリックス方式において可能である。
ＭＩＭ素子においては、導電体は金属としてみなすこと
ができ、例えばタンタル（Ｔａ）−酸化タンタル（Ｔ
ａ Ｏ）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属
−絶縁体一導電体（金属）構造のＭＩＭ素子を液晶表示
パネルに使用する場合、次のような工程により製造する
ことができる。
ができ、例えばタンタル（Ｔａ）−酸化タンタル（Ｔ
ａ Ｏ）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属
−絶縁体一導電体（金属）構造のＭＩＭ素子を液晶表示
パネルに使用する場合、次のような工程により製造する
ことができる。
第４図−）は液晶表示パネルを示す平面図、第４図（ｂ
）は第４図（ａ）におけるＣ−Ｄ断面の拡大した断面図
である。以下、第４図（ａ）、（ｂ）を交互に参照して
説明する。ガラス基板１上にＴａをスパッタリング法に
より形成し、フォトエツチングによりＭＩＭ素子の下層
金属２と配線５を形成する。次に陽極酸化法によりＴａ
表面に絶縁体３としてＴａＯを形成する。
）は第４図（ａ）におけるＣ−Ｄ断面の拡大した断面図
である。以下、第４図（ａ）、（ｂ）を交互に参照して
説明する。ガラス基板１上にＴａをスパッタリング法に
より形成し、フォトエツチングによりＭＩＭ素子の下層
金属２と配線５を形成する。次に陽極酸化法によりＴａ
表面に絶縁体３としてＴａＯを形成する。
次に、下層金属２０段差部がガラス基板１の矢印１１で
示す移動方向に対して垂直になるようにガラス基板１を
配置し、ガラス基板１を矢印１１の方向に移動させなが
らスパッタリング法によりＩＴＯを形成し、フォトエツ
チングによりバターニングしＭＩＭ素子の上層金属４と
液晶駆動用画素電極６を形成する。
示す移動方向に対して垂直になるようにガラス基板１を
配置し、ガラス基板１を矢印１１の方向に移動させなが
らスパッタリング法によりＩＴＯを形成し、フォトエツ
チングによりバターニングしＭＩＭ素子の上層金属４と
液晶駆動用画素電極６を形成する。
上層金属４の段差被覆性は、ガラス基板１の移動方向に
より異なる。すなわち、ガラス基板１の移動方向に対し
て前側の段差は、上層金属４０段差被覆性は良い。しか
し、移動方向に対して後側の段差は、上層金属４０段差
被覆性は段差が陰となるため非常に悪い。これにより、
非線形素子の片側に上層金属４の断線が発生しやすい。
より異なる。すなわち、ガラス基板１の移動方向に対し
て前側の段差は、上層金属４０段差被覆性は良い。しか
し、移動方向に対して後側の段差は、上層金属４０段差
被覆性は段差が陰となるため非常に悪い。これにより、
非線形素子の片側に上層金属４の断線が発生しやすい。
また、上層金属４の断線が発生しなくても上層金属４が
下層金属２の段差部で膜厚が他に比べ薄くなる。このた
め、第５図に示すようにこの段差部分にエツチング液が
入り込み、段差部分で上層金属４のサイドエツチングが
進行し、絶縁体３を介して下層金属２と上層金属４とが
重なった領域、すなわち素子面積のバラツキが生じる。
下層金属２の段差部で膜厚が他に比べ薄くなる。このた
め、第５図に示すようにこの段差部分にエツチング液が
入り込み、段差部分で上層金属４のサイドエツチングが
進行し、絶縁体３を介して下層金属２と上層金属４とが
重なった領域、すなわち素子面積のバラツキが生じる。
本発明の目的は、このような課題を解決し、断線及び素
子面積バラツキの少ない、高品質高密度の液晶表示パネ
ルの製造方法を提供することである。
子面積バラツキの少ない、高品質高密度の液晶表示パネ
ルの製造方法を提供することである。
上記の目的は、上層金属をインライン式スパクタリング
装置により形成する際、非線形素子の下層金属の段差部
がガラス基板の移動方向に対して垂直になるようにガラ
ス基板を配置し、ガラス基板を第１の方向に移動させ上
層金属を形成し、次にガラス基板を第１方向に対して反
対の方向の第２の方向に移動させさらに下層金属を形成
する工程とを用いることによって解決される。
装置により形成する際、非線形素子の下層金属の段差部
がガラス基板の移動方向に対して垂直になるようにガラ
ス基板を配置し、ガラス基板を第１の方向に移動させ上
層金属を形成し、次にガラス基板を第１方向に対して反
対の方向の第２の方向に移動させさらに下層金属を形成
する工程とを用いることによって解決される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は、本実施例により製作したＭＩＭ素子を用いた
液晶表示パネルを示す平面図、第１図（ａ）〜（ｄ）は
、製造方法を工程順に示す第２図Ａ−Ｂ断面の拡大した
断面図、第３図は本発明の実施例で使用するインライン
スパッタリング装置の概略図である。以下、第１図、第
２図及び第３図を交互に参照して説明する。
液晶表示パネルを示す平面図、第１図（ａ）〜（ｄ）は
、製造方法を工程順に示す第２図Ａ−Ｂ断面の拡大した
断面図、第３図は本発明の実施例で使用するインライン
スパッタリング装置の概略図である。以下、第１図、第
２図及び第３図を交互に参照して説明する。
まず、第１図（ａ）に示すようにガラス基板１上にＴａ
をスパッタリング法により、厚さ ２００ｎｍ〜ｌ１００Ｏｎ形成し、フォトエツチングに
よりバターニングを行ない、Ｔａからなる下層金属２及
び配線５を形成する。
をスパッタリング法により、厚さ ２００ｎｍ〜ｌ１００Ｏｎ形成し、フォトエツチングに
よりバターニングを行ない、Ｔａからなる下層金属２及
び配線５を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、クエン酸０．１％水
溶液中、３０Ｖの電圧で、Ｔａを陽極酸化し一１下層金
属２表面に絶縁体６としてＴａＯを、厚さ５Ｑｎｍ形成
する。
溶液中、３０Ｖの電圧で、Ｔａを陽極酸化し一１下層金
属２表面に絶縁体６としてＴａＯを、厚さ５Ｑｎｍ形成
する。
次に、インライン式スパクタリング装置を用いて、第１
図（Ｃ）、第３図（ａ）に示すように、下層金属２０段
差部がガラス基板１の移動方向に対して垂直になるよう
にガラス基板１を配置し、ガラス基板１を第１の方向８
に移動させながら下記に記載するスパッタリング条件よ
り上層金属４及び液晶駆動用画素電極６としてＩＴＯを
、厚さ５０ ｎ ｍ 〜２００ ｎ ｍ形成する。
図（Ｃ）、第３図（ａ）に示すように、下層金属２０段
差部がガラス基板１の移動方向に対して垂直になるよう
にガラス基板１を配置し、ガラス基板１を第１の方向８
に移動させながら下記に記載するスパッタリング条件よ
り上層金属４及び液晶駆動用画素電極６としてＩＴＯを
、厚さ５０ ｎ ｍ 〜２００ ｎ ｍ形成する。
ターゲット−Ｉ ＴＯ（Ｓｎ０２５ｗｔ％〜１０ｗｔ％
含有） ガ ス 種・・・Ａｒまたは０２またはそれらの混合ガ
ス ガ ス 圧…１ｍｍｔｏｒｒ〜１０ｍｍｔｏｒｒＲ
，Ｆ電力−０，５Ｗ／ｃ［〜５ Ｗ／ Ｃ％基板移動速
度”’ ０．１ｃｒｒＬ／ｍｍ 〜１０ｔｙｎ／ｍｉｎ
基板温度・・・１００ ’Ｇ〜５００°Ｇインラインス
パッタリング装置は、第３図に示すようにガラス基板１
がターゲット７上を移動しながら、連続的に膜を形成す
る。
含有） ガ ス 種・・・Ａｒまたは０２またはそれらの混合ガ
ス ガ ス 圧…１ｍｍｔｏｒｒ〜１０ｍｍｔｏｒｒＲ
，Ｆ電力−０，５Ｗ／ｃ［〜５ Ｗ／ Ｃ％基板移動速
度”’ ０．１ｃｒｒＬ／ｍｍ 〜１０ｔｙｎ／ｍｉｎ
基板温度・・・１００ ’Ｇ〜５００°Ｇインラインス
パッタリング装置は、第３図に示すようにガラス基板１
がターゲット７上を移動しながら、連続的に膜を形成す
る。
次に、第１図（ｄ）、第３図（ｂ）に示すように、ガラ
ス基板１を第１の方向８に対して１８０°回転した反対
の方向の第２の方向９に移動させながら前記スパッタリ
ング条件によりＩＴＯを、第１図（ｃ）を用いて説明し
たＩＴＯ上にさらに ５Ｑｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で形成する。これにより、
ガラス基板１の移動方向の差による段差被良性の差は補
正され、均一に段差を被覆することができる。
ス基板１を第１の方向８に対して１８０°回転した反対
の方向の第２の方向９に移動させながら前記スパッタリ
ング条件によりＩＴＯを、第１図（ｃ）を用いて説明し
たＩＴＯ上にさらに ５Ｑｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で形成する。これにより、
ガラス基板１の移動方向の差による段差被良性の差は補
正され、均一に段差を被覆することができる。
最後に、フォトエツチングによりバターニングを行い、
ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上層金属４及び液晶駆動用
画素電極６を形成する。
ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の上層金属４及び液晶駆動用
画素電極６を形成する。
なお、第１の方向８０時の上層金属４の形成と第２の方
向９の時の上層金属４の形成とは、同−真空内で行うこ
とが望ましいが、−度大気中に出してもかまわない。
向９の時の上層金属４の形成とは、同−真空内で行うこ
とが望ましいが、−度大気中に出してもかまわない。
本実施例では、絶縁体６の形成方法として陽極酸化法を
用いた例で説明したが、スパッタリング法またプラズマ
化学気相成長法などを用いても、酸化シリコン膜や窒化
シリコン膜等からなる絶縁体６を形成しても良い。
用いた例で説明したが、スパッタリング法またプラズマ
化学気相成長法などを用いても、酸化シリコン膜や窒化
シリコン膜等からなる絶縁体６を形成しても良い。
また本実施例では、下層金属２としてＴａ、上層金属４
としてＩＴＯ，絶縁体６としてＴａＯを用いたが、上層
及び下層金属として、アル□ニウム、クロム、タングス
テン、ニッケルなどの他の金属、絶縁体として窒化シリ
コンや酸化シリコン等を用いてもＭＩＭ素子を製造する
ことができる。
としてＩＴＯ，絶縁体６としてＴａＯを用いたが、上層
及び下層金属として、アル□ニウム、クロム、タングス
テン、ニッケルなどの他の金属、絶縁体として窒化シリ
コンや酸化シリコン等を用いてもＭＩＭ素子を製造する
ことができる。
第１図
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、上層金
属の段差被覆性が向上し断線やエンチング液のしみ込み
による素子面積バラツキを抑えることが可能となり、高
品質高密度の液晶表示パネルを得ることができる。
属の段差被覆性が向上し断線やエンチング液のしみ込み
による素子面積バラツキを抑えることが可能となり、高
品質高密度の液晶表示パネルを得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明におけるＭＩＭ素子の製
造方法を工程順に示す断面図、第２図は本発明における
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルを示す平面図、第３
図（ａ）、（ｂ）はインラインスパッタリング装置を示
す概略断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来例における
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルを示し、第４図（ａ
）は平面図、第４図（ｂ）は断面図、第５図は従来例に
おけるＭＩＭ素子の課題を説明するための斜視図である
。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・下層金
属、３・・・・・・絶縁体、 ４・・・・・・
上層金属、５・・・・・・配線、 ６・・・・
・・液晶駆動用画素（ｂ） （Ｃ） 第１図 （（ｉ） ２、下Ｊ１合鳥 ３、絶縁体 ４、よＭ金属 ぐ＝＝コ）９ 第３図 （ａ） （ｂ）
造方法を工程順に示す断面図、第２図は本発明における
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルを示す平面図、第３
図（ａ）、（ｂ）はインラインスパッタリング装置を示
す概略断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来例における
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示パネルを示し、第４図（ａ
）は平面図、第４図（ｂ）は断面図、第５図は従来例に
おけるＭＩＭ素子の課題を説明するための斜視図である
。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・下層金
属、３・・・・・・絶縁体、 ４・・・・・・
上層金属、５・・・・・・配線、 ６・・・・
・・液晶駆動用画素（ｂ） （Ｃ） 第１図 （（ｉ） ２、下Ｊ１合鳥 ３、絶縁体 ４、よＭ金属 ぐ＝＝コ）９ 第３図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- ガラス基板上に下層金属−絶縁体−上層金属構造を有す
る非線形素子の、該上層金属をインライン式スパッタリ
ング装置により形成する非線形素子の製造方法において
、前記非線形素子の下層金属の段差部が前記ガラス基板
の移動方向に対して垂直になるようにガラス基板を配置
し、前記ガラス基板を第１の方向に移動させ前記上層金
属を形成する工程と、前記ガラス基板を前記第１の方向
に対して反対の方向の第２の方向に移動させさらに前記
下層金属を形成する工程とを有することを特徴とする非
線形素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177040A JPH0342885A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 非線形素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177040A JPH0342885A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 非線形素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342885A true JPH0342885A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16024094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177040A Pending JPH0342885A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 非線形素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654207A (en) * | 1903-02-03 | 1997-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making two-terminal nonlinear device and liquid crystal apparatus including the same |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177040A patent/JPH0342885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654207A (en) * | 1903-02-03 | 1997-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making two-terminal nonlinear device and liquid crystal apparatus including the same |
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