JPS6113227A - 電極配線の接続方法 - Google Patents
電極配線の接続方法Info
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- JPS6113227A JPS6113227A JP13207084A JP13207084A JPS6113227A JP S6113227 A JPS6113227 A JP S6113227A JP 13207084 A JP13207084 A JP 13207084A JP 13207084 A JP13207084 A JP 13207084A JP S6113227 A JPS6113227 A JP S6113227A
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- electrode
- ito
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は透明導電膜であるＩ’ｌ’ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｈｉｎ ０ｘｉｄｅ ）電極と他の電極配線との接続
方法に関する。
Ｔｈｉｎ ０ｘｉｄｅ ）電極と他の電極配線との接続
方法に関する。
ＩＴＯ［極と他の電極配線とを接続している例として、
液晶表示装置がｂる。Ｉ！＃に近年開発が盛んになった
スイッチングトランジスタを用いたアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置（ＴＰＴ−ＬＯＤと称す）Ｋ於いて
は、スイッチングトランジスタのトレー７と表示用透明
電極でらるＩＴＯとを接続するためにアルミニウム（Ａ
Ｊ ）電極配線が使われている。’Ｉ’ＦＴ−ＬＯＤＶ
ｃｔｉ少なくとも表示画素だけのＩＴＯ−ＡＩ！の接続
点がちることになる。
液晶表示装置がｂる。Ｉ！＃に近年開発が盛んになった
スイッチングトランジスタを用いたアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置（ＴＰＴ−ＬＯＤと称す）Ｋ於いて
は、スイッチングトランジスタのトレー７と表示用透明
電極でらるＩＴＯとを接続するためにアルミニウム（Ａ
Ｊ ）電極配線が使われている。’Ｉ’ＦＴ−ＬＯＤＶ
ｃｔｉ少なくとも表示画素だけのＩＴＯ−ＡＩ！の接続
点がちることになる。
ところが、ＩＴＯ−Ａｌの積層構造の接続点（コノタク
ト）は、高抵抗化し易（ＴＰＴ−ＬＣＤ＾制鳩色〒卯Ｐ
ＩＭ＾緑Ｍ巧弔 π惺仕ｆもリイ書礒へことが判った（
第３図、接触面積１６μｍ×１６μｍ）。この場合、Ｉ
ＴＯ−ＡＩ！のコンタクト構造では、１３０°０の熱処
理（これはＰＥＰ工程の温度）で丁でに高抵抗化してお
り、１６μｍ×１６μｍの面積の抵抗はおよそ２にΩに
なってしまう。この抵抗値は熱処理温度の上昇とともに
激増し３５０°Ｃ１１時間の熱処理によっておよそ２Ｍ
Ωの接触抵抗になってしまう。また、抵抗値のノくラツ
キも大きく処理温度の増加に伴ってノくラツキの程度も
大きくなるという問題がらる。
ト）は、高抵抗化し易（ＴＰＴ−ＬＣＤ＾制鳩色〒卯Ｐ
ＩＭ＾緑Ｍ巧弔 π惺仕ｆもリイ書礒へことが判った（
第３図、接触面積１６μｍ×１６μｍ）。この場合、Ｉ
ＴＯ−ＡＩ！のコンタクト構造では、１３０°０の熱処
理（これはＰＥＰ工程の温度）で丁でに高抵抗化してお
り、１６μｍ×１６μｍの面積の抵抗はおよそ２にΩに
なってしまう。この抵抗値は熱処理温度の上昇とともに
激増し３５０°Ｃ１１時間の熱処理によっておよそ２Ｍ
Ωの接触抵抗になってしまう。また、抵抗値のノくラツ
キも大きく処理温度の増加に伴ってノくラツキの程度も
大きくなるという問題がらる。
このＩＴＯ−１構造の高抵抗化はＬＣＤのＩＴＯ表示電
極に所定の電圧を印加出来ないという現象を引き起し、
表示欠陥となって品位を著しく低下させる。
極に所定の電圧を印加出来ないという現象を引き起し、
表示欠陥となって品位を著しく低下させる。
また、ＩＴＯを配線として用いたＬＣＤにおいても、Ｉ
ＴＯ−１のコンタクト抵抗が高くなることは、ＩＴＯ配
線に電圧を加えることが出来な゛くなることを意味し、
ＬＣＤの線欠陥を引き起す問題となる。
ＴＯ−１のコンタクト抵抗が高くなることは、ＩＴＯ配
線に電圧を加えることが出来な゛くなることを意味し、
ＬＣＤの線欠陥を引き起す問題となる。
本発明は上述した従来の接続方法の問題点を解決したも
ので、ＴＰＴ−ＬＣＤ製造工程中の熱処理でも高抵抗化
しないＩＴＯ−金属の電極配線の接続方法を提供するも
のである。
ので、ＴＰＴ−ＬＣＤ製造工程中の熱処理でも高抵抗化
しないＩＴＯ−金属の電極配線の接続方法を提供するも
のである。
本発明はＩＴＯと電極金属のコンタクト部分に高融点金
属層を設けたものである。すなわち、Ｍを電極金属とし
た場合、クロム（Ｏｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタ
ル（Ｔａ）、チタｙ（Ｔｉ）等の高融点金属ｓｓるいは
ニクロム（Ｎｉ−Ｏｒ） 、チタン−タングステン（Ｔ
ｉ−Ｗ）等の高融点金属合金層をＩＴＯとＡｌの間に設
ける電極配線の接続方法である。
属層を設けたものである。すなわち、Ｍを電極金属とし
た場合、クロム（Ｏｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタ
ル（Ｔａ）、チタｙ（Ｔｉ）等の高融点金属ｓｓるいは
ニクロム（Ｎｉ−Ｏｒ） 、チタン−タングステン（Ｔ
ｉ−Ｗ）等の高融点金属合金層をＩＴＯとＡｌの間に設
ける電極配線の接続方法である。
本発明によるＩＴＯ−高融点金層−Ａｌというコンタク
ト構造にすることによって、３５０°０の熱処理工程を
経ても、コンタクトの接触抵抗はほとんど増加しなくな
った。ＴＰＴ−ＬＣＤの製造工程中の最高温度は３００
°Ｃでらるから、本発明によるコンタクト構造であれば
高抵抗化することがなく、ＬＣＤの表示欠陥を減らすこ
とが出来る。
ト構造にすることによって、３５０°０の熱処理工程を
経ても、コンタクトの接触抵抗はほとんど増加しなくな
った。ＴＰＴ−ＬＣＤの製造工程中の最高温度は３００
°Ｃでらるから、本発明によるコンタクト構造であれば
高抵抗化することがなく、ＬＣＤの表示欠陥を減らすこ
とが出来る。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本発明の接続点（コンタクト）付近の縦断面図を示
している。本実施例では高融点金属としてＯｒ を用い
た場合を示している。すなわちガラス基板（１）上に厚
さ２００ＯＡのＩＴＯｉ［極（２）が形成されておシ、
さらにこの一部に本発明の特徴である高融点金属Ｏｒ
層（３）が厚さ３００Ａで設けられている。Ｏｒ＃−ｔ
Ｅ −ｇｕｎ蒸着法で推程すれば良いＰＥＰ技術によっ
て所定の大きさのＯｒ層を残す。Ｏｒのエツチングは、
ネガレジストマスクツ場合は水酸化ナトリウム：フェリ
ファン化カリウム：水の混液で、ポジレジストマスクの
場合は？ｉ！［第２セリウムアンモニウム：過塩素ｆＲ
：水の混液で行なった。続いて、Ｂ−ｇｕｎ蒸着法によ
って厚さ１．（１ｍのＡＪ層（４）を堆積、所定の形状
にバターニングする。Ｏｒ層（３）の面積は必要最少限
で良く、流すｔｉ値によって決められる。例えば、 Ｏ
ｒ層の面積が１６μｍ×１６μｍの場合の接触抵抗はお
よそ３Ωでらる。また、 Ｏｒの必要な厚さはおよそ２
００Ｘでちり、それ以上であれば、３５０°Ｃの熱処理
でも高抵抗化を防止できる。
図は本発明の接続点（コンタクト）付近の縦断面図を示
している。本実施例では高融点金属としてＯｒ を用い
た場合を示している。すなわちガラス基板（１）上に厚
さ２００ＯＡのＩＴＯｉ［極（２）が形成されておシ、
さらにこの一部に本発明の特徴である高融点金属Ｏｒ
層（３）が厚さ３００Ａで設けられている。Ｏｒ＃−ｔ
Ｅ −ｇｕｎ蒸着法で推程すれば良いＰＥＰ技術によっ
て所定の大きさのＯｒ層を残す。Ｏｒのエツチングは、
ネガレジストマスクツ場合は水酸化ナトリウム：フェリ
ファン化カリウム：水の混液で、ポジレジストマスクの
場合は？ｉ！［第２セリウムアンモニウム：過塩素ｆＲ
：水の混液で行なった。続いて、Ｂ−ｇｕｎ蒸着法によ
って厚さ１．（１ｍのＡＪ層（４）を堆積、所定の形状
にバターニングする。Ｏｒ層（３）の面積は必要最少限
で良く、流すｔｉ値によって決められる。例えば、 Ｏ
ｒ層の面積が１６μｍ×１６μｍの場合の接触抵抗はお
よそ３Ωでらる。また、 Ｏｒの必要な厚さはおよそ２
００Ｘでちり、それ以上であれば、３５０°Ｃの熱処理
でも高抵抗化を防止できる。
第２図は、接触面積が１６μｍ×１６μｍのコンタクト
の抵抗値９熱処理依存性を示している。熱処理に窒素中
で１時間行なった。
の抵抗値９熱処理依存性を示している。熱処理に窒素中
で１時間行なった。
本発明によるｌ ＴＯ−Ｏｒ −ｋｌのコンタクト構造
ではＰＥＰ工程での１３０°Ｃの熱処理では変化せず、
３００°０の熱処理までは接触抵抗値はほとんど
゛変化しない。すなわち、１３０°Ｃの接触抵抗の値は
ＩＴＯ−１の場合に比べて極めて小さく、およそ１／１
５０ Ｖｃなっており、高抵抗化を肪ぐことかできる。
ではＰＥＰ工程での１３０°Ｃの熱処理では変化せず、
３００°０の熱処理までは接触抵抗値はほとんど
゛変化しない。すなわち、１３０°Ｃの接触抵抗の値は
ＩＴＯ−１の場合に比べて極めて小さく、およそ１／１
５０ Ｖｃなっており、高抵抗化を肪ぐことかできる。
伺、上記実施例では、Ｏｒ層を設けた場合についで述べ
たが、Ｍｏ 、Ｔａ 、Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｃｏ 、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ 、Ｚｒ 。
たが、Ｍｏ 、Ｔａ 、Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｃｏ 、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ 、Ｚｒ 。
Ｈｆ 、Ｎｉ−０ｒ 、Ｔｉ −Ｗ等の高融点金属酸ｖ
−’ｉ合金層を用いても、同様の効果が得られる。
−’ｉ合金層を用いても、同様の効果が得られる。
また、Ａｌ電極以外ＩＣＡｇ１ｌるいはシリコン等の場
合でも、高融点金属層を設けることによって接触抵抗の
高抵抗化が防げた。
合でも、高融点金属層を設けることによって接触抵抗の
高抵抗化が防げた。
ＩＴＯ−Ｏｒ−ＡＪＱｙ層順序を逆にしても（すなわち
ＡＪを下、Ｉ’ｌ’０を上）高抵抗化を防ぐことが出来
る。
ＡＪを下、Ｉ’ｌ’０を上）高抵抗化を防ぐことが出来
る。
第１図は本発明の詳細な説明する縦断面、第２図は第１
図に示す電極構造の接触抵抗と熱処理温度の関係を示す
図、第３図は従来例を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・、ＩＴＯ電極３・・・０
１層 ４・・・、１層代理人 弁理士 則 近
憲 佑（ほか１名）第 １ 図 ｓ２図
図に示す電極構造の接触抵抗と熱処理温度の関係を示す
図、第３図は従来例を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・、ＩＴＯ電極３・・・０
１層 ４・・・、１層代理人 弁理士 則 近
憲 佑（ほか１名）第 １ 図 ｓ２図
Claims (5)
- （１）透明導電膜からなる第１の電極配線と金属からな
る第２の電極配線との接続を高融点金属層を介して行な
うことを特徴とする電極配線の接続方法。 - （２）第１の電極配線はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｈｉ
ｎＯｘｉｄｅ）電極からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電極配線の接続方法。 - （３）第２の電極配線はＡｌからなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電極配線の接続方法。 - （４）高融点金属層はＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆのいずれかの金属からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電極配線の
接続方法。 - （５）高融点金属層はＮｉ−Ｃｒ、Ｔｉ−Ｗのいずれか
の合金層からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電極配線の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13207084A JPS6113227A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 電極配線の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13207084A JPS6113227A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 電極配線の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113227A true JPS6113227A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15072808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13207084A Pending JPS6113227A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 電極配線の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6440881U (ja) * | 1987-09-05 | 1989-03-10 | ||
| JPS6455926U (ja) * | 1987-10-01 | 1989-04-06 | ||
| JPH01287625A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Seikosha Co Ltd | トップスタガー型非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP13207084A patent/JPS6113227A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6440881U (ja) * | 1987-09-05 | 1989-03-10 | ||
| JPS6455926U (ja) * | 1987-10-01 | 1989-04-06 | ||
| JPH01287625A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Seikosha Co Ltd | トップスタガー型非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ |
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