JPH0345474B2 - - Google Patents

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JPH0345474B2
JPH0345474B2 JP12644080A JP12644080A JPH0345474B2 JP H0345474 B2 JPH0345474 B2 JP H0345474B2 JP 12644080 A JP12644080 A JP 12644080A JP 12644080 A JP12644080 A JP 12644080A JP H0345474 B2 JPH0345474 B2 JP H0345474B2
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JP
Japan
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circuit
signal
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supplied
output
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JP12644080A
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Masato Tanaka
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/08Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
    • H03K5/082Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、2値の信号、一般に複数値の信号
のデータを抜き取るデータ抜き取り回路に関す
る。
第1図に示すように、2値の入力信号SIが一定
振幅でかつバイアス変動もない場合には、図のよ
うに入力信号SIを一定レベルのスレツシヨールド
電圧EOでレベル比較することにより、入力信号SI
の「1」、「0」のデータを容易に抜き取ることが
できる。
しかしながら、入力信号SIが磁気テープから再
生されたデジタル信号やVTRの光学的周波数発
電機から得られる信号などであつて、第2図に示
すように振幅変動とバイアス変動があらる場合に
は、このように一定レベルのスレツシヨールド電
圧でレベル比較したのでは、入力信号SIの「1」、
「0」のデータを抜き取ることができない。
そこで、このように入力信号に振幅変動とバイ
アス変動がある場合でも入力信号のデータを確実
かつ正確に抜き取ることができるようにしたもの
が考えられた。
第3図は、その回路の一例で、入力信号SIがバ
ツフアアンプ1を通じて正ピークホールド回路2
及び負ピークホールド回路3に供給される。
正ピークホールド回路2及び負ピークホールド
回路3は、それぞれ、ダイオードD、抵抗R1
コンデンサC及び抵抗R2で構成され、ダイオー
ドDの向きが互いに逆になつている。抵抗R2
抵抗R1に比べて十分大きくされ、したがつて充
電時定数がC・R1になり、これが、ノイズで誤
動作しない程度に小さく選ばれる。また、放電時
定数がC・R2になり、これが、入力信号SIのデ
ータ波形そのものに追従せず、振幅変動とバイア
ス変動に追従する大きさに選ばれる。なお、たと
えば、正ピークホールド回路2のコンデンサC及
び抵抗R2の一端は負の直流電圧−EBの与えられ
る点に接続され、負ピークホールド回路3のコン
デンサC及び抵抗R2の一端は正の直流電圧+EB
の与えられる点に接続される。
したがつて、第2図に示すように、正ピークホ
ールド回路2からは入力信号SIの正ピークホール
ド電圧VPが、負ピークホールド回路3からは入
力信号SIの負ピークホールド電圧VMが、それぞ
れ得られる。
この正ピークホールド電圧VP及び負ピークホ
ールド電圧VMが可変抵抗器4の一端及び他端に
供給され、可変抵抗器4の可動子から正ピークホ
ールド電圧VP及び負ピークホールド電圧VMを適
当な比でたとえば1:1で加算した電圧VTが得
られる。なお、可変抵抗器4の可動子から回路2
側の部分及び回路3側の部分の抵抗は回路2及び
3の動作に影響を及ぼさないように抵抗R2に比
べて十分大きくされる。
そして、バツフアアンプ1を通じた入力信号SI
がレベル比較器5に供給され、可変抵抗器4の可
動子から得られる加算電圧VTがスレツシヨール
ド電圧としてレベル比較器5に供給されて、入力
信号SIがレベル比較される。なお、レベル比較器
5としてはヒステリシスをもつたものたとえばシ
ユミツトトリガ回路が用いられる。
したがつて、第2図に示すように、入力信号SI
は正ピークホールド電圧VPと負ピークホールド
電圧VMの中間の電圧VTをスレツシヨールド電圧
としてレベル比較され、図のように入力信号SI
振幅変動やバイアス変動があつても、レベル比較
器5の出力信号DOとして入力信号SIの「1」、
「0」のデータが確実かつ正確に抜き取られる。
ところで、この第3図のデータ抜き取り回路
は、上述のような低周波の振幅変動分を無視すれ
ば、データの振幅が一定であることが前提であつ
た。
ところが、一般に記録媒体や伝送媒体の周波数
特性は第4図に示すように高域で劣化するもので
あるため、高密度記録又は伝送を行なおうとする
とデータの振幅が一定でなくなる欠点が生じる。
すなわち、データのランレングス(「1」の状態
あるいは「0」の状態が続く長さ)がある値以上
のときは入力データの振幅はほぼ一定となるが、
ランレングスがその値以下となると、ランレング
スが短くなるにつれて振幅のピーク値が小さくな
る。したがつて、第3図の回路では正しいスレツ
シヨールド電圧が得られず、データの抽出が正し
く行なわれなくなる欠点があつた。
つまり、例えば再生データが第5図Aに示すよ
うにランレングスが変化するようなものの場合、
記録密度が低ければ、同図Bに示すように振幅は
ほぼ一定であるので、第3図の回路にてほぼ正し
くスレツシヨールド電圧VTが得られる。ところ
が、記録密度が高いと、短いランレングスのと
き、第4図Cに示すようにピークレベルが低くな
るため、第3図の回路で得られるスレツシヨール
ド電圧VTも同図Cの破線のようになり、正しい
データ抽出ができなくなつてしまうのである。
このように、第3図のデータ抜き取り回路で
は、高密度記録又は伝送の場合には、その再生デ
ータの正しい抜き取りができなくなつてしまうの
で、例えばデータをテープに記録する場合は、ラ
ンレングスによつて再生信号の振幅が変わらない
範囲で記録する必要があつた。このため、記録密
度を上げるのに限度があつた。
この発明はこの欠点を除去したデータ抜き取り
回路を提供しようとするものである。
すなわち、この発明は、入力信号の振幅はラン
レングスがある値以下のときは、その長さにほぼ
1対1に対応することを利用してランレングスの
長さに応じて、振幅補正をして、常に振幅がほぼ
一定となるようにし、この振幅一定の入力信号の
正及び負ピークホールド値からスレツシヨールド
電圧を得るようにしたものである。
以下、この発明回路の一例を図を参照しながら
説明しよう。
第7図に示すように、入力信号SI(第8図A)
がバツフアアンプ6に供給され、これより入力信
号と同極性でこれが増幅された信号が得られ、こ
のアンプ6の出力がレベル比較回路7に供給され
る。
アンプ6の出力は、また、バツフアアンプ8を
通じて第1の正及び負ピークホールド回路10に
供給される。この回路10において、抵抗Ra、
ダイオードDa、コンデンサCa、抵抗Raaにて正
ピークホールド回路11が構成され、抵抗Rb、
ダイオードDaと逆向きのダイオードDb、コンデ
ンサCb、抵抗Rbbにて負ピークホールド回路1
2が構成される。
一方、後述するようにして正しいスレツシヨー
ルド電圧と比較され、比較回路7より得られた出
力信号DO(第8図B)が第1の正及び負ピークホ
ールド回路10のリセツトパルスの形成回路30
に供給される。すなわち、信号DOがDフリツプ
フロツプ回路31のD端子に供給され、また、信
号DOより十分高い周波数のクロツクパルスCP
このフリツプフロツプ回路31のクロツク端子に
供給される。したがつて、このフリツプフロツプ
回路31より信号DOよりクロツクパルスCPの1
クロツク分遅れた信号Q1(第8図C)及びその反
転信号1が得られる。そして、この信号Q1は次
段のDフリツプフロツプ回路32のD端子に供給
され、そのクロツク端子にパルスCPが供給され、
これより信号Q1がクロツクパルスCPの1クロツ
ク分遅らされた信号Q2(第8図D)及びその反転
信号2が得られる。
そして、信号1と信号Q2とがアンドゲート3
3に供給され、これより信号Q1の立ち上がり時
点でクロツクパルスCPの1クロツク分のパルス
幅を有するリセツトパルスRP1(第8図E)が得
られる。また、信号Q1と信号2とがアンドゲー
ト34に供給され、これより信号Q1の立ち下が
り時点でクロツクパルスCPの1クロツク分のパ
ルス幅を有するリセツトパルスRP2(第8図G)
が得られる。
そして、パルスRP1はスイツチ回路13に、パ
ルスRP2はスイツチ回路14に、それぞれ供給さ
れ、これらスイツチ回路13及び14がそれぞれ
のパルス幅期間にオンとされ、コンデンサCa及
びCbに蓄えられた電荷が瞬時に放電されて、ピ
ークホールド回路11及び12がリセツトされ
る。
したがつて、回路11よりは入力信号SIのその
立ち上がり時にリセツトされた状態の正ピークホ
ールド電圧EP(第8図F)が得られ、回路12よ
りは入力信号SIのその立ち下がり時にリセツトさ
れた状態の負ピークホールド電圧EMが得られる。
これらピークホールド電圧EP及びEMはそれぞれ
バツフアアンプ15及び16を通じて振幅補正回
路40のスイツチ回路41の一方及び他方の入力
端にそれぞれ供給される。
一方、4個のフリツプフロツプ回路が1つのパ
ツケージに収納された状態のICで構成された記
憶回路42の第1のD端子に出力信号DOが供給
される。また、この記憶回路42のクロツク端子
にはクロツクパルスCPが供給される。さらに、
Dフリツプフロツプ回路31の出力Q1とDフリ
ツプフロツプ回路32の出力2がイクスクルー
シブオアゲート43に供給され、これより信号
DOの立ち上がり時及び立ち下がり時のそれぞれ
からクロツクパルスCPの1クロツク分の期間ロ
ーレベルとなるパルスLP(第8図J)が得られ、
これが回路42のイネーブル端子に供給される。
したがつて、この記憶回路42の第1の出力端よ
りは信号Q1と同様の信号SW(第8図I)が得られ
る。そして、その反転信号Wがスイツチ回路4
1にそのスイツチング信号として供給され、この
スイツチ回路41が信号Wのハイレベルの期間
はアンプ15の出力の入力端側に、ローレベルの
期間はアンプ16の出力の入力端側に、それぞれ
切り換えられる。つまり、出力信号DOが「1」
である期間(実際にはこれより1クロツク分ずれ
た期間)ではスイツチ回路41よりは負ピークホ
ールド電圧EMが得られ、出力信号DOが「0」で
ある期間(同様に実際にはこれより1クロツク分
ずれた期間)ではスイツチ回路41よりは正ピー
クホールド電圧EPが得られ、これがゲイン制御
回路44に供給される。このゲイン制御回路44
はアンプ441と、ゲインセレクタ442と、ゲ
イン制御用の複数の抵抗、この例では8個の抵抗
Z1〜Z8からなり、ゲインセレクタ442のセレク
タ端子に供給される3ビツトの信号により8個の
抵抗Z1〜Z8が適宜例えば択一的に選択されてこれ
によりゲインが変えられるようにされている。
ゲインを変えるための3ビツトのデータは、信
号DOのランレングスが測定され、その長さに応
じて形成される。
すなわち、50はランレングスの測定回路で、
この例では8ビツトのカウンタで構成するが、こ
の8ビツトのカウンタは下位4ビツト用のカウン
タ51と、上位4ビツト用のカウンタ52とで構
成される。そして、これら2個のカウンタ51及
び52の入力クロツクとしてはクロツクパルス
CPが供給される。また、イクスクルーシブオア
ゲート43よりの信号DOの立ち上がり及び立ち
下がり時に得られるパルスLPが各カウンタ51
及び52のロード端子に供給されて、これにより
8ビツトのカウンタが初期値にプリセツトされ
る。したがつて、カウンタ51及び52では、パ
ルスLPの隣り合うパルス間の期間の間、クロツ
クパルスCPが初期値からカウントされることに
なる。つまり、パルスLPの直前のカウント値は
ランレングスに応じた値となつている。
そして、この例においては、初期値はカウント
値「148」の状態とされる。そして、下位4ビツ
ト用のカウンタ51の最上位ビツトの出力QDと、
上位4ビツト用のカウンタ52の最上位ビツトを
除く3ビツトの出力QA,QB,QCとから、前述の
3ビツトのゲインセレクトデータが形成される。
つまり、出力QCがアンドゲート45,46,
47に供給されるとともに、出力QBがアンドゲ
ート45に、出力QAがアンドゲート46に、出
力QDがアンドゲート47に、それぞれ供給され、
アンドゲート45,46,47の出力が、それぞ
れ記憶回路42の第2、第3、第4のD端子に供
給される。そして、この記憶回路42ではイネー
ブル端子に供給されるパルスLPがローレベルで
ある期間にクロツクパルスCPが供給されたとき、
第1〜第4のD端子に供給されている信号が読み
込まれて第1〜第4の出力端にその信号が得られ
る。
この記憶回路42の第2〜第4の出力端に得ら
れる信号はそれぞれ反転されてゲインセレクタ4
22のセレクト端子に供給される。
この例の場合、データのランレングスがちよう
ど1ビツトであるとき、そのランレングスを1T
とすると、ランレングスとカウント値の関係は第
6図の左側に示すようにされる。つまり、初期値
のランレングスは0Tでカウント値「148」、ラン
レングス1.5Tはカウント値「196」、ランレング
ス2Tはカウント値「212」、ランレングス2.5Tは
カウント値「225」、ランレングス3Tはカウント
値「244」とされる。そして、3ビツトのデータ
とカウント値との関係も同図に示す通りで、
「000」はカウント値「199」以下、「001」はカウ
ント値「200」から「207」まで、「010」はカウン
ト値「208」から「215」まで、……となる。そし
て、スイツチ回路41よりの信号に対するゲイン
は第6図にも示したように、ランレングスが長く
なるほどゲインが小さくなるようにセレクタ44
2にて選択される。
この場合、測定回路50ではランレングスは信
号DOのそれが実時間で測定されるのに対し、ス
イツチ回路41は信号DOがほぼ反転された状態
の信号Wによつて信号DOのローレベルの期間は
正ピークホールド出力側入力端に、信号DOのハ
イレベルの期間は負ピークホールド出力側入力端
に、それぞれ切り換えられるので、スイツチ回路
41の出力に得られる正及び負ピークホールド出
力は、それぞれデータのランレングス分ずつ遅れ
て取り出されることになる。したがつて、測定回
路50で、実時間で測定されたランレングスに応
じてゲイン制御回路44のゲインが、前述のよう
にランレングスが短いほど大きくなるようにされ
る。そして、その後そのランレングスの正あるい
は負ピークホールド電圧がこのゲイン制御回路4
4に供給されることになり、これにより回路44
よりはランレングスの長短にかかわらず振幅一定
の出力信号SII(第8図K)が得られる。この場
合、アンプ441は反転アンプであるので、出力
信号SIIは負極性であるとともに正ピークホール
ド値EPCと負ピークホールド値EMCとは逆転してい
る。
こうして得られた出力信号SIIはバツフアアン
プ60を通じて第2の正及び負ピークホールド回
路20に供給される。この回路20において、抵
抗R〓、ダイオードD〓、コンデンサC〓、抵抗R〓〓に
て正ピークホールド回路21が構成され、抵抗
R〓、ダイオードD〓と逆向きのダイオードD〓、コ
ンデンサC〓、抵抗R〓〓にて負ピークホールド回路
22が構成される。
そして、正ピークホールド回路21の出力電圧
と負ピークホールド回路22の出力電圧はそれぞ
れバツフアアンプ23及び24を通じて得られ
る。そしてこれらアンプ23及び24の出力は大
きさの等しい抵抗61及び62にて1:1で加算
され、この加算出力がアンプ6を通じた入力信号
SIに加算される。この加算出力はランレングスに
かかわらず振幅一定とされた信号から得たので入
力信号SIに対する正しいスレツシヨールド電圧
VTTであるが、逆極性となつている。したがつ
て、これが入力信号SIに加算されれば、その加算
出力としてはスレツシヨールド電圧の部分が零ボ
ルトとされた信号が得られ、これが比較回路7に
供給されることになる。したがつて、出力信号
DOは正しくデータが抜き取られた状態の信号と
なる。
なお、この例の場合、第1正及び負ピークホー
ルド回路10の入力としては、入力信号SIから第
2のピークホールド回路20の出力信号から得た
スレツシヨールド電圧VTTが差し引かれたものが
供給されることになるため、アンプ23及び24
の出力が抵抗63及び64にて同様に1:1で加
算され、その加算出力、すなわち、スレツシヨー
ルド電圧VTTがアンプ60の入力端に加えられて
いる。
以上のようにしてこの発明においてはデータの
ランレングスによつて入力データの振幅が変化し
ても、そのランレングスの長さに応じて入力信号
のピーク値を補正して振幅は一定となるようにし
たのでデータの正確な抜き取りができるものであ
る。
したがつて、記録媒体又は伝送媒体の周波数特
性が第4図のように高域の特性が劣化するような
ものであつても、高密度で記録又は伝送ができ
る。
つまり、第3図の抜き取り回路を用いたとき
は、ランレングスによつて振幅が変わらないよう
な記録密度あるいは伝送密度にしなければならな
いが、この発明による抜き取り回路によれば、第
3図の例の2倍以上の高密度記録及び伝送が可能
になるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はこの発明の説明のための波
形図、第3図は先に提案されたデータ抜き取り回
路の一例の接続図、第4図及び第5図はこの発明
の説明のための周波数特性図及び波形図、第6図
はこの発明の一例の動作の説明のための図、第7
図はこの発明によるデータ抜き取り回路の一例の
接続図、第8図はその動作の説明のための波形図
である。 7はレベル比較回路、10は第1の正及び負ピ
ークホールド回路、20は第2の正及び負ピーク
ホールド回路、40は振幅補正回路、50はラン
レングスの測定回路である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入力信号が供給される第1の正及び負ピーク
    ホールド回路と、この第1の正及び負ピークホー
    ルド回路から出力される信号が供給される振幅補
    正回路と、この振幅補正回路によつて振幅が補正
    された信号が供給される第2の正及び負ピークホ
    ールド回路と、この第2の正及び負ピークホール
    ド回路から出力される信号を互いに加算して得ら
    れた信号と上記入力信号とを比較してデータを抜
    き取るためのレベル比較回路と、このレベル比較
    回路から出力されるデータが供給されるランレン
    グス測定回路とを有し、このランレングス測定回
    路から出力される上記データのランレングスに対
    応する信号によつて上記振幅補正回路が制御され
    るようにされたデータ抜き取り回路。
JP12644080A 1980-09-11 1980-09-11 Data sampling circuit Granted JPS5752227A (en)

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