JPH034547A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH034547A JPH034547A JP1140475A JP14047589A JPH034547A JP H034547 A JPH034547 A JP H034547A JP 1140475 A JP1140475 A JP 1140475A JP 14047589 A JP14047589 A JP 14047589A JP H034547 A JPH034547 A JP H034547A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base film
- conductive lead
- semiconductor element
- protruding electrode
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業との利用分野
本発明は可撓性のベースフィルム上に多数の導電リード
を設けたフィルムキャリアと、多数の突起電極を有する
半導体素子を熱圧着によって接続するいわゆるギヤング
ボンディング方式の半導体装置に関するものである。
を設けたフィルムキャリアと、多数の突起電極を有する
半導体素子を熱圧着によって接続するいわゆるギヤング
ボンディング方式の半導体装置に関するものである。
従来の技術
ギヤングボンディング方式の半導体装置の従来例を第２
図（ａ）〜（Ｃ）に示す。半導体素子１の周辺部に設け
られた突起電極２にベースフィルム４から伸延した導電
リード３の端部が接続されている。
図（ａ）〜（Ｃ）に示す。半導体素子１の周辺部に設け
られた突起電極２にベースフィルム４から伸延した導電
リード３の端部が接続されている。
また導電リード３のベースフィルム４から伸延した部分
３ａも幅の一定な形状となっている。この一連の接続は
ボンディングツール５により導電リード３と突起電極２
を同時に熱圧着することで行う。
３ａも幅の一定な形状となっている。この一連の接続は
ボンディングツール５により導電リード３と突起電極２
を同時に熱圧着することで行う。
発明が解決しようとする課題
ベースフィルム４との導電リード３と半導体素子１との
接続は導電リード３と突起電極２を同時にボンディング
ツールで熱圧着することで行われる。
接続は導電リード３と突起電極２を同時にボンディング
ツールで熱圧着することで行われる。
しかし、半導体素子１とベースフィルム４の熱膨張率の
違いにより熱圧着時に半導体素子１とベースフィルム４
間の寸法変化が起き、導電り一ド３に引張り応力がかか
り、導電リード３のベースフィルム４と突起電極２間の
部分３ａの両端にクラック及び断線が発生するといった
問題点があった。
違いにより熱圧着時に半導体素子１とベースフィルム４
間の寸法変化が起き、導電り一ド３に引張り応力がかか
り、導電リード３のベースフィルム４と突起電極２間の
部分３ａの両端にクラック及び断線が発生するといった
問題点があった。
課題を解決するための手段
前記問題点を解決する本発明の技術的手段は、導電リー
ドのベースフィルムと突起電極間の部分の幅を細くする
ものである。
ドのベースフィルムと突起電極間の部分の幅を細くする
ものである。
作用
この手段による作用は次のようになる。つまり熱圧着時
の熱膨張率の差によるベースフィルムと半導体素子間の
寸法変化によって導電リードに生じる引張り応力は、導
電リードのベースフィルムと突起電極間の部分の幅を細
くしたため分散し、導電リードのベースフィルムと突起
電極間の両端への集中が弱められるようになる。この結
果、導電リードのベースフィルムと突起電極間の両端へ
のクラック及び断線の発生といった問題を解決できる。
の熱膨張率の差によるベースフィルムと半導体素子間の
寸法変化によって導電リードに生じる引張り応力は、導
電リードのベースフィルムと突起電極間の部分の幅を細
くしたため分散し、導電リードのベースフィルムと突起
電極間の両端への集中が弱められるようになる。この結
果、導電リードのベースフィルムと突起電極間の両端へ
のクラック及び断線の発生といった問題を解決できる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ） 、 （ｂ）及
び（Ｃ）で説明する。なお、従来例と同一箇所には同一
番号を付しである。
び（Ｃ）で説明する。なお、従来例と同一箇所には同一
番号を付しである。
本実施例においては半導体素子１の周辺部に設けられた
突起電極２にベースフィルム４から伸延された導電リー
ド３が接続されており、導電り−ド３のベースフィルム
４と突起電極２間の部分３ａにおいて第１図（ａ）及び
（ｂ）に示す様に中央部の幅は細い形状になっている。
突起電極２にベースフィルム４から伸延された導電リー
ド３が接続されており、導電り−ド３のベースフィルム
４と突起電極２間の部分３ａにおいて第１図（ａ）及び
（ｂ）に示す様に中央部の幅は細い形状になっている。
次にこの一実施例の構成における作用を説明する。ボン
ディングツール５によって、突起電極２と導電リード３
を熱圧着する際半導体素子１とベースフィルム４は熱膨
張による寸法変化を起こし導電リード３のベースフィル
ム４と突起電極２間の部分３ａの両端に引張り応力の集
中が発生するが、導電リード３のベースフィルム４と突
起電極２間の部分３ａを中央部の幅の細い形状にするこ
とにより、引張り応力は分散し、その集中は弱められ、
導電リード３のクラック及び断線といった不都合が生じ
ることがない。
ディングツール５によって、突起電極２と導電リード３
を熱圧着する際半導体素子１とベースフィルム４は熱膨
張による寸法変化を起こし導電リード３のベースフィル
ム４と突起電極２間の部分３ａの両端に引張り応力の集
中が発生するが、導電リード３のベースフィルム４と突
起電極２間の部分３ａを中央部の幅の細い形状にするこ
とにより、引張り応力は分散し、その集中は弱められ、
導電リード３のクラック及び断線といった不都合が生じ
ることがない。
なお、上記実施例では幅方向が細い形状について述べた
が、厚さ方向について細い形状としても効果があるのは
明白である。
が、厚さ方向について細い形状としても効果があるのは
明白である。
発明の効果
本発明は半導体素子の周辺部に形成した突起電極に接続
する導電リードの、ベースフィルムと突起電極間の部分
の形状を細くしたものである。これにより熱圧着の際に
生じるベースフィルムと半導体素子の熱膨張率の差によ
る寸法変化のために導電リードに加わる引張り応力を分
散させその集中を弱めることができるので、導電リード
のベースフィルムと突起電極間の両端のクラック及び断
線といった問題を解決することができる。
する導電リードの、ベースフィルムと突起電極間の部分
の形状を細くしたものである。これにより熱圧着の際に
生じるベースフィルムと半導体素子の熱膨張率の差によ
る寸法変化のために導電リードに加わる引張り応力を分
散させその集中を弱めることができるので、導電リード
のベースフィルムと突起電極間の両端のクラック及び断
線といった問題を解決することができる。
また、導電リードが細（なるため、導電リードと突起電
極の熱圧着の際の導電リードへの熱の伝導量が減少する
ので、熱圧着時の温度を下げることができる。そしてこ
れによりベースフィルムと半導体素子の熱膨張量は減少
するので、導電リードに加わる引張り応力を減少させる
こともできる。
極の熱圧着の際の導電リードへの熱の伝導量が減少する
ので、熱圧着時の温度を下げることができる。そしてこ
れによりベースフィルムと半導体素子の熱膨張量は減少
するので、導電リードに加わる引張り応力を減少させる
こともできる。
第１図（ａ）は本発明の半導体装置の一実施例を示す平
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の一部拡大平面図、
第１図（Ｃ）はボンディングツールの先端形状を示す底
面図である。第２図（ａ）は従来の半導体装置を示す平
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の一部分拡大平面図
、第２図（Ｃ）はボンディングツールの先端形状を示す
底面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・突起電極、
３・・・・・・導電リード、３ａ・・・・・・導電リー
ド３のうち突起電極２とベースフィルム４の間の部分、
４・・・・・・ベースフィルム、５・・・・・・ボンデ
ィングツール。
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の一部拡大平面図、
第１図（Ｃ）はボンディングツールの先端形状を示す底
面図である。第２図（ａ）は従来の半導体装置を示す平
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の一部分拡大平面図
、第２図（Ｃ）はボンディングツールの先端形状を示す
底面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・突起電極、
３・・・・・・導電リード、３ａ・・・・・・導電リー
ド３のうち突起電極２とベースフィルム４の間の部分、
４・・・・・・ベースフィルム、５・・・・・・ボンデ
ィングツール。
Claims (1)
- 可撓性のベースフィルム上に導電リードを設けたフィル
ムキャリアと、前記導電リードが接続される突起電極を
形成した半導体素子とを具備し、前記導電リードのリー
ド幅は、前記突起電極との接続部と前記可撓性ベースフ
ィルム上で太く、その中間部が細くした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140475A JPH034547A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140475A JPH034547A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034547A true JPH034547A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15269470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140475A Pending JPH034547A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034547A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800753A4 (en) * | 1994-09-19 | 2001-01-17 | Tessera Inc | Microelectronic bonding with lead motion |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140475A patent/JPH034547A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800753A4 (en) * | 1994-09-19 | 2001-01-17 | Tessera Inc | Microelectronic bonding with lead motion |
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