JPH0346375A - トンネル素子 - Google Patents
トンネル素子Info
- Publication number
- JPH0346375A JPH0346375A JP18310289A JP18310289A JPH0346375A JP H0346375 A JPH0346375 A JP H0346375A JP 18310289 A JP18310289 A JP 18310289A JP 18310289 A JP18310289 A JP 18310289A JP H0346375 A JPH0346375 A JP H0346375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- tunnel
- floating gate
- gate electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明はトンネル電流を利用することにより、浮遊ゲ
ート電極に電荷を注入もしくは前記浮遊ゲート電極から
電荷の抜き取りをする不揮発性メモリにおけるトンネル
素子に関する。
ート電極に電荷を注入もしくは前記浮遊ゲート電極から
電荷の抜き取りをする不揮発性メモリにおけるトンネル
素子に関する。
この発明は、トンネル電流を利用することにより浮遊ゲ
ート電極に電荷を注入もしくは前記浮遊ゲート電極から
電荷を抜き取りをする不揮発性メモリにおいて、トンネ
ル酸化膜上で、かつ、フィールド用酸化膜と逆のゲート
用酸化膜側壁に絶縁物を堆積することにより、浮遊ゲー
ト電極をゲート用酸化膜とトンネル用酸化膜の境界面か
ら遠ざけた構造のトンネル素子となるようにしたもので
ある。
ート電極に電荷を注入もしくは前記浮遊ゲート電極から
電荷を抜き取りをする不揮発性メモリにおいて、トンネ
ル酸化膜上で、かつ、フィールド用酸化膜と逆のゲート
用酸化膜側壁に絶縁物を堆積することにより、浮遊ゲー
ト電極をゲート用酸化膜とトンネル用酸化膜の境界面か
ら遠ざけた構造のトンネル素子となるようにしたもので
ある。
従来、第２図に示すように浮遊ゲート電極ｌが、ゲート
用酸化膜３とトンネル用酸化膜５の境界部近くに形成さ
れたトンネル素子が知られていた。
用酸化膜３とトンネル用酸化膜５の境界部近くに形成さ
れたトンネル素子が知られていた。
しかし、従来のトンネル素子は、浮遊ゲート電極１と拡
散層電極６の間にトンネル電流を流す時、ゲート酸化膜
３とトンネル用酸化膜５の境界部が破壊しやすいという
欠点があった。この発明は従来のこのような欠点を解決
するため、前記トンネル素子にトンネル電流を流した時
においても、破壊しにくいトンネル素子を作ることを目
的としている。
散層電極６の間にトンネル電流を流す時、ゲート酸化膜
３とトンネル用酸化膜５の境界部が破壊しやすいという
欠点があった。この発明は従来のこのような欠点を解決
するため、前記トンネル素子にトンネル電流を流した時
においても、破壊しにくいトンネル素子を作ることを目
的としている。
上記課題を解決するために、この発明はトンネル電流を
利用することにより、浮遊ゲート電極に電荷を注入もし
くは前記浮遊ゲート電極から電荷を抜き取りをする不揮
発性メモリ装置において、トンネル用酸化膜でかつフィ
ールド用酸化膜と反対側のゲート用酸化膜側壁に絶縁物
を堆積することにより、浮遊ゲート電極をゲート用酸化
膜とトンネル用酸化膜の境界面から遠ざけた構造のトン
ネル素子を構成した。
利用することにより、浮遊ゲート電極に電荷を注入もし
くは前記浮遊ゲート電極から電荷を抜き取りをする不揮
発性メモリ装置において、トンネル用酸化膜でかつフィ
ールド用酸化膜と反対側のゲート用酸化膜側壁に絶縁物
を堆積することにより、浮遊ゲート電極をゲート用酸化
膜とトンネル用酸化膜の境界面から遠ざけた構造のトン
ネル素子を構成した。
上記のような構造のトンネル素子に、トンネル電流を流
すため、浮遊ゲート電極ｌと拡散層電極６の間に電圧を
印加した場合、前記浮遊ゲート電ｉｆが、ゲート用酸化
膜３とトンネル用酸化膜５の境界部から遠ざかっている
ため、前記境界面にはトンネル電流が流れず、前記境界
面は破壊しにくくなるのである。
すため、浮遊ゲート電極ｌと拡散層電極６の間に電圧を
印加した場合、前記浮遊ゲート電ｉｆが、ゲート用酸化
膜３とトンネル用酸化膜５の境界部から遠ざかっている
ため、前記境界面にはトンネル電流が流れず、前記境界
面は破壊しにくくなるのである。
よって、前記トンネル素子自体破壊しにくくな〔実施例
〕 以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図はトンネル用酸化膜５の上でかっ、フィールド用酸
化膜２と反対側のゲート用酸化膜３の側壁に絶縁物を堆
積させたトンネル素子の実施例である。
〕 以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図はトンネル用酸化膜５の上でかっ、フィールド用酸
化膜２と反対側のゲート用酸化膜３の側壁に絶縁物を堆
積させたトンネル素子の実施例である。
上記実施例において、浮遊ゲート電極１からゲート用酸
化Ｍ３とトンネル用酸化膜５の境界面を遠ざけることが
でき、前記トンネル素子にトンネル電流を流しても破壊
に強い素子となる。
化Ｍ３とトンネル用酸化膜５の境界面を遠ざけることが
でき、前記トンネル素子にトンネル電流を流しても破壊
に強い素子となる。
この発明は以上説明したように、浮遊ゲート電極１をゲ
ート用酸化膜３とトンネル用酸化膜５の境界面を遠ざけ
た構造のトンネル素子とすることによって、前記トンネ
ル素子にトンネル電流を流しても、ゲート用酸化膜３と
トンネル用酸化膜５の境界面が極めて破壊しにくくなる
。よって前記トンネル素子自体破壊しにくくなる。
ート用酸化膜３とトンネル用酸化膜５の境界面を遠ざけ
た構造のトンネル素子とすることによって、前記トンネ
ル素子にトンネル電流を流しても、ゲート用酸化膜３と
トンネル用酸化膜５の境界面が極めて破壊しにくくなる
。よって前記トンネル素子自体破壊しにくくなる。
第１図はこの発明にかかるトンネル素子の縦断面図、第
２図は従来のトンネル素子の縦断面図である。 浮遊ゲート電極 フィールド用酸化膜 ゲート用酸化膜 絶縁物 トンネル用酸化膜 拡散層電極 以 上
２図は従来のトンネル素子の縦断面図である。 浮遊ゲート電極 フィールド用酸化膜 ゲート用酸化膜 絶縁物 トンネル用酸化膜 拡散層電極 以 上
Claims (1)
- トンネル電流を利用することにより浮遊ゲート電極に電
荷を注入もしくは前記浮遊ゲート電極から電荷の抜き取
りをするトンネル素子装置において、トンネル酸化膜上
でかつフィールド用酸化膜と反対側のゲート用酸化膜側
壁に絶縁物を堆積したことを特徴とするトンネル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18310289A JPH0346375A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | トンネル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18310289A JPH0346375A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | トンネル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346375A true JPH0346375A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16129808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18310289A Pending JPH0346375A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | トンネル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346375A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756272B1 (en) | 1998-10-01 | 2004-06-29 | Nec Corporation | Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18310289A patent/JPH0346375A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756272B1 (en) | 1998-10-01 | 2004-06-29 | Nec Corporation | Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device |
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